JPH11273601A - 集束イオンビーム装置およびその光学系の設計方法 - Google Patents
集束イオンビーム装置およびその光学系の設計方法Info
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- JPH11273601A JPH11273601A JP9676198A JP9676198A JPH11273601A JP H11273601 A JPH11273601 A JP H11273601A JP 9676198 A JP9676198 A JP 9676198A JP 9676198 A JP9676198 A JP 9676198A JP H11273601 A JPH11273601 A JP H11273601A
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- lens
- distance
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- ion beam
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 集束イオンビーム装置による試料のSIM観察
から加工までの幅広いイオンビーム電流値領域におい
て、最小のビーム径が得られるようにイオン照射系の鏡
筒の長さを最適化する設計方法および装置を提供するこ
と。 【解決手段】集束イオンビーム装置のイオン照射系の第
１のレンズは発散モードで使用し、小イオンビーム電流
値領域において最高の分解能を得るようにしたとき、前
記第１のレンズの倍率が設定可能な最低倍率となるよう
に、第１と第２のレンズ間の距離を設定することによっ
て、幅広いイオンビーム電流値領域で最小のビーム径が
得られるように成す設計方法およびそのように成したイ
オン照射系を備える。
から加工までの幅広いイオンビーム電流値領域におい
て、最小のビーム径が得られるようにイオン照射系の鏡
筒の長さを最適化する設計方法および装置を提供するこ
と。 【解決手段】集束イオンビーム装置のイオン照射系の第
１のレンズは発散モードで使用し、小イオンビーム電流
値領域において最高の分解能を得るようにしたとき、前
記第１のレンズの倍率が設定可能な最低倍率となるよう
に、第１と第２のレンズ間の距離を設定することによっ
て、幅広いイオンビーム電流値領域で最小のビーム径が
得られるように成す設計方法およびそのように成したイ
オン照射系を備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、集束イオンビーム
装置に関し、詳しくはイオン照射系の鏡筒の長さ及びア
パーチャの位置を最適化した集束イオンビーム装置に関
する。
装置に関し、詳しくはイオン照射系の鏡筒の長さ及びア
パーチャの位置を最適化した集束イオンビーム装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】Ga等の金属イオン源を用いた集束イオン
ビームによる材料の加工や集束イオンビームを材料に二
次元的に走査して得られる走査顕微鏡像の観察（SIM、S
canning Ion Microscope) を目的としたFIB (Focus
ed Ion Beam) 装置が広く用いられている。
ビームによる材料の加工や集束イオンビームを材料に二
次元的に走査して得られる走査顕微鏡像の観察（SIM、S
canning Ion Microscope) を目的としたFIB (Focus
ed Ion Beam) 装置が広く用いられている。
【０００３】その一例としてFIBのイオン光学系の一例
を図４に示す。図中、１は高真空に保持されたイオン照
射系の鏡筒、２はイオン源となるエミッタ、３はイオン
ビームを引き出すための引き出し電極、４はイオンビー
ムを所望のエネルギに加速する加速電極、５はイオンビ
ームの電流を所望の電流値に調節する集束レンズであっ
て、引き出し電極３と加速電極４とを兼ねた静電型のも
のである。６はイオンビームを制限するアパーチャ、７
はイオンビームを二次元的に偏向・走査する偏向電極、
８はイオンビームをフォーカスして試料に照射する対物
レンズ、９は加工またはSIM観察しようとする試料、１
０は試料を載置し試料の位置と傾きを自在に調節できる
試料ステージ、１１は試料室である。なお、図示しない
が、エミッタ２、各電極３等、各レンズ５等、試料ステ
ージ１０には、これらを動作させるための電源や制御回
路が接続されている。更に、同じく図示しないが、試料
９で発生した二次イオンを検出する検出器、検出器から
の信号の処理回路、SIM像観察のための表示装置等が接
続されている。
を図４に示す。図中、１は高真空に保持されたイオン照
射系の鏡筒、２はイオン源となるエミッタ、３はイオン
ビームを引き出すための引き出し電極、４はイオンビー
ムを所望のエネルギに加速する加速電極、５はイオンビ
ームの電流を所望の電流値に調節する集束レンズであっ
て、引き出し電極３と加速電極４とを兼ねた静電型のも
のである。６はイオンビームを制限するアパーチャ、７
はイオンビームを二次元的に偏向・走査する偏向電極、
８はイオンビームをフォーカスして試料に照射する対物
レンズ、９は加工またはSIM観察しようとする試料、１
０は試料を載置し試料の位置と傾きを自在に調節できる
試料ステージ、１１は試料室である。なお、図示しない
が、エミッタ２、各電極３等、各レンズ５等、試料ステ
ージ１０には、これらを動作させるための電源や制御回
路が接続されている。更に、同じく図示しないが、試料
９で発生した二次イオンを検出する検出器、検出器から
の信号の処理回路、SIM像観察のための表示装置等が接
続されている。
【０００４】この様なFIB装置でSIM像を観察するに際し
てできるだけ高い分解能（イオンビームの径と考えてよ
い）を得るためには、加速電極４に印加する加速電圧を
高く設定し、イオンビーム電流を少なくなるよう集束レ
ンズ５とアパーチャ６の径を設定し、観察する試料９を
対物レンズ８に近づけて設置した上で、対物レンズ８を
調節してイオンビームをフォーカスさせて試料９に照射
する。また、試料のイオンビームによる加工に際してで
きるだけ高い加工精度（これも分解能と同様にイオンビ
ームの径と考えてよい）を得るためには、その試料の加
工に合わせたイオンビーム電流が得られるように集束レ
ンズ５とアパーチャ６の径を設定し、対物レンズ８を調
節してイオンビームをフォーカスさせて試料９に照射す
る。
てできるだけ高い分解能（イオンビームの径と考えてよ
