JP3194541B2 - 電子ビーム露光装置 - Google Patents

電子ビーム露光装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子ビーム露光装置に係
り、特に、ブランキングアパーチャアレイ方式の電子ビ
ーム露光装置の電子銃の針状チップに関する。
【０００２】近年、ＩＣ化が高集積度化してきている。
【０００３】このため、ウェハを露光する技術について
みると、より微細なパターンを高精度に露光することが
要求されてきている。
【０００４】また、量産を考慮すると、ウェハ露光技術
は、スループットが高いものであることが必要である。
【０００５】本出願人は、先に、特願平４−５１８０８
号、発明の名称「電子ビーム露光方法」において上記の
両者を略満足する露光装置として、ブランキングアパー
チャアレイ方式を採用した電子ビーム露光装置を提案し
た。
【０００６】こゝで、説明の便宜上、この露光装置の概
要について説明する。図７は、ブランキングアパーチャ
アレイ方式の電子ビーム露光装置１を示す。２は電子
銃、３はブランキングアパーチャアレイ（以下ＢＡＡと
いう）、４はメインデフレクタ（通常コイルにより構成
される）、５はサブデフレクタ（通常静電電極により構
成される）、６はウェハ７を支持するステージ、８は遮
蔽板である。
【０００７】１０〜１５は収束用レンズである。
【０００８】ＢＡＡ３は、図８に示すように、基板２０
に、多数のブランキングアパーチャ（以下ＢＡという）
２１が、例えば１行に１２８個づつ、８行に、且つ隣り
合う行間で千鳥状に並んで形成してある。
【０００９】各ＢＡ２１は、２５μｍ□の開口２２と、
この開口２２の縁に相対向させて設けた一対の電極２
３，２４と、電極２３，２４から引き出されている配線
パターン２５とよりなる。
【００１０】２１-1〜２１-4は、夫々第１行乃至第４行
を構成するブランキングアパーチャ行である。
【００１１】ＢＡ２１は、所謂常閉のシャッタとして機
能し、動作すると一時的に開き、このときのみ、これを
透過した電子ビームを、ウェハ７上に照射させるように
作用するものである。なお、実際には、「シャッタ閉」
というのは、ＢＡＡを通過する際に電子ビームを偏向さ
せる意であり、「シャッタ開」というのは、ＢＡＡを通
過する際に電子ビームを偏向させず、電子ビームを直進
させる意である（図７参照）。
【００１２】図７中、３０は制御装置であり、電子ビー
ム露光装置１のＢＡＡ３及びデフレクタ４，５を制御す
る。
【００１３】３１はビーム・オン／オフ信号発生器であ
り、ＣＰＵ３２によって露光情報が記憶されているメモ
リ３３から読み出されたデータを供給されて動作し、上
記ＢＡＡ３の個々のＢＡ２１の電極にオフ信号又はオン
信号を独立に印加する。
【００１４】オフ信号が印加されているときに、ＢＡ２
１を通過した電子ビームを、オフ・ビームという。オフ
・ビームはウェハ７にまで到らず、ウェハ７を照射しな
いビームである。
【００１５】また、オン信号が印加されたときに、ＢＡ
２１を通過した電子ビームを、オン・ビームという。オ
ン・ビームは、ウェハ７にまで到達して、これを照射す
るビームである。
【００１６】通常は各ＢＡ２１の電極にはオフ信号が印
加されている。
【００１７】このビームオン／オフ信号発生器３１及び
遮蔽板８が、照射電子ビーム特定手段を構成する。
【００１８】電子銃２から放射された電子ビーム４０
は、ＢＡＡ３を照射し、、各ＢＡ２１を通過して二次元
的に整形され、複数のオフ・ビーム４１とオン・ビーム
４２との束となる。
【００１９】オフ・ビーム４１は、屈曲して、遮蔽板８
により遮ぎられ、ウェハ７上には照射されない。
【００２０】オン・ビーム４２は、直進して、レンズ１
２，１３，１４，１５により５００分の１に縮小され
て、ウェハ７上に照射される。
【００２１】走査信号発生器３４は、ＣＰＵ３２によっ
てメモリ３３から読み出されたデータを供給されて、デ
フレクタ４，５に偏向電圧を印加する。
【００２２】サブデフレクタ５及び走査信号発生器３と
が偏向手段を構成する。
【００２３】図９中、符号４３は、ＢＡ２１を通過した
電子ビームの全部がオン・ビーム４１である場合におけ
るウェハ７上の照射スポットパターンであり、大略、図
８のＢＡＡ３のＢＡ２１の配列が５００分の１に縮小さ
れたものであり、幅ＷＳは約５μｍである。−のオン・
