JP3089115B2 - 電子線露光装置 - Google Patents
電子線露光装置Info
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- JP3089115B2 JP3089115B2 JP04238107A JP23810792A JP3089115B2 JP 3089115 B2 JP3089115 B2 JP 3089115B2 JP 04238107 A JP04238107 A JP 04238107A JP 23810792 A JP23810792 A JP 23810792A JP 3089115 B2 JP3089115 B2 JP 3089115B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は電子線露光装置に関
し、より詳しくは、微細加工性に加えて量産性にも優
れ、高速描画を行うことができる電子線露光装置に関す
る。
し、より詳しくは、微細加工性に加えて量産性にも優
れ、高速描画を行うことができる電子線露光装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ(大規模集積回路)のパターン微細
化、高集積化はとどまるところを知らず、光によるリソ
グラフィーの解像限界を越える微細加工が必要となりつ
つある。この微細加工に対応できるリソグラフィー技術
として、電子線露光技術がある。
化、高集積化はとどまるところを知らず、光によるリソ
グラフィーの解像限界を越える微細加工が必要となりつ
つある。この微細加工に対応できるリソグラフィー技術
として、電子線露光技術がある。
【０００３】図９に示すように、従来の電子線露光装置
は、基本的に電子線顕微鏡(ＳＥＭ)と同じ構成をしてお
り、１つの電子銃１００と、レンズ系１０１〜１０３
と、ブランキング用偏向器１０４と、走査用偏向器１０
５と、可動ステージ１０６等より構成されている。上記
電子銃１００は、図１０に示すように、よく知られたフ
ィラメント加熱方式によるもので、フィラメント１１１
を加熱して陰極１１２から熱電子線放出により電子ビー
ム１１３を発生し、発生した電子ビームを陽極１１４で
加速して放出する。基板にパターンを書き込む場合、基
板に電子線用レジストを塗布してステージ１０６上に載
置し、偏向器１０５によって電子線の向きを変えたり
(基板面上での距離にして数１００μm程度偏向させるこ
とができる)、ステージ１０６ごと移動したりして、い
わゆる走査することで描画を行う。電子線の波長は非常
に短かく、その径は数１００Å程度にまで絞り込むこと
ができるので、電子線描画によって非常に微細なパター
ンを形成することができる。
は、基本的に電子線顕微鏡(ＳＥＭ)と同じ構成をしてお
り、１つの電子銃１００と、レンズ系１０１〜１０３
と、ブランキング用偏向器１０４と、走査用偏向器１０
５と、可動ステージ１０６等より構成されている。上記
電子銃１００は、図１０に示すように、よく知られたフ
ィラメント加熱方式によるもので、フィラメント１１１
を加熱して陰極１１２から熱電子線放出により電子ビー
ム１１３を発生し、発生した電子ビームを陽極１１４で
加速して放出する。基板にパターンを書き込む場合、基
板に電子線用レジストを塗布してステージ１０６上に載
置し、偏向器１０５によって電子線の向きを変えたり
(基板面上での距離にして数１００μm程度偏向させるこ
とができる)、ステージ１０６ごと移動したりして、い
わゆる走査することで描画を行う。電子線の波長は非常
に短かく、その径は数１００Å程度にまで絞り込むこと
ができるので、電子線描画によって非常に微細なパター
ンを形成することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、電子線描画技
術は処理速度が低く、量産性の点で問題がある。例えば
４×４mm2程度の領域にビーム径０.５μmの細線を一面
に書き込む場合、上に述べたように、ステージを固定し
て電子線の偏向だけで書き込める領域は距離にして高々
数１００μm程度に過ぎない。このため、図１１(b)に示
すように、まず３３３μmの走査幅を電子線の偏向によ
って描画した後(イ→ロ)、y方向にステージを移動して
同様に３３３μmの走査幅を描画する(ハ→ニ)。これを
次々繰り返して、同図(a)に示すように、Ａ−Ａ′線に
沿った領域にすべて走査線を書き込む。Ａ−Ａ′線に沿
った領域の書き込みが終わればx方向にステージをステ
