JP2009088313A - 荷電粒子ビーム描画装置及び描画データの検証方法 - Google Patents

Abstract

【目的】描画データの検証時間を低減することで効率の優れたデータ処理を行なって描画時間を短縮させる描画装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の描画装置１００は、描画データと所定の計算手法により演算された第１のチェック値とを入力し、記憶する磁気ディスク装置１０９と、入力された描画データを用いて上述した所定の計算手法と同じ計算手法により第２のチェック値を演算するチェック値演算部１２４と、第１と第２のチェック値が同一か否かを判定する判定部１２６と、電子ビーム２００を用いて、描画データに基づく所定のパターンを試料１０１に描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、描画データの検証時間を短縮することができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、荷電粒子ビーム描画装置及び描画データの検証方法に係り、特に、外部から転送された描画データの検証方法及び検証された描画データを用いて試料に所定のパターンを描画する電子ビーム描画装置に関する。

半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン（レチクル或いはマスクともいう。）が必要となる。ここで、電子線（電子ビーム）描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。

図７は、従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
可変成形型電子線描画装置（ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｂｅａｍ）描画装置）における第１のアパーチャ４１０には、電子線３３０を成形するための矩形例えば長方形の開口４１１が形成されている。また、第２のアパーチャ４２０には、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口４２１が形成されている。荷電粒子ソース４３０から照射され、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０は、偏向器により偏向され、第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１の一部を通過して、所定の一方向（例えば、Ｘ方向とする）に連続的に移動するステージ上に搭載された試料に照射される。すなわち、第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過できる矩形形状が、Ｘ方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０の描画領域に描画される。第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式という。

かかる電子ビーム描画を行なうにあたり、まず、半導体集積回路のレイアウトが設計され、パターンレイアウトが定義されたレイアウトデータ（設計データ）が生成される。そして、外部装置でかかるレイアウトデータが変換され、電子ビーム描画装置に入力可能な描画データが生成される。そして、描画データを電子ビーム描画装置に一括転送入力して、電子線描画装置内で、描画データに基づいて、さらに、複数段の変換処理の末に電子ビーム描画装置内のフォーマットのデータに変換されて描画される。

近年のＬＳＩの高集積化に伴って電子ビーム描画装置に入力前のデータ処理や電子ビーム描画装置内部でのデータ処理の時間が益々増大している。処理時間の増大は、全体としての描画時間を増大させてしまう。そして、これは同時に描画されるマスクの製造コストが大きくなる原因にもなっている。しかしながら、この処理時間を短縮するためには、より高価な高性能の計算機システム構成が必要となってしまう。このような大幅なコスト増を生じさせないためにも、より効率的なデータ処理方法の開発が望まれている。ここで、処理時間が長くなる要因の１つとして、装置間のデータ転送後のデータチェックが挙げられる。上述したように、レイアウトデータが変換され、電子ビーム描画装置に入力可能な描画データが生成されるが、描画データが生成された後に変換装置において正常にデータ変換が行なわれたかどうかのデータフォーマットのフルチェックが通常行なわれる（例えば、特許文献１参照）。その後、描画データは、その他の装置へ転送され、最終的に描画装置に転送されてくることになる。転送によりデータ破損の可能性があるため、描画データは、データ転送の都度、転送先でデータフォーマットのフルチェックが行なわれる。このように、各装置がデータ入力の都度、データ検証のために入力された描画データのフルチェックを行なうと処理時間が膨大なものとなってしまう。
特開２００４−０９４０４４号公報

上述したように、データ量の増大に伴って、データ処理の時間が益々増大している。処理時間の増大は、全体としての描画時間を増大させてしまうといった問題があった。そして、これは同時に描画されるマスクの製造コストが大きくなってしまうといった問題があった。特に、入力された描画データのフルチェック処理といったデータ検証のための処理時間の短縮が必要である。

そこで、本発明は、かかる問題点を克服し、効率の優れたデータ処理を行なって描画時間を短縮させる描画装置および入力された描画データの検証時間を低減する描画データの検証方法を提供することを目的とする。

本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、
描画データと所定の計算手法により演算された第１の演算値とを入力し、記憶する記憶部と、
入力された描画データを用いて上述した所定の計算手法と同じ計算手法により第２の演算値を演算する演算部と、
第１と第２の演算値が同一か否かを判定する判定部と、
荷電粒子ビームを用いて、描画データに基づく所定のパターンを試料に描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。