い）を得るためには、加速電極４に印加する加速電圧を
高く設定し、イオンビーム電流を少なくなるよう集束レ
ンズ５とアパーチャ６の径を設定し、観察する試料９を
対物レンズ８に近づけて設置した上で、対物レンズ８を
調節してイオンビームをフォーカスさせて試料９に照射
する。また、試料のイオンビームによる加工に際してで
きるだけ高い加工精度（これも分解能と同様にイオンビ
ームの径と考えてよい）を得るためには、その試料の加
工に合わせたイオンビーム電流が得られるように集束レ
ンズ５とアパーチャ６の径を設定し、対物レンズ８を調
節してイオンビームをフォーカスさせて試料９に照射す
る。
【０００５】この様に、イオンビーム電流Ipが比較的大
電流の領域（Ip>10pA、例えば１０００pA）においては
その加工精度を向上させるため、小電流領域（Ip<10p
A、例えば１pA）ではSIM像分解能向上のため、ビーム径
を小さくするための工夫が要求されている。
電流の領域（Ip>10pA、例えば１０００pA）においては
その加工精度を向上させるため、小電流領域（Ip<10p
A、例えば１pA）ではSIM像分解能向上のため、ビーム径
を小さくするための工夫が要求されている。
【０００６】しかしながら、上記のような操作によって
得られる分解能は、FIB装置のイオン光学系の設計の如
何によって決まってしまう。即ち、設計に不都合がある
という第一のケースは、ある測定条件において本来得ら
れるべき最良の分解能が、単純に設計不十分のため所定
の結果が得られない場合もある。第二のケースは、例え
ばSIM像観察のための小電流領域では本来得られるべき
最良の分解能が得られるにもかかわらず、電流条件を変
えて加工のための大電流領域にすると、最良の結果が得
られるための条件が保てなくなって、その測定条件で本
来得られるべき最良の分解能が得られなくなってしまう
場合もある。
得られる分解能は、FIB装置のイオン光学系の設計の如
何によって決まってしまう。即ち、設計に不都合がある
という第一のケースは、ある測定条件において本来得ら
れるべき最良の分解能が、単純に設計不十分のため所定
の結果が得られない場合もある。第二のケースは、例え
ばSIM像観察のための小電流領域では本来得られるべき
最良の分解能が得られるにもかかわらず、電流条件を変
えて加工のための大電流領域にすると、最良の結果が得
られるための条件が保てなくなって、その測定条件で本
来得られるべき最良の分解能が得られなくなってしまう
場合もある。
【０００７】この様に一般には、全ての電流領域でビー
ム径を最小化するFIB鏡筒の光学設計は非常に難しいた
め、専ら小電流領域に照準を合わせた光学設計をしてい
る。そして、大電流領域での光学設計では、小電流領域
で適切な光学設計が行われていれば、大電流領域におい
てもそれなりに良い結果が得られるというだろうという
経験則に依存している。しかしこの様な小電流領域に合
わせた設計においても、明確な評価基準によって設計す
るというよりは、いわば勘と経験に頼った設計をしてい
る現状にある。
ム径を最小化するFIB鏡筒の光学設計は非常に難しいた
め、専ら小電流領域に照準を合わせた光学設計をしてい
る。そして、大電流領域での光学設計では、小電流領域
で適切な光学設計が行われていれば、大電流領域におい
てもそれなりに良い結果が得られるというだろうという
経験則に依存している。しかしこの様な小電流領域に合
わせた設計においても、明確な評価基準によって設計す
るというよりは、いわば勘と経験に頼った設計をしてい
る現状にある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる状況
に対処すべくなされたものであって、小電流領域はもち
ろん、大電流領域においても近似誤差の範囲で最良の結
果が得られる明確な評価基準によって設計したFIB鏡筒
を提供することを目的としている。
に対処すべくなされたものであって、小電流領域はもち
ろん、大電流領域においても近似誤差の範囲で最良の結
果が得られる明確な評価基準によって設計したFIB鏡筒
を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】第１の発明に基づく、第
１のレンズの主面と第２のレンズの主面間の距離を決定
する設計方法は、エミッタと、引き出し電極と、加速電
極と、第１のレンズと、第２のレンズと試料を載置する
試料ステージとを備えた集束イオンビーム装置の光学系
において、前記加速電極には設定可能な最大加速電圧を
印加し、前記第１のレンズは虚像を結びかつ該第１のレ
ンズの倍率はその値の絶対値が最小になるように設定
し、前記第２のレンズの主面と前記試料ステージに載置
した前記試料面との距離を最小に設定し、前記試料面に
照射するイオンビーム電流値を１０pA以下としたとき
に、前記試料面にフォーカスして照射されるイオンビー
ムの径が最小になるような、前記第１のレンズの主面と
前記第２のレンズの主面間の距離を決定することを特徴
とする。
１のレンズの主面と第２のレンズの主面間の距離を決定
する設計方法は、エミッタと、引き出し電極と、加速電
極と、第１のレンズと、第２のレンズと試料を載置する
試料ステージとを備えた集束イオンビーム装置の光学系
において、前記加速電極には設定可能な最大加速電圧を
印加し、前記第１のレンズは虚像を結びかつ該第１のレ
ンズの倍率はその値の絶対値が最小になるように設定
し、前記第２のレンズの主面と前記試料ステージに載置
した前記試料面との距離を最小に設定し、前記試料面に
照射するイオンビーム電流値を１０pA以下としたとき
に、前記試料面にフォーカスして照射されるイオンビー
ムの径が最小になるような、前記第１のレンズの主面と
前記第２のレンズの主面間の距離を決定することを特徴
とする。
【００１０】第２の発明に基づく、第１のレンズの主面
と第２のレンズの主面間の距離を決定する設計方法は、
仮想光源の大きさがdo、ビームのエネルギー広がり幅が
△E、エミッション角電流密度がJoであるエミッタと、
引き出し電圧Vextを印加する引き出し電極と、加速電圧
Vaccを印加する加速電極と、前記エミッタ先端からa1の
距離にそのレンズ主面が位置しかつ該レンズ主面からの
距離b1の前記エミッタの後方位置に虚像を結ぶ第１のレ
ンズと、前記第１のレンズ主面から更に距離Lにそのレ
ンズ主面が位置しかつ前記第１のレンズによって結ばれ
た虚像を該レンズ主面の前方の距離b2の位置に置かれた
試料位置に実像として投影する第２のレンズとを備えた
集束イオンビーム装置の光学系において、前記加速電圧