ップ移動(３３３μm)して、今度はＢ−Ｂ′線に沿った
領域に走査線を次々に(Ｂ′からＢの方へ)書き込む。こ
のように、従来の電子線露光装置では４×４mm2の領域
全体にわたってステージを移動させて描画を行ってい
る。このため、描画に長時間要し、他の半導体製造装置
に比して処理速度が極めて低いという問題がある。上の
例では、４×４mm2の領域全体を描画するのに約２時間
かかっている。
術は処理速度が低く、量産性の点で問題がある。例えば
４×４mm2程度の領域にビーム径０.５μmの細線を一面
に書き込む場合、上に述べたように、ステージを固定し
て電子線の偏向だけで書き込める領域は距離にして高々
数１００μm程度に過ぎない。このため、図１１(b)に示
すように、まず３３３μmの走査幅を電子線の偏向によ
って描画した後(イ→ロ)、y方向にステージを移動して
同様に３３３μmの走査幅を描画する(ハ→ニ)。これを
次々繰り返して、同図(a)に示すように、Ａ−Ａ′線に
沿った領域にすべて走査線を書き込む。Ａ−Ａ′線に沿
った領域の書き込みが終わればx方向にステージをステ
ップ移動(３３３μm)して、今度はＢ−Ｂ′線に沿った
領域に走査線を次々に(Ｂ′からＢの方へ)書き込む。こ
のように、従来の電子線露光装置では４×４mm2の領域
全体にわたってステージを移動させて描画を行ってい
る。このため、描画に長時間要し、他の半導体製造装置
に比して処理速度が極めて低いという問題がある。上の
例では、４×４mm2の領域全体を描画するのに約２時間
かかっている。
【０００５】そこで、この発明の目的は、描画時間を短
縮して、処理速度を高めることができる電子線露光装置
を提供することにある。
縮して、処理速度を高めることができる電子線露光装置
を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の電子線露光装置は、半導体基板の片面に
所定の間隔で、露光領域に対向させるべき複数の冷陰極
電子源を備え、上記各冷陰極電子源は、上記半導体基板
の基板面に設けられた円錐状の突起部と、上記突起部の
周囲で上記突起部の先端よりも基板面から離間した位置
に絶縁層を介して積層され、環状の内端面を有する２層
の電極層からなる電子線露光装置において、上記各冷陰
極電子源を構成する電極層は上記基板面に平行な面内の
上記各突起部の周囲で少なくとも２つに分割され、上記
２つに分割された電極層のうち上記各突起部に対して同
じ側に位置する部分同士が、複数の冷陰極電子源の間で
共通に接続されていることを特徴とする。
に、この発明の電子線露光装置は、半導体基板の片面に
所定の間隔で、露光領域に対向させるべき複数の冷陰極
電子源を備え、上記各冷陰極電子源は、上記半導体基板
の基板面に設けられた円錐状の突起部と、上記突起部の
周囲で上記突起部の先端よりも基板面から離間した位置
に絶縁層を介して積層され、環状の内端面を有する２層
の電極層からなる電子線露光装置において、上記各冷陰
極電子源を構成する電極層は上記基板面に平行な面内の
上記各突起部の周囲で少なくとも２つに分割され、上記
２つに分割された電極層のうち上記各突起部に対して同
じ側に位置する部分同士が、複数の冷陰極電子源の間で
共通に接続されていることを特徴とする。
【０００７】
【０００８】
【作用】従来の電子線露光装置の処理速度が低い理由
は、電子銃やレンズ系、偏向器等の構成が大掛かりであ
るため、電子銃(電子源)が１つしか設けられていない点
にある。これに対して、請求項１，２の電子線露光装置
は半導体基板の片面に所定の間隔で複数の冷陰極電子源
を有しているので、露光領域を各冷陰極電子源に対応す
る領域に区分して、区分した領域(以下、「区分領域」と
いう。)毎に並行して描画を進めることができる。した
がって、全体として描画時間が短縮され、処理速度が高
まる。
は、電子銃やレンズ系、偏向器等の構成が大掛かりであ
るため、電子銃(電子源)が１つしか設けられていない点
にある。これに対して、請求項１，２の電子線露光装置
は半導体基板の片面に所定の間隔で複数の冷陰極電子源
を有しているので、露光領域を各冷陰極電子源に対応す
る領域に区分して、区分した領域(以下、「区分領域」と
いう。)毎に並行して描画を進めることができる。した
がって、全体として描画時間が短縮され、処理速度が高
まる。
【０００９】また、上記冷陰極電子源は、上記半導体基
板の基板面に設けられた円錐状の突起部と、上記突起部
の周囲で上記突起部の先端よりも基板面から離間した位
