JP2002050314A - 荷電粒子線装置 - Google Patents
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Abstract
更を行っても安定性および再現性が良い検査結果が得ら
れるようにする。 【解決手段】電流制限絞り17により制限される一次電
子線4の電流Iaと試料12に照射される一次電子線4
の電流Ipを検出し、先ず、Ia+Ipが一定になるよ
うに電子銃電源6を制御し、次に、Ip/(Ia+I
p)が一定になるように集束レンズ制御電源7を制御す
る。
Description
関する。
号を検出して該試料の走査像を得る荷電粒子線装置とし
て、電子ビームを用いた走査電子顕微鏡や測長用走査電
子顕微鏡等の半導体検査装置がある。特に半導体検査装
置では、ウエハ検査の安定性や再現性が重要視される。
安定した検査結果を得るためには、ウエハに照射する電
流量と光学的倍率(縮小率)などを決定する光学条件が
時間的に変化がなく再現性があることが重要である。
れた装置は、電流制限絞りにより遮へいされる電流量と
試料に照射する電流量を測定し、遮へい電流量と試料に
照射する電流量の比を一定とするように電子銃と電流制
限絞りの間に位置する集束レンズの励磁電流を制御し、
結果的に、試料に照射する電流量が一定になるようにし
ている。
流量変更直後にレンズの励磁の強度が変化するだけでは
なく、電子銃電源の立上げ直後や電子銃電源の条件を変
更した直後に電子源から放出される全電流量も変化する
ので、遮へい電流量と試料に照射する電流量の比を一定
となるように集束レンズの励磁電流を制御しても、クロ
スオーバー位置で決定される光学的倍率と試料に照射さ
れる電流量の両方を一定に制御することは困難である。
常に一定状態で使用するのではなく、ウエハによって異
なったり、また同じウエハでも条件を変更して検査をす
る場合がある。例えば、電子銃電源の設定値を変化させ
ることにより電流量を変えたり、集束レンズおよび対物
レンズの励磁電流を変化させることにより光学的倍率、
もしくは集束レンズの励磁電流を変化させることにより
電流制限絞りに遮へいされる電流を変化させ所望の電流
量を得るなどの光学条件の変更がある。その中でも集束
レンズの励磁電流を変化させて光学条件を変更して検査
を行なう場合、特に純鉄などヒステリシスの多い材料を
使用した集束レンズは残留磁化により本来の条件とは異
なった条件が設定されてしまい、所望のビーム条件を得
ることができず、再現性良く検査することができない。
電流を変化させて光学条件を変更する場合には、前記問
題が発生するために、その度に条件確認・再設定を行な
う必要がある。これはユーザーが常に装置を監視するこ
とを必要とし、また条件の確認・再設定に時間がかかる
ために、検査効率の低下を招く。
を行なう場合でも、ユーザーによる条件確認・再設定を
行なうことなく検査を開始することが可能で、安定性お
よび再現性が良い検査結果を得ることができるようにす
ることにある。
生する荷電粒子源と、前記荷電粒子線を集束させる集束
レンズと、前記荷電粒子線を前記試料に照射するための
対物レンズと、前記集束レンズと前記対物レンズの間に
位置して荷電粒子線量を制限する絞りと、試料に照射さ
れる荷電粒子線量(プローブ電流Ip)を測定するファ
ラデーカップを備えた荷電粒子線装置において、前記制
限絞りに照射する荷電粒子線の電流(Ia)を測定する
手段と、前記IpとIaの和が一定になるように前記荷
電粒子源を制御し、Ip/(Ip+Ia)が一定になる
ように前記集束レンズの励磁の強度を制御する制御装置
を設けたことを特徴とする。
粒子源と、前記荷電粒子源の近傍で荷電粒子線を集束さ
せる集束レンズと、前記荷電粒子線を試料に照射するた
めの対物レンズと、前記照射によって前記試料から発生
する該試料を特徴づける情報信号を検出する検出器を備
えた荷電粒子線装置において、前記試料から発生する情
報信号に基づいて前記荷電粒子線の集束点と試料表面と
が一致したか否かを検出する手段と、集束点と試料表面
とが一致するように前記集束レンズの励磁の強度を制御
する制御装置を設けたことを特徴とする。
粒子源と、前記荷電粒子線を集束させる集束レンズと、
前記荷電粒子線を前記試料に照射するための対物レンズ
と、前記集束レンズと前記対物レンズの間に位置して荷
電粒子線量を制限する絞りと、試料に照射される荷電粒
子線量(Ip)を測定するファラデーカップと、前記照
射によって前記試料から発生する該試料を特徴づける情
報信号を検出する検出器を備えた荷電粒子線装置におい
て、前記制限絞りに照射する荷電粒子線の電流(Ia)
を測定する手段と、前記試料から発生する情報信号に基
づいて前記荷電粒子線の集束点と試料表面とが一致した
か否かを検出する手段と、前記IpとIaの和が一定に
なるように前記荷電粒子源を制御し、集束点と試料表面
