JP2004342628A - 荷電粒子線装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 集束レンズ励磁電流の変化を伴う検査条件の変更を行っても安定性および再現性が良い検査結果が得られるようにする。
【解決手段】 電流制限絞り17により制限される一次電子線4の電流Iaと試料12に照射される一次電子線4の電流Ipを検出し、先ず、Ia+Ipが一定になるように電子銃電源6を制御し、次に、Ip/(Ia+Ip)が一定になるように集束レンズ制御電源7を制御する。
【選択図】 図1

Description

本発明は、荷電粒子線装置に関する。
荷電粒子線で試料を照射して得られる信号を検出して該試料の走査像を得る荷電粒子線装置として、電子ビームを用いた走査電子顕微鏡や測長用走査電子顕微鏡等の半導体検査装置がある。特に半導体検査装置では、ウエハ検査の安定性や再現性が重要視される。安定した検査結果を得るためには、ウエハに照射する電流量と光学的倍率(縮小率)などを決定する光学条件が時間的に変化がなく再現性があることが重要である。
特開平10−162760号公報に記載された装置は、電流制限絞りにより遮へいされる電流量と試料に照射する電流量を測定し、遮へい電流量と試料に照射する電流量の比を一定とするように電子銃と電流制限絞りの間に位置する集束レンズの励磁電流を制御し、結果的に、試料に照射する電流量が一定になるようにしている。
しかし、装置立上げ直後や集束レンズの電流量変更直後にレンズの励磁の強度が変化するだけではなく、電子銃電源の立上げ直後や電子銃電源の条件を変更した直後に電子源から放出される全電流量も変化するので、遮へい電流量と試料に照射する電流量の比を一定となるように集束レンズの励磁電流を制御しても、クロスオーバー位置で決定される光学的倍率と試料に照射される電流量の両方を一定に制御することは困難である。
通常、試料に照射する電流量と光学条件は常に一定状態で使用するのではなく、ウエハによって異なったり、また同じウエハでも条件を変更して検査をする場合がある。例えば、電子銃電源の設定値を変化させることにより電流量を変えたり、集束レンズおよび対物レンズの励磁電流を変化させることにより光学的倍率、もしくは集束レンズの励磁電流を変化させることにより電流制限絞りに遮へいされる電流を変化させ所望の電流量を得るなどの光学条件の変更がある。その中でも集束レンズの励磁電流を変化させて光学条件を変更して検査を行なう場合、特に純鉄などヒステリシスの多い材料を使用した集束レンズは残留磁化により本来の条件とは異なった条件が設定されてしまい、所望のビーム条件を得ることができず、再現性良く検査することができない。
特開平10−162760号公報
特に集束レンズの励磁電流を変化させて光学条件を変更する場合には、前記問題が発生するために、その度に条件確認・再設定を行なう必要がある。これはユーザーが常に装置を監視することを必要とし、また条件の確認・再設定に時間がかかるために、検査効率の低下を招く。
本発明の目的は、光学条件を変更して検査を行なう場合でも、ユーザーによる条件確認・再設定を行なうことなく検査を開始することが可能で、安定性および再現性が良い検査結果を得ることができるようにすることにある。
本発明は、荷電粒子を発生する荷電粒子源と、前記荷電粒子源の近傍で荷電粒子線を集束させる集束レンズと、前記荷電粒子線を試料に照射するための対物レンズと、前記照射によって前記試料から発生する該試料を特徴づける情報信号を検出する検出器を備えた荷電粒子線装置において、前記試料から発生する情報信号に基づいて前記荷電粒子線の集束点と試料表面とが一致したか否かを検出する手段と、集束点と試料表面とが一致するように前記集束レンズの励磁の強度を制御する制御装置を設けたことを特徴とする。
また、本発明は、荷電粒子を発生する荷電粒子源と、前記荷電粒子線を集束させる集束レンズと、前記荷電粒子線を前記試料に照射するための対物レンズと、前記集束レンズと前記対物レンズの間に位置して荷電粒子線量を制限する絞りと、試料に照射される荷電粒子線量(Ip)を測定するファラデーカップと、前記照射によって前記試料から発生する該試料を特徴づける情報信号を検出する検出器を備えた荷電粒子線装置において、前記制限絞りに照射する荷電粒子線の電流(Ia)を測定する手段と、前記試料から発生する情報信号に基づいて前記荷電粒子線の集束点と試料表面とが一致したか否かを検出する手段と、前記IpとIaの和が一定になるように前記荷電粒子源を制御し、集束点と試料表面とが一致するように前記集束レンズの励磁の強度を制御する制御装置を設けたことを特徴とする。