このように、描画装置は描画データだけではなく第１の演算値も入力する。そして、描画装置内で改めて上述した所定の計算手法により第２の演算値を演算する。これら第１と第２の演算値が同一であれば入力した描画データが破損していないということを略検証することができる。描画装置内で入力した描画データのフルチェックを行なっていないので処理時間を大幅に短縮することができる。

また、判定された結果、第１と第２の演算値が同一でない場合に、描画データのデータチェックを行なうデータチェック部をさらに備えるとより好適である。

また、記憶部は、描画データとして、複数のデータファイルを記憶し、
第１の演算値は、データファイル毎に設けられ、
演算部は、データファイル毎の第２の演算値を演算すると好適である。

さらに、第１の演算値は、各第１の演算値が各データファイルに対応して定義されたチェックデータファイルとして記憶部に記憶されると好適である。

本発明の一態様の描画データの検証方法は、
荷電粒子ビームを用いて試料に所定のパターンを描画するための描画データと描画データを用いて所定の計算手法により演算された第１の演算値とを入力する工程と、
入力された描画データを用いて上述した所定の計算手法と同じ計算手法により第２の演算値を演算する工程と、
第１と第２の演算値が同一か否かを判定し、結果を出力する工程と、
を備えたことを特徴とする。

かかる構成により、第１と第２の演算値が同一であれば入力した描画データが破損していないということを略検証することができる。描画装置内で入力した描画データのフルチェックを行なっていないので処理時間を大幅に短縮することができる。

本発明によれば、描画データの検証時間を短縮することができる。よって、効率の優れたデータ処理を行なうことができる。その結果、大幅に描画時間を短縮させることができる。

以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。また、荷電粒子ビーム装置の一例として、荷電粒子ビーム描画装置、特に、可変成形型の電子ビーム描画装置について説明する。

図１は、実施の形態１における描画システムの構成を示す概念図である。
図１において、電子ビーム描画を行なうにあたり、まず、半導体集積回路のレイアウトが設計され、パターンレイアウトが定義されたレイアウトデータ１０（設計データ）が生成される。そして、変換装置３００内のデータ変換部３１０でかかるレイアウトデータ１０が変換され、電子ビーム描画装置の一例である描画装置１００に入力可能な描画データ１２が生成される。また、変換装置３００内では、データ検証部３２０により変換された描画データ１２のフルデータチェックが行なわれる。さらに、データに問題が無ければ、所定の方法で描画データ１２に略固有のチェック値１４が演算される。そして、これら描画データ１２とチェック値１４がそれぞれファイルとなって次の装置に転送される。図１では、次の装置として、例えば、管理するデータ管理装置３５０を示している。データ管理装置３５０内では、データ検証部３７０により転送されてきた（入力された）描画データ１２を用いてデータ検証部３２０と同じ方法で描画データ１２に略固有のチェック値１４が演算される。そして、入力されたチェック値１４と改めて演算されたチェック値１４が同じであれば転送されてきた描画データ１２に破損は無いと判断する。このようにして、正常な描画データ１２がデータ管理部３６０によって管理される。データ管理部３６０では、複数の試料をそれぞれ描画するための複数の描画データ１２が管理される。続いて、これら描画データ１２のデータファイルとチェック値１４のデータファイルがさらに次の装置に転送される。図１では、さらに次の装置として、描画装置１００を示している。描画装置１００内でも、データ検証部１２０により転送されてきた（入力された）描画データ１２を用いてデータ検証部３２０，３７０と同じ方法で描画データ１２に略固有のチェック値１４が演算される。そして、入力されたチェック値１４と改めて演算されたチェック値１４が同じであれば転送されてきた描画データ１２に破損は無いと判断する。このように略正常と検証された描画データ１２は、描画制御部１１０によって、さらに、複数段の変換処理の末に描画装置１００内のフォーマットのデータに変換される。そして、そのデータを用いて描画部１５０が試料に所定のパターンを描画する。ここで、チェック値１４は、所定の手法で演算された演算値の一例となる。図１では、本実施の形態１を説明する上で必要な構成部分以外については記載を省略している。描画システムにとって、通常、必要なその他の構成が含まれても構わないことは言うまでもない。ここで、図１では、実線で示すように変換装置３００からデータ管理装置３５０を経由して描画装置１００に転送されているが、変換装置３００から直接、描画装置１００に転送されても構わない。ここでは、転送される度に描画データのフルチェックを行なわないでチェック値１４の比較によって検証することで検証時間の短縮を図ることができる。データ検証方法の具体的なフローについては後述する。