とが一致するように前記集束レンズの励磁の強度を制御
する制御装置を設けたことを特徴とする。
を備え、前記制御装置は、それぞれのコイルの電流を制
御することを特徴とする。
構成し、前記制御装置は、それぞれのレンズの励磁の強
度を制御することを特徴とする。
よび制御履歴の保存行うことを特徴とする。
を参照して詳細に説明する。
荷電粒子線装置を適用した検査装置の機能ブロック図で
ある。図1において、電子銃1は、電子源2と引出電極
3の間に印加した電圧V1によって前記電子源2から放
出した一次電子線4を電子源2に印加した加速電圧Va
ccによって加速する。更に、制御電極5(サプレッサ
電極)には、電子源2の先端以外から放出される熱電子
を抑制する電圧Vsを印加する。これらの制御は、電子
銃制御電源6によって行う。
束レンズ制御電源7によって制御さる集束レンズ8によ
って、対物レンズ9との間にクロスオーバ位置10が生
じるように集束し、更に対物レンズ9によって、試料ス
テージ11上の試料12の表面に収束するように照射す
る。
されて一次電子線4を偏向することにより該一次電子線
4で試料12上を走査する。二次電子信号検出器15
は、一次電子線4の照射によって試料12から発生する
二次電子信号16を検出する。
間には、電流制限絞り17を配置する。この電流制限絞
り17は、余分な電子を遮断し、更に、一次電子線4の
開口角を決めるものである。また、この電流制限絞り1
7によって制限する一次電子線4の電流Iaは、制限電
流測定器18によって測定する。
は、一次電子線4を偏向してブランキングするためのブ
ランキング用偏向電極19を配置し、ブランキング制御
電源20によって制御する。ブランキング用偏向電極1
9によって偏向した一次電子線4の遮光(ブランキン
グ)は、ファラデーカップ21によって行う。ファラデ
ーカップ21には、ブランキングした一次電子線4の電
流Ipを測定するブランキング(プローブ)電流検出器
22を接続する。ファラデーカップ21に入射した一次
電子線4の電流Ipは、実際に試料12に照射される電
流量に相当する。
に制御されて一次電子線4を試料12上に収束させる。
真空を保つための容器である。
使用して構成し、キーボートやマウスなどの入力装置2
6および表示装置27を接続する。そして、この制御装
置25は、更に、電子銃制御電源6,集束レンズ制御電
源7,偏向器制御電源14,二次電子信号検出器15,
制限電流測定器18,ブランキング制御電源20,ブラ
ンキング電流検出器22,対物レンズ制御電源23に接
続し、制御プログラムに従って、入力装置26からの入
力に従って制御条件や検査条件を設定し、二次電子信号
検出器15,制限電流検出器18,ブランキング電流検
出器22からの入力信号を処理することにより、制御処
理および検査処理とその表示処理を実行する。
電流制限絞り17で測定した電流Iaを入力し、ブラン
キング電流検出器22からファラデーカップ21に入射
した一次電子線4に相当する電流Ipを入力し、 Ia+Ip=k(k:一定) ……(数1) Ip/(Ia+Ip)=m(m:一定) ……(数2) が設定値となるように電子銃制御電源6および集束レン
ズ制御電源7を介して電子銃1および集束レンズ8を制
御する。
は、電子源2から放出する荷電粒子線量(電流量)と、
集束レンズ8の励磁の強度である。
る。Ia+Ip(=k)は、電子源2から放出する総電
流量であり、(数1)式が成り立つ制御を行うことで電
子源2から放出する電流量を一定にすることができる。
(数2)式は、電流制限絞り17を通って試料12に照
射される電流量(Ip)と総電流量(Ia+Ip)の比
が一定になるように集束レンズ8の励磁の強度を制御す
ることにより、クロスオーバ位置10を一定にすること
ができることを意味する。クロスオーバ位置10が一定
であれば試料12の表面と収束点(フォーカス点)を一
致させる対物レンズ9の励磁の強度が一意に決定する。
従って、このような制御を行うことにより、試料12に
照射する電流量を一定に維持することが可能であり、且
つ光学的倍率などの光学条件も常に一定になる。
置25は、先ず、(数1)式が成り立つように電子銃制
御電源6を介して引出電圧V1と制御電圧Vsを制御す
る。電流の和(=k)が減少した場合は、引出電圧V1
を増加させて電子源2から放出する電子線量を増加さ
せ、kが増加した場合は、引出電圧V1を減少させる。
このとき、引出電圧V1を大幅に増減させると、一次電
子線4の軸が動き易いので、制御電圧Vsを制御するほ
うが望ましい。次に、(数2)式が成り立つように、集
束レンズ制御電源7を介して集束レンズ8の励磁の強度
を制御する。
ように、メインコイル8aと補正コイル8bで構成さ
れ、それぞれの電流を制御することが可能である。例え
ば、条件を変更して検査を行う場合は、前もって設定さ
れている励磁電流を集束レンズ制御電源7によってメイ
ンコイル8aに供給し、(数1)および(数2)式が成