そして、前記集束レンズは、2個のコイルを備え、前記制御装置は、それぞれのコイルの電流を制御することを特徴とする。
また、前記集束レンズは、2段のレンズで構成し、前記制御装置は、それぞれのレンズの励磁の強度を制御することを特徴とする。
また、前記制御装置は、前記制御の条件設定,前記制御の実行および前記制御の履歴の保存を行うことを特徴とする。
本発明によれば、光学条件を変更して検査を行なう場合でも、ユーザーによる条件確認・再設定を行なうことなく検査を開始することが可能で、安定性および再現性が良い検査結果を得ることができ、安定性および再現性に優れた検査結果を得るこができる。
本発明は、荷電粒子を発生する荷電粒子源と、前記荷電粒子線を集束させる集束レンズと、前記荷電粒子線を前記試料に照射するための対物レンズと、前記集束レンズと前記対物レンズの間に位置して荷電粒子線量を制限する絞りと、試料に照射される荷電粒子線量(Ip)を測定するファラデーカップと、前記照射によって前記試料から発生する該試料を特徴づける情報信号を検出する検出器を備えた荷電粒子線装置において、
前記制限絞りに照射する荷電粒子線の電流(Ia)を測定する手段と、前記試料から発生する情報信号に基づいて前記荷電粒子線の集束点と試料表面とが一致したか否かを検出する手段と、前記IpとIaの和が一定になるように前記荷電粒子源を制御し、集束点と試料表面とが一致するように前記集束レンズの励磁の強度を制御する制御装置を設け、
前記制御装置は、前記制御の条件設定,前記制御の実行および前記制御の履歴の保存を行うように構成する。
以下、本発明の実施例1を図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の実施例1を示す荷電粒子線装置を適用した検査装置の機能ブロック図である。図1において、電子銃1は、電子源2と引出電極3の間に印加した電圧V1によって前記電子源2から放出した一次電子線4を電子源2に印加した加速電圧Vaccによって加速する。更に、制御電極5(サプレッサ電極)には、電子源2の先端以外から放出される熱電子を抑制する電圧Vsを印加する。これらの制御は、電子銃制御電源6によって行う。
電子銃1から放出した一次電子線4は、集束レンズ制御電源7によって制御さる集束レンズ8によって、対物レンズ9との間にクロスオーバ位置10が生じるように集束し、更に対物レンズ9によって、試料ステージ11上の試料12の表面に収束するように照射する。
偏向器13は、偏向器制御電源14に制御されて一次電子線4を偏向することにより該一次電子線4で試料12上を走査する。二次電子信号検出器15は、一次電子線4の照射によって試料12から発生する二次電子信号16を検出する。
集束レンズ8とクロスオーバ位置10との間には、電流制限絞り17を配置する。この電流制限絞り17は、余分な電子を遮断し、更に、一次電子線4の開口角を決めるものである。また、この電流制限絞り17によって制限する一次電子線4の電流Iaは、制限電流測定器18によって測定する。
電流制限絞り17と偏向器13との間には、一次電子線4を偏向してブランキングするためのブランキング用偏向電極19を配置し、ブランキング制御電源20によって制御する。ブランキング用偏向電極19によって偏向した一次電子線4の遮光(ブランキング)は、ファラデーカップ21によって行う。ファラデーカップ21には、ブランキングした一次電子線4の電流Ipを測定するブランキング(プローブ)電流検出器22を接続する。ファラデーカップ21に入射した一次電子線4の電流Ipは、実際に試料12に照射される電流量に相当する。
対物レンズ9は、対物レンズ制御電源23に制御されて一次電子線4を試料12上に収束させる。
なお、24は、電子線照射に適するように真空を保つための容器である。
制御装置25は、マイクロコンピュータを使用して構成し、キーボートやマウスなどの入力装置26および表示装置27を接続する。そして、この制御装置25は、更に、電子銃制御電源6,集束レンズ制御電源7,偏向器制御電源14,二次電子信号検出器15,制限電流測定器18,ブランキング制御電源20,ブランキング電流検出器22,対物レンズ制御電源23に接続し、制御プログラムに従って、入力装置26からの入力に従って制御条件や検査条件を設定し、二次電子信号検出器15,制限電流検出器18,ブランキング電流検出器22からの入力信号を処理することにより、制御処理および検査処理とその表示処理を実行する。