図２は、実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。
図２において、描画装置１００は、描画部１５０と制御部１６０を備えている。描画部１５０は、描画室１０３と描画室１０３の上部に配置された電子鏡筒１０２を備えている。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、第１のアパーチャ２０３、投影レンズ２０４、偏向器２０５、第２のアパーチャ２０６、対物レンズ２０７、及び偏向器２０８を有している。そして、描画室１０３内には、ＸＹステージ１０５が配置され、ＸＹステージ１０５上に描画対象となる試料１０１が配置される。試料１０１として、例えば、半導体装置が形成されるウェハやウェハにパターンを転写する露光用のマスクが含まれる。また、このマスクは、例えば、まだ何もパターンが形成されていないマスクブランクスが含まれる。制御部１６０は、磁気ディスク装置１０９、描画制御部１１０、制御計算機１１２、モニタ１１４、インターフェース（Ｉ／Ｆ）回路１１６、データ検証部１２０、及びメモリ１２１を有している。制御部１６０の各構成はバス１１１を介して互いに接続されている。データ検証部１２０内には、判定部１２２、チェック値演算部１２４、判定部１２６、フルチェック処理部１２８、及び判定部１３０が配置されている。図２では、判定部１２２、チェック値演算部１２４、判定部１２６、フルチェック処理部１２８、及び判定部１３０は電気的な回路によるハードウェアにより構成するように記載しているが、これに限るものではなく、ソフトウェアにより実施させても構わない。すなわち、データ検証部１２０はＣＰＵ等のコンピュータでも構わない。そして、コンピュータの一例となるデータ検証部１２０で、判定部１２２、チェック値演算部１２４、判定部１２６、フルチェック処理部１２８、及び判定部１３０といった各機能の処理を実行させても構わない。或いは、電気的な回路によるハードウェアとソフトウェアとの組合せにより実施させても構わない。或いは、かかるハードウェアとファームウェアとの組合せでも構わない。また、データ検証部１２０に入力される情報或いは演算処理中及び処理後の各情報はその都度メモリ１２１に記憶される。また、図１では、データ検証部１２０が独立した構成としてバス１１１に接続されているが、これに限るものではなく、例えば、制御計算機１１２の内部構成として配置されても構わない。図２では、本実施の形態１を説明する上で必要な構成部分以外については記載を省略している。描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成が含まれても構わないことは言うまでもない。

描画データ１２が定義されたデータファイルとチェック値１４が定義されたデータファイルは、Ｉ／Ｆ回路１１６から描画装置１００に入力される。そして、入力された各ファイルは磁気ディスク装置１０９に格納される。

図３は、実施の形態１における描画データの階層構造の一例を示す図である。
描画データ１２では、描画領域が、チップの層、チップ領域を例えばｙ方向に向かって短冊状に仮想分割したフレームの層、フレームを分割したブロックの層、少なくとも１つ以上の図形で構成されるセルの層、かかるセルを構成する図形の層といった一連の複数の内部構成単位ごとに階層化されている。また、１つの試料１０１の描画領域に対して複数のチップの層がレイアウトされていることが一般的である。尚、ここではフレームについてチップ領域をｙ方向（所定の方向）に向かって短冊状に分割した領域としてあるが、これは一例であり、描画面と平行しｙ方向と直交するｘ方向に分割する場合もありうる。或いは描画面と平行するその他の方向であっても構わない。