立つか否かを判断する。そして、(数2)式が成立たな
い場合には、集束レンズ制御電源7によって補正コイル
8bに励磁電流を供給して該(数2)式が成立つように
調整するようにすると良い。
近傍に補正集束レンズ28を設け、(数2)式が成立た
ない場合には、集束レンズ制御電源7によって補正集束
レンズ28に励磁電流を供給して調整を行うようにして
も良い。
く、通常、検査を開始する場合にも実施することで光学
条件が常に一定となり、安定性および再現性に優れた検
査結果を得ることが可能になる。
定にする制御は、次のような制御処理によっても実現す
ることができる。すなわち、二次電子信号16を検出す
る二次電子信号検出器15からの検出信号に基づいて収
束点(フォーカス点)と試料12の表面が一致している
か否かを検出し、一致していないときには集束レンズ8
により集束点を制御する構成とすることができる。
電子信号検出器15から出力される検出信号に基づい
て、収束点と試料12の表面が一致しているか否かを検
出する。検出する方法は、例えば、二次電子信号検出器
15から出力される検出信号に基づいて形成する画像の
コントラストが極大値になったときを収束点と試料12
の表面が一致していると判断する処理により実現するこ
とができる。そして、制御装置25は、収束点と試料1
2の表面が一致しているか否かを検出した結果に基づい
て集束レンズ制御電源7を制御し、収束点と試料12の
表面が一致するように集束レンズ8の励磁電流を制御す
る。
物レンズ制御電源23によって一定に固定しておく。対
物レンズ9と試料12の距離が一定であることより、収
束点と試料12の表面を集束レンズ8で一致させるよう
にすると、クロスオーバー位置10は一定位置に決ま
る。
バー位置10の変動に伴う光学条件の変動を抑制し、常
に一定条件で検査を行なうことが可能になる。
5が実行する制御処理のフローチャートである。 ステップ101 各検査条件を複数個設定する。この設定入力は、表示装
置27に設定画面を表示し、この表示画面に対する入力
装置26からの指示入力を取り込むことにより行う。 ステップ102 設定された条件の(Ia+Ip)とIp/(Ia+I
p)の値を登録する。 ステップ103 実際に実行する検査条件を選択する。 ステップ104 Ia+IpとIp/(Ia+Ip)を設定する。この設
定は、Ia+IpとIpを入力することにより行う。 ステップ105 その他の校正を行う。 ステップ106 設定された検査条件による検査を実行する。 ステップ107 設定値自動補正制御が設定されているときには、設定値
自動補正制御を実行する。 ステップ108 検査結果を出力する。
画面を示している。この表示画面は、「Ip・倍率設
定」のメニューバー200がクリックされたときに表示
する。そして、光学的倍率設定領域には、Ia+Ipの
登録値と現在値および電子銃制御電源の条件を設定/表
示する欄211,212,213と実行ボタン214と
リセットボタン215と設定値自動補正実行間隔を設定
/表示する欄216を表示する。また、プローブ電流設
定領域には、プローブ電流Ipの登録値と現在値および
集束レンズ電流値を設定/表示する欄221,222,
223と実行ボタン224とリセットボタン225と設
定値自動補正実行間隔を設定/表示する欄226を表示
する。
212,213には、登録値と現在値および電子銃制御
電源の条件を表示し、登録値はスクロールボタン211
aによって変更可能にする。そして、実行ボタン214
が押されると入力値の設定を実行し、設定後の値を表示
し、新たな設定値に基づく制御処理を実行する。また、
リセットボタン215が押されたときには、現在値を登
録値として設定して該設定値に基づく制御処理を実行す
る。
221,222,223も同様に、登録値と現在値およ
び集束レンズ制御電源の条件を表示し、登録値はスクロ
ールボタン221aによって変更可能にする。そして、
実行ボタン224が押されると入力値の設定を実行し、
設定後の値を表示し、新たな設定値に基づく制御処理を
実行する。また、リセットボタン225が押されたとき
には、現在値を登録値として設定して該設定値に基づく
制御処理を実行する。
隔が設定されているときには、設定値に基づく制御処理
を設定時間間隔で自動的に実行し、設定されていないと
きには、前記設定時または「校正」メニューバー400
がクリックされたときに実行する。
クリックされたときに表示する表示画面である。表示欄
310には検査画像を表示し、表示欄320には、表示
条件などを表示する。
を記録して保持する。
査を行なう場合でも、ユーザーによる条件確認・再設定
を行なうことなく検査を開始することが可能で、安定性
および再現性が良い検査結果を得ることができ、安定性
および再現性に優れた検査結果を得るこができる。
置を適用した検査装置の機能ブロック図である。
例を示すを示す縦断側面図である。