Vaccは設定可能な最大電圧とし、前記第１のレンズの倍
率は設定可能な最小値｜m1min｜とし、前記第２のレン
ズの物点を-∞に置いたときの色収差係数をCc2infと
し、前記第２のレンズのレンズ主面の前方の試料位置ま
での距離b2を設定可能な最短距離とし、イオンビーム電
流Ipを１０pA以下としたときに、第１のレンズの主面と
第２のレンズの主面間の距離Lを下記の如く決定するこ
とを特徴とする。 0.8・L*≦L≦1.2・L* ここで、L*=｜m1min｜・(b2/t-a1/g) t=dpmin/(√2・do)、g=(Vext/Vacc)1/2、 dpmin=(2・do・Cc2inf・△E)1/2・(Vext・Ip/(π・Vacc3・Jo))1/4 第３の発明に基づく集束イオンビーム装置は、仮想光源
の大きさがdo、ビームのエネルギー広がり幅が△E、エ
ミッション角電流密度がJoであるエミッタと、引き出し
電圧Vextを印加する引き出し電極と、加速電圧Vaccを印
加する加速電極と、前記エミッタ先端からa1の距離にそ
のレンズ主面が位置しかつ該レンズ主面からの距離b1の
前記エミッタの後方位置に虚像を結ぶ第１のレンズと、
前記第１のレンズ主面から更に距離Lにそのレンズ主面
が位置しかつ前記第１のレンズによって結ばれた虚像を
該レンズ主面の前方の距離b2の位置に置かれた試料位置
に実像として投影する第２のレンズとを備えた集束イオ
ンビーム装置において、前記加速電圧Vaccは設定可能な
最大電圧とし、前記第１のレンズの倍率は設定可能な最
小値｜m1min｜とし、前記第２のレンズの物点を-∞に置
いたときの色収差係数をCc2infとし、前記第２のレンズ
のレンズ主面の前方の試料位置までの距離b2を設定可能
な最短距離とし、イオンビーム電流Ipを１０pA以下とし
たときに、第１のレンズの主面と第２のレンズの主面間
の距離Lが下記の如く成したことを特徴とする。 0.8・L*≦L≦1.2・L* ここで、L*=｜m1min｜・(b2/t-a1/g) t=dpmin/(√2・do)、g=(Vext/Vacc)1/2、 dpmin=(2・do・Cc2inf・△E)1/2・(Vext・Ip/(π・Vacc3・Jo))1/4 第４の発明に基づく集束イオンビーム装置は、前記第１
のレンズと前記第２のレンズとの間にアパーチャ径Dap
のアパーチャを前記第１のレンズの主面からLapの位置
に挿入し、該アパーチャ挿入位置Lapを下記の如く成し
たことを特徴とする。 0.8・Lap*≦Lap≦1.2・Lap* ここで、Lap*=-a1・m1min/g+(1/2)Dap/tan((Ip/(π・Jo・m
1min 2))1/2・g)
と第２のレンズの主面間の距離を決定する設計方法は、
仮想光源の大きさがdo、ビームのエネルギー広がり幅が
△E、エミッション角電流密度がJoであるエミッタと、
引き出し電圧Vextを印加する引き出し電極と、加速電圧
Vaccを印加する加速電極と、前記エミッタ先端からa1の
距離にそのレンズ主面が位置しかつ該レンズ主面からの
距離b1の前記エミッタの後方位置に虚像を結ぶ第１のレ
ンズと、前記第１のレンズ主面から更に距離Lにそのレ
ンズ主面が位置しかつ前記第１のレンズによって結ばれ
た虚像を該レンズ主面の前方の距離b2の位置に置かれた
試料位置に実像として投影する第２のレンズとを備えた
集束イオンビーム装置の光学系において、前記加速電圧
Vaccは設定可能な最大電圧とし、前記第１のレンズの倍
率は設定可能な最小値｜m1min｜とし、前記第２のレン
ズの物点を-∞に置いたときの色収差係数をCc2infと
し、前記第２のレンズのレンズ主面の前方の試料位置ま
での距離b2を設定可能な最短距離とし、イオンビーム電
流Ipを１０pA以下としたときに、第１のレンズの主面と
第２のレンズの主面間の距離Lを下記の如く決定するこ
とを特徴とする。 0.8・L*≦L≦1.2・L* ここで、L*=｜m1min｜・(b2/t-a1/g) t=dpmin/(√2・do)、g=(Vext/Vacc)1/2、 dpmin=(2・do・Cc2inf・△E)1/2・(Vext・Ip/(π・Vacc3・Jo))1/4 第３の発明に基づく集束イオンビーム装置は、仮想光源
の大きさがdo、ビームのエネルギー広がり幅が△E、エ
ミッション角電流密度がJoであるエミッタと、引き出し
電圧Vextを印加する引き出し電極と、加速電圧Vaccを印
加する加速電極と、前記エミッタ先端からa1の距離にそ
のレンズ主面が位置しかつ該レンズ主面からの距離b1の
前記エミッタの後方位置に虚像を結ぶ第１のレンズと、
前記第１のレンズ主面から更に距離Lにそのレンズ主面
が位置しかつ前記第１のレンズによって結ばれた虚像を
該レンズ主面の前方の距離b2の位置に置かれた試料位置
に実像として投影する第２のレンズとを備えた集束イオ
ンビーム装置において、前記加速電圧Vaccは設定可能な
最大電圧とし、前記第１のレンズの倍率は設定可能な最
小値｜m1min｜とし、前記第２のレンズの物点を-∞に置
いたときの色収差係数をCc2infとし、前記第２のレンズ
のレンズ主面の前方の試料位置までの距離b2を設定可能
な最短距離とし、イオンビーム電流Ipを１０pA以下とし
たときに、第１のレンズの主面と第２のレンズの主面間
の距離Lが下記の如く成したことを特徴とする。 0.8・L*≦L≦1.2・L* ここで、L*=｜m1min｜・(b2/t-a1/g) t=dpmin/(√2・do)、g=(Vext/Vacc)1/2、 dpmin=(2・do・Cc2inf・△E)1/2・(Vext・Ip/(π・Vacc3・Jo))1/4 第４の発明に基づく集束イオンビーム装置は、前記第１
のレンズと前記第２のレンズとの間にアパーチャ径Dap
のアパーチャを前記第１のレンズの主面からLapの位置
に挿入し、該アパーチャ挿入位置Lapを下記の如く成し
たことを特徴とする。 0.8・Lap*≦Lap≦1.2・Lap* ここで、Lap*=-a1・m1min/g+(1/2)Dap/tan((Ip/(π・Jo・m
1min 2))1/2・g)
【００１１】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して、まず始めに
設計の根拠を示し、次いで本発明の実施の形態を詳細に
説明する。FIB装置の多くは２つのレンズを用いた２レ
ンズ光学系を採用している。２レンズ光学系では図１に
示すように４つのオペレーション・モードが可能であ
る。しかし最近の研究（Y.L.Wang et.al., Adv. Ele
ctron and Electron Phys.81 (1991) 177）によれ