ビーム４１の照射スポット４５は、０．０５μｍ□と微
小である。このことによって、微細なパターンの露光が
可能となる。
【００２４】オン・ビーム４１の束は、サブデフレクタ
５に１よって、照射スポットパターン４３が、ウェハ７
上、図１０中、(1) →(2) →(3) で示すようにＬｓ＝１
００μｍの長さのサブフィールド領域ＳＦ1 ，ＳＦ2 ，
ＳＦ3 を順次走査するように規則的に偏向される。
【００２５】なお、Ｙが電子ビーム偏向（走査）方向、
Ｘがこの偏向方向に直交する偏向（走査）直交方向であ
る。
【００２６】また、図８のＢＡＡ３についてみると、列
の方向であるＹが電子ビーム偏向（走査）方向であり、
行の方向であるＸがこの偏向方向に直交する偏向（走
査）直交方向である。
【００２７】次に、上記構成の装置１による露光動作に
ついて図１１及び図１２を併せ参照して説明する。
【００２８】図１０中、ウェハ７上に、符号５０で示
す、幅が０．０５μｍのパターンを露光する場合を例に
とって説明する。
【００２９】なお、この露光予定パターン５０は、オン
・ビーム４１の束（照射スポットパターン４３）が(1)
に示すように一度だけ偏向される過程において、露光が
なされ、露光が完了するものである。
【００３０】図１１及び１２中、中段は、露光予定パタ
ーン（露光予定部）５０と、照射スポットを示し、上段
は、ＢＡＡ３の各ＢＡ２１の制御状態、下段は、露光状
態を示す。
【００３１】ＢＡＡ３は、第１行目のＢＡ２１-1〜２１
-1-4、第２行目のＢＡ２１-2-1〜２１-2-3、第３行目の
ＢＡ２１-3-1〜２１-3-4、第４行目のＢＡ２１-4-1〜２
４-4 -3を有する。
【００３２】オフ信号が印加されているＢＡはハッチン
グを付して示し、オン信号が印加されているＢＡを白抜
きで示す。
【００３３】照射スポットパターン４３は、上記各ＢＡ
２１-1-1〜２１-4-3を通過したビームのうちのオン・ビ
ームの分布によって決まる。
【００３４】４４-1-1は、ＢＡ２１-1-1を通過したビー
ムがオン・ビームであると仮定したときの、当該オン・
ビームが照射する予定の部分である。
【００３５】４４-1-2〜４４-4-3は、ＢＡ２１-1-2〜２
１-4-3を通過したビームがオン・ビームであると仮定し
たときの、当該オン・ビームが照射する予定の部分であ
る。上記の照射予定部分は破線で囲んで示す。
【００３６】実線の四角は、実際にオン・ビームが照射
したスポット４５-1-1〜４５-4-3を示す。このスポット
は既に述べたように０．０５μｍ□の極く微小なサイズ
である。
【００３７】図１１（Ａ）は、サブデフレクタ５によっ
てビームが(1) 方向に偏向され、照射スポットパターン
４３がＳＦ1 を(1) 方向に走査されて露光予定部５０の
直前の位置に到った時点の状態を示す。
【００３８】ＢＡ２１-1-1〜２１-4-3は全てオフ信号が
印加された状態にあり、照射スポットパターン４３-1は
スポットの全く無い状態となっている。
【００３９】同図（Ｂ）に示すように、走査方向上先頭
の照射スポット形成予定部４４-1-1〜４４-1-4が上記パ
ターン露光予定部５１に到ると、第１行目のＢＡ２１
-1-1〜２１-1-4にオン信号が一時的に印加される。
【００４０】これにより、ＢＡ２１-1-1〜２１-1-4を通
過したビームがオン・ビームとされ、ウェハまで到達
し、露光予定部５０上に照射スポット４５-1-1〜４５
-1-4が結ばれ、照射スポットパターンは符号４３-2で示
す如くになり、第１回目の分割露光が行われる。この露
光時間は、例えば０．２５nsecと極く短い。これによっ
て所望のスループットを得ることができる。
【００４１】５２-1〜５２-4は、第１回目の分割露光が
なされた、第１回目分割露光済部を示す。円で囲んだ数
値は、分割露光の回数を示す。
【００４２】次に、同図（Ｃ）に示すように、次の行の
照射スポット形成予定部４４-2-1〜４４-2-3が上記露光
予定部５１に到ると、今度は、第２行目のＢＡ２１-2-1
〜２１-2-3にオン信号が一時的に印加される。
【００４３】これにより、ＢＡ２１-2-1〜２１-2-3を通
過したビームがオン・ビームとされ、ウェハまで到達
し、パターン露光予定部５０上に照射スポット４５-2-1
〜４５ -2-3が結ばれ、照射スポットパターンは符号４３
-2で示す如くになり、露光予定部５１のうち、上記の第