置に絶縁層を介して積層され、環状の内端面を有する２
層の電極層からなる場合、この冷陰極電子源は半導体プ
ロセスを利用して簡単かつコンパクトに構成される。ま
た、描画を行う場合、上記突起部が放出した電子は、上
記２層の電極層によって加速および集束された後、露光
領域に照射される。
板の基板面に設けられた円錐状の突起部と、上記突起部
の周囲で上記突起部の先端よりも基板面から離間した位
置に絶縁層を介して積層され、環状の内端面を有する２
層の電極層からなる場合、この冷陰極電子源は半導体プ
ロセスを利用して簡単かつコンパクトに構成される。ま
た、描画を行う場合、上記突起部が放出した電子は、上
記２層の電極層によって加速および集束された後、露光
領域に照射される。
【００１０】
【００１１】さらに、この発明の電子線露光装置では、
上記各冷陰極電子源を構成する電極層は上記基板面に平
行な面内の上記各突起部の周囲で少なくとも２つに分割
され、上記２つに分割された電極層のうち上記各突起部
に対して同じ側に位置する部分同士が、複数の冷陰極電
子源の間で共通に接続されているので、各突起部に対し
て一の側に位置する電極部分に対する印可電圧と別の側
に位置する電極部分に対する印可電圧とを別々に制御す
ることによって、上記各突起部から放出された電子線を
偏向させることが可能となる。したがって、描画の自由
度が増えて、様々なパターンを容易に描けるようにな
る。
上記各冷陰極電子源を構成する電極層は上記基板面に平
行な面内の上記各突起部の周囲で少なくとも２つに分割
され、上記２つに分割された電極層のうち上記各突起部
に対して同じ側に位置する部分同士が、複数の冷陰極電
子源の間で共通に接続されているので、各突起部に対し
て一の側に位置する電極部分に対する印可電圧と別の側
に位置する電極部分に対する印可電圧とを別々に制御す
ることによって、上記各突起部から放出された電子線を
偏向させることが可能となる。したがって、描画の自由
度が増えて、様々なパターンを容易に描けるようにな
る。
【００１２】
【実施例】以下、この発明の電子線露光装置を実施例に
より詳細に説明する。
より詳細に説明する。
【００１３】図１はこの発明の基礎となる電子線露光装
置の概略構成を示している。この電子線露光装置は、チ
ャンバ２０内に電子銃１０と、可動ステージ１６を備え
ている。図９に示した従来の電子線露光装置と異なり、
大掛かりなレンズ系１０１〜１０３や偏向器１０４〜１
０５は備えていない。
置の概略構成を示している。この電子線露光装置は、チ
ャンバ２０内に電子銃１０と、可動ステージ１６を備え
ている。図９に示した従来の電子線露光装置と異なり、
大掛かりなレンズ系１０１〜１０３や偏向器１０４〜１
０５は備えていない。
【００１４】図２に示すように、上記電子銃１０は、半
導体基板１の片面に形成された４×４(＝１６)個の冷陰
極電子源(エミッタ)１１を含んでいる。この例では、各
電子源１１は、同一構成からなり、１mmピッチで設けら
れている。各電子源１１は、半導体基板１に設けられた
円錐状の突起部２と、この突起部２の周囲で突起部２の
先端よりも基板面から離間した位置に、絶縁層３a,３b
を介して積層された２層の電極層４a,４bからなってい
る。上記２層の電極層４a,４bは各電子源１１に共通の
電極層として設けられている。電極層４a,４bの各突起
部２に面する内端面は環状のパターンとなっている。
導体基板１の片面に形成された４×４(＝１６)個の冷陰
極電子源(エミッタ)１１を含んでいる。この例では、各
電子源１１は、同一構成からなり、１mmピッチで設けら
れている。各電子源１１は、半導体基板１に設けられた
円錐状の突起部２と、この突起部２の周囲で突起部２の
先端よりも基板面から離間した位置に、絶縁層３a,３b
を介して積層された２層の電極層４a,４bからなってい
る。上記２層の電極層４a,４bは各電子源１１に共通の
電極層として設けられている。電極層４a,４bの各突起
部２に面する内端面は環状のパターンとなっている。
【００１５】上記冷陰極電子源１１を作製するには、ま
ずＳi基板１上に円形のレジストマスクを設け、ＫＯＨ
により異方性エッチングを行って、円錐状の突起部２を
形成する。次に、上記マスクを残してＳiＯ2絶縁膜３a,
タングステン電極層４a,ＳiＯ2絶縁膜３b,タングステン
電極層４bを順次積層する。この後、上記レジストマス
クをリフトオフする(作製完了)。
ずＳi基板１上に円形のレジストマスクを設け、ＫＯＨ