ば、図１（ｂ）の発散モード（diverging mode）を使
用することが、どの電流領域においても最小ビーム径を
得るには有利であることが判っており、このモードを出
発点とする。図２は、設計のためのパラメータの説明図
である。a1はエミッタ先端と第１のレンズ主面間の距
離、b1は第１のレンズによって結ばれる虚像の位置と第
１のレンズ主面間の距離、Lは第１のレンズ主面と第２
のレンズ主面間の距離、a2は第１のレンズによって結ば
れる虚像の位置と第２のレンズ主面間の距離であって、
a2=b1+Lである。b2は第２のレンズ主面と試料間の距
離、Lapは第１のレンズ主面からアパーチャの位置まで
の距離である。なお、ここでの第１のレンズは図４の集
束レンズ５、同じく第２のレンズは対物レンズ８に相当
する。ビーム径dpは次式で表される。 dp 2=(m1・m2・do)2+(Cc・αi・△E/Vacc )2+(Cs・αi 3/2)2・・・(1) ここでm1は第１のレンズの倍率、m2は第２のレンズの倍
率、doはエミッタの仮想光源（virtual source diame
ter）の大きさ、CcおよびCsはそれぞれこの系の色収差
係数および球面収差係数、αiはビームの試料入射半角
（beam half angle at image plane）、△Eはビー
ムのエネルギー広がり幅、Vaccは加速電圧である。一般
にビーム電流の小さい領域においては、球面収差による
ビーム広がり（spherical disc size）dsは、色収差
によるビーム広がり (chromatic disc size) dc
やガウス像の大きさに比べて無視できる程小さい。ま
た、上記電流範囲における倍率の設定範囲においては、
色収差係数の倍率依存性は非常に弱いと言える。従っ
て、式（１）は下式のように書き換えられる。 dp 2=(m1・m2・do)2+(Cc・αi・△E/Vacc )2 =(m1・m2・do)2+(Cc/(m1・m2))2・△E2・Vext・Ip/(Vacc 3・π・Jo)・・・(2) ここでVextは引き出し電圧、Ipはビーム電流、Joはエミ
ッション角電流密度である。これを倍率m(=m1・m2)で微
分し、上述の色収差係数の倍率依存性は非常に弱いと言
う関係を適用して近似すれば、ビーム径を最小にする最
適倍率m*と、そのときの最小プローブ径dpminが下式の
ように求まる。 m*=dpmin/(√2・do)・・・(3) dpmin=(2・do・Cc・△E)1/2・(Vext・Ip/(π・Vacc 3・Jo))1/4・・・(4) この結果は、ビーム電流Ip<2乃至3pAの領域では誤差数%
以内であり、よい近似を示す。
設計の根拠を示し、次いで本発明の実施の形態を詳細に
説明する。FIB装置の多くは２つのレンズを用いた２レ
ンズ光学系を採用している。２レンズ光学系では図１に
示すように４つのオペレーション・モードが可能であ
る。しかし最近の研究（Y.L.Wang et.al., Adv. Ele
ctron and Electron Phys.81 (1991) 177）によれ
ば、図１（ｂ）の発散モード（diverging mode）を使
用することが、どの電流領域においても最小ビーム径を
得るには有利であることが判っており、このモードを出
発点とする。図２は、設計のためのパラメータの説明図
である。a1はエミッタ先端と第１のレンズ主面間の距
離、b1は第１のレンズによって結ばれる虚像の位置と第
１のレンズ主面間の距離、Lは第１のレンズ主面と第２
のレンズ主面間の距離、a2は第１のレンズによって結ば
れる虚像の位置と第２のレンズ主面間の距離であって、
a2=b1+Lである。b2は第２のレンズ主面と試料間の距
離、Lapは第１のレンズ主面からアパーチャの位置まで
の距離である。なお、ここでの第１のレンズは図４の集
束レンズ５、同じく第２のレンズは対物レンズ８に相当
する。ビーム径dpは次式で表される。 dp 2=(m1・m2・do)2+(Cc・αi・△E/Vacc )2+(Cs・αi 3/2)2・・・(1) ここでm1は第１のレンズの倍率、m2は第２のレンズの倍
率、doはエミッタの仮想光源（virtual source diame
ter）の大きさ、CcおよびCsはそれぞれこの系の色収差
係数および球面収差係数、αiはビームの試料入射半角
（beam half angle at image plane）、△Eはビー
ムのエネルギー広がり幅、Vaccは加速電圧である。一般
にビーム電流の小さい領域においては、球面収差による
ビーム広がり（spherical disc size）dsは、色収差
によるビーム広がり (chromatic disc size) dc
やガウス像の大きさに比べて無視できる程小さい。ま
た、上記電流範囲における倍率の設定範囲においては、
色収差係数の倍率依存性は非常に弱いと言える。従っ
て、式（１）は下式のように書き換えられる。 dp 2=(m1・m2・do)2+(Cc・αi・△E/Vacc )2 =(m1・m2・do)2+(Cc/(m1・m2))2・△E2・Vext・Ip/(Vacc 3・π・Jo)・・・(2) ここでVextは引き出し電圧、Ipはビーム電流、Joはエミ
ッション角電流密度である。これを倍率m(=m1・m2)で微
分し、上述の色収差係数の倍率依存性は非常に弱いと言
う関係を適用して近似すれば、ビーム径を最小にする最
適倍率m*と、そのときの最小プローブ径dpminが下式の
ように求まる。 m*=dpmin/(√2・do)・・・(3) dpmin=(2・do・Cc・△E)1/2・(Vext・Ip/(π・Vacc 3・Jo))1/4・・・(4) この結果は、ビーム電流Ip<2乃至3pAの領域では誤差数%
以内であり、よい近似を示す。
【００１２】一方、倍率mはビームが試料位置でフォー
カスする条件を満たさなければならない。今、図２で示
す光学系で考えると倍率と物点（光源）、像点との関係
は次式で与えられる。 ｜m1｜=(Vext/Vacc )1/2・(b1/a1)、 ｜m2｜=b2/a2=b2/(L+b1)・・・(5) かつ、 ｜m1・m2｜=dpmin/(√2・do)・・・(6) を満たすとき、最適倍率条件と結像条件を同時に満たす
ことになる。
カスする条件を満たさなければならない。今、図２で示
す光学系で考えると倍率と物点（光源）、像点との関係
は次式で与えられる。 ｜m1｜=(Vext/Vacc )1/2・(b1/a1)、 ｜m2｜=b2/a2=b2/(L+b1)・・・(5) かつ、 ｜m1・m2｜=dpmin/(√2・do)・・・(6) を満たすとき、最適倍率条件と結像条件を同時に満たす
