JP5211635B2 - ダミーチップ露光方法及び半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明はダミーチップ露光方法及び半導体集積回路装置の製造方法に関するものであり、特に、電子ビーム直接描画により大規模集積回路装置を試作する際の製造スループット改善するための構成に特徴のあるダミーチップ露光方法及び半導体集積回路装置の製造方法に関するものである。

近年の半導体集積回路装置では製造に用いるレチクルの価格が非常に高価になり、例えば、６５ｎｍテクノロジでは全てのレチクルを合わせると数億円に達し、このため、半導体集積回路装置の試作段階においては特性不良、回路ミスによる作り直しに必要な費用が膨大になっている。

一方、電子ビーム露光を用いた半導体集積回路装置の製造方法はマスクレスでの製造工程となるため、６５ｎｍノードでは１億円以上となるレチクル費用の削減に大きく貢献する。

また、レチクル作成には複雑な光学補正処理が必要で２週間程度要するが、電子ビーム露光では光学補正処理が不要なため露光データは２日程度で準備でき、そのため、製造期間の短縮の面でも大きな効果がある。

しかし、レチクルを用いる光露光と比較して電子ビーム露光では、単位時間あたりのウェーハ処理枚数が１／１００程度しかなく大規模な量産には向いていないが、レチクルレスで半導体集積回路装置の製造ができる大きなメリットがある。

そのため、電子ビーム露光での時間短縮のために繰り返し部分の露光スループットを向上させるためプロジェクションマスクを用いた部分一括露光などが提案されているので、ここで、図８及び図９を参照して部分一括露光方法を説明図する。

図８参照
図８は、部分一括露光に用いる露光装置の概念的要部構成図であり、ＬａＢ₆ 電子銃４１から放出した電子ビーム４２をコリメート用収束レンズ４３で平行化したのち、電子ビーム４２の形状を規定する開口部を有する第１スリット４４を通過させて電子ビーム４２を成形する。

次いで、収束レンズ４５で成形された電子ビーム４２を絞ったのち、成形用偏向器４６、第１マスク偏向器４７、非点収差補正用偏向器４８、第２マスク偏向器４９、マスク用収束コイル５０、及び、第１成形用レンズ５１により１００種類程度の部分一括露光パターンを形成したプロジェクションマスク５２の選択した所定の位置に照射し、次いで、部分一括露光パターンを通過した電子ビーム４２を第２成形用レンズ５３及び第３マスク偏向器５４により成形したのち、ブランキング偏向、主偏向器、及び、副偏向器（いずれも図示を省略）を介してウェーハの所定の位置に露光する。

図９参照
図９は、部分一括露光イメージの説明図であり、第１スリット４４を通過して所定の形状に成形された電子ビーム４２をプロジェクションマスク５２に形成した所定の部分一括露光パターン５５に照射し、部分一括露光パターン５５を通過した電子ビーム４２をウェーハ５９に繰り返し照射して繰り返しパターン６０を形成する。

しかし、これらのスループット改善技術は必ずしも半導体集積回路装置全体に適用できるわけではなく、電子ビーム露光のデメリットである処理時間（スループット）の長さを解決するにはいたっていない。
そのため電子ビーム露光は主に、半導体集積回路装置の試作に使用されてきた。

近年、ウェーハの口径は量産時のコスト低減を狙い大口径化しており、例えば、６５ｎｍノードでは３００ｍｍφウェーハが主流であり、１０ｍｍ×１０ｍｍのチップサイズの半導体集積回路装置を作成する場合は３００ｍｍφウェーハ上に約７００個配置することができる。

一方、半導体集積回路装置の試作段階においては必要なサンプル数は１０個〜１００個と少量で良いことが多く、３００ｍｍφウェーハを用いた場合には必要なサンプル数を大きく上回っている。