の例を示すを示す縦断側面図である。
実行する制御処理のフローチャートである。
置の表示画面である。
置の表示画面である。
線、5…制御電極、6…電子銃制御電源、7…集束レン
ズ制御電源、8…集束レンズ、9…対物レンズ、10…
クロスオーバ位置、11…試料ステージ、12…試料、
13…偏向器、14…偏向器制御電源、15…二次電子
信号検出器、16…二次電子信号、17…電流制限絞
り、18…制限電流測定器、19…ブランキング用偏向
電極、20…ブランキング制御電源、21…ファラデー
カップ、22…ブランキング電流検出器、23…対物レ
ンズ制御電源、25…制御装置、26…入力装置、27
…表示装置。
Claims (6)
- 【請求項1】荷電粒子を発生する荷電粒子源と、前記荷
電粒子線を集束させる集束レンズと、前記荷電粒子線を
前記試料に照射するための対物レンズと、前記集束レン
ズと前記対物レンズの間に位置して荷電粒子線量を制限
する絞りと、試料に照射される荷電粒子線量(プローブ
電流Ip)を測定するファラデーカップを備えた荷電粒
子線装置において、 前記制限絞りに照射する荷電粒子線の電流(Ia)を測
定する手段と、前記IpとIaの和が一定になるように
前記荷電粒子源を制御し、Ip/(Ip+Ia)が一定
になるように前記集束レンズの励磁の強度を制御する制
御装置を設けたことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 【請求項2】荷電粒子を発生する荷電粒子源と、前記荷
電粒子源の近傍で荷電粒子線を集束させる集束レンズ
と、前記荷電粒子線を試料に照射するための対物レンズ
と、前記照射によって前記試料から発生する該試料を特
徴づける情報信号を検出する検出器を備えた荷電粒子線
装置において、 前記試料から発生する情報信号に基づいて前記荷電粒子
線の集束点と試料表面とが一致したか否かを検出する手
段と、集束点と試料表面とが一致するように前記集束レ
ンズの励磁の強度を制御する制御装置を設けたことを特
徴とする荷電粒子線装置。 - 【請求項3】荷電粒子を発生する荷電粒子源と、前記荷
電粒子線を集束させる集束レンズと、前記荷電粒子線を
前記試料に照射するための対物レンズと、前記集束レン
ズと前記対物レンズの間に位置して荷電粒子線量を制限
する絞りと、試料に照射される荷電粒子線量(Ip)を
測定するファラデーカップと、前記照射によって前記試
料から発生する該試料を特徴づける情報信号を検出する
検出器を備えた荷電粒子線装置において、 前記制限絞りに照射する荷電粒子線の電流(Ia)を測
定する手段と、前記試料から発生する情報信号に基づい
て前記荷電粒子線の集束点と試料表面とが一致したか否
かを検出する手段と、前記IpとIaの和が一定になる
ように前記荷電粒子源を制御し、集束点と試料表面とが
一致するように前記集束レンズの励磁の強度を制御する
制御装置を設けたことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 【請求項4】請求項1〜3の1項において、前記集束レ
ンズは、2個のコイルを備え、前記制御装置は、それぞ
れのコイルの電流を制御することを特徴とする荷電粒子
線装置。 - 【請求項5】請求項1〜3の1項において、前記集束レ
ンズは、2段のレンズで構成し、前記制御装置は、それ
ぞれのレンズの励磁の強度を制御することを特徴とする
荷電粒子線装置。 - 【請求項6】請求項1〜5の1項において、前記制御装
置は、条件設定,実行および制御履歴の保存を行うこと
を特徴とする荷電粒子線装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000232552A JP2002050314A (ja) | 2000-08-01 | 2000-08-01 | 荷電粒子線装置 |
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JP2004253794A Division JP2004342628A (ja) | 2004-09-01 | 2004-09-01 | 荷電粒子線装置 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2002050314A true JP2002050314A (ja) | 2002-02-15 |
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JP2000232552A Pending JP2002050314A (ja) | 2000-08-01 | 2000-08-01 | 荷電粒子線装置 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2023552914A (ja) * | 2020-12-30 | 2023-12-19 | アイシーティー インテグレーテッド サーキット テスティング ゲゼルシャフト フィーア ハルプライタープリーフテヒニック エム ベー ハー | 一次荷電粒子ビーム電流の測定 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5596557U (ja) * | 1978-12-27 | 1980-07-04 | ||