ことになる。
【００１３】ここで、g=(Vext/Vacc )1/2、t=｜m1・m2｜
=dpmin/(√2・do)と置いて、レンズ間距離L（以下これを
コラム長さと呼ぶことがある）を求めると、下式にな
る。 L=｜m1｜・(b2/t-a1/g)=(b2-a1・t/g)/｜m2｜・・・(7) ここで、a1はエミッタ先端と第１のレンズ主面間の距離
であり、b2は第２のレンズ（対物レンズ）主面と試料間
の距離である。なお、b2/a1＞t/gを満たすようにa1とb2
を選べばL＞0となり、有意のレンズ間距離Lが得られる
ことが判る。
=dpmin/(√2・do)と置いて、レンズ間距離L（以下これを
コラム長さと呼ぶことがある）を求めると、下式にな
る。 L=｜m1｜・(b2/t-a1/g)=(b2-a1・t/g)/｜m2｜・・・(7) ここで、a1はエミッタ先端と第１のレンズ主面間の距離
であり、b2は第２のレンズ（対物レンズ）主面と試料間
の距離である。なお、b2/a1＞t/gを満たすようにa1とb2
を選べばL＞0となり、有意のレンズ間距離Lが得られる
ことが判る。
【００１４】次に式 (7) を満たすコラム長さを最適
コラム長さL*とおき、LがL*からずれた場合の分解能劣
化をシミュレートしてみると、図３のようになる。図の
横軸は最適コラム長さに対するコラム長さの比を表し、
縦軸は最小プローブ径に対する得られるプローブ径、即
ち、分解能の劣化を表している。この図を見れば、コラ
ム長さを最適コラム長さより長くした場合（即ちL>L*の
場合）には、分解能の劣化すなわちビーム径劣化はさほ
どではないが、コラム長さを最適コラム長さより短くし
た場合（即ちL<L*の場合）には、分解能すなわちビーム
径は急速に劣化することが分かる。この傾向は、経験的
な感覚とも一致する。
コラム長さL*とおき、LがL*からずれた場合の分解能劣
化をシミュレートしてみると、図３のようになる。図の
横軸は最適コラム長さに対するコラム長さの比を表し、
縦軸は最小プローブ径に対する得られるプローブ径、即
ち、分解能の劣化を表している。この図を見れば、コラ
ム長さを最適コラム長さより長くした場合（即ちL>L*の
場合）には、分解能の劣化すなわちビーム径劣化はさほ
どではないが、コラム長さを最適コラム長さより短くし
た場合（即ちL<L*の場合）には、分解能すなわちビーム
径は急速に劣化することが分かる。この傾向は、経験的
な感覚とも一致する。
【００１５】上記の結果は、装置のコンパクト化を図る
あまり、不用意にコラム長さを最適コラム長さより短く
したり、逆に必要以上に冗長なコラム長さとする愚を回
避する意味で実用的に極めて重要である。
あまり、不用意にコラム長さを最適コラム長さより短く
したり、逆に必要以上に冗長なコラム長さとする愚を回
避する意味で実用的に極めて重要である。
【００１６】また、最適コラム長さL*は、加速電圧に依
存する。そのため加速電圧可変の実際のFIB装置におい
ては、例えば最大の加速電圧において最適コラム長さL*
を決定し、低い加速電圧で使用する際には、最適コラム
長さL* が小さくなり、L>L*となるものの、図３に見る
如くこの場合は、逆のL<L*の場合に比べれば問題は小さ
いと言える。更に、図２において、最小ビーム電流で最
小ビーム径を得るという観点から、光学系に挿入すべき
アパーチャ（beam defining aperture）の位置Lapと
その径Dapについて調べる。図２およびその他の関係か
らアパーチャの位置Lapは下式のように表される。 Lap=-a1・m1/g+(1/2)Dap/tan((Ip/(π・Jo・m1 2))1/2・g)・・・(8) 上式において、最小ビーム電流値Ipとアパーチャの径D
apを決めれば、アパーチャの位置Lapが決定される。こ
のとき、アパーチャの位置Lapは最適コラム長さL*より
短くなるよう（即ちL*>Lap）アパーチャの径Dapを決定
することが必要である。
存する。そのため加速電圧可変の実際のFIB装置におい
ては、例えば最大の加速電圧において最適コラム長さL*
を決定し、低い加速電圧で使用する際には、最適コラム
長さL* が小さくなり、L>L*となるものの、図３に見る
如くこの場合は、逆のL<L*の場合に比べれば問題は小さ
いと言える。更に、図２において、最小ビーム電流で最
小ビーム径を得るという観点から、光学系に挿入すべき
アパーチャ（beam defining aperture）の位置Lapと
その径Dapについて調べる。図２およびその他の関係か
らアパーチャの位置Lapは下式のように表される。 Lap=-a1・m1/g+(1/2)Dap/tan((Ip/(π・Jo・m1 2))1/2・g)・・・(8) 上式において、最小ビーム電流値Ipとアパーチャの径D
apを決めれば、アパーチャの位置Lapが決定される。こ
のとき、アパーチャの位置Lapは最適コラム長さL*より
短くなるよう（即ちL*>Lap）アパーチャの径Dapを決定
することが必要である。
【００１７】次に、上記の考えを基に設計の基準を作
る。まず、実質的な最高の加速電圧をVacc、引き出し電
圧をVext、エミッタの仮想光源の大きさをdo、ビームの
エネルギー広がり幅を△E、エミッション角電流密度をJ
oとする。ここで言う実質的な最高の加速電圧とは、最
も高い分解能を狙うときの加速電圧であって、他の目的
のためのそれ以上の高い加速電圧は埒外として考慮に入
れないこととする。
る。まず、実質的な最高の加速電圧をVacc、引き出し電
圧をVext、エミッタの仮想光源の大きさをdo、ビームの
エネルギー広がり幅を△E、エミッション角電流密度をJ
oとする。ここで言う実質的な最高の加速電圧とは、最
も高い分解能を狙うときの加速電圧であって、他の目的
のためのそれ以上の高い加速電圧は埒外として考慮に入
れないこととする。
【００１８】さて、第１のレンズの設定可能な倍率の範
囲は、引き出し電圧によって決まってしまう。先述で
は、第１のレンズは所望の倍率が設定できるとして議論
してきた。従って、そこでは最適コラム長さL*には、幅
広い設定可能な範囲があった。しかし、実際には最適コ
ラム長さL*は、第１のレンズの設定可能な倍率の範囲に
よって制限を受けることになるので、そのことを考慮に
入れる必要がある。そこで、第１のレンズの設定可能な
最低倍率｜m1｜を｜m1min｜とする。このとき、エミッ
タ先端から第１のレンズの主面までの距離をa1とする。
なお、ここでは第１のレンズは発散モードで使用してい
るから、その倍率m1は負の値をとる。従って、最低倍率
