JPH0218847A - 荷電粒子ビーム装置 - Google Patents
荷電粒子ビーム装置Info
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- JPH0218847A JPH0218847A JP16962788A JP16962788A JPH0218847A JP H0218847 A JPH0218847 A JP H0218847A JP 16962788 A JP16962788 A JP 16962788A JP 16962788 A JP16962788 A JP 16962788A JP H0218847 A JPH0218847 A JP H0218847A
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- charged particle
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- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 7
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract description 13
- 230000004075 alteration Effects 0.000 abstract description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 16
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 description 6
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、減速したイオンビームや電子ビームをターゲ
ットに照射するようにした荷電粒子ビーム装置に関する
。
ットに照射するようにした荷電粒子ビーム装置に関する
。
(従来の技術)
荷電粒子ビーム装置では、試料や材r1のターゲットに
荷電粒子ビームを照射し、更に、その照射位置を移動さ
せることによって、所望図形の描画を行ったり、この荷
電粒子ビームの照射に伴って発生した2次電子や2次イ
オンを検出し、ターゲットの表面観察等を行っている。
荷電粒子ビームを照射し、更に、その照射位置を移動さ
せることによって、所望図形の描画を行ったり、この荷
電粒子ビームの照射に伴って発生した2次電子や2次イ
オンを検出し、ターゲットの表面観察等を行っている。
しかしながら、^い加速電圧で加速された荷電粒子ビー
ムをターゲットに照射した場合、そのビームの高いエネ
ルギーのために好ましくない場合がある。このため、?
i+j電粒子ビームの加速電圧を低くし、ターゲットに
照射される荷電粒子ビームのエネルギーを低下させるこ
とも考えられるが、加速電圧を低くすると、集束レンズ
でビームを細く集束することができなくなり、ターゲッ
トのダメージ等は回避されるものの、微細な部分への^
精度のイオンの照)jを行うことができな(なる。
ムをターゲットに照射した場合、そのビームの高いエネ
ルギーのために好ましくない場合がある。このため、?
i+j電粒子ビームの加速電圧を低くし、ターゲットに
照射される荷電粒子ビームのエネルギーを低下させるこ
とも考えられるが、加速電圧を低くすると、集束レンズ
でビームを細く集束することができなくなり、ターゲッ
トのダメージ等は回避されるものの、微細な部分への^
精度のイオンの照)jを行うことができな(なる。
そのため、最終段集束レンズとターゲットどの間に減速
の電界を印加してレンズには高いエネルギーの状態でビ
ームを入射させ、ターゲットには、減速したビームを照
射することによってビームラ精く集束すると共に、該タ
ーゲットのエツチングを防止することが考えられている
。第3図は、このようなイオンビーム装置を示しており
、図中。
の電界を印加してレンズには高いエネルギーの状態でビ
ームを入射させ、ターゲットには、減速したビームを照
射することによってビームラ精く集束すると共に、該タ
ーゲットのエツチングを防止することが考えられている
。第3図は、このようなイオンビーム装置を示しており
、図中。
1は、イオンエミッタ2.引出し電極3.レンズ電極4
.加速電極5から成るイオン源である。該引出し電極3
.レンズ電極4.加速電極5は、コンデンサレンズを形
成し、このレンズによってエミッタ2から引出されたイ
オンビームは集束される。該イオン源1から発生し加速
されたイオンビームIBは、アインツェル型の対物レン
ズ6によってターゲット7上に集束される。ターゲット
7はステージ8上に絶縁碍子9を介して配置されている
。10は静電偏向器であり、偏向器10には走査信号が
印加され、その結果、ターゲット上のイオンビームIB
の照射位置は走査される。ターゲット7へのイオンビー
ムの照射に基づいて発生した2次電子は、対物レンズ6
とターゲット7との間に配置されたマイクロチャンネル
プレート(MCP)11によって検出される。該ターゲ
ット7と対物レンズ6の外側電極6bとの間には、電源
12から減速電圧が印加される。又、対物レンズ6の中
心電極6aには、ff1rA13からレンズ電圧が印加
される。
.加速電極5から成るイオン源である。該引出し電極3
.レンズ電極4.加速電極5は、コンデンサレンズを形