JPS5878356A (ja) * | 1981-11-04 | 1983-05-11 | Hitachi Ltd | 走査形電子顕微鏡 |
JPS61208734A (ja) * | 1985-03-12 | 1986-09-17 | Jeol Ltd | 電界放出形荷電粒子源 |
JPH01100919A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-19 | Mitsubishi Electric Corp | 電子ビーム加工装置 |
JPH01124945A (ja) * | 1987-11-10 | 1989-05-17 | Jeol Ltd | 荷電ビーム装置 |
JPH0644930A (ja) * | 1992-07-21 | 1994-02-18 | Sony Corp | Sem |
JPH07105888A (ja) * | 1993-10-05 | 1995-04-21 | Jeol Ltd | 走査電子顕微鏡 |
JPH0992356A (ja) * | 1995-09-19 | 1997-04-04 | Empire:Kk | 速結端子台 |
JPH1092356A (ja) * | 1996-09-19 | 1998-04-10 | Seiko Instr Inc | 集束イオンビームの光軸調整方法および集束イオンビーム装置 |
JPH10162760A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Shimadzu Corp | 電子ビーム装置 |
-
2000
- 2000-08-01 JP JP2000232552A patent/JP2002050314A/ja active Pending
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5596557U (ja) * | 1978-12-27 | 1980-07-04 | ||
JPS5878356A (ja) * | 1981-11-04 | 1983-05-11 | Hitachi Ltd | 走査形電子顕微鏡 |
JPS61208734A (ja) * | 1985-03-12 | 1986-09-17 | Jeol Ltd | 電界放出形荷電粒子源 |
JPH01100919A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-19 | Mitsubishi Electric Corp | 電子ビーム加工装置 |
JPH01124945A (ja) * | 1987-11-10 | 1989-05-17 | Jeol Ltd | 荷電ビーム装置 |
JPH0644930A (ja) * | 1992-07-21 | 1994-02-18 | Sony Corp | Sem |
JPH07105888A (ja) * | 1993-10-05 | 1995-04-21 | Jeol Ltd | 走査電子顕微鏡 |
JPH0992356A (ja) * | 1995-09-19 | 1997-04-04 | Empire:Kk | 速結端子台 |
JPH1092356A (ja) * | 1996-09-19 | 1998-04-10 | Seiko Instr Inc | 集束イオンビームの光軸調整方法および集束イオンビーム装置 |
JPH10162760A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Shimadzu Corp | 電子ビーム装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2023552914A (ja) * | 2020-12-30 | 2023-12-19 | アイシーティー インテグレーテッド サーキット テスティング ゲゼルシャフト フィーア ハルプライタープリーフテヒニック エム ベー ハー | 一次荷電粒子ビーム電流の測定 |
JP7557721B2 (ja) | 2020-12-30 | 2024-09-30 | アイシーティー インテグレーテッド サーキット テスティング ゲゼルシャフト フィーア ハルプライタープリーフテヒニック エム ベー ハー | 一次荷電粒子ビーム電流の測定 |
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