図４は、実施の形態１における描画データの一例を示す図である。
描画装置でパターンを描画する際には、例えば、フレームを描画単位として描画される。図４では、一例として、あるチップにおける番号”ｎ”で識別されるフレーム領域に位置しているデータについて説明する。そして、そのフレーム用の描画データ１２として、セル配置データ、リンクデータ、セルパターンデータが作成される。図４において、描画データ１２は、一例として、セル配置データファイル２２、リンクデータファイル２４、セルパターンデータファイル２６を有している。これらのファイルがフレームごとに作成される。描画データ１２は、さらに、一つ以上のフレームで構成されるチップに対して、各フレームの構成情報やチップ全体で共通のパラメータ等を定義するチップ構成ファイル２０を有している。また、図４では、セル配置データファイル２２とリンクデータファイル２４とセルパターンデータファイル２６内の各データの対応関係の一例を示している。試料に所望するパターンを描画する場合には、一つのマスクに対して、一つ以上のチップで構成される。そのような場合、これらのファイルで構成されるチップデータが複数存在し、それらをマスク上に配置するためのレイアウト情報を有する。

セル配置データファイル２２は、レイアウトデータ１０に含まれるあるチップのパターンデータに対応するセルを配置するための配置データ（配置情報）を含む。セル配置データファイル２２には、例えばブロック領域ごとに、配置されるセルのいずれかを配置するための配置データが含まれる。図４では、一例として、配置されるセルの一部となるセル（ｉ）〜（ｌ）のいずれかを配置するための配置データを示している。セル配置データは、セルの基準点の配置位置を示す座標等で示される。図４において、セル配置データファイル２２は、ファイルヘッダに続き、ブロック（０，０）ヘッダ、ブロック（０，０）内に配置されたセル配置データ（ｐ）、セル配置データ（ｑ）、セル配置データ（ｒ）、ブロック（０，１）ヘッダ、ブロック（０，１）内に配置されたセル配置データ（ｓ）、ブロック（１，０）ヘッダ、ブロック（１，０）内に配置されたセル配置データ（ｔ）、が定義（格納）される。そして、その他の配置データがさらに格納される。

次に、セルパターンデータファイル２６には、あるチップのフレームｎに配置される複数のセルの各パターンデータが含まれている。図４では、一例として、セル（ｉ）〜（ｌ）の各パターンデータを示している。ここでは、セルパターンデータファイル２６には、その一部として、パターンデータセグメント（０）、セル（ｉ）のパターンデータを示すセルパターンデータ（ｉ）、セル（ｊ）のパターンデータを示すセルパターンデータ（ｊ）が順に１回ずつ格納されている。続いて、パターンデータセグメント（１）、セル（ｋ）のパターンデータを示すセルパターンデータ（ｋ）が格納されている。さらに、その他のデータが格納され、その後に、パターンデータセグメント（４）、セル（ｌ）のパターンデータを示すセルパターンデータ（ｌ）が格納されている。

また、リンクデータファイル２４には、各セル配置データから各セルパターンデータ参照するためのリンク情報やセルパターンデータへのオペレーション情報が含まれている。図４では、リンクデータファイル２４には、その一部として、セル配置データ（ｐ）をセルパターンデータ（ｉ）に関連させるための関係データ（ａ）、セル配置データ（ｑ）をセルパターンデータ（ｊ）に関連させるための関係データ（ｂ）、セル配置データ（ｒ）をセルパターンデータ（ｉ）に関連させるための関係データ（ｃ）、セル配置データ（ｓ）をセルパターンデータ（ｋ）に関連させるための関係データ（ｄ）、セル配置データ（ｔ）をセルパターンデータ（ｌ）に関連させるための関係データ（ｅ）がその他のデータと共に格納されている。

図５は、実施の形態１におけるチェックデータファイルの一例を示す図である。
チェックデータファイル１８には、各ファイルのチェック値１４が定義されている。図５では、チップ構成ファイル２０のチェック値１４ａ、フレーム番号「１」で示すセル配置データファイル２２のチェック値１４ｂ、リンクデータファイル２４のチェック値１４ｃ、及びセルパターンデータファイル２６のチェック値１４ｄが定義されている。そして、フレーム番号「２」の同様の各ファイルのチェック値１４と続き・・・フレーム番号「ｎ」で示すセルパターンデータファイル２６のチェック値１４ｋが定義されている。以上のように、チェック値１４は、ファイル毎に定義される。

図６は、実施の形態１におけるデータ検証方法の要部工程を示すフローチャート図である。描画データ１２が定義された各データファイルと各チェック値１４が定義されたチェックデータファイル１８が磁気ディスク装置１０９に記憶（格納）されると、データ検証部１２０は、データ検証を行なう。