制御装置25は、制限電流検出器18から電流制限絞り17で測定した電流Iaを入力し、ブランキング電流検出器22からファラデーカップ21に入射した一次電子線4に相当する電流Ipを入力し、
Ia+Ip=k(k:一定) ……(数1)
Ip/(Ia+Ip)=m(m:一定) ……(数2)
が設定値となるように電子銃制御電源6および集束レンズ制御電源7を介して電子銃1および集束レンズ8を制御する。
検査条件の変更などにより変化する要素は、電子源2から放出する荷電粒子線量(電流量)と、集束レンズ8の励磁の強度である。
これらを制御する原理は以下のようになる。Ia+Ip(=k)は、電子源2から放出する総電流量であり、(数1)式が成り立つ制御を行うことで電子源2から放出する電流量を一定にすることができる。(数2)式は、電流制限絞り17を通って試料12に照射される電流量(Ip)と総電流量(Ia+Ip)の比が一定になるように集束レンズ8の励磁の強度を制御することにより、クロスオーバ位置10を一定にすることができることを意味する。クロスオーバ位置10が一定であれば試料12の表面と収束点(フォーカス点)を一致させる対物レンズ9の励磁の強度が一意に決定する。従って、このような制御を行うことにより、試料12に照射する電流量を一定に維持することが可能であり、且つ光学的倍率などの光学条件も常に一定になる。
このような制御を実現するために、制御装置25は、先ず、(数1)式が成り立つように電子銃制御電源6を介して引出電圧V1と制御電圧Vsを制御する。電流の和(=k)が減少した場合は、引出電圧V1を増加させて電子源2から放出する電子線量を増加させ、kが増加した場合は、引出電圧V1を減少させる。このとき、引出電圧V1を大幅に増減させると、一次電子線4の軸が動き易いので、制御電圧Vsを制御するほうが望ましい。次に、(数2)式が成り立つように、集束レンズ制御電源7を介して集束レンズ8の励磁の強度を制御する。
集束レンズ8の励磁コイルは、図2に示すように、メインコイル8aと補正コイル8bで構成され、それぞれの電流を制御することが可能である。例えば、条件を変更して検査を行う場合は、前もって設定されている励磁電流を集束レンズ制御電源7によってメインコイル8aに供給し、(数1)および(数2)式が成立つか否かを判断する。そして、(数2)式が成立たない場合には、集束レンズ制御電源7によって補正コイル8bに励磁電流を供給して該(数2)式が成立つように調整するようにすると良い。
また、図3に示すように、集束レンズ8の近傍に補正集束レンズ28を設け、(数2)式が成立たない場合には、集束レンズ制御電源7によって補正集束レンズ28に励磁電流を供給して調整を行うようにしても良い。
これらの制御は、条件変更の場合だけでなく、通常、検査を開始する場合にも実施することで光学条件が常に一定となり、安定性および再現性に優れた検査結果を得ることが可能になる。
クロスオーバー位置10を各光学条件で一定にする制御は、次のような制御処理によっても実現することができる。すなわち、二次電子信号16を検出する二次電子信号検出器15からの検出信号に基づいて収束点(フォーカス点)と試料12の表面が一致しているか否かを検出し、一致していないときには集束レンズ8により集束点を制御する構成とすることができる。
この制御は、制御装置25によって、二次電子信号検出器15から出力される検出信号に基づいて、収束点と試料12の表面が一致しているか否かを検出する。検出する方法は、例えば、二次電子信号検出器15から出力される検出信号に基づいて形成する画像のコントラストが極大値になったときを収束点と試料12の表面が一致していると判断する処理により実現することができる。そして、制御装置25は、収束点と試料12の表面が一致しているか否かを検出した結果に基づいて集束レンズ制御電源7を制御し、収束点と試料12の表面が一致するように集束レンズ8の励磁電流を制御する。
このとき、対物レンズ9の励磁電流は、対物レンズ制御電源23によって一定に固定しておく。対物レンズ9と試料12の距離が一定であることより、収束点と試料12の表面を集束レンズ8で一致させるようにすると、クロスオーバー位置10は一定位置に決まる。