により異方性エッチングを行って、円錐状の突起部２を
形成する。次に、上記マスクを残してＳiＯ2絶縁膜３a,
タングステン電極層４a,ＳiＯ2絶縁膜３b,タングステン
電極層４bを順次積層する。この後、上記レジストマス
クをリフトオフする(作製完了)。
【００１６】描画を行う場合、図１に示すように、上記
電子銃１０を電圧導入端子１７に接続し、電子線露光装
置本体２０に固定する。そして、図３に示すように、Ｓ
i基板１とタングステン電極４a,４bの間に電圧Ｖ1、(Ｖ
1＋Ｖ2)をそれぞれ印加する。このとき、Ｓi基板１は冷
陰極となり、タングステン電極４a,４bは陽極となる。
電界が円錐状の突起部２に集中して、突起部２の先端か
ら電子ビーム１３が放出される。すなわち、電界放出の
作用によって、突起部２がエミッタとして電子を放出す
る。２枚の陽電極４a,４bは、加速器として働くととも
に、電子レンズとしても働く。したがって、突起部２よ
り放出された電子ビーム１３は加速および集束されて、
描画を行うべき基板１４に照射される。典型的な印加電
圧はＶ1＝Ｖ2＝１ＫＶ、集束ビーム径は１０００Åであ
る。この電子銃１０では、２層の電極層４a,４bが各冷
陰極電子源１１の間で共通になっている(接続されてい
る)ので、総ての電子源１１が全く同一の電子線１３を
基板１４上に放出する。
電子銃１０を電圧導入端子１７に接続し、電子線露光装
置本体２０に固定する。そして、図３に示すように、Ｓ
i基板１とタングステン電極４a,４bの間に電圧Ｖ1、(Ｖ
1＋Ｖ2)をそれぞれ印加する。このとき、Ｓi基板１は冷
陰極となり、タングステン電極４a,４bは陽極となる。
電界が円錐状の突起部２に集中して、突起部２の先端か
ら電子ビーム１３が放出される。すなわち、電界放出の
作用によって、突起部２がエミッタとして電子を放出す
る。２枚の陽電極４a,４bは、加速器として働くととも
に、電子レンズとしても働く。したがって、突起部２よ
り放出された電子ビーム１３は加速および集束されて、
描画を行うべき基板１４に照射される。典型的な印加電
圧はＶ1＝Ｖ2＝１ＫＶ、集束ビーム径は１０００Åであ
る。この電子銃１０では、２層の電極層４a,４bが各冷
陰極電子源１１の間で共通になっている(接続されてい
る)ので、総ての電子源１１が全く同一の電子線１３を
基板１４上に放出する。
【００１７】次に、従来例と同様に、４×４mm2の露光
領域にビーム径０.５μmの細線を描画する場合を考え
る。上記電子銃１０は１mmピッチで電子源１１が計１６
個形成されている。したがって、図４(a)に示すよう
に、露光領域１５を４×４に分割し、分割した１×１mm
2の区分領域Ｃを各電子源１１に対応させることができ
る(本図(a)では見やすくするために手前の７個の電子線
１３と各区分領域Ｃとの対応のみ示している)。このよ
うにした場合、この区分領域Ｃ毎に並行して描画を進め
ることができる。すなわち、１×１mm2の区分領域Ｃの
分だけステージを移動させれば、４×４mm2の露光領域
１５全体にわたって所望の細線を書き込むことができる
(なお、この例では、各区分領域Ｃには、図４(b)に示す
ように全く同一のパターンが描画される。)。したがっ
て、全体として描画時間を短縮でき、処理速度を高める
ことができる。実際に描画を行ったところ所要時間は１
０分であり、従来(所要時間２時間)に比して格段の時間
短縮をはかることができた。
領域にビーム径０.５μmの細線を描画する場合を考え
る。上記電子銃１０は１mmピッチで電子源１１が計１６
個形成されている。したがって、図４(a)に示すよう
に、露光領域１５を４×４に分割し、分割した１×１mm
2の区分領域Ｃを各電子源１１に対応させることができ
る(本図(a)では見やすくするために手前の７個の電子線
１３と各区分領域Ｃとの対応のみ示している)。このよ
うにした場合、この区分領域Ｃ毎に並行して描画を進め
ることができる。すなわち、１×１mm2の区分領域Ｃの
分だけステージを移動させれば、４×４mm2の露光領域
１５全体にわたって所望の細線を書き込むことができる
(なお、この例では、各区分領域Ｃには、図４(b)に示す
ように全く同一のパターンが描画される。)。したがっ
て、全体として描画時間を短縮でき、処理速度を高める
ことができる。実際に描画を行ったところ所要時間は１
０分であり、従来(所要時間２時間)に比して格段の時間
短縮をはかることができた。
【００１８】なお、上記電子銃１０を構成する電子源１
１の間隔は１mmとしたが、これに限られるものではな