したがって、試作においては必要なサンプル数は少量で良いので、本来は、ウェーハの一部のみに半導体集積回路装置のパターンを露光すれば良いが、半導体集積回路装置の製造工程においてはウェーハ全面の平坦性を保つ必要があり、本来は露光する必要がない領域についても平坦化を損なわないためのパターンを露光する必要がある。

しかし、近年の素子微細化に伴い、半導体集積回路装置の設計データ量は飛躍的に増大し、それに伴って露光に必要な時間が増大しているため、ウェーハ上に形成される７００個の半導体集積回路装置全てに対して露光を行うと数時間以上を要することになる。

そこで、このような問題を解決するために、製品チップ用とダミーチップ用それぞれの電子ビーム露光データを作成し、製品用チップとダミーチップにそれぞれ使い分ける方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

図１０参照
図１０は、従来のハイブリッド露光によるダミーチップ露光工程のフローチャートであり、製品チップ設計データに基づいて電子ビーム露光データを作成して製品チップを露光したのち、ダミーチップ設計データに基づいてレチクルデータを作成し、作成したレチクルデータに基づいてレチクルを作成し、光学露光装置を用いてダミーチップを光露光し、最後に、全体を現像し、現像したレジストパターンをマスクとしてエッチングする。

図１１参照
図１１は、ウェーハにおけるチップ配置イメージ図であり、電子ビーム露光で形成した必要とする個数の製品チップ６２はウェーハ６１の中央部に配置され、それ以外に領域にはダミーチップ露光用の電子ビーム露光データでダミーチップを露光し、最後に、全体を現像し、現像したレジストパターンをマスクとしてエッチングする。
この場合、ウェーハ６１の占有面積の多くを占めるダミーチップ６３については、露光データ量の少ないダミーチップ露光用の電子ビーム露光データにより露光を行っているので、ウェーハ６１の露光時間は大幅に短縮される。

図１２参照
図１２は、従来の電子ビーム露光によるダミーチップ露光工程のフローチャートであり、製品チップ設計データに基づいて電子ビーム露光データを作成するとともに、ダミーチップ設計データに基づいてダミーチップ露光用の電子ビーム露光データを作成する。

次いで、製品チップ用の電子ビーム露光データて製品チップを露光したのち、ダミーチップ露光用の電子ビーム露光データでダミーチップを露光し、最後に、全体を現像し、現像したレジストパターンをマスクとしてエッチングする。
特開２００５−１５０６００号公報

しかし、ハイブリッド露光の場合には、ダミーチップの露光に光露光装置を用いるので露光時間について改善できるものの、同一層の処理を行うために電子ビーム露光と光露光の２つを用いるのでプロセスが複雑になるという問題がある。
また、ダミーチップを露光するためのレチクルを作成する必要があり、電子ビーム露光のメリットであるレチクルレスという特徴が薄れてしまう。

また、ダミーチップも電子ビーム露光で露光する場合には、全てのチップを電子ビーム露光で処理するためレチクルの作成は不要であるが、ダミーチップ用の露光データの作成が必要になり露光データの準備とデータ処理が必要になる。

また、別の課題として半導体集積回路装置の試作の手段として多く使われているマルチプロジェクトウェーハでの課題も存在する。
なお、マルチプロジェクトウェーハとは１枚のウェーハに対して複数種類の製品チップを形成し、レチクル作成の費用をシェアすることにより試作費用を低減させる手法である。

一般的な実現手法としては、複数種類（図においては９種類）のチップの半導体集積回路装置データを１つのレチクルに作成し、そのレチクルを１枚のウェーハに繰り返し配置することにより半導体集積回路装置を製造するものである。

例えば、１０ｍｍ×１０ｍｍのチップを９個集めて１枚のレチクルを作成した場合、１枚のウェーハには９種類のチップが約８０個（≒７００／９）ずつ配置されることになる。
マルチプロジェクトウェーハの場合でも必要なサンプル数はそれほど多くないが必要とする数量はプロジェクトごとに異なり、ウェーハへの配置は必要個数がもっとも多いチップにあわせて行う必要があり、結果として不要チップへの露光も製品チップと同様に行うことになる。

