JP2003502823A - 高い輝度と大きいビーム電流の間で切換可能な粒子源を含む粒子光学装置 - Google Patents
高い輝度と大きいビーム電流の間で切換可能な粒子源を含む粒子光学装置Info
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Abstract
Description
荷電粒子のビームを発生させる放射源組立体と更にビーム制限ダイアフラムを有
する粒子光学装置に係る。
3aとそれに関する説明から公知である。このような種類の粒子源は、電子顕微
鏡、又は電子ビーム若しくはイオンビームによる集積回路の製造用の装置、即ち
いわゆるリソグラフィ装置に習慣的に使用される。上述の欧州特許に開示される
放射源組立体は粒子エミッタから放射される電子ビームを発生するよう配置され
、陽極電圧によって加速される。公知の放射源組立体内の粒子エミッタは、電子
放出面と直ぐに続く抽出器電極の組合わせから形成される。抽出器電極には、発
生される電子ビームのアパーチャの角度を決めるビーム制限ダイアフラムが設け
られる場合がある。ビーム制限ダイアフラムは粒子エミッタによって放射された
少量の電子のみを通過させる。
ビーム制限ダイアフラムは上述の集束電極内に設けられる場合もある。抽出器電
極と協働して集束電極によって発生された静電界は従って放射源組立体の一部を
形成する粒子レンズを構成する。最後に陽極は、粒子によって発生された電子ビ
ームを粒子光学装置の当該の適用に必要とされる加速電圧に加速する。
制限ダイアフラムの位置及び寸法により、放射源組立体によって発生されるビー
ム電流及び輝度は、(粒子エミッタによって発生された所与の電子電流に対し)
固定されているか、又は任意の実際的な目的に対しほとんど変更することが出来
ない。本発明のコンテキストにおいて「輝度」という表現は、立体角測定の1単
位当たり及び放出面領域の1単位当たりに放射されたビーム電流を意味すること
を理解する。一般的に、電子ビームの大きいビーム電流と高い輝度を同時に実現
することは不可能である。これは、大きい電流の場合に放出面の見掛けの寸法を
増加させ、従って輝度を低下させるビームの電子間のいわゆるクーロン相互作用
(反発作用)による。しかし、粒子光学装置の当該の適用に応じ粒子ビームの大
きいビーム電流又は高い輝度のいずれかを有することが時として望ましい。その
ような選択可能性を、異なる寸法のビーム制限ダイアフラムを取り付けるか又は
放射源組立体内に上述のビーム制限ダイアフラムを異なる位置に配置することに
よって実現することが試みられる。しかし、この取組み方法は、以下に説明され
るかなりの欠点を有する。
幾つかの欠点を有する。第1の欠点は、電子顕微鏡のような粒子光学装置内の陽
極は大地電位を有し、従って電子源が−300kVの大きさのオーダの負の加速
高電圧を有するという事実による。従って、ダイアフラムも(加速電界の中に又
は加速電界の前に位置しているので)上述の高電圧と略等しい電圧を有し、ダイ
アフラムの操作可能性はかなり妨害され実際にはほとんど存在しない。
黄(SF6)のような絶縁性ガスを含む空間を取り囲む高圧絶縁性外囲部が設け
られるという事実による。従って、ダイアフラムへのアクセス可能性はかなり減
少される。ガスが満たされた空間内を通過する路の機械的又は電気的成形は気密
性、更に路の電気的絶縁に関し問題を生じさせる。(放射源組立体への現行の電
気的接続は、顕微鏡の設計に対し考慮された標準設計の高圧ケーブルを介し得ら
れる。しかし、この標準ケーブルは、ケーブルに対し設計された電気信号以外の
電気信号を伝導するには好適ではない。) 第3の欠点は、顧客側で既に取り付けられた可能性のある電子顕微鏡の顕微鏡
支柱内に路用の孔を開ける必要があるという事実による。これは顕微鏡の真空空
間の汚染が引き起こされる可能性のある完全な分解が必要となり、更に重い精密
道具の運搬が必要となる。
び電子顕微鏡の残りの部分に対する粒子組立体の様々な要素の調整は上述の問題
によって深刻に妨害される。
ビーム電流と高い輝度の間の切替えが動作状態で行なえる上述の粒子源を提供す
ることを目的とする。
つの更なる粒子レンズが設けられ、 *ビーム制限ダイアフラムは更なる粒子レンズの領域又は下流側に配置され、 *上記装置は第1のレンズと更なる粒子レンズに、互いに独立してエネルギー
を与えるエネルギー付与手段が設けられることを特徴とする。
ズ)にエネルギーを付与し、更なる粒子レンズにはエネルギーを付与しないこと
が可能となる。放出面から放射される粒子ビームは既に、放出面を離れる略直後
に平行にされ、平行ビームは比較的小さな断面を有し、従って比較的大きな粒子