い。半導体基板１上に形成することのできる利点を利用
して、電子源１１の間隔をさらに小さくすることができ
る。例えば、電子源１１のピッチを１００μmとし、４
×４mm2の露光領域１５に対して４０×４０＝１６００
個の電子源１１を対応させることができる。この場合、
１つの電子源１１は１００×１００μm2の区分領域を受
け持つだけとなり、ステージ移動幅も１００×１００μ
m2と格段に小さくなる。したがって、さらに描画時間を
短縮することができる。
１の間隔は１mmとしたが、これに限られるものではな
い。半導体基板１上に形成することのできる利点を利用
して、電子源１１の間隔をさらに小さくすることができ
る。例えば、電子源１１のピッチを１００μmとし、４
×４mm2の露光領域１５に対して４０×４０＝１６００
個の電子源１１を対応させることができる。この場合、
１つの電子源１１は１００×１００μm2の区分領域を受
け持つだけとなり、ステージ移動幅も１００×１００μ
m2と格段に小さくなる。したがって、さらに描画時間を
短縮することができる。
【００１９】図５は上記電子銃の変形例を示している
（残りの構成は上の例と同様である。）。この電子銃３
０は、図２に示した電子銃１０の電極層４bを２つの電
極４b′,４b″に分割したものである。すなわち、図５
に示す一方の電極４b′は、突起部２に関して１つ置き
に設けられた環状部３１と、各環状部３１を対角方向に
つなぐ直線状の配線部３２とからなっている。他方の電
極４b″は、電極４b′に所定の隙間をとって残りの領域
に略全面に設けられ、残りの突起部２の共通電極となっ
ている。これにより、この電子銃３０は、電極４b′を
用いて構成される電子銃１１′と電極４b″を用いて構
成される電子銃１１″とが、基板１の片面に交互に並ぶ
状態となっている。
（残りの構成は上の例と同様である。）。この電子銃３
０は、図２に示した電子銃１０の電極層４bを２つの電
極４b′,４b″に分割したものである。すなわち、図５
に示す一方の電極４b′は、突起部２に関して１つ置き
に設けられた環状部３１と、各環状部３１を対角方向に
つなぐ直線状の配線部３２とからなっている。他方の電
極４b″は、電極４b′に所定の隙間をとって残りの領域
に略全面に設けられ、残りの突起部２の共通電極となっ
ている。これにより、この電子銃３０は、電極４b′を
用いて構成される電子銃１１′と電極４b″を用いて構
成される電子銃１１″とが、基板１の片面に交互に並ぶ
状態となっている。
【００２０】この電子銃３０を用いて描画を行うと、例
えば図６に示すように、区分領域Ｃに、一区画おきに共
通なパターンを描画し易くなる。ステージを区分領域Ｃ
分だけ移動して走査することは先の例と変わらないが、
この電子銃３０によれば、電極４b′と４b″に加える電
圧を別々に制御することによって、電子源１１′と電子
源１１″の電子線照射の仕方を描画すべきパターンに合
わせることができる。
えば図６に示すように、区分領域Ｃに、一区画おきに共
通なパターンを描画し易くなる。ステージを区分領域Ｃ
分だけ移動して走査することは先の例と変わらないが、
この電子銃３０によれば、電極４b′と４b″に加える電
圧を別々に制御することによって、電子源１１′と電子
源１１″の電子線照射の仕方を描画すべきパターンに合
わせることができる。
【００２１】なお、この例では、電極４b′につながる
環状部３１を突起部２に関して１つ置きに設けている
が、これに限られるものではなく、描画すべきパターン
に合わせて設ければ良い。
環状部３１を突起部２に関して１つ置きに設けている
が、これに限られるものではなく、描画すべきパターン
に合わせて設ければ良い。
【００２２】図７はこの発明の一実施例の電子線露光装
置が備える電子銃を示している（残りの構成は図１から
図４の例と同様である。）。この電子銃４０は、図２に
示した電子銃１０の電極層４bを、各電子源１１毎に環
状にパターン化した上、さらに、この環状のパターンを
基板１に平行な面内で２分割したものである。すなわ
ち、各電子源１１毎に、電極層４bの一部からなる一対
の半環状部３３,３４を設けている。図において、上記
面内で各突起部２の左側に相当する半環状部３３は、基
板１の辺に平行な直線状の配線部３５を介して、基板周
辺の端子部３７に共通に接続されている。一方、上記面
内で各突起部２の右側に相当する半環状部３４は、上記
半環状部３３と対称に、基板１の辺に平行な直線状の配
線部３６を介して、基板周辺の端子部３８に共通に接続