したがって、本発明は、不要チップへの露光に要する処理時間を大幅に短縮するともに、不要チップ露光のための電子ビーム露光データ或いはレチクルの開発を不要にすることを目的とする。

図１は本発明の原理的構成図であり、ここで図１を参照して、本発明における課題を解決するための手段を説明する。
図１参照
上記の課題を解決するために、本発明は、プロセス工程の少なくとも一部で電子ビーム露光を用いる半導体集積回路装置の製造工程において、ダミーチップ領域を露光する際に、電子ビーム露光装置で許容される最大開口面積以下のサイズのダミーチップ専用の固定形状のパターンを有するマスクを用いて露光することを特徴とする。

このように、ダミーチップ専用の固定形状のパターンを有するマスクを用いて露光することによって、ダミーチップ露光用の電子ビーム露光データの作成は不要になるので、露光データの準備とデータ処理が不要になる。

この場合のマスクとしては、プロジェクションマスクが典型的なものであり、前記プロジェクションマスクに形成したダミーチップ専用の固定形状のパターンが電子ビーム露光装置で許容される最大開口面積のサイズのダミーチップ用部分一括露光パターン４であり、前記ダミーチップ用部分一括露光パターン４を電子ビームにより繰り返し露光する。
この場合、ダミーチップ専用の固定形状のパターンのサイズは露光装置で許容されている寸法の最大の大きさにしているので、露光に要する時間をより短くすることができる。

この場合のダミーチップ用部分一括露光パターン４は、ウェーハ１の平坦性を保つために一定のパターン密度を持つことだけであり回路的に意味があるものである必要はないので、複数の矩形パターン５から構成することが望ましい。

また、ダミーチップ用部分一括露光パターン４における露光パターン占有率が、製品チップ２における露光パターンの占有率の２０〜６０％とすることが望ましく、それによって、ウェーハ１の平坦性を保つことができる。

或いは、プロセス工程の少なくとも一部で電子ビーム露光を用いる半導体集積回路装置の製造工程において、ダミーチップ領域を露光する際に、製品チップ２における電子ビーム露光で形成した回路パターンの輪郭の内部領域を露光するためのベタパターン及び非回路形成部に設けるダミーチップ専用の固定形状のパターンを形成したレチクルを、ダミーチップ専用の固定形状のパターンを形成したマスクとして用いて光露光してもよい。

このように、ハイブリッド露光に用いるレチクルに形成された回路パターンの輪郭の内部領域を露光するためのベタパターン及び非回路形成部に設けるダミーパターンの占有面積は、製品チップ２における露光パターンの占有面積にほぼ等しいので、ダミーチップ３の露光工程においてレチクルは使用するものの、新たなレチクルを開発する必要がなく、したがって、電子ビーム露光を基本とするプロセス工程においてレチクルレスの利点は基本的に失われることはない。

上述の構成は、１枚のウェーハ１に複数種類の半導体集積回路装置を少数個形成するマルチプロジェクションウェーハにも適用されるものである。

本発明によれば、必要であった、ダミーチップ専用のレチクルや、ダミーチップ用の露光データを作成することなくダミーチップの露光が可能となるため、レチクルや露光データの作成費用を要することなく、ウェーハ全体の露光時間を最短にすることでができ、それによって、スループットの向上が可能になる。

本発明は、電子ビーム露光装置で許容される最大開口面積以下のサイズのダミーチップ用パターンを有するマスク、典型的には、複数の矩形パターンからなるダミーチップ用部分一括露光パターンを形成したプロジェクションマスクを用いて、ダミーチップ用部分一括露光パターンを繰り返し露光するものである。

また、ハイブリッド露光を用いる場合には、ダミーチップ領域を露光する際に、製品チップにおける電子ビーム露光で形成した回路パターンの輪郭の内部領域を露光するためのベタパターン及び非回路形成部に設けるダミーパターンを形成したレチクルを用いて光露光するものである。

