JP2013511809A - 調整可能なビーム制限開口部によって可能にされた高感度及び高処理能力の電子ビーム検査柱 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図2
Description
Claims (19)
- 基板の欠陥検査および/または点検、あるいは前記基板上の特徴部の限界寸法を測定する電子ビーム装置であって、
電子ビーム用の電子を発生させる電子源と、複数の開口部サイズから1つの開口部サイズを選択して使用する調整可能なビーム制限開口部と、を含む電子銃と、
標的領域上に前記電子ビームの焦点を合わせる対物レンズと、前記基板を保持する可動な基板保持器と、信号電子を検出する検出器と、を含む電子柱と
を備える電子ビーム装置。 - 前記調整可能なビーム制限開口部は、前記電子銃が高真空環境にある間に調整可能である、請求項1に記載の電子ビーム装置。
- 前記調整可能なビーム制限開口部は、切替可能な開口部の配列を有する、請求項1に記載の電子ビーム装置。
- 前記切替可能な開口部の配列は、直線に配列された複数の開口部を含む、請求項3に記載の電子ビーム装置。
- 前記切替可能な開口部の配列は、円形に配列された複数の開口部を含む、請求項3に記載の電子ビーム装置。
- 前記調整可能なビーム制限開口部は、調整可能な開口部を有する、請求項1に記載の電子ビーム装置。
- 更に、前記電子柱にビーム電流選択開口部を備え、前記ビーム電流選択開口部は、前記基板のスポット上に焦点が合うビーム電流を選択する複数の開口部で構成されている、請求項1に記載の電子ビーム装置。
- 更に、前記電子銃に固定ビーム制限開口部を備え、前記固定ビーム制限開口部は、前記電子源と前記調整可能なビーム制限開口部との間に配置されている、請求項1に記載の電子ビーム装置。
- 前記電子銃における前記調整可能なビーム制限開口部は、前記調整可能なビーム制限開口部がビーム電流選択開口部としても機能するように、前記基板上に焦点が合うビーム電流を選択もする、請求項8に記載の電子ビーム装置。
- 前記電子銃における前記調整可能なビーム制限開口部は、少なくとも10個の異なった開口部サイズを含む、請求項9に記載の電子ビーム装置。
- 更に、前記電子柱にビーム電流選択開口部を備え、前記ビーム電流選択開口部は、前記基板のスポット上に焦点が合うビーム電流を選択する複数の開口部で構成されている、請求項8に記載の電子ビーム装置。
- 基板の欠陥検査および/または点検、あるいは前記基板上の特徴部の限界寸法を測定する半導体製造機器に電子ビームを供給する方法であって、
電子銃内の電子源によって電子ビーム用の電子を発生させる工程と、
前記電子銃内に複数の開口部サイズを有する調整可能なビーム制限開口部を設ける工程と、
前記調整可能なビーム制限開口部の前記複数の開口部サイズから1つの開口部サイズを選択する工程と、
前記基板の標的領域上に前記電子ビームの焦点を合わせる工程と、
信号電子を検出する工程と
を備える方法。 - 前記開口部サイズを選択する工程を、前記ビーム制限開口部が前記電子銃の高真空環境内にある間に行う、請求項12に記載の方法。
- 前記開口部サイズを選択する工程を、選択された前記開口部の中心が前記電子銃の光軸と一致するように直線運動によって行う、請求項12に記載の方法。
- 前記開口部サイズを選択する工程を、選択された前記開口部の中心が前記電子銃の光軸と一致するように回転運動によって行う、請求項12に記載の方法。
- 前記開口部サイズを選択する工程を、前記電子銃における前記ビーム制限開口部のサイズを縮小または拡大して行う、請求項12に記載の方法。
- 更に、前記電子銃に固定ビーム制限開口部を設ける工程を備え、前記固定ビーム制限開口部は、前記電子源と前記調整可能なビーム制限開口部との間に配置される、請求項12に記載の方法。
- 電子画像装置に電子ビームを供給する自動化された方法であって、
電子銃内の電子源によって電子ビーム用の電子を発生させる工程と、
前記電子画像装置で使用するビーム電流をユーザーが設定する工程と、
前記電子銃内の調整可能なビーム制限開口部のサイズを選択すると共にビームの角電流密度を選択するために、マイクロコントローラを用いて前記ユーザーが設定した前記ビーム電流を含む範囲のビーム電流を供給する工程と
を備える自動化された方法。 - 更に、前記ユーザーが設定した前記ビーム電流を前記範囲内で実現するために、ビーム電流選択開口部のサイズの変更にマイクロコントローラを使用する工程を備える請求項18に記載の自動化された方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020004711A (ja) * | 2018-06-25 | 2020-01-09 | エフ イー アイ カンパニFei Company | マルチビーム荷電粒子撮像装置 |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102008062450B4 (de) * | 2008-12-13 | 2012-05-03 | Vistec Electron Beam Gmbh | Anordnung zur Beleuchtung eines Substrats mit mehreren individuell geformten Partikelstrahlen zur hochauflösenden Lithographie von Strukturmustern |
US8664594B1 (en) * | 2011-04-18 | 2014-03-04 | Kla-Tencor Corporation | Electron-optical system for high-speed and high-sensitivity inspections |
US8502146B2 (en) * | 2011-10-03 | 2013-08-06 | Kla-Tencor Corporation | Methods and apparatus for classification of defects using surface height attributes |
US9053900B2 (en) | 2012-04-03 | 2015-06-09 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and methods for high-resolution electron beam imaging |
CN103456589B (zh) * | 2012-05-31 | 2016-04-06 | 睿励科学仪器(上海)有限公司 | 利用多极透镜调整粒子束流的光阑及包含该光阑的设备 |
US8859982B2 (en) * | 2012-09-14 | 2014-10-14 | Kla-Tencor Corporation | Dual-lens-gun electron beam apparatus and methods for high-resolution imaging with both high and low beam currents |
US8884223B2 (en) | 2012-11-30 | 2014-11-11 | Kla-Tencor Corporation | Methods and apparatus for measurement of relative critical dimensions |