成し、このレンズによってエミッタ2から引出されたイ
オンビームは集束される。該イオン源1から発生し加速
されたイオンビームIBは、アインツェル型の対物レン
ズ6によってターゲット7上に集束される。ターゲット
7はステージ8上に絶縁碍子9を介して配置されている
。10は静電偏向器であり、偏向器10には走査信号が
印加され、その結果、ターゲット上のイオンビームIB
の照射位置は走査される。ターゲット7へのイオンビー
ムの照射に基づいて発生した2次電子は、対物レンズ6
とターゲット7との間に配置されたマイクロチャンネル
プレート(MCP)11によって検出される。該ターゲ
ット7と対物レンズ6の外側電極6bとの間には、電源
12から減速電圧が印加される。又、対物レンズ6の中
心電極6aには、ff1rA13からレンズ電圧が印加
される。
第4図は、このようなイオンビーム装置のポテンシャル
の状態を示しており、加速電圧Vaと電源12からター
ゲット7に印加される減速電圧Vrとの差がターゲット
に入射するイオンビームrBのエネルギーとなる。従っ
て、対物レンズ6までは高い加速電圧でイオンビームが
入射し、その結果、イオンビームを細く集束できると共
に、ターゲット7に入射するイオンビームIBのエネル
ギーは低くすることができるので、ターゲットがエツチ
ングされるのが防止される。
の状態を示しており、加速電圧Vaと電源12からター
ゲット7に印加される減速電圧Vrとの差がターゲット
に入射するイオンビームrBのエネルギーとなる。従っ
て、対物レンズ6までは高い加速電圧でイオンビームが
入射し、その結果、イオンビームを細く集束できると共
に、ターゲット7に入射するイオンビームIBのエネル
ギーは低くすることができるので、ターゲットがエツチ
ングされるのが防止される。
(発明が解決しようとする課題)
上述したイオンビーム装置においては、集束特性を向上
させるために、最終段集束レンズである対物レンズ6と
ターゲット上 する必要がある。そのため、ターゲット7上でイオンビ
ームを走査するための偏向器は、対物レンズ6の前方に
配置される。しかしながら、このような偏向方式では、
減速電圧が変化すれば、偏向の状態が著しく変化する。
させるために、最終段集束レンズである対物レンズ6と
ターゲット上 する必要がある。そのため、ターゲット7上でイオンビ
ームを走査するための偏向器は、対物レンズ6の前方に
配置される。しかしながら、このような偏向方式では、
減速電圧が変化すれば、偏向の状態が著しく変化する。
すなわち、対物レンズ6とターゲットとの間の光学系は
、等価的に、第5図に示すように、2つのレンズがある
ことになる。図中、凸レンズ15は対物レンズ6に対応
し、凹レンズ16は対物レンズとターゲットの間の減速
静電レンズに対応する。このレンズ構成から明らかなよ
うに、減速電圧が変化して、凹レンズの強度が変化する
と、偏向の状態も変化する。
、等価的に、第5図に示すように、2つのレンズがある
ことになる。図中、凸レンズ15は対物レンズ6に対応
し、凹レンズ16は対物レンズとターゲットの間の減速
静電レンズに対応する。このレンズ構成から明らかなよ
うに、減速電圧が変化して、凹レンズの強度が変化する
と、偏向の状態も変化する。
なお、ここまでの説明は、イオンビーム装置を例にして
行ったが、最終段集束レンズとターゲットとの間に減速
電場を印加するようにした電子ビームt装置も同様な問
題点を有している。
行ったが、最終段集束レンズとターゲットとの間に減速
電場を印加するようにした電子ビームt装置も同様な問
題点を有している。
本発明は、上述した点に鑑みてなされたもので、その目
的は、簡単な構成で、減速場による偏向収差の影響をほ
とんどなくして荷電粒子ビームを偏向することができる
荷電粒子ビーム装置を実現することにある。
的は、簡単な構成で、減速場による偏向収差の影響をほ
とんどなくして荷電粒子ビームを偏向することができる
荷電粒子ビーム装置を実現することにある。
(課題を解決するための手段)
前記した課題を解決する本発明に基づく荷電粒子ビーム
装置は、荷電粒子ビーム発生源と、該発生源から発生し
、加速された荷電粒子ビームを集束するレンズと、該集
束レンズと荷電粒子ビームが照射されるターゲットとの
間に荷電粒子ビームの減速電場を発生させる手段とを備
えた荷電粒子ビーム!装置において、該集束レンズとタ
ーゲットとの間に、その表面が高抵抗材料で形成された
8本の偏向71#4を配置し、夫々の偏向電極の一端を
減速電場の高電圧側に接続し、他端を接地側に接続し、
接地側の端部に偏向信号を供給するように構成したこと
を特徴とする。
装置は、荷電粒子ビーム発生源と、該発生源から発生し
、加速された荷電粒子ビームを集束するレンズと、該集
束レンズと荷電粒子ビームが照射されるターゲットとの
間に荷電粒子ビームの減速電場を発生させる手段とを備
えた荷電粒子ビーム!装置において、該集束レンズとタ
ーゲットとの間に、その表面が高抵抗材料で形成された
8本の偏向71#4を配置し、夫々の偏向電極の一端を
減速電場の高電圧側に接続し、他端を接地側に接続し、
接地側の端部に偏向信号を供給するように構成したこと
を特徴とする。
〈作用)
高抵抗材料で形成された8本の偏向電極は、最終段集束
レンズとターゲットとの間を等しい電位傾度とし、減速
場によってレンズ作用を生じさせない。