ここで、図２乃至図４を参照して、本発明の実施例１のダミーチップ露光方法を説明する。
図２参照
図２は、本発明の実施例１のダミーチップ露光工程に用いるプロジェクションマスクの概念的構成図であり、プロジェクションマスク１０には製品チップを露光するための部分一括露光パターン１１とともに、ダミーチップ用部分一括露光パターン１２が形成されている。

この場合、部分一括露光パターン１１は、露光装置で許容される最大開口面積と同じ最大数μｍ□のサイズ、例えば、４μｍ□の大きさで、製品チップの中で繰り返し使用されるパターンをあらかじめ１００種類程度準備しておく。

また、ダミーチップ用部分一括露光パターン１２のサイズも露光装置で許容される最大開口面積と同じ最大数μｍ□のサイズ、例えば、４μｍ□の大きさであり、複数個（図の場合には４個）の矩形パターン１３により構成する。
この場合の矩形パターン１３の占有率は、製品チップにおける露光パターンの占有率にほぼ等しくなるように、例えば、製品チップにおける露光パターンの占有率の２０〜６０％になるように設計する。

図３参照
図３は、本発明の実施例１のダミーチップ露光工程のフローチャートであり、ここでは、例えば、チップサイズ１０ｍｍ×１０ｍｍの製品チップが５０個必要な場合の処理手順を示す。
チップサイズ１０ｍｍ×１０ｍｍの場合、３００ｍｍφウェーハ上には約７００チップを配置することができるが、ここでは、ウェーハへのチップの配置は、
ａ．ウェーハ全面にチップを配置する。
ｂ．７００個の配置位置の中で任意の１００個分の領域を設定し、この部分を製品を露 光する場所として設定し電子ビーム露光装置にプログラムする。
ｃ．残りのウェーハ領域をダミーチップ用の領域として同様に電子ビーム露光装置に設 定する。

具体的なフローとしては、まず、
Ａ．製品チップ設計データに基づいて、製品チップ用の電子ビーム露光データを作成する 。
Ｂ．一方、製品チップ設計データよりチップサイズを読み取り、ダミーチップ用一括露光 パターンの寸法で割り、1 チップあたりに必要なプロジェクションマスクの露光の繰 り返し数を算出する。
例えば、チップサイズ１０ｍｍ×１０ｍｍ、プロジェクションマスクに設けたダミ ーチップ用部分一括露光パターン１２の寸法が４μｍであれば、Ｘ，Ｙ方向にそれぞ れ２５００（＝１００００μｍ／４μｍ）回繰り返して露光することでダミーチップ のパターンを形成できる。
Ｃ．製品チップ用の電子ビーム露光データに基づいて、１００個分の領域を電子ビームで 露光する。
この場合、必要な製品チップ数は５０個であるが、余裕を持つために１００個とし ている。
Ｄ．次いで、ダミーチップ用一括露光パターンによりダミーチップ領域を電子ビームで露 光する。
この時、電子ビーム露光装置の処理速度を決めるショット数は２５００×２５００ ＝６２５万ショットとなり、６５ｎｍのメタル１プロセスでの同一サイズでの平均的 なショット数は２億１４００万ショット程度であるので、ダミーチップの露光に要す る時間を約１／３４に削減することができる。
Ｅ．次いで、電子線レジストの現像を行ってレジストパターンを形成する。
Ｆ．次いで、レジストパターンをマスクとしてエッチングを行う。

図４参照
図４は、本発明の実施例１における露光パターンの配置イメージ図であり、ウェーハ２０の中央部に製品チップ２１が配置されるとともに、その周囲にダミーチップパターン２３が繰り返されたダミーチップ２２が配置される。