１回目分割露光済部５２-1〜５２-4の間の部分について
第１回目の分割露光が行われる。
【００４４】５３-1〜５３-4は、第１回目の分割露光が
なされた、第１回目分割露光済部を示す。
【００４５】第１回目分割露光済部５２-1〜５２-4と５
３-1〜５３-3とは連なって直線状をなっている。
【００４６】次に、同１２（Ａ）に示すように、第３行
の照射スポット予定形成予定部４４ -3-1〜４４-3-4が上
記露光予定部５１に到ると、今度は、第３行目のＢＡ２
１-3 -1〜２１-3-4にオン信号が一時的に印加される。
【００４７】これにより、ＢＡ２１-3-1〜２１-3-4を通
過したビームがオン・ビームとされ、ウェハまで到達
し、パターン露光予定部５０上に照射スポット４５-3-1
〜４５ -3-4が結ばれ、照射スポットパターンが符号４３
-2で示す如くになり、第１回目分割露光済部５２-1〜５
２-4に重ね打ちされ、第２回目の分割露光が行われる。
５４-1〜５４-4は、第２回目の分割露光がなされた、第
２回目分割露光済部を示す。
【００４８】次に、同図（Ｂ）に示すように、第４行の
照射スポット形成予定部４４-4-1〜４４-4-3が上記露光
予定部５０に到ると、今度は、第４行目のＢＡ２１-4-1
〜２１-4-3にオン信号が一時的に印加される。
【００４９】これにより、ＢＡ２１-4-1〜２１-4-3を通
過したビームがオン・ビームとされ、ウェハまで到達
し、パターン露光予定部５１上に照射スポット４５-3-1
〜４５ -3-3が結ばれ、照射スポットパターンが符号４３
-5で示す如くになり、電子ビームが上記の第１回目分割
露光済部５３-1〜５３-3ち重ね打ちされ、第２回目の分
割露光が行われる。
【００５０】これにより、２回の分割露光が行われ、２
回重ね打ちされた部分が連なって直線状とされ、パター
ン露光予定部分５０に幅が０．０５μｍと極く細い直線
状のパターン５１が露光される。
【００５１】こゝで、一回の露光量は極く僅かであるけ
れども、複数回重ねて露光されることによって、所望の
露光量が確保される。
【００５２】以上が、ＢＡＡ方式の電子ビーム露光方法
の概要である。
【００５３】上記より分かるように、図１１（Ｂ）の照
射スポットパターンの偏向方向（Ｙ方向）についてみる
と、Ｙ方向に分布している強度の強いビームと弱いビー
ムとが重なって打たれ、露光の程度が平均化されるた
め、この方向についてのレーザビームの強度の分布Ｉの
不均一性は問題とされない。
【００５４】しかし、偏向方向に直交する方向（Ｘ方
向）についてみると、強度の強い部分については、強度
の強いビームだけが重ね打ちされる。強度の弱い部分に
ついてみると、弱いビームだけが重ね打ちされる。この
ため、Ｘ方向ついての線IIで示す強度分布の不均一性
は、Ｘ方向に長いパターンの長手方向上露光の程度の不
均一性として表われてしまう。
【００５５】従って、ＢＡＡ方式の電子ビーム露光を行
うには、電子銃は、以下の要件を満たすものであること
が必要とされる。
【００５６】第１には、放射される電子ビームの偏向直
交方向上の強度分布が均一であること。露光の程度の均
一化のためである。
【００５７】第２には、電子ビームの強さに経時変化が
ないものであること。電子ビームの強度が経時的に変化
して弱くなると、露光の程度が漸次低下し、これを補う
ために露光時間を増やそうとすると、制御が面倒になる
と共に、単位面積当りの露光に要する時間が増え、スル
ープットが低下してしまうからである。
【００５８】こゝで、説明の便宜上、電子銃１の一般的
構造について、図１３を参照して説明する。
【００５９】電子銃１は、カソード６０と、ウェーネル
ト６１と、アノード６２とより構成される。
【００６０】カソード６０は、単結晶のＬａＢ6 製の針
状チップ６３を有する。
【００６１】この針状チップ６３より、電子ビーム４０
が放射される。
【００６２】６４がクロスオーバ点である。
【００６３】
【従来の技術】従来の電子銃の針状チップ７０は、図１
４に示すように、ＬａＢ6 の単結晶製であり、四角柱状
の端を、尖状としたものである。
【００６４】この針状チップ７０を組込んだ電子銃７１
が放射する電子ビーム７２は、図に示すように、Ｘ，Ｙ
の両方向について、線、III,IVで示すように、ガウス分
布となる。Ｘ方向の強度分布がガウス分布であるため、
上記第１の要件が満足できない。また、経時変化によっ