の個数が、更なる粒子レンズの領域又は下流側(即ち、更なる粒子レンズの直ぐ
前に、レンズ内に又はレンズの後ろ)に配置されたビーム制限ダイアフラムを横
断する。従って、このような状態において比較的大きなビーム電流が得られる。
しかし、更なる粒子レンズ(粒子エミッタから比較的遠くに位置する)にエネル
ギーを付与し、第1の粒子レンズにエネルギーを与えることを止めるよう選択す
ることも可能である。放出面から放射される粒子ビームは放出面から比較的遠い
場所で略平行にされ、平行ビームは比較的大きな断面を有し、従って粒子はビー
ム制限ダイアフラムをほとんど横断しない。従ってこのような状態では、ダイア
フラムの後ろに電流がほとんど残されないので、小さいビーム電流と共に比較的
高い輝度が得られ、クーロン反発作用が全く又はほとんど生ぜず、従って実際の
放出領域は拡大されない。
のようなレンズのコンパクトな構成によって、本実施例が本発明の放射源組立体
に組込むために特に好適となる。
成され、抽出電極は粒子エミッタと、抽出電極及び第2の電極の組合わせから構
成される第1の粒子レンズの間に配置される。電界放出粒子エミッタによって、
高い輝度に対応する放出面の非常に小さい見掛けの寸法が達成され得るので、本
実施例において本発明の概念は特に明らかになる。従って、上述のような放射源
を使用することにより、高い輝度を有する放射源と比較的大きい電流を有する放
射源との間での切換えが可能となる。電界放出源の抽出電極は、第1の粒子レン
ズの一部として使用することが可能であり、これによりレンズに所望の非常にコ
ンパクトな構成が実現される。
の組合わせから構成される。この実施例では、第2の電極は更なる粒子レンズの
一部として使用され、従って放射源組立体のより一層コンパクトな構成が達成さ
れる。
側、陽極の上流側に配置される。この実施例は、より大きなビーム電流が必要で
ある場合に使用されることが好適である。このような場合、電子ビームがビーム
制限ダイアフラムのアパーチャに集束されるよう第1の粒子レンズにエネルギー
が与えられ、それによって放出面から放射された全ての電流がダイアフラムによ
って遮断されない。ダイアフラムのアパーチャから放射されるビームを再び略平
行にするには、平行化に好適であるエネルギー付与特徴を有する第3の粒子レン
ズがダイアフラムの下流側に配置される。
ダイアフラムアパーチャを有するビーム制限ダイアフラムが設けられる。コンピ
ュータシミュレーションは、この寸法を有するダイアフラムアパーチャは多くの
場合、高い輝度を含む動作モードの際にクーロン相互作用が生じなくなることを
示した。
となる。コンピュータシミュレーションは、0.5mmの寸法のダイアフラムア
パーチャが高い輝度を含む動作モードにおいて依然としてクーロン相互作用を生
じさせる例外的な場合に、0.2mmの寸法が上述の相互作用を阻止するのに十
分であることを示した。
光学軸を通る平面で断面にされた図を示す。電子顕微鏡に、以下の粒子源と称さ
れ、特に図示されない加速された電子のビームを発生させる電子源である放射源
組立体2が設けられる。本実施例の電子源2は、放射ティップ4の形状の放出面
と、抽出器電極6と、図1には示されないが図2及び図3を参照して説明される
更なるレンズ効果電極が設けられた電界放出源として構成される。レンズ効果電
極は、ティップ4及び抽出器電極6と共に、電子源2のレンズ効果部8に収容さ
れる。
高電圧手段を含む。高電圧手段は、電子顕微鏡の動作の際の大地電位に対し−3
00kVの大きさのオーダの高電圧をティップ及び電極に供給することが可能な
高電圧発生器(図示せず)を含む。抽出器電極はティップ4に対し、例えば5k
Vの数kVの大きさのオーダの電圧を有する。
射される。その際に電子は、ガン空間14のティップ4と陽極12間に存在する
加速静電気高圧電界に対応する約300kVの加速電位差の影響を受ける。上記
電圧界を空間14に亘って垂直方向に均一に分布させるために、幾つかの(例え
ば8つの)円盤状の電極が空間内に配置され、そのうちの2つの電極(16a及
び16b)を図示する。電極16a及び16bは−300kV及び大地電位の間
の高電圧に接続され、電極の値は、ティップからの距離の関数として均一に増加
する。空間14は酸化アルミニウム(Al2O3)のような絶縁性材料の壁20
によって取り囲まれる。
及び18bが設けられる。これらの高電圧端子18a及び18bは壁20を介し
て電極16a及び16bに接続され、高電圧絶縁の為のガス状のフッ化硫黄(S
F6)で満たされた空間22内に置かれる。空間22自体は気密壁24によって
取り囲まれる。
ビーム電流に係り、図2bは比較的高い輝度に係る。放射ティップ4と抽出器電