｜m1min｜とは第１のレンズの倍率の値の絶対値が最小
となる設定可能な値をいう。
囲は、引き出し電圧によって決まってしまう。先述で
は、第１のレンズは所望の倍率が設定できるとして議論
してきた。従って、そこでは最適コラム長さL*には、幅
広い設定可能な範囲があった。しかし、実際には最適コ
ラム長さL*は、第１のレンズの設定可能な倍率の範囲に
よって制限を受けることになるので、そのことを考慮に
入れる必要がある。そこで、第１のレンズの設定可能な
最低倍率｜m1｜を｜m1min｜とする。このとき、エミッ
タ先端から第１のレンズの主面までの距離をa1とする。
なお、ここでは第１のレンズは発散モードで使用してい
るから、その倍率m1は負の値をとる。従って、最低倍率
｜m1min｜とは第１のレンズの倍率の値の絶対値が最小
となる設定可能な値をいう。
【００１９】系全体の色収差係数は第２のレンズの色収
差係数で近似できることは既に述べたが、更に、これを
第２のレンズの物点を−∞に置いたときの色収差係数C
c2infで近似する。これは色収差係数が、倍率にはあま
り依存しないことによる。そして、試料ステージの上下
動機構を駆動して試料を第２のレンズに最も近づけたと
きの、第２のレンズ主面と試料間の距離をb2とする。な
お、この第２のレンズに試料を最も近づけたときの状態
は、一般に最も高い分解能を狙うときの経験による操作
に一致する。
差係数で近似できることは既に述べたが、更に、これを
第２のレンズの物点を−∞に置いたときの色収差係数C
c2infで近似する。これは色収差係数が、倍率にはあま
り依存しないことによる。そして、試料ステージの上下
動機構を駆動して試料を第２のレンズに最も近づけたと
きの、第２のレンズ主面と試料間の距離をb2とする。な
お、この第２のレンズに試料を最も近づけたときの状態
は、一般に最も高い分解能を狙うときの経験による操作
に一致する。
【００２０】最も高い分解能を狙うときの（小電流領域
の、具体的には10pAないしそれ以下の）電流値をIpとし
たときの最適コラム長さL*は、次のようになる。 L*=｜m1min｜・(b2/t*-a1/g)・・・(9) ここで、t*=dpmin/(√2・do)、g=(Vext/Vacc)1/2、 dpmin=(2・do・Cc2inf・△E)1/2・(Vext・Ip/(π・Vacc3・Jo))1/4 また、このときの図２におけるアパーチャの（最適の）
挿入位置Lap*は、アパーチャの径をDapとすると、次の
ようになる。 Lap*=-a1・m1min/g+(1/2)Dap/tan((Ip/(π・Jo・m1min 2))1/2・g)・・・(10) 以上の最適コラム長さL*およびアパーチャの最適の挿入
位置Lap*を基準して、実際のコラム長さLおよびアパー
チャの挿入位置Lapを決定すれば良い。具体的には、図
３のグラフから分解能の劣化率を２〜３％以内に押さえ
るべく、次のようにする。 0.8・L*≦L≦1.2・L*・・・(11) 0.8・Lap*≦Lap≦1.2・Lap*・・・(12) 次に、これに対して、測定条件を変えたときどうなるか
を調べて置く。測定条件は、ビーム電流Ipが数桁、加速
電圧Vaccおよび第２のレンズと試料間の距離b1が数倍変
化する。引き出し電圧Vextも徐々に変化するが、これは
無視する。式（９）において、ビーム電流Ipが最も高い
分解能を狙うときの小電流領域の電流値よりも大きくな
ると、最小プローブ径dpminひいてはt*が大きくなり、
式（９）における値 (b2/t*-a1/g) が小さくなり、こ
のままだと、コラム長さLは小さくならなければならな
い。しかし、｜m1min｜は、第１のレンズの設定可能な
最低倍率であるから、第１のレンズの倍率｜m1｜を適宜
（倍率の値の絶対値が大きくなる方向に、但し系の結像
条件は満たしながら）調節することによって、大幅なビ
ーム電流Ipの増加に対して最適なコラム長さを常に一定
に保持することができることになる。
の、具体的には10pAないしそれ以下の）電流値をIpとし
たときの最適コラム長さL*は、次のようになる。 L*=｜m1min｜・(b2/t*-a1/g)・・・(9) ここで、t*=dpmin/(√2・do)、g=(Vext/Vacc)1/2、 dpmin=(2・do・Cc2inf・△E)1/2・(Vext・Ip/(π・Vacc3・Jo))1/4 また、このときの図２におけるアパーチャの（最適の）
挿入位置Lap*は、アパーチャの径をDapとすると、次の
ようになる。 Lap*=-a1・m1min/g+(1/2)Dap/tan((Ip/(π・Jo・m1min 2))1/2・g)・・・(10) 以上の最適コラム長さL*およびアパーチャの最適の挿入
位置Lap*を基準して、実際のコラム長さLおよびアパー
チャの挿入位置Lapを決定すれば良い。具体的には、図
３のグラフから分解能の劣化率を２〜３％以内に押さえ
るべく、次のようにする。 0.8・L*≦L≦1.2・L*・・・(11) 0.8・Lap*≦Lap≦1.2・Lap*・・・(12) 次に、これに対して、測定条件を変えたときどうなるか
を調べて置く。測定条件は、ビーム電流Ipが数桁、加速
電圧Vaccおよび第２のレンズと試料間の距離b1が数倍変
化する。引き出し電圧Vextも徐々に変化するが、これは
無視する。式（９）において、ビーム電流Ipが最も高い
分解能を狙うときの小電流領域の電流値よりも大きくな
ると、最小プローブ径dpminひいてはt*が大きくなり、
式（９）における値 (b2/t*-a1/g) が小さくなり、こ
のままだと、コラム長さLは小さくならなければならな
い。しかし、｜m1min｜は、第１のレンズの設定可能な
最低倍率であるから、第１のレンズの倍率｜m1｜を適宜
（倍率の値の絶対値が大きくなる方向に、但し系の結像
条件は満たしながら）調節することによって、大幅なビ
ーム電流Ipの増加に対して最適なコラム長さを常に一定
に保持することができることになる。
【００２１】これによって、SIM観察のための小電流領
域から加工のための大電流領域までの広い電流領域にお
いて、常に最適のコラム条件が得られるようにできた。
域から加工のための大電流領域までの広い電流領域にお
いて、常に最適のコラム条件が得られるようにできた。
【００２２】一方、加速電圧Vaccを最も高い分解能を狙
うときの加速電圧（通常最大）よりも小さくした場合、
あるいは第２のレンズと試料間の距離b1を最も高い分解
能を狙うときの距離（通常最小）よりも大きくした場合
は、コラム長さLは、最適コラム長さL*よりも大きくな
ってしまう。これを回避する旨い方法はないが、幸いな