US10384299B2 (en) * | 2013-06-26 | 2019-08-20 | Apple Inc. | Electron beam conditioning |
US9165742B1 (en) | 2014-10-10 | 2015-10-20 | Kla-Tencor Corporation | Inspection site preparation |
EP3010031B1 (en) * | 2014-10-16 | 2017-03-22 | Fei Company | Charged Particle Microscope with special aperture plate |
KR102560779B1 (ko) | 2015-09-23 | 2023-07-28 | 삼성전자주식회사 | 광학 검사 장치, 기판 검사 방법, 그리고 기판 제조 방법 |
US10242839B2 (en) * | 2017-05-05 | 2019-03-26 | Kla-Tencor Corporation | Reduced Coulomb interactions in a multi-beam column |
EP3389055A1 (de) * | 2017-04-11 | 2018-10-17 | Siemens Healthcare GmbH | Röntgeneinrichtung zur erzeugung von hochenergetischer röntgenstrahlung |
CN109712903B (zh) * | 2018-12-27 | 2021-06-15 | 上海华力微电子有限公司 | 电子束扫描机台电子束孔径动态调整结构及测试方法 |
KR102655288B1 (ko) * | 2019-03-29 | 2024-04-08 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 단일-빔 모드를 갖는 멀티-빔 검사 장치 |
WO2021108375A1 (en) * | 2019-11-27 | 2021-06-03 | Intraop Medical Corporation | Electron beam radiation system with advanced applicator coupling system having integrated distance detection and target illumination |
CN115153607B (zh) * | 2022-07-12 | 2023-03-24 | 上海伽玛星科技发展有限公司 | 一种cbct等中心治疗设备用滤波限束装置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56126925A (en) * | 1980-03-11 | 1981-10-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Shaping diaphragming device for electron beam |
JP2000223542A (ja) * | 1998-11-27 | 2000-08-11 | Hitachi Ltd | 電子ビ―ムを用いた検査方法及び検査装置 |
JP2003502823A (ja) * | 1999-06-22 | 2003-01-21 | フィリップス エレクトロン オプティクス ビー ヴィ | 高い輝度と大きいビーム電流の間で切換可能な粒子源を含む粒子光学装置 |
JP2006196281A (ja) * | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査電子顕微鏡及びその撮像方法 |
JP2007019210A (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-25 | Nuflare Technology Inc | 電子ビーム装置及び電子ビームの照射方法 |
JP2008117662A (ja) * | 2006-11-06 | 2008-05-22 | Hitachi High-Technologies Corp | ショットキー電子銃及びショットキー電子銃を搭載する荷電粒子線装置 |
JP2009164110A (ja) * | 2007-12-14 | 2009-07-23 | Hitachi High-Technologies Corp | ガス電界電離イオン源,走査荷電粒子顕微鏡,光軸調整方法、及び試料観察方法 |
JP2009245953A (ja) * | 2009-07-28 | 2009-10-22 | Hitachi Ltd | 電子ビームを用いた検査方法及び検査装置 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3194541B2 (ja) * | 1992-07-24 | 2001-07-30 | 富士通株式会社 | 電子ビーム露光装置 |
EP1369896A3 (en) * | 1996-03-04 | 2004-12-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron beam exposure apparatus and method and device manufacturing method |
JP3397567B2 (ja) * | 1996-03-22 | 2003-04-14 | 日本電子株式会社 | 電子銃 |
JP3082662B2 (ja) * | 1996-03-28 | 2000-08-28 | 日本電気株式会社 | 荷電ビーム露光装置および露光方法 |
US6274877B1 (en) * | 1997-05-08 | 2001-08-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron beam exposure apparatus |
GB2325335B (en) * | 1997-05-16 | 2001-07-11 | Leica Lithography Systems Ltd | Electron beam aperture element |
US6175122B1 (en) * | 1998-01-09 | 2001-01-16 | International Business Machines Corporation | Method for writing a pattern using multiple variable shaped electron beams |
US5981962A (en) * | 1998-01-09 | 1999-11-09 | International Business Machines Corporation | Distributed direct write lithography system using multiple variable shaped electron beams |
JP2000252207A (ja) * | 1998-08-19 | 2000-09-14 | Ims Ionen Mikrofab Syst Gmbh | 粒子線マルチビームリソグラフイー |