極6の組合わせは、図2a及び図2bの両方に符号4で示される。本実施例には
第1の静電レンズ26と第2の静電レンズ28が設けられる。第2のレンズ28
に直ぐ続いてダイアフラムアパーチャ32を有するビーム制限ダイアフラム30
が配置される。
ズ28を示す。レンズ26は放出面4の近くに置かれるので、面4とレンズ26
の間のビームが開く部分の電子は光学軸(ティップ4の中心とダイアフラムアパ
ーチャ32の中心を通り延在する)から少しの距離だけ移動する。従って、電子
の大部分がダイアフラムアパーチャ32に続くビームの平行な部分に存在し、従
って平行ビームは大きいビーム電流を発生させる。既に説明されたように、クー
ロン反発作用は輝度を低下させ、従って図2aに示される状態は、比較的大きい
ビーム電流で比較的低い輝度の動作モードを表す。
る。レンズ28は放出面4から比較的遠くに置かれるので、面4とレンズ28の
間のビームが開く部分の電子は光学軸から比較的遠くに移動する。従って、電子
の比較的小さな部分のみがダイアフラムアパーチャ32に続くビームの平行な部
分に存在し、従って平行ビームは比較的小さいビーム電流を発生させる。既に説
明されたようにクーロン反発作用は、完全に又は大部分が阻止されるので、電子
源の輝度は低下しない。従って図2bに示される状態は、比較的小さいビーム電
流で比較的高い輝度を含む動作モードを表す。
置は、できるだけ大きなビーム電流が望まれる場合に特に重要である。従って、
図3は大きいビーム電流と比較的低い輝度を含む動作モードのみを示す。図2と
同様に、放射ティップ4と抽出器電極6の組合わせは再び符号4によって表され
る。本実施例は、第1の静電レンズ26と第2の静電レンズ28を含む。更に、
ダイアフラムアパーチャ32を有するビーム制限ダイアフラム30は、第2のレ
ンズ28に直ぐ続いて位置される。第3の静電レンズ34は、図中、ビーム制限
ダイアフラム30の下流側に配置される。
付与され、従って初期の発散電子ビームは、ビーム制限ダイアフラム30のダイ
アフラムアパーチャ32内のクロスオーバを有する集束ビームとなる。必要であ
るならば、レンズ28にもエネルギーが付与され、ビームを集束させることに寄
与することが可能となる。クロスオーバがダイアフラムアパーチャ内に位置する
ので、ビーム内の全ての電子はこのアパーチャを通り、従ってビームから電子が
全く損なわれず、従って図3は最大ビーム電流を有する動作モードを表す。次に
第3のレンズ34にもエネルギーが付与され、ダイアフラムアパーチャに続く顕
著な発散ビームは第3のレンズ34によって再び平行にされる。従って、図3は
最大ビーム電流と比較的低い輝度を含む動作モードを表す。
当該部を示す図である。
図である。
。
。
Claims (8)
- 【請求項1】 粒子エミッタ、粒子レンズ、及び陽極を連続して含み、加速
された荷電粒子のビームを発生させる放射源組立体と、 ビーム制限ダイアフラムとを有する粒子光学装置であって、 上記放射源組立体に、上記粒子レンズと上記陽極との間に配置された少なくと
も1つの更なる粒子レンズが設けられ、 上記ビーム制限ダイアフラムは上記更なる粒子レンズの領域又は下流側に配置
され、 上記装置は上記粒子レンズ及び上記更なる粒子レンズに、互いに独立してエネ
ルギーを与えるエネルギー付与手段が設けられることを特徴とする粒子光学装置
。 - 【請求項2】 上記更なる粒子レンズは静電レンズとして構成される請求項
1記載の粒子光学装置。 - 【請求項3】 上記粒子エミッタは電界放出粒子エミッタとして構成され、 上記粒子エミッタと上記粒子レンズとの間に抽出電極が配置され、 上記粒子レンズは、上記抽出電極及び第2の電極の組合わせから構成される請
求項1又は2記載の粒子光学装置。 - 【請求項4】 上記更なる粒子レンズは、上記第2の電極及び第3の電極の
組合わせから構成される請求項2又は3記載の粒子光学装置。 - 【請求項5】 上記ビーム制限ダイアフラムの下流側及び上記陽極の上流側
に、第3の粒子レンズが配置される請求項1乃至4のうちのいずれか一項記載の
粒子光学装置。 - 【請求項6】 上記更なる粒子レンズに0.5mm以下の直径のダイアフラ
ムアパーチャを有する上記ビーム制限ダイアフラムが設けられる請求項1乃至5
のうちいずれか一項記載の粒子光学装置。 - 【請求項7】 上記ダイアフラムアパーチャの直径は0.2mm以下となる
請求項6記載の粒子光学装置。 - 【請求項8】 請求項1乃至7のうちいずれか一項に記載される放射源組立
体。
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