本発明の実施例１においては、ダミーチップも電子ビーム露光で形成する際に、ダミーチップ用の電子ビーム露光データを作成することなく、ダミーチップ用一括露光パターンにより繰り返し露光するだけであるので、データ作成時間が不要になるとともに、ダミーチップの露光に要する時間を大幅に削減することができる。

次に、図５を参照して、本発明の実施例２のマルチプロジェクトウェーハにおけるダミーチップの露光方法を説明する。
図５参照
図５は、本発明の実施例２のマルチプロジェクトウェーハにおけるダミーチップの露光工程の説明図であり、まず、通常の光露光によりパターンを形成する層においては、複数種類、例えば、１０ｍｍ×１０ｍｍのチップサイズの９種類の製品チップパターンを形成したレチクルを用いて光露光するものとして説明する。

例えば、ここでは、チップＡ，Ｂ，Ｃを２０チップ必要とし、チップＤ，Ｅ，Ｆを４０チップ必要とし、チップＧ，Ｈ，Ｉを８０チップ必要とすると、ウェーハの全面に９種類の製品チップパターンを繰り返し露光する。

次いで、電子ビーム露光によってパターンを形成する層においては、必要とする個数に応じて、各製品チップに対応する電子ビーム露光データに基づいてプロジェクションマスクに形成した各製品チップパターンにより露光を行う。
なお、ここでは、図示を簡単にするために、チップＡ，Ｂ，Ｃを４チップ、チップＤ，Ｅ，Ｆを８チップ、チップＧ，Ｈ，Ｉを１５チップとして図示している。

次いで、それ以外の領域は不要となるため、上記の実施例１と同様にプロジェクションマスクに形成したダミーチップ用一括露光パターンにより露光することによってダミーチップ領域の露光を行う。

この場合、製品チップデータを露光すべき領域は１０ｍｍ×１０ｍｍのチップ相当で２０×３＋４０×３＋８０×３＝４２０チップ分となり、従来の方式で必要であった７２０（＝８０×９）チップ分の露光に比べて、必要な露光時間は６０％（≒４２０／７２０）程度に短縮することができる。

このように、マルチプロジェクトウェーハの場合にも、プロジェクションマスクに形成したダミーチップ用一括露光パターンを用いてダミーチップを形成することによって、データ作成時間が不要になるとともに、ダミーチップの露光に要する時間を大幅に削減することができる。

次に、図６及び図７を参照して、本発明の実施例３のハイブリッド露光工程におけるダミーチップの露光方法を説明する。
図６参照
図６は、本発明の実施例３のハイブリッド露光工程における製品パターンの形成工程の概念的説明図である。
まず、電子ビーム露光によって、電子線レジスト３０に必要とする回路パターンの輪郭部３１を電子ビーム露光データに基づいて露光する。
なお、この場合の輪郭部３１の幅は、例えば、０．５〜３ｎｍ程度である。

次いで、輪郭部３１の内部を塗りつぶすベタパターンとチップ内ダミーパターンを形成したレチクルを用いてＫｒＦエキシマレーザにより紫外線露光を行ってベタパターン３２とチップ内ダミーパターン３３を露光する。
この場合、電子線レジスト３０は、元々ＫｒＦレジストをベースに開発したものであるの、ＫｒＦ露光に対しても非常に感度が高いので解像度に問題はない。

次いで、現像することによって、電子ビーム露光によって形成された輪郭部３１に沿った回路パターン３４とチップ内ダミーパターン３５が形成される。
なお、チップ内ダミーパターン３５は回路機能を実現するためには不要なパターンであるが、チップの平坦化等のために必要なパターンである。

図７参照
このレチクルを用いたＫｒＦ露光工程において、製品チップ領域のみならず、ダミーチップ領域もベタパターンとチップ内ダミーパターンを形成した同じレチクルを用いてＫｒＦ露光することによってダミーチップを露光する。

この場合、ダミーチップにおける露光パターンの占有率は、製品チップにおける露光パターンの占有率より輪郭部の分だけ少ないが、輪郭部の比率は小さいので、ウェーハの平坦化等に悪影響を及ぼすことがない。