レンズとターゲットとの間を等しい電位傾度とし、減速
場によってレンズ作用を生じさせない。
(実施例)
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。第1図は本発明に基づく電子ビーム装画を示しており
、20は磁界型の対物レンズであり、そのta極は接地
電位となっている。電子ビームEBは、この対物レンズ
20によってステージ21上に絶F&p子22を介して
配置されたターゲット23上に細く集束される。このタ
ーゲット23には、電源24から減速電圧が印加されて
おり、電子ビームEBは減速されて低いエネルギーの状
態でターゲット23に照射される。対物レンズ20とタ
ーゲット23との間には、8本の偏向W1極25a〜2
5hから成る静電偏向器25が配置されている(図では
25aと25eのみ示されている)。
。第1図は本発明に基づく電子ビーム装画を示しており
、20は磁界型の対物レンズであり、そのta極は接地
電位となっている。電子ビームEBは、この対物レンズ
20によってステージ21上に絶F&p子22を介して
配置されたターゲット23上に細く集束される。このタ
ーゲット23には、電源24から減速電圧が印加されて
おり、電子ビームEBは減速されて低いエネルギーの状
態でターゲット23に照射される。対物レンズ20とタ
ーゲット23との間には、8本の偏向W1極25a〜2
5hから成る静電偏向器25が配置されている(図では
25aと25eのみ示されている)。
各偏向電極25a〜25hは、第1図における△A断面
図である第2図に示すように、光軸Oに軸対称に配置さ
れている。各型1fi258〜25hは、高抵抗材料で
形成されているか、あるいは、絶縁物の基体に高抵抗材
料がコーティングされており、いずれにしても表面は高
抵抗材料となっている。各電極25a〜25hのターゲ
ット23側は、ターゲット23と同電位のシールド板2
6に取り付けられており、又、対物レンズ2o側の端部
は接地電位とされている。更に、各電極25a〜25h
の接地電位側は、偏向増幅器27に接続されている。
図である第2図に示すように、光軸Oに軸対称に配置さ
れている。各型1fi258〜25hは、高抵抗材料で
形成されているか、あるいは、絶縁物の基体に高抵抗材
料がコーティングされており、いずれにしても表面は高
抵抗材料となっている。各電極25a〜25hのターゲ
ット23側は、ターゲット23と同電位のシールド板2
6に取り付けられており、又、対物レンズ2o側の端部
は接地電位とされている。更に、各電極25a〜25h
の接地電位側は、偏向増幅器27に接続されている。
このように構成された電子ビーム装置の動作は次の通り
である。上記各偏向電極25a〜25hの接地電位側に
偏向電圧が印加されていない状態では、偏向電極の両端
部の間は等しい電位傾度となる。
である。上記各偏向電極25a〜25hの接地電位側に
偏向電圧が印加されていない状態では、偏向電極の両端
部の間は等しい電位傾度となる。
ここで、各々の偏向器125a〜25F)には、偏向増
幅器27から偏向電圧が印加される。今、X方向の偏向
電圧をXSy方向の偏向電圧をYとすると、各偏向電極
には、次の偏向電圧が印加される。
幅器27から偏向電圧が印加される。今、X方向の偏向
電圧をXSy方向の偏向電圧をYとすると、各偏向電極
には、次の偏向電圧が印加される。
25a→−X
25b→−x+Y/−rY
25c→Y
25d−+X+Y/ffフ
25e→X
25f→ (X−Y)/(7
25g→−Y
25h →−(X+Y)/Ar7
このような偏向電圧の印加により、電子ビームEBは偏
向され、ターゲット23上で任意の位置に電子ビームE
Bが照射されることになる。
向され、ターゲット23上で任意の位置に電子ビームE
Bが照射されることになる。
上記したように、偏向器を構成する各電極を高抵抗材料
で形成したので、減速場を等しい電位傾度とすることが
でき、減速電圧を変化させても、1子ビームの偏向状態
を変化させるようなレンズ作用が少ないため、電子ビー
ムの偏向収差を少なくすることができる。
で形成したので、減速場を等しい電位傾度とすることが
でき、減速電圧を変化させても、1子ビームの偏向状態
を変化させるようなレンズ作用が少ないため、電子ビー
ムの偏向収差を少なくすることができる。
以上本発明の詳細な説明したが、本発明は上記実施例に
限定されない。例えば、電子ビーム装置を例に説明した
が、イオンビーム装置にも本発明を適用することができ
る。その場合、ターゲット等に印加される電圧の極性は
逆となる。又、最終段集束レンズとターゲットとの間に
減速電場を形成するために、ターゲットに電圧を印加す
るようにしたが、ターゲットは接地電位とし、最終段集
束レンズ側に減速電圧を印加するように構成しても良い
。
限定されない。例えば、電子ビーム装置を例に説明した
が、イオンビーム装置にも本発明を適用することができ
る。その場合、ターゲット等に印加される電圧の極性は
逆となる。又、最終段集束レンズとターゲットとの間に
減速電場を形成するために、ターゲットに電圧を印加す
るようにしたが、ターゲットは接地電位とし、最終段集
束レンズ側に減速電圧を印加するように構成しても良い
。
(発明の効果)
以上説明したように、最終段集束レンズの下段に偏向器
を配置し、又、この偏向器の電極を高抵抗材料で形成し
たので、集束特性の良い荷電粒子ビームを偏向収差中な