このような一連の制御により、クロスオーバー位置10の変動に伴う光学条件の変動を抑制し、常に一定条件で検査を行なうことが可能になる。
図4は、この検査装置における制御装置25が実行する制御処理のフローチャートである。
ステップ101
各検査条件を複数個設定する。この設定入力は、表示装置27に設定画面を表示し、この表示画面に対する入力装置26からの指示入力を取り込むことにより行う。
ステップ102
設定された条件の(Ia+Ip)とIp/(Ia+Ip)の値を登録する。
ステップ103
実際に実行する検査条件を選択する。
ステップ104
Ia+IpとIp/(Ia+Ip)を設定する。この設定は、Ia+IpとIpを入力することにより行う。
ステップ105
その他の校正を行う。
ステップ106
設定された検査条件による検査を実行する。
ステップ107
設定値自動補正制御が設定されているときには、設定値自動補正制御を実行する。
ステップ108
検査結果を出力する。
図5は、Ia+IpとIpを入力する表示画面を示している。この表示画面は、「Ip・倍率設定」のメニューバー200がクリックされたときに表示する。そして、光学的倍率設定領域には、Ia+Ipの登録値と現在値および電子銃制御電源の条件を設定/表示する欄211,212,213と実行ボタン214とリセットボタン215と設定値自動補正実行間隔を設定/表示する欄216を表示する。また、プローブ電流設定領域には、プローブ電流Ipの登録値と現在値および集束レンズ電流値を設定/表示する欄221,222,223と実行ボタン224とリセットボタン225と設定値自動補正実行間隔を設定/表示する欄226を表示する。
そこで、光学的倍率設定領域の欄211,212,213には、登録値と現在値および電子銃制御電源の条件を表示し、登録値はスクロールボタン211aによって変更可能にする。そして、実行ボタン214が押されると入力値の設定を実行し、設定後の値を表示し、新たな設定値に基づく制御処理を実行する。また、リセットボタン215が押されたときには、現在値を登録値として設定して該設定値に基づく制御処理を実行する。
また、プローブ電流設定領域における各欄221,222,223も同様に、登録値と現在値および集束レンズ制御電源の条件を表示し、登録値はスクロールボタン221aによって変更可能にする。そして、実行ボタン224が押されると入力値の設定を実行し、設定後の値を表示し、新たな設定値に基づく制御処理を実行する。また、リセットボタン225が押されたときには、現在値を登録値として設定して該設定値に基づく制御処理を実行する。
欄216,226に設定値自動補正実行間隔が設定されているときには、設定値に基づく制御処理を設定時間間隔で自動的に実行し、設定されていないときには、前記設定時または「校正」メニューバー400がクリックされたときに実行する。
図6は、「検査」のメニューバー300がクリックされたときに表示する表示画面である。表示欄310には検査画像を表示し、表示欄320には、表示条件などを表示する。
また、制御装置25は、これらの制御履歴を記録して保持する。
本発明の実施例1を示す荷電粒子線装置を適用した検査装置の機能ブロック図である。 図1に示した検査装置における集束レンズの一例を示すを示す縦断側面図である。 図1に示した検査装置における集束レンズの他の例を示すを示す縦断側面図である。 図1に示した検査装置における制御装置25が実行する制御処理のフローチャートである。 図1に示した検査装置の設定時における表示装置の表示画面である。 図1に示した検査装置の検査時における表示装置の表示画面である。
符号の説明
1…電子銃、2…電子源、3…引出電極、4…一次電子線、5…制御電極、6…電子銃制御電源、7…集束レンズ制御電源、8…集束レンズ、9…対物レンズ、10…クロスオーバ位置、11…試料ステージ、12…試料、13…偏向器、14…偏向器制御電源、15…二次電子信号検出器、16…二次電子信号、17…電流制限絞り、18…制限電流測定器、19…ブランキング用偏向電極、20…ブランキング制御電源、21…ファラデーカップ、22…ブランキング電流検出器、23…対物レンズ制御電源、25…制御装置、26…入力装置、27…表示装置。

Claims (5)

  1. 荷電粒子を発生する荷電粒子源と、前記荷電粒子源の近傍で荷電粒子線を集束させる集束レンズと、前記荷電粒子線を試料に照射するための対物レンズと、前記照射によって前記試料から発生する該試料を特徴づける情報信号を検出する検出器を備えた荷電粒子線装置において、