て、先端が蒸発昇華され、図１６に示すように先端に
〈１００〉面が表われてくる。これによって、放射され
る電子ビームの強度が徐々に低下する。
【００６５】このため、上記第２の要件も満足できなく
なる。
【００６６】そこで、この問題点を解決すべく本発明者
は、先に図１７（Ａ）に示す針状チップ８０を案出し
た。
【００６７】この針状チップ８０は、ＬａＢ6 の単結晶
製であり、四角柱の端を楔形状としたものであり、稜線
８１を有する。
【００６８】この稜線８１が存在することにより、稜線
８１の長手方向についてみると、電子ビームの強度が一
様な部分が拡がり、上記第１の要件は満足しうる。
【００６９】この針状チップ８０は、図１８に示すよう
に、側面が〈１００〉面であるＬａＢ6 の単結晶板８５
を、線８６で示すように切り出し（これが一般的な切り
出し方法である）、先端を線８７，８８で示すように、
研磨して製造したものである。
【００７０】
【発明が解決しようとする課題】従って、針状チップ８
０の先端の二つの斜面８２，８３は、共に〈１１０〉面
である。
【００７１】針状チップ８０のうち先端の稜線８１の部
分が蒸発し易く、図１７（Ａ）に二点鎖線で示すように
細幅の面８４ａが表れる。
【００７２】この面８４ａは〈１００〉面である。
【００７３】こゝで、面〈１００〉は、他の面〈１１
０〉等に比べて減り易い。
【００７４】このため、僅かに表われた面８４ａが徐々
に減って、図１７（Ｂ）に示すように、相当に広い面８
４ｂとなってしまう。
【００７５】従って、上記の針状チップ８０から放射さ
れる電子ビームの強度が漸次低下し、ウェハ露光のスル
ープットが低下してしまう。
【００７６】そこで、本発明は、ＢＡＡ方式の電子ビー
ム露光に最適の電子銃を適用してなる電子ビーム露光装
置を提供することを目的とする。
【００７７】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、電子
ビームを放射する電子銃と、夫々電極を有し、二次元的
に配された複数のブランキングアパーチャを有し、上記
電子銃からの上記電子ビームを照射され、これを、各ブ
ランキングアパーチャアレイを通過した複数の電子ビー
ムに整形するブランキングアパーチャアレイと、該ブラ
ンキングアパーチャアレイを通過した上記通過電子ビー
ムを規則的に偏向させる偏向手段と、上記ブランキング
アパーチャを通過した通過電子ビームのうち被露光体に
まで到達してこれを照射する照射電子ビームを特定する
照射電子ビーム特定手段とよりなり、上記偏向の過程
で、上記照射電子ビーム特定手段が逐次電子ビームを特
定し、上記被露光体上の露光すべき特定の部位を、該照
射電子ビームの特定手段によって特定された照射電子ビ
ームによって複数回重ね打ちして露光する電子ビーム露
光装置であって、上記電子銃を、先端が、一対の斜面を
有し、先端に稜線を有する楔形状を有し、且つ、上記斜
面が共に〈１００〉面である希土類化合物結晶製の針状
チップを有し、且つ、該電子銃を、該針状チップの稜線
が、上記ブランキングアパーチャアレイの偏向直交方向
に対応する向きに設定した構成としたものである。
【００７８】
【作用】請求項１の針状チップの先端を楔形状とし、且
つ稜線をブランキングアパーチャアレイの偏向直交方向
に対応する向きをした構成は、偏向方向と直交する方向
上の電子ビームの強度分布を一定とするように作用す
る。
【００７９】針状チップの斜面を共に〈１００〉面とし
た構成は、経時変化後も、最初の楔形状を維持して、稜
線が存在し続けるように作用する。
【００８０】
【実施例】図２は本発明の一実施例になるブランキング
アパーチャアレイ方式の電子ビーム露光装置１００を示
す。
【００８１】この電子ビーム露光装置１００のうち、図
７に示す電子ビーム露光装置１と相違するのは、主に、
電子銃１０１の部分である。
【００８２】図２中、図７に示す構成部分と対応する部
分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【００８３】また、電子銃１０１のうち、図１３に示す
電子銃と相違するのは、主に針状チップである。
【００８４】まず、針状チップ１０２について説明す
る。
【００８５】針状チップ１０２は、図５に示すように、
単結晶のＬａＢ6 製の四角柱の先端を、楔形状としたも
のであり、二つの斜面１０３，１０４及び稜線１０５を