このように、本発明の実施例３においては、ハイブリッド露光により回路パターンを形成する際に、ダミーチップを輪郭内塗りつぶしベタパターンとチップ内ダミーパターンを形成したレチクルを用いて露光しているので、新たにダミーパターン露光用のレチクルを開発する必要がなく、開発時間及び開発費用が不要になるので、スループットの向上及び低コスト化が可能になる。

以上、本発明の各実施例を説明してきたが、本発明は各実施例に記載された構成・条件等に限られるものではなく各種の変更が可能であり、例えば、実施例１或いは実施例２におけるダミーチップ用部分一括露光パターンは単なる一例であり、個数或いは形状は任意である。
但し、１個の大きな矩形パターンを用いた場合には、ＣＭＰ工程でディッシングが発生する虞があり、逆に、多数の微小パターンを用いた場合には、Ｃｕの埋込不充分になる等の問題が発生する虞がある。

また、上記の実施例１或いは実施例２においては、プロジェクションマスクに１種類のダミーチップ用部分一括露光パターンを形成することを前提としているが、１種類に限られるものではなく、パターン占有率が互いに異なる複数のダミーチップ用部分一括露光パターンを設けておいても良いものである。

ここで、再び、図１を参照して、本発明の詳細な特徴を改めて説明する。
再び、図１参照
（付記１） プロセス工程の少なくとも一部で電子ビーム露光を用いる半導体集積回路装置の製造工程において、ダミーチップ領域を露光する際に、電子ビーム露光装置で許容される最大開口面積以下のサイズのダミーチップ専用の固定形状のパターンを有するマスクを用いて露光することを特徴とするダミーチップ露光方法。
（付記２） 前記マスクがプロジェクションマスクであり、前記プロジェクションマスクに設けられるダミーチップ専用の固定形状のパターンが電子ビーム露光装置で許容される最大開口面積のサイズのダミーチップ用部分一括露光パターン４であることを特徴とする付記１に記載のダミーチップ露光方法。
（付記３） 前記ダミーチップ用部分一括露光パターン４が複数の矩形パターン５からなることを特徴とする付記２に記載のダミーチップ露光方法。
（付記４）前記ダミーチップ用部分一括露光パターン４における露光パターン占有率が、製品チップ２における露光パターンの占有率の２０〜６０％であることを特徴とする付記２または付記３に記載のダミーチップ露光方法。
（付記５） プロセス工程の少なくとも一部で電子ビーム露光を用いる半導体集積回路装置の製造工程において、ダミーチップ領域を露光する際に、製品チップ２における電子ビーム露光で形成した回路パターンの輪郭の内部領域を露光するためのベタパターン及び非回路形成部に設けるダミーチップ専用の固定形状のパターンを形成したレチクルを用いて光露光することを特徴とするダミーチップ露光方法。
（付記６） 前記光露光に用いる光源が、ＫｒＦエキシマレーザであることを特徴とする付記５に記載のダミーチップ露光方法。
（付記７） 前記露光対象がマルチプロジェクトウェーハであることを特徴とする付記１乃至付記６のいずれか１に記載のダミーチップ露光方法。
（付記８） プロセス工程の少なくとも一部で電子ビーム露光を用いる半導体集積回路装置の製造工程において、製品チップを露光する際に、複数の部分一括露光パターンを用いて露光し、ダミーチップ領域を露光する際に、電子ビーム露光装置で許容される最大開口面積以下のサイズのダミーチップ専用の固定形状のパターンを有するマスクを用いて露光することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

本発明の活用例としては、半導体集積回路装置におけるダミーチップの露光工程が典型的なものであるが、半導体集積回路装置に限られるものではなく、超電導デバイスや強誘電体光偏向素子等の半導体以外の各種の電子デバイスの少量生産工程におけるダミーチップの露光工程にも適用されるものである。