まず、Ｓ（ステップ）１０２において、チェック値有無判定工程として、判定部１２２は、データファイル毎に、チェックデータファイル１８にチェック値１４が定義されているかどうかを判定する。この判定にはチェックデータファイル１８自体が存在しているかどうかの判定も含まれることは言うまでもない。そして、チェック値１４が定義されている場合は、Ｓ１０４へ進む。チェック値１４が定義されていない場合はＳ１０８へ進む。

Ｓ１０４において、チェック値演算工程として、チェック値演算部１２４は、各データファイル内のデータを用いて所定の計算手法により改めてチェック値（第２のチェック値）を演算する。計算手法としては、例えば、誤り検出に用いられるチェックサム（Ｃｈｅｃｋ Ｓｕｍ）アルゴリズムに従って演算する。そして、求められた符号をチェック値とする。或いは、巡回冗長検査手法に従ってチェック値を演算してもよい。或いは、ＭＤ５（エムディーファイブ）といったハッシュ関数に従ってチェック値となるハッシュ値を演算してもよい。或いは、パリティビットを演算してもよい。これらの演算によって、描画データ１２を構成する各データファイル内のデータに対する略固有の値を取得することができる。以上のようにして得られた略固有の値をチェック値とする。これらの演算において、ここでは、各ファイルのヘッダだけではなく、データ自体も演算の対象とすることが望ましい。データ自体も含めることでデータ破損の検出精度を向上させることができる。ここで用いる演算手法は、変換装置３００内のデータ検証部３２０及びデータ管理装置３５０内のデータ検証部３７０が用いた演算手法と同じ手法を用いることは言うまでもない。

Ｓ１０６において、チェック値比較判定工程として、判定部１２６は、転送されてきたチェック値１４（第１の演算値）と前工程で演算されたチェック値（第２の演算値）とを比較し、両値が同一か否かを判定する。判定の結果、同一である場合には転送されてきた描画データ１２を構成するこのデータファイル内のデータが破損していないものと推定することができる。そして、正常との結果を出力して終了する。この推定によりデータの検証を行なうことができる。判定の結果、同一でない場合にはＳ１０８に進む。

Ｓ１０８において、フルチェック工程として、フルチェック処理部１２８は、転送されてきたチェック値１４とチェック値演算工程（Ｓ１０４）で演算されたチェック値とが同一でない場合に、描画データ１２のフルデータチェックを行なう。フルチェック処理部１２８は、データチェック部の一例となる。フルデータチェックでは、データ全体の構造を解析してその整合性に問題がないかどうかをチェックする。このフルデータチェックは、チェック値演算に比べて大幅に時間が必要となる。よって、このフルデータチェックを行なわなくて済ますことができれば大幅に処理時間を短縮することができる。ここでは、チェック値１４が転送されてこない場合やチェック値比較判定の結果、同一でない場合にこのフルデータチェックを行なわれることになる。

Ｓ１１０において、エラー有無判定工程として、判定部１３０は、フルデータチェックの結果、エラーが生じたか否かを判定する。そして、エラーが生じた場合には、エラーとの結果を出力して終了する。エラーが生じない場合には、Ｓ１１２に進む。

Ｓ１１２において、チェック値演算工程として、チェック値演算部１２４は、各データファイル内のデータを用いてチェック値演算工程（Ｓ１０４）と同じ計算手法により改めてチェック値１６を演算する。そして、チェック値１６をチェック値１４と置き換える。或いは、チェック値１４が存在しない場合は、チェック値１６を磁気ディスク装置１０９に格納する。

変換装置３００内のデータ検証部３２０及びデータ管理装置３５０内のデータ検証部３７０でも、上述したチェック値有無判定工程（Ｓ１０２）からチェック値演算工程（Ｓ１１２）までのアルゴリズムと同じアルゴリズムに従ってデータ検証を行なう。すなわち、データ検証部３２０及びデータ検証部３７０は、データ検証部１２０と同様の構成、或いは機能を備える。

以上のように、磁気ディスク装置１０９は、描画データ１２として、複数のデータファイルを記憶する。また、チェック値１４は、これらの複数のデータファイルのデータファイル毎に設けられる。各チェック値１４は各データファイルに対応して定義されたチェックデータファイル１８として磁気ディスク装置１０９に記憶される。そして、チェック値演算部１２４は、チェック値演算工程（Ｓ１０４）として、データファイル毎の改めてチェック値を演算することになる。そして、これらを比較することでデータ破損の有無を検証することができる。