有する。
【００８６】斜面１０３及び１０４は共に〈１１０〉面
である。
【００８７】この針状チップ１０２は、図６に示すよう
に、ＬａＢ6 の単結晶板８５を、線１０６で示すように
斜めに切断して、柱状体１０７を切り出し、更に、これ
を線１０８，１０９に沿って切断し研磨して製造したも
のである。
【００８８】これにより、斜面１０３，１０４は、共に
〈１１０〉面となる。また、四角柱のうち、斜面１０
３，１０４に連なる側面１１０，１１１は共に〈１１
０〉面となり、稜線１０５の両端の側面１１２，１１３
は共に〈１００〉面となる。
【００８９】この針状チップ１０２は、図３に示すよう
に、側面１１０と１１１とをグラファイト製電極１１
５，１１６とにより挟まれている。
【００９０】次に、上記の針状チップ１０２を有する電
子銃１０１のＢＡＡ３に対する相対位置について説明す
る。
【００９１】図１に示すように、電子銃１０１は、針状
チップ１０２の稜線１０５が、Ｘ軸（偏向直交方向）と
平行な向きに定めて配設してある。
【００９２】こゝで、稜線１０５がＸ軸と平行というの
は、電子ビームが収束レンズ５，７により回転された場
合に、稜線１０５の端から出射した電子ビームがＢＡＡ
３上においてＸ軸上に並ぶという意味（図１参照）、即
ち、電子ビームの収束レンズ５，７による回転分を差し
引いた場合に平行という意味である。
【００９３】針状チップ１０３の先端からの電子ビーム
１２０の放射の状況は、稜線１０５の方向からみると、
図３に符号１２１で示すように捕捉放射する。これに対
し、稜線１０５に直角な方向からみると、図４に、符号
１２２で示すように拡がって放射する。
【００９４】これにより、針状チップ１０２の先端から
放射した電子ビーム１２０は、図１に示すように、ＢＡ
Ａ３上では、Ｘ軸方向に長い長円形の照射スポット１２
３となる。
【００９５】このスポット１２３の電子ビームの強度の
分布は、Ｙ軸方向については、線Ｖで示すようにガウス
分布となるけれども、Ｘ軸方向についてみると、線VIで
示すように全体に亘って強度が略一定の分布となる。
【００９６】これによって、前記第１の要件を満足しう
る。
【００９７】次に針状チップ１０２の経時変化について
みる。
【００９８】図５（Ａ）に示すように、斜面１０３，１
０４は、減り易い〈１００〉面であるため、斜面１０
３，１０４全体が減り、経時変化はするけれども、符号
１０３ａ，１０４ａで示すように斜面１０３，１０４全
体が後退する恰好となり、楔形は維持され、符号１０５
ａで示すように、稜線はだれることなく維持される。
【００９９】このため、針状チップ１０２の先端から
は、経時変化後も経時変化前と同じ強さの電子ビーム１
２０が放射され続け、且つ経時変化前と同じ態様で放射
され続ける。
【０１００】このため、前記の第２の要件も満足され、
ウェハ露光は、安定に行われ、且つスループットも低下
しない。
【０１０１】なお、図５（Ａ）中、面１１２，１１３を
グラファイト片て挟んでもよい。
【０１０２】なお、希土類化合物であればＬａＢ6 に代
えて、別のものでもよい。
【０１０３】
【発明の効果】以上説明した様に、請求項１の発明によ
れば、ブランキングアパーチャアレイ方式の露光を、均
一に行うことが出来、しかも、露光を、常に安定に行な
うことが出来、高いスループットを維持出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】図２中の電子銃とブランキングアパーチャアレ
イとの関係を示す図である。
【図２】本発明の一実施例になるブランキングアパーチ
ャアレイ方式の電子ビーム露光装置の全体構成図であ
る。
【図３】図２中の電子銃の部分を拡大して示す図であ
る。
【図４】図３中、IV-IV 線方向よりみた矢視図である。
【図５】図１の針状チップ及びその経時変化を示す図で
ある。
【図６】図５の針状チップの製造を説明する図である。
【図７】先願のブランキングアパーチャアレイ方式の電
子ビーム露光装置の全体構成図である。
【図８】図７中のブランキングアパーチャアレイを示す
図である。
【図９】図８のＢＡＡのＢＡを通過した電子ビームが全
てオン・ビームである場合における、ウェハ上の照射ス
ポットパターンを示す図である。
【図１０】通過電子ビームのサブデフレクタによる偏向
を説明する図である。
【図１１】露光動作を説明する図である。