ことに、これらはビーム電流Ipの変化に比べ絶対的に必
須な測定条件ではないこと、図３に見られる如くL/L*が
増加する方向では、プローブ径dpの増加（劣化）はほど
ではないので、やむを得ないとすることができる。な
お、一見すると式（９）において、｜m1min｜に余裕を
持たせて最適コラム長さL*を設定すれば良いようにも思
えるかも知れないが、これはその分コラム長さが大きく
なることを意味し、コンパクトな実用的な装置ではなく
なってしまうので採らない。
うときの加速電圧（通常最大）よりも小さくした場合、
あるいは第２のレンズと試料間の距離b1を最も高い分解
能を狙うときの距離（通常最小）よりも大きくした場合
は、コラム長さLは、最適コラム長さL*よりも大きくな
ってしまう。これを回避する旨い方法はないが、幸いな
ことに、これらはビーム電流Ipの変化に比べ絶対的に必
須な測定条件ではないこと、図３に見られる如くL/L*が
増加する方向では、プローブ径dpの増加（劣化）はほど
ではないので、やむを得ないとすることができる。な
お、一見すると式（９）において、｜m1min｜に余裕を
持たせて最適コラム長さL*を設定すれば良いようにも思
えるかも知れないが、これはその分コラム長さが大きく
なることを意味し、コンパクトな実用的な装置ではなく
なってしまうので採らない。
【００２３】また、アパーチャの挿入位置Lapについて
は、多数の異なるアパーチャの径のものを用意すること
によって、最適なアパーチャの挿入位置Lap*と近似的に
一致させることができる。
は、多数の異なるアパーチャの径のものを用意すること
によって、最適なアパーチャの挿入位置Lap*と近似的に
一致させることができる。
【００２４】上記は、２レンズ系の光学系で説明した
が、第１のレンズと第２のレンズとの間に第３のレンズ
を挿入した３レンズ系の光学系においても、上記の考え
方を同様に適用することができる。
が、第１のレンズと第２のレンズとの間に第３のレンズ
を挿入した３レンズ系の光学系においても、上記の考え
方を同様に適用することができる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、最も高い分解能を狙うときの（小電流領域の）電流
値Ipと加速電圧Vaccと第２のレンズと試料間の距離b1に
おいて、最適コラム長さL*と最適なアパーチャの挿入位
置Lap*を設定することによって、最も高い分解能を得る
ことができ、更に第１のレンズにおいて設定可能な最低
倍率｜m1min｜を基準とする考え方を導入することによ
って、大電流領域でのイオンビーム加工においても、そ
の条件において最も高い分解能を得ることができる最適
の条件が設定可能となり、かつコンパクトなFIB装置の
鏡筒を実現することができた。
は、最も高い分解能を狙うときの（小電流領域の）電流
値Ipと加速電圧Vaccと第２のレンズと試料間の距離b1に
おいて、最適コラム長さL*と最適なアパーチャの挿入位
置Lap*を設定することによって、最も高い分解能を得る
ことができ、更に第１のレンズにおいて設定可能な最低
倍率｜m1min｜を基準とする考え方を導入することによ
って、大電流領域でのイオンビーム加工においても、そ
の条件において最も高い分解能を得ることができる最適
の条件が設定可能となり、かつコンパクトなFIB装置の
鏡筒を実現することができた。
【図１】２レンズの光学系におけるオペレーションモー
ドを説明する図である。
ドを説明する図である。
【図２】２レンズの光学系における設計パラメータを説
明する図である。
明する図である。
【図３】本発明にかかるコラム長さと分解能の関係を示
す図である。
す図である。
【図４】FIB装置を説明する図である。
１…イオン照射系の鏡筒、２…エミッタ、３…引き出し
電極、４…加速電極、５…集束レンズ、６…アパーチ
ャ、７…偏向電極、８…対物レンズ、９…試料、１０…
試料ステージ、１１…試料室
電極、４…加速電極、５…集束レンズ、６…アパーチ
ャ、７…偏向電極、８…対物レンズ、９…試料、１０…
試料ステージ、１１…試料室
Claims (4)
- 【請求項１】エミッタと、引き出し電極と、加速電極
と、第１のレンズと、第２のレンズと、試料を載置する
試料ステージとを備えた集束イオンビーム装置の光学系
において、前記加速電極には設定可能な最大加速電圧を
印加し、前記第１のレンズは虚像を結びかつ該第１のレ
ンズの倍率はその値の絶対値が最小になるように設定
し、前記第２のレンズの主面と前記試料ステージに載置
した前記試料面との距離を最小に設定し、前記試料面に
照射するイオンビーム電流値を１０pA以下としたとき
に、前記試料面にフォーカスして照射されるイオンビー
ムの径が最小になるような、前記第１のレンズの主面と
前記第２のレンズの主面間の距離を決定することを特徴
とする光学系の設計方法。 - 【請求項２】仮想光源の大きさがdo、ビームのエネルギ
ー広がり幅が△E、エミッション角電流密度がJoである
エミッタと、引き出し電圧Vextを印加する引き出し電極
と、加速電圧Vaccを印加する加速電極と、前記エミッタ
先端からa1の距離にそのレンズ主面が位置しかつ該レン
ズ主面からの距離b1の前記エミッタの後方位置に虚像を
結ぶ第１のレンズと、前記第１のレンズ主面から更に距
離Lにそのレンズ主面が位置しかつ前記第１のレンズに
よって結ばれた虚像を該レンズ主面の前方の距離b2の位
置に置かれた試料位置に実像として投影する第２のレン
ズとを備えた集束イオンビーム装置の光学系において、
前記加速電圧Vaccは設定可能な最大電圧とし、前記第１
のレンズの倍率は設定可能な最小値｜m1min｜とし、前
記第２のレンズの物点を-∞に置いたときの色収差係数
をCc2infとし、前記第２のレンズのレンズ主面の前方の
試料位置までの距離b2を設定可能な最短距離とし、イオ
ンビーム電流Ipを１０pA以下としたときに、第１のレン
ズの主面と第２のレンズの主面間の距離Lを下記の如く
決定することを特徴とする光学系の設計方法。 0.8・L*≦L≦1.2・L* ここで、L*=｜m1min｜・(b2/t-a1/g) t=dpmin/(√2・do)、g=(Vext/Vacc)1/2、 dpmin=(2・do・Cc2inf・△E)1/2・(Vext・Ip/(π・Vacc3・Jo))1/4 - 【請求項３】仮想光源の大きさがdo、ビームのエネルギ
ー広がり幅が△E、エミッション角電流密度がJoである
エミッタと、引き出し電圧Vextを印加する引き出し電極
と、加速電圧Vaccを印加する加速電極と、前記エミッタ
