JP5478808B2 - 気体イオン源を備えた粒子光学装置 - Google Patents
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Description
・イオン化容積内で高電流密度を得ることができなければならない。このことは、ショットキー源又はカーボンナノチューブ(CNT)のような電界放出型電子源のような高輝度電子源を用いることによって実現可能である。
・電子源をイオン化容積で集束させるのに用いられる如何なる光学系の収差も小さくなければならない。
・同時に、電子源を集束させるのに用いられる如何なる光学系も放出イオンビームと空間的に干渉できず、又はこれらの光学系で用いられる如何なる電場も放出イオンビームと干渉できない。
・イオン化容積内でのプラズマ及び空間電荷効果は、輝度を制限するので回避されなければならない。このことは、イオン化容積にわたる高電場によってイオン化容積からイオンを引き出すことによって実現される。
・同時に、イオン化容積にわたる電場はイオン源のエネルギー拡がりを支配するので、そのような電場は十分に小さくなくてはならない。イオン化容積にわたって、高電場と低い電圧とを兼ね備えるため、イオン化容積は小さくなくてはならない。
・当業者に知られているように、イオン化容積での所望の高い電子電流密度は、約50-1000[eV]の電子エネルギーで実現されなければならない。電子―イオン衝突のイオン化効率は、50-300[eV]の間で最大を示す。300[eV]より大きくなると効率は急激に減少する。しかしそのような減少は最初、約1[keV]までは、より高い電子エネルギーを使用することによって実現される電子輝度の増大によって補償される。電子は従って、イオン化容積では約50-1000[eV]エネルギーを有していなければならない。
・たとえば電子放出表面の機械的変位/振動、又は漂遊電磁場によって引き起こされる如何なる干渉も、スポットを劣化させないほど、又はほとんど劣化させないほどに十分小さくなければならない。
2 射出絞り
3 電子源
4 電子放出面
5 電子ビーム
6 第2壁
7 第2絞り
10 第1電源
11 第2電源
12 第3電源
20 イオン化容積
101 導電性ホイル
102 導電性ホイル
103 半導体ダイ
104 半導体ダイ
105 凹部
106 凹部
107 凹部
108 凹部
109 導電層
110 導電層
111 フォトレジスト層
112 空洞
113 アパーチャ
114 アパーチャ
120 入射絞り
121 射出絞り
122 イオン化容積
130 集束電子ビーム
131 ビーム
400 ショットキー放射体
401 光軸
402 電子ビーム
403 引き出し電極
404 セグメント化された電極
405 電極
406 電極
408 電極
409 イオンビーム
410 MEMS構造体
501 半導体ウエハ
502 真空チャンバ
503 制御ユニット
504 検出器
505 スクリーン
510 イオンビーム
511 イオン銃
512 イオン源
513 静電レンズ
514 偏向器
520 電子ビーム
521 電子銃
522 電子源
523 静電又は磁気レンズ
524 偏向器
Claims (12)
- 気体イオン源が備えられている粒子光学装置であって、
前記イオン源は:
最大20μmの直径を有する射出絞りが供されているダイヤフラム壁;
電子ビームを発生させる電子放出表面を有する電子源;
前記ダイヤフラム壁の一の側に気体を収容する気体収容手段;
前記ダイヤフラム壁の他の側を真空、つまり前記一の側よりも低い気体圧力の状態、にする真空手段;
前記電子ビーム中の電子が、イオン化容積中の前記気体をイオン化するエネルギーに到達するように、前記電子ビームを加速させる加速電場を発生させる加速手段;及び、
前記加速手段によって生成されたイオンを前記イオン化容積から引き出すための引き出し電場を発生させる引き出し手段;
を有し、
前記電子放出表面が、前記ダイヤフラム壁の一の側に設けられ、かつ、
前記イオン化容積の位置での前記電子ビームの直径は30μm未満である、
ことを特徴とする粒子光学装置。 - 第2壁が、前記電子放出表面と前記ダイヤフラム壁との間に位置し、
前記第2壁には入射絞りが備えられ、かつ、
前記入射絞りを介して、前記加速手段によって加速された電子は、前記のイオン化される気体に到達する、
請求項1に記載の粒子光学装置。 - 前記ダイヤフラム壁と前記第2壁との間の距離が1μm未満で、かつ、
前記ダイヤフラム壁及び前記第2壁内の前記絞りの直径が1μm未満である、
請求項2に記載の粒子光学装置。 - 前記引き出し電場が方向を反転させることが可能で、それによって、前記電場が第1方向を向いている場合では、前記加速手段によって生成されたイオンが引き出され、前記電場が第1とは別な方向を向いている場合では、電子が前記射出絞りを介して引き出される、請求項1乃至3のうちのいずれか一項に記載の粒子光学装置。
- 前記電子源が、電界放出型電子源、又はショットキー型電子源、又はカーボンナノチューブ電子源である、請求項1乃至4のうちのいずれか一項に記載の粒子光学装置。
- 前記の収容される気体が希ガスである、請求項1乃至5のうちのいずれか一項に記載の粒子光学装置。
- 前記イオン化容積外部へ引き出される電流をほぼ一定に維持する手段が存在する、請求項1乃至6のうちのいずれか一項に記載の粒子光学装置。
- 前記電子が前記イオン化容積に集束される、請求項1乃至7のうちのいずれか一項に記載の粒子光学装置。
- 前記第2壁に衝突する前記電子を測定する手段が供され、かつ、
前記の測定は、前記電子ビームを安定化させ、及び/又は、前記第2壁中の前記入射絞り上に前記電子ビームを集束させ、及び/又は、前記第2壁中の前記入射絞り上に前記電子ビームを位置設定するのに用いられる、請求項2に記載の粒子光学装置。 - 前記電子ビームが、前記電子放出表面と前記イオン化容積との間で発散し、かつ、
前記電子放出表面は、前記射出絞りから300μm未満の距離に位置している、
請求項1から7のうちのいずれか一項に記載の粒子光学装置。 - 前記電子放出表面が、前記の収容された気体中に位置する、請求項10に記載の粒子光学装置。
- 請求項1乃至11のうちのいずれか一項に記載の粒子光学装置で使用される気体イオン源。
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