されている。したがって、図８に示すように、上記半環
状部３３,３４には、それぞれ別個の電圧Ｖ2,Ｖ2′を印
加できるようになっている。したがって、半環状部３
３,３４に印加する電圧Ｖ2,Ｖ2′をコントロールするこ
とによって、電子線１３を偏向させることができる。例
えば、図４(b)に示したx方向の描画は、ステージ移動の
代わりに電子線１３を偏向させて行っても良い。
置が備える電子銃を示している（残りの構成は図１から
図４の例と同様である。）。この電子銃４０は、図２に
示した電子銃１０の電極層４bを、各電子源１１毎に環
状にパターン化した上、さらに、この環状のパターンを
基板１に平行な面内で２分割したものである。すなわ
ち、各電子源１１毎に、電極層４bの一部からなる一対
の半環状部３３,３４を設けている。図において、上記
面内で各突起部２の左側に相当する半環状部３３は、基
板１の辺に平行な直線状の配線部３５を介して、基板周
辺の端子部３７に共通に接続されている。一方、上記面
内で各突起部２の右側に相当する半環状部３４は、上記
半環状部３３と対称に、基板１の辺に平行な直線状の配
線部３６を介して、基板周辺の端子部３８に共通に接続
されている。したがって、図８に示すように、上記半環
状部３３,３４には、それぞれ別個の電圧Ｖ2,Ｖ2′を印
加できるようになっている。したがって、半環状部３
３,３４に印加する電圧Ｖ2,Ｖ2′をコントロールするこ
とによって、電子線１３を偏向させることができる。例
えば、図４(b)に示したx方向の描画は、ステージ移動の
代わりに電子線１３を偏向させて行っても良い。
【００２３】なお、この実施例では、冷陰極電子源１１
としてＳiの微小突起部２とその近傍に配置した電極層
４a,４bによる電界放出電子源について述べたが、当然
ながらこれに限られるものではない。例えば、pn接合に
おけるアバランシェ降伏時のホットエレクトロンを電子
源１１にすることも可能である。
としてＳiの微小突起部２とその近傍に配置した電極層
４a,４bによる電界放出電子源について述べたが、当然
ながらこれに限られるものではない。例えば、pn接合に
おけるアバランシェ降伏時のホットエレクトロンを電子
源１１にすることも可能である。
【００２４】
【発明の効果】以上より明らかなように、この発明の電
子線露光装置では、上記各冷陰極電子源の各突起部に対
して一の側に位置する電極部分に対する印可電圧と別の
側に位置する電極部分に対する印可電圧とを別々に制御
することによって、上記各突起部から放出された電子線
を偏向させることができる。したがって、描画の自由度
を増やすことができ、様々なパターンを容易に描くこと
ができる。
子線露光装置では、上記各冷陰極電子源の各突起部に対
して一の側に位置する電極部分に対する印可電圧と別の
側に位置する電極部分に対する印可電圧とを別々に制御
することによって、上記各突起部から放出された電子線
を偏向させることができる。したがって、描画の自由度
を増やすことができ、様々なパターンを容易に描くこと
ができる。
【００２５】また、請求項２の電子線露光装置では、上
記各冷陰極電子源の各突起部の一の側に相当する電極部
分に対する印加電圧と別の側に相当する電極部分に対す
る印加電圧とを別々に制御することによって、上記各突
起部から放出された電子線を偏向させることができる。
したがって、描画の自由度を増やすことができ、様々な
パターンを容易に描くことができる。
記各冷陰極電子源の各突起部の一の側に相当する電極部
分に対する印加電圧と別の側に相当する電極部分に対す
る印加電圧とを別々に制御することによって、上記各突
起部から放出された電子線を偏向させることができる。
したがって、描画の自由度を増やすことができ、様々な
パターンを容易に描くことができる。
【図１】 この発明の一実施例の電子線露光装置の概略
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図２】 上記電子線露光装置の電子銃を示す図であ
る。
る。
【図３】 上記電子銃の動作状態を示す図である。
【図４】 上記電子線露光装置によるの描画の様相を示
す図である。
す図である。
【図５】 上記電子銃の変形例を示す図である。
【図６】 上記変形例の電子銃によって描画されるパタ
ーンを示す図である。
ーンを示す図である。
【図７】 上記電子銃のさらなる変形例を示す図であ
る。
る。
【図８】 上記さらなる変形例の電子銃の動作状態を示
す図である。
す図である。