先端からa1の距離にそのレンズ主面が位置しかつ該レン
ズ主面からの距離b1の前記エミッタの後方位置に虚像を
結ぶ第１のレンズと、前記第１のレンズ主面から更に距
離Lにそのレンズ主面が位置しかつ前記第１のレンズに
よって結ばれた虚像を該レンズ主面の前方の距離b2の位
置に置かれた試料位置に実像として投影する第２のレン
ズとを備えた集束イオンビーム装置において、前記加速
電圧Vaccは設定可能な最大電圧とし、前記第１のレンズ
の倍率は設定可能な最小値｜m1min｜とし、前記第２の
レンズの物点を-∞に置いたときの色収差係数をCc2inf
とし、前記第２のレンズのレンズ主面の前方の試料位置
までの距離b2を設定可能な最短距離とし、イオンビーム
電流Ipを１０pA以下としたときに、第１のレンズの主面
と第２のレンズの主面間の距離Lが下記の如く成したこ
とを特徴とする集束イオンビーム装置。 0.8・L*≦L≦1.2・L* ここで、L*=｜m1min｜・(b2/t-a1/g) t=dpmin/(√2・do)、g=(Vext/Vacc)1/2、 dpmin=(2・do・Cc2inf・△E)1/2・(Vext・Ip/(π・Vacc3・Jo))1/4 - 【請求項４】前記第１のレンズと前記第２のレンズとの
間にアパーチャ径Dapのアパーチャを前記第１のレンズ
の主面からLapの位置に挿入し、該アパーチャ挿入位置L
apを下記の如く成したことを特徴とする請求項３の集束
イオンビーム装置。 0.8・Lap*≦Lap≦1.2・Lap* ここで、Lap*=-a1・m1min/g+(1/2)Dap/tan((Ip/(π・Jo・m
1min 2))1/2・g)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9676198A JPH11273601A (ja) | 1998-03-25 | 1998-03-25 | 集束イオンビーム装置およびその光学系の設計方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9676198A JPH11273601A (ja) | 1998-03-25 | 1998-03-25 | 集束イオンビーム装置およびその光学系の設計方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11273601A true JPH11273601A (ja) | 1999-10-08 |
Family
ID=14173637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9676198A Pending JPH11273601A (ja) | 1998-03-25 | 1998-03-25 | 集束イオンビーム装置およびその光学系の設計方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11273601A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006009295A1 (en) * | 2004-07-22 | 2006-01-26 | Ricoh Company, Ltd. | Electron beam applying apparatus and drawing apparatus |
| JP2014512069A (ja) * | 2011-03-18 | 2014-05-19 | エコール ポリテクニック フェデラル ドゥ ローザンヌ （ウペエフエル） | 電子ビーム装置 |
| JP2015032380A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 集束イオンビーム装置、集束イオン／電子ビーム加工観察装置、及び試料加工方法 |
| WO2021100359A1 (ja) * | 2019-11-20 | 2021-05-27 | 株式会社Ｐｈｏｔｏ ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｏｕｌ | 電子線適用装置および電子線適用装置における電子ビームの射出方法 |
-
1998
- 1998-03-25 JP JP9676198A patent/JPH11273601A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006009295A1 (en) * | 2004-07-22 | 2006-01-26 | Ricoh Company, Ltd. | Electron beam applying apparatus and drawing apparatus |
| US7522510B2 (en) | 2004-07-22 | 2009-04-21 | Ricoh Company, Ltd. | Electron beam applying apparatus and drawing apparatus |
| US7929396B2 (en) | 2004-07-22 | 2011-04-19 | Ricoh Company, Ltd. | Electron beam applying apparatus and drawing apparatus |
| JP2014512069A (ja) * | 2011-03-18 | 2014-05-19 | エコール ポリテクニック フェデラル ドゥ ローザンヌ （ウペエフエル） | 電子ビーム装置 |
| JP2015032380A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 集束イオンビーム装置、集束イオン／電子ビーム加工観察装置、及び試料加工方法 |
| WO2021100359A1 (ja) * | 2019-11-20 | 2021-05-27 | 株式会社Ｐｈｏｔｏ ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｏｕｌ | 電子線適用装置および電子線適用装置における電子ビームの射出方法 |
| JP2021082487A (ja) * | 2019-11-20 | 2021-05-27 | 株式会社Ｐｈｏｔｏ ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｏｕｌ | 電子線適用装置および電子線適用装置における電子ビームの射出方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030805 |