JP6242745B2 - 荷電粒子線装置及び当該装置を用いる検査方法 - Google Patents
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Description
図1に、第1の実施例に係る荷電粒子線装置の概略構成を示す。図1に示す荷電粒子線装置は、荷電粒子源1と、荷電粒子源1から荷電粒子線30を引き出す引出電極2と、荷電粒子線30を加速する加速電極3とを有する。本実施例の場合、荷電粒子源1には、例えば電子源を使用する。この場合、荷電粒子線30は電子線となる。
(1)第1の方法は、引出電極2の電圧を増加させ電子源(荷電粒子源1)から引き出す電流密度を増加させる方法である。ただし、この方法は、電子銃内部の耐電圧により実効的な電流密度の制御範囲は100倍より小さいことと、電流密度に応じて電子源のエネルギー分散量が増大し、対物レンズ10の色収差を増大させて分解能を劣化させる課題がある。
(2-1)直径の異なる絞り5を2つ以上準備して所望の直径の絞りに交換する方法
(2-2)直径の異なる2つ以上の孔を有する1つの絞りと前記絞りを搬送する可動機構を有する絞り切り替え部を用いて所望の直径の絞りを選択する方法
(2-3)直径の異なる2つ以上の孔を有する1つの絞りと前記絞りより上流に設置されたアライメント偏向器を用いて電子線を偏向し、所望の直径の絞りを選択する方法
図8を用い、第2の実施例に係る測長SEMの概略構成を説明する。なお、図8には、図1との対応部分に同一符号を付して示す。このため、同一符号を付した部分の再度の説明は省略する。
図10を用い、第3の実施例に係る測長SEMの概略構成を説明する。なお、図10には、図1との対応部分に同一符号を付して示す。このため、同一符号を付した部分の再度の説明は省略する。
前述の実施例では、基本的に、電子線量に応じてコンデンサレンズ4の制御値を切り替える場合について説明しているが、電子線量によらずコンデンサレンズ4を1つの制御値で制御し、下流側のコンデンサレンズ6の制御値だけを電子線量に応じて切り替え制御しても良い。この場合、記憶装置44、144、244には、複数の電子線量に共通のコンデンサレンズ4の制御値と電子線量に応じたコンデンサレンズ6の制御値を格納しておけば良い。この制御方式の場合でも、前述した電子線の光学軌道の条件を満たせば、各実施例と同様の効果を実現することができる。
本発明は、上述した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることも可能である。また、各実施例の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。
Claims (15)
- 荷電粒子源と、
前記荷電粒子源の下流に設置された第1のコンデンサレンズと、
前記第1のコンデンサレンズの下流に設置された絞りと、
前記絞りよりも下流に設置された第2のコンデンサレンズと、
前記第2のコンデンサレンズより下流に設置された対物レンズと、
荷電粒子線の照射によって試料から発生する情報信号を検出する検出器と、
第1の荷電粒子線量より多い第2の荷電粒子線量で前記試料を照射する場合、荷電粒子線が前記絞りより下流で結像し、かつ、前記第1の荷電粒子線量と前記第2の荷電粒子線量とで前記第2のコンデンサレンズの焦点位置が変化しないように、前記第1及び第2のコンデンサレンズを制御する制御部と
を有する荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
前記制御部は、前記第1の荷電粒子線量で前記試料を照射する場合、荷電粒子線が前記絞りより上流で結像するように、前記第1のコンデンサレンズを制御する
ことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
前記制御部は、前記第1のコンデンサレンズの制御値に応じて前記第2のコンデンサレンズの制御値を計算により求める
ことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
前記制御部は、前記第1のコンデンサレンズの制御値と前記第2のコンデンサレンズの制御値との対応関係を記憶した表を検索することにより、前記第1のコンデンサレンズの制御値に応じた前記第2のコンデンサレンズの制御値を求める
ことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
前記制御部は、使用する荷電粒子線量又は光学モードに基づいて、前記第1のコンデンサレンズの制御値と前記第2のコンデンサレンズの制御値を求める
ことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
前記制御部は、前記第1のコンデンサレンズを、使用する荷電粒子線量又は光学モードに応じた制御値で制御する
ことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
前記制御部は、前記第1のコンデンサレンズを、複数の荷電粒子線量又は光学モードに共通する制御値で制御し、前記第2のコンデンサレンズを、使用する荷電粒子線量又は光学モードに応じた制御値で制御する
ことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
前記制御部は、前記第2の荷電粒子線量で前記試料を照射する場合、前記第1及び第2のコンデンサレンズを制御して、前記試料に照射する荷電粒子線の開き角の増大を抑制する
ことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
前記制御部は、前記試料内の2つ以上の観察場所毎に、観察に使用する電子線量を個別に指定するための入力欄を画面表示する
ことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
前記制御部は、同一視野内の2つ以上の部分領域毎に、観察に使用する電子線量を個別に指定するための入力欄を画面表示する
ことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 荷電粒子源と、前記荷電粒子源の下流に設置された第1のコンデンサレンズと、前記第1のコンデンサレンズの下流に設置された絞りと、前記絞りよりも下流に設置された第2のコンデンサレンズと、前記第2のコンデンサレンズより下流に設置された対物レンズと、荷電粒子線の照射によって試料から発生する情報信号を検出する検出器と、制御部とを有する荷電粒子線装置を用いる検査方法において、
前記制御部は、
第1の荷電粒子線量より多い第2の荷電粒子線量で前記試料を照射する場合、荷電粒子線が前記絞りより下流で結像し、かつ、前記第1の荷電粒子線量と前記第2の荷電粒子線量とで前記第2のコンデンサレンズの焦点位置が変化しないように、前記第1及び第2のコンデンサレンズを制御する処理を実行する
ことを特徴とする検査方法。 - 請求項11に記載の検査方法において、
前記第1の荷電粒子線量で前記試料を照射する場合、荷電粒子線が前記絞りより上流で結像するように、前記第1のコンデンサレンズを制御する処理
を実行することを特徴とする検査方法。 - 請求項11に記載の検査方法において、
前記第2の荷電粒子線量で前記試料を照射する場合、前記第1及び第2のコンデンサレンズの制御により、前記試料に照射する荷電粒子線の開き角の増大を抑制する処理
を実行することを特徴とする検査方法。 - 請求項11に記載の検査方法において、
前記試料内の2つ以上の観察場所毎に、観察に使用する電子線量を個別に指定するための入力欄を画面表示する処理
を実行することを特徴とする検査方法。 - 請求項11に記載の検査方法において、
同一視野内の2つ以上の部分領域毎に、観察に使用する電子線量を個別に指定するための入力欄を画面表示する処理
を実行することを特徴とする検査方法。
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