【図１２】図１１に続く露光動作を説明する図である。
【図１３】電子銃の一般的構造を示す図である。
【図１４】従来の針状チップの１例を示す図である。
【図１５】図１４の針状チップを適用した電子銃の電子
ビームの強度分布を示す図である。
【図１６】図１４の針状チップの経時変化を示す図であ
る。
【図１７】本発明者が先に案出した針状チップを示す図
である。
【図１８】図１７（Ａ）の針状チップの製造方法を示す
図である。
【符号の説明】
２ 電子銃 ３ ブランキングアパーチャアレイ（ＢＡＡ） ４ メインデフレクタ ５ サブデフレクタ ６ ステージ ７ ウェハ ８ 遮蔽板 １０〜１５ 収束用レンズ ２１ ブランキングアパーチャ（ＢＡ） ２２ 電極 ２３，２４ 電極 ２５ 配線パターン ３０ 制御装置 ３１ ビーム・オン／オフ信号発生器（照射電子ビーム
特定手段） ３２ ＣＰＵ ３３ メモリ ３４ 走査信号発生器 ４１ オフ・ビーム ４２ オン・ビーム ４３ 照射スポットパターン ４４ 照射スポット形成予定部 ４５ 照射スポット ５０ 露光予定パターン（露光予定部） ５１ 露光されたパターン ５２，５３ 第１回目の分割露光済部 ５４，５５ 第２回目の分割露光済部 ６１ ウェーネルト ６２ アノード １００ ブランキングアパーチャアレイ方式の電子ビー
ム露光装置 １０１ 電子銃 １０２ 針状チップ １０３，１０４ 〈１００〉面の斜面 １０３ａ，１０４ａ 経時変化後の斜面 １０５ 稜線 １０５ａ 経時変化後の稜線 １０６ 線 １０７ 柱状体 １０８，１０９ 線 １１０，１１１，１１２，１１３ 側面 １１５，１１６ グラファイト製電極 １２０ 電子ビーム １２１，１２２ 電子ビームの放射状態を示す線 １２３ 照射スポット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−187334（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−42128（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−123639（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−126760（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−275321（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20 H01J 37/06 H01J 37/305

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電子ビームを放射する電子銃（２，１０
    １）と、 夫々電極を有し、二次元的に配された複数のブランキン
    グアパーチャ（２１）を有し、上記電子銃からの上記電
    子ビームを照射され、これを、各ブランキングアパーチ
    ャアレイを通過した複数の通過電子ビームに整形するブ
    ランキングアパーチャアレイ（３）と、 該ブランキングアパーチャアレイを通過した上記通過電
    子ビームを規則的に偏向させる偏向手段（３４，５）
    と、 上記ブランキングアパーチャを通過した通過電子ビーム
    のうち被露光体にまで到達してこれを照射する照射電子
    ビームを特定する照射電子ビーム特定手段（３１，８）
    とよりなり、 上記偏向の過程で、上記照射電子ビーム特定手段が逐次
    電子ビームを特定し、上記被露光体上の露光すべき特定
    の部位を、該照射電子ビームの特定手段によって特定さ
    れた照射電子ビームによって複数回重ね打ちして露光す
    る電子ビーム露光装置であって、 上記電子銃を、先端が、一対の斜面（１０３，１０４）
    を有し、先端に稜線（１０５）を有する楔形状を有し、
    且つ、上記斜面が共に〈１００〉面である希土類化合物
    結晶製の針状チップ（１０２）を有し、 且つ、該電子銃を、該針状チップの稜線（１０５）が、
    上記ブランキングアパーチャアレイ（３）の偏向直交方
    向（Ｘ）に対応する向きに設定した構成としたことを特
    徴とする電子ビーム露光装置。
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