【図９】 従来の電子線露光装置の概略構成を示す図で
ある。
ある。
【図１０】 上記従来の電子線照射装置の電子銃を示す
図である。
図である。
【図１１】 上記従来の電子線露光装置による描画の様
相を示す図である。
相を示す図である。
１ Ｓi基板 ２ 突起部 ３a,３b 絶縁膜 ４a,４b, タングステン電極層 ４b′,４b″ 電極 １０,３０,４０ 電子銃 １１,１１′,１１″ 冷陰極電子源 １５ 露光領域 １６ 可動ステージ Ｃ 区分領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−155739（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板の片面に所定の間隔で、露光
領域に対向させるべき複数の冷陰極電子源を備え、 上記各冷陰極電子源は、上記半導体基板の基板面に設け
られた円錐状の突起部と、上記突起部の周囲で上記突起
部の先端よりも基板面から離間した位置に絶縁層を介し
て積層され、環状の内端面を有する２層の電極層からな
る電子線露光装置において、上記各冷陰極電子源を構成する電極層は上記基板面に平
行な面内の上記各突起部の周囲で少なくとも２つに分割
され、 上記２つに分割された電極層のうち上記各突起部に対し
て同じ側に位置する部分同士が、複数の冷陰極電子源の
間で共通に接続されている ことを特徴とする電子線露光
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04238107A JP3089115B2 (ja) | 1992-09-07 | 1992-09-07 | 電子線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04238107A JP3089115B2 (ja) | 1992-09-07 | 1992-09-07 | 電子線露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0684773A JPH0684773A (ja) | 1994-03-25 |
| JP3089115B2 true JP3089115B2 (ja) | 2000-09-18 |
Family
ID=17025284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04238107A Expired - Fee Related JP3089115B2 (ja) | 1992-09-07 | 1992-09-07 | 電子線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3089115B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101588515B1 (ko) * | 2014-03-24 | 2016-01-25 | 인제대학교 산학협력단 | 자동 위치 조절 책상 |
| KR102224754B1 (ko) | 2019-08-19 | 2021-04-15 | 비앤비북텔 주식회사 | 누워서 사용하는 인체공학적 독서대 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008140623A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Japan Science & Technology Agency | 電子線源装置 |
-
1992
- 1992-09-07 JP JP04238107A patent/JP3089115B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101588515B1 (ko) * | 2014-03-24 | 2016-01-25 | 인제대학교 산학협력단 | 자동 위치 조절 책상 |
| KR102224754B1 (ko) | 2019-08-19 | 2021-04-15 | 비앤비북텔 주식회사 | 누워서 사용하는 인체공학적 독서대 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0684773A (ja) | 1994-03-25 |
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