本発明の原理的構成の説明図である。 本発明の実施例１のダミーチップ露光工程に用いるプロジェクションマスクの概念的構成図である。 本発明の実施例１のダミーチップ露光工程のフローチャートである。 本発明の実施例１における露光パターンの配置イメージ図である。 本発明の実施例２のマルチプロジェクトウェーハにおけるダミーチップの露光工程の説明図である。 本発明の実施例３のハイブリッド露光工程における製品パターンの形成工程の概念的説明図である。 本発明の実施例３における露光パターンの配置イメージ図である。 部分一括露光に用いる露光装置の概念的要部構成図である。 部分一括露光イメージの説明図である。 従来のハイブリッド露光によるダミーチップ露光工程のフローチャートである。 ウェーハにおけるチップ配置イメージ図である。 従来の電子ビーム露光によるダミーチップ露光工程のフローチャートである。

符号の説明

１ ウェーハ
２ 製品チップ
３ ダミーチップ
４ ダミーチップ用部分一括露光パターン
５ 矩形パターン
１０ プロジェクションマスク
１１ 部分一括露光パターン
１２ ダミーチップ用部分一括露光パターン
１３ 矩形パターン
２０ ウェーハ
２１ 製品チップ
２２ ダミーチップ
２３ ダミーチップパターン
３０ 電子線レジスト
３１ 輪郭部
３２ ベタパターン
３３ チップ内ダミーパターン
３４ 回路パターン
３５ チップ内ダミーパターン
４１ ＬａＢ₆ 電子銃
４２ 電子ビーム
４３ コリメート用収束レンズ
４４ 第１スリット
４５ 収束レンズ
４６ 成形用偏向器
４７ 第１マスク偏向器
４８ 非点収差補正用偏向器
４９ 第２マスク偏向器
５０ マスク用収束コイル
５１ 第１成形用レンズ
５２ プロジェクションマスク
５３ 第２成形用レンズ
５４ 第３マスク偏向器
５５〜５８ 部分一括露光パターン
５９ ウェーハ
６０ 繰り返しパターン
６１ ウェーハ
６２ 製品チップ
６３ ダミーチップ

Claims (6)

1. プロセス工程の少なくとも一部で電子ビーム露光を用いる半導体集積回路装置の製造工程において、ダミーチップ領域を露光する際に、電子ビーム露光装置で許容される最大開口面積以下のサイズのダミーチップ専用の固定形状のパターンを有するマスクを用いて露光することを特徴とするダミーチップ露光方法。
2. 前記マスクがプロジェクションマスクであり、前記プロジェクションマスクに形成したダミーチップ専用の固定形状のパターンが電子ビーム露光装置で許容される最大開口面積のダミーチップ用部分一括露光パターンであることを特徴とする請求項１に記載のダミーチップ露光方法。
3. 前記ダミーチップ用部分一括露光パターンが複数の矩形パターンからなることを特徴とする請求項２に記載のダミーチップ露光方法。
4. プロセス工程の少なくとも一部で電子ビーム露光を用いる半導体集積回路装置の製造工程において、ダミーチップ領域を露光する際に、ハイブリッド露光工程において製品チップにおける電子ビーム露光で形成した回路パターンの輪郭の内部領域を露光するためのベタパターン及び非回路形成部に設けるダミーチップ専用の固定形状のパターンを形成したレチクルを用いて光露光することを特徴とするダミーチップ露光方法。
5. 前記露光対象がマルチプロジェクトウェーハであることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のダミーチップ露光方法。
6. プロセス工程の少なくとも一部で電子ビーム露光を用いる半導体集積回路装置の製造工程において、製品チップを露光する際に、複数の部分一括露光パターンを用いて露光し、ダミーチップ領域を露光する際に、電子ビーム露光装置で許容される最大開口面積以下のサイズのダミーチップ専用の固定形状のパターンを有するマスクを用いて露光することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

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