くターゲットに照tAツることができる。
を配置し、又、この偏向器の電極を高抵抗材料で形成し
たので、集束特性の良い荷電粒子ビームを偏向収差中な
くターゲットに照tAツることができる。
第1図は、本発明の一実施例である電子ビーム装置を示
す図、第2図は、第1図のAA断面図、第3図は、ター
ゲットに減速電圧を印加した従来のイオンビーム装置を
示す図、第4図は、第2図の装置のポテンシャルの状態
を示す図、第5図は、第3図装置の対物レンズとターゲ
ットとの間の光学系の等価的構成図である。 1・・・イオン源 2・・・エミッタ3・・・
引出し電14 4・・・レンズ電極5・・・加速
電極 6・・・対物レンズ7・・・ターゲット
8・・・ステージ9・・・絶縁碍子 1
0・・・静電偏向器11・・・マイクロチャンネルプレ
ート12・・・電源 13・・・・電源20
・・・対物レンズ 21・・・ステージ22・・・
絶縁碍子 23・・・ターゲット24・・・電源
25・・・偏向器26・・・シールド電極
27・・・偏向増幅器特許出願人 日 本
電 子 株 式 会 礼式 理 人
弁理士 井 島 藤 治外1名 第5 区
す図、第2図は、第1図のAA断面図、第3図は、ター
ゲットに減速電圧を印加した従来のイオンビーム装置を
示す図、第4図は、第2図の装置のポテンシャルの状態
を示す図、第5図は、第3図装置の対物レンズとターゲ
ットとの間の光学系の等価的構成図である。 1・・・イオン源 2・・・エミッタ3・・・
引出し電14 4・・・レンズ電極5・・・加速
電極 6・・・対物レンズ7・・・ターゲット
8・・・ステージ9・・・絶縁碍子 1
0・・・静電偏向器11・・・マイクロチャンネルプレ
ート12・・・電源 13・・・・電源20
・・・対物レンズ 21・・・ステージ22・・・
絶縁碍子 23・・・ターゲット24・・・電源
25・・・偏向器26・・・シールド電極
27・・・偏向増幅器特許出願人 日 本
電 子 株 式 会 礼式 理 人
弁理士 井 島 藤 治外1名 第5 区
Claims (1)
- 荷電粒子ビーム発生源と、該発生源から発生し、加速
された荷電粒子ビームを集束するレンズと、該集束レン
ズと荷電粒子ビームが照射されるターゲットとの間に荷
電粒子ビームの減速電場を発生させる手段とを備えた荷
電粒子ビーム装置において、該集束レンズとターゲット
との間に、その表面が高抵抗材料で形成された8本の偏
向電極を配置し、夫々の偏向電極の一端を減速電場の高
電圧側に接続し、他端を接地側に接続し、接地側の端部
に偏向信号を供給するように構成したことを特徴とする
荷電粒子ビーム装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16962788A JPH0218847A (ja) | 1988-07-06 | 1988-07-06 | 荷電粒子ビーム装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16962788A JPH0218847A (ja) | 1988-07-06 | 1988-07-06 | 荷電粒子ビーム装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0218847A true JPH0218847A (ja) | 1990-01-23 |
Family
ID=15890008
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16962788A Pending JPH0218847A (ja) | 1988-07-06 | 1988-07-06 | 荷電粒子ビーム装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0218847A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03261057A (ja) * | 1990-03-08 | 1991-11-20 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム装置 |
JP2005276819A (ja) * | 2000-01-27 | 2005-10-06 | Ict Integrated Circuit Testing Ges Fuer Halbleiterprueftechnik Mbh | 帯電粒子ビームデバイスのための対物レンズ |
-
1988
- 1988-07-06 JP JP16962788A patent/JPH0218847A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03261057A (ja) * | 1990-03-08 | 1991-11-20 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム装置 |
JP2005276819A (ja) * | 2000-01-27 | 2005-10-06 | Ict Integrated Circuit Testing Ges Fuer Halbleiterprueftechnik Mbh | 帯電粒子ビームデバイスのための対物レンズ |
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