そして、描画部１５０は、電子ビーム２００を用いて、データ検証が終了した後の破損が無いと推定された描画データ１２に基づく所定のパターンを試料１０１に描画する。

以上の説明において、「〜部」或いは「〜工程」と記載したものは、コンピュータで動作可能なプログラムにより構成することができる。或いは、ソフトウェアとなるプログラムだけではなく、ハードウェアとソフトウェアとの組合せにより実施させても構わない。或いは、ハードウェアとファームウェアとの組合せでも構わない。また、プログラムにより構成される場合、プログラムは、磁気ディスク装置１０９、図示しない磁気テープ装置、ＦＤ、ＣＤ、ＤＶＤ、ＭＯ或いはＲＯＭ等の記録媒体に記録される。

以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。

また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置１００を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。

その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画方法、荷電粒子線描画データの作成方法、荷電粒子線描画データの変換方法、及びそれらの装置は、本発明の範囲に包含される。

実施の形態１における描画システムの構成を示す概念図である。 実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。 実施の形態１における描画データの階層構造の一例を示す図である。 実施の形態１における描画データの一例を示す図である。 実施の形態１におけるチェックデータファイルの一例を示す図である。 実施の形態１におけるデータ検証方法の要部工程を示すフローチャート図である。 従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。

符号の説明

１０ レイアウトデータ
１２ 描画データ
１４，１６ チェック値
１８ チェックデータファイル
２０ チップ構成ファイル
２２ セル配置データファイル
２４ リンクデータファイル
２６ セルパターンデータファイル
１００ 描画装置
１０１，３４０ 試料
１０２ 電子鏡筒
１０３ 描画室
１０５ ＸＹステージ
１０９ 磁気ディスク装置
１１０ 描画制御部
１１１ バス
１１２ 制御計算機
１１４ モニタ
１１６ Ｉ／Ｆ回路
１２０，３２０，３７０ データ検証部
１２１ メモリ
１２２ 判定部
１２４ チェック値演算部
１２６ 判定部
１２８ フルチェック処理部
１３０ 判定部
１５０ 描画部
１６０ 制御部
２００ 電子ビーム
２０１ 電子銃
２０２ 照明レンズ
２０３，４１０ 第１のアパーチャ
２０６，４２０ 第２のアパーチャ
２０４ 投影レンズ
２０５，２０８ 偏向器
２０７ 対物レンズ
３００ 変換装置
３１０ データ変換部
３３０ 電子線
３５０ データ管理装置
３６０ データ管理部
４１１ 開口
４２１ 可変成形開口
４３０ 荷電粒子ソース

Claims (5)

1. 描画データと所定の計算手法により演算された第１の演算値とを入力し、記憶する記憶部と、
   入力された前記描画データを用いて前記所定の計算手法と同じ計算手法により第２の演算値を演算する演算部と、
   前記第１と第２の演算値が同一か否かを判定する判定部と、
   荷電粒子ビームを用いて、前記描画データに基づく所定のパターンを試料に描画する描画部と、
   を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
2. 判定された結果、前記第１と第２の演算値が同一でない場合に、前記描画データのデータチェックを行なうデータチェック部をさらに備えたことを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム描画装置。
3. 前記記憶部は、前記描画データとして、複数のデータファイルを記憶し、
   前記第１の演算値は、前記データファイル毎に設けられ、
   前記演算部は、前記データファイル毎の前記第２の演算値を演算することを特徴とする請求項１又は２記載の荷電粒子ビーム描画装置。
4. 前記第１の演算値は、各第１の演算値が各データファイルに対応して定義されたチェックデータファイルとして前記記憶部に記憶されることを特徴とする請求項３記載の荷電粒子ビーム描画装置。
5. 荷電粒子ビームを用いて試料に所定のパターンを描画するための描画データと前記描画データを用いて所定の計算手法により演算された第１の演算値とを入力する工程と、
   入力された前記描画データを用いて前記所定の計算手法と同じ計算手法により第２の演算値を演算する工程と、
   前記第１と第２の演算値が同一か否かを判定し、結果を出力する工程と、
   を備えたことを特徴とする描画データの検証方法。