    前記試料から発生する情報信号に基づいて前記荷電粒子線の集束点と試料表面とが一致したか否かを検出する手段と、集束点と試料表面とが一致するように前記集束レンズの励磁の強度を制御する制御装置を設けたことを特徴とする荷電粒子線装置。
  2. 荷電粒子を発生する荷電粒子源と、前記荷電粒子線を集束させる集束レンズと、前記荷電粒子線を前記試料に照射するための対物レンズと、前記集束レンズと前記対物レンズの間に位置して荷電粒子線量を制限する絞りと、試料に照射される荷電粒子線量(Ip)を測定するファラデーカップと、前記照射によって前記試料から発生する該試料を特徴づける情報信号を検出する検出器を備えた荷電粒子線装置において、
    前記制限絞りに照射する荷電粒子線の電流(Ia)を測定する手段と、前記試料から発生する情報信号に基づいて前記荷電粒子線の集束点と試料表面とが一致したか否かを検出する手段と、前記IpとIaの和が一定になるように前記荷電粒子源を制御し、集束点と試料表面とが一致するように前記集束レンズの励磁の強度を制御する制御装置を設けたことを特徴とする荷電粒子線装置。
  3. 請求項1または2の何れか1項に記載の荷電粒子線装置おいて、前記集束レンズは、2個のコイルを備え、前記制御装置は、それぞれのコイルの電流を制御することを特徴とする荷電粒子線装置。
  4. 請求項1〜3の何れか1項に記載の荷電粒子線装置おいて、前記集束レンズは、2段のレンズで構成し、前記制御装置は、それぞれのレンズの励磁の強度を制御することを特徴とする荷電粒子線装置。
  5. 請求項1〜4の何れか1項に記載の荷電粒子線装置おいて、前記制御装置は、前記制御の条件設定,前記制御の実行および前記制御の履歴の保存を行うことを特徴とする荷電粒子線装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007027548A (ja) * 2005-07-20 2007-02-01 Jeol Ltd 試料検査装置及び試料検査装置の制御方法
WO2010013331A1 (ja) * 2008-07-30 2010-02-04 パイオニア株式会社 電子ビーム装置
US9799483B2 (en) 2014-05-13 2017-10-24 Hitachi High-Technologies Corporation Charged particle beam device and detection method using said device
US10825649B2 (en) 2018-03-23 2020-11-03 Hitachi, Ltd. Electron beam device

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007027548A (ja) * 2005-07-20 2007-02-01 Jeol Ltd 試料検査装置及び試料検査装置の制御方法
WO2010013331A1 (ja) * 2008-07-30 2010-02-04 パイオニア株式会社 電子ビーム装置
US20110114853A1 (en) * 2008-07-30 2011-05-19 Pioneer Corporation Electron beam apparatus
JP5087679B2 (ja) * 2008-07-30 2012-12-05 株式会社ニューフレアテクノロジー 電子ビーム装置
US8653488B2 (en) 2008-07-30 2014-02-18 Nuflare Technology, Inc. Electron beam apparatus
US9799483B2 (en) 2014-05-13 2017-10-24 Hitachi High-Technologies Corporation Charged particle beam device and detection method using said device
US10825649B2 (en) 2018-03-23 2020-11-03 Hitachi, Ltd. Electron beam device

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