US6570154B1 (en) * | 1998-09-08 | 2003-05-27 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Scanning electron beam microscope |
JP2000173900A (ja) * | 1998-12-08 | 2000-06-23 | Canon Inc | 電子ビーム照明装置、および該照明装置を用いた電子ビーム露光装置 |
EP1166319B1 (en) * | 1999-12-23 | 2007-04-25 | Fei Company | Multi-electron -beam lithography apparatus with mutually different beam limiting apertures |
US7049585B2 (en) | 2000-07-27 | 2006-05-23 | Ebara Corporation | Sheet beam-type testing apparatus |
US6750455B2 (en) * | 2001-07-02 | 2004-06-15 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for multiple charged particle beams |
US6768125B2 (en) * | 2002-01-17 | 2004-07-27 | Ims Nanofabrication, Gmbh | Maskless particle-beam system for exposing a pattern on a substrate |
JP4248382B2 (ja) * | 2003-12-04 | 2009-04-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子ビームによる検査方法および検査装置 |
GB2413694A (en) * | 2004-04-30 | 2005-11-02 | Ims Nanofabrication Gmbh | Particle-beam exposure apparatus |
GB2414111B (en) * | 2004-04-30 | 2010-01-27 | Ims Nanofabrication Gmbh | Advanced pattern definition for particle-beam processing |
WO2005112073A1 (en) * | 2004-05-17 | 2005-11-24 | Mapper Lithography Ip B.V. | Charged particle beam exposure system |
EP1943660B9 (en) * | 2005-10-28 | 2009-09-09 | Carl Zeiss SMS GmbH | Charged particle beam exposure system |
JP4882456B2 (ja) | 2006-03-31 | 2012-02-22 | 株式会社Ihi | イオン注入装置 |
WO2007112465A1 (en) * | 2006-04-03 | 2007-10-11 | Ims Nanofabrication Ag | Particle-beam exposure apparatus with overall-modulation of a patterned beam |
EP1956634A1 (en) * | 2007-02-06 | 2008-08-13 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Method and apparatus for in-situ sample preparation |
JP5103033B2 (ja) * | 2007-03-02 | 2012-12-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線応用装置 |
US7821187B1 (en) * | 2007-09-07 | 2010-10-26 | Kla-Tencor Corporation | Immersion gun equipped electron beam column |
-
2009
- 2009-12-09 US US12/634,444 patent/US8294125B2/en active Active
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2010
- 2010-11-09 KR KR1020127014429A patent/KR101414943B1/ko active IP Right Grant
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56126925A (en) * | 1980-03-11 | 1981-10-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Shaping diaphragming device for electron beam |
JP2000223542A (ja) * | 1998-11-27 | 2000-08-11 | Hitachi Ltd | 電子ビ―ムを用いた検査方法及び検査装置 |
JP2003502823A (ja) * | 1999-06-22 | 2003-01-21 | フィリップス エレクトロン オプティクス ビー ヴィ | 高い輝度と大きいビーム電流の間で切換可能な粒子源を含む粒子光学装置 |
JP2006196281A (ja) * | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査電子顕微鏡及びその撮像方法 |
JP2007019210A (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-25 | Nuflare Technology Inc | 電子ビーム装置及び電子ビームの照射方法 |
JP2008117662A (ja) * | 2006-11-06 | 2008-05-22 | Hitachi High-Technologies Corp | ショットキー電子銃及びショットキー電子銃を搭載する荷電粒子線装置 |
JP2009164110A (ja) * | 2007-12-14 | 2009-07-23 | Hitachi High-Technologies Corp | ガス電界電離イオン源,走査荷電粒子顕微鏡,光軸調整方法、及び試料観察方法 |
JP2009245953A (ja) * | 2009-07-28 | 2009-10-22 | Hitachi Ltd | 電子ビームを用いた検査方法及び検査装置 |
Cited By (2)
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---|---|---|---|---|
JP2020004711A (ja) * | 2018-06-25 | 2020-01-09 | エフ イー アイ カンパニFei Company | マルチビーム荷電粒子撮像装置 |
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