JPS5856332A - マスクの欠陥修正方法 - Google Patents
マスクの欠陥修正方法Info
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- JPS5856332A JPS5856332A JP56153806A JP15380681A JPS5856332A JP S5856332 A JPS5856332 A JP S5856332A JP 56153806 A JP56153806 A JP 56153806A JP 15380681 A JP15380681 A JP 15380681A JP S5856332 A JPS5856332 A JP S5856332A
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
- G03F1/74—Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
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- H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching
- H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/004—Charge control of objects or beams
- H01J2237/0041—Neutralising arrangements
- H01J2237/0044—Neutralising arrangements of objects being observed or treated
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/08—Ion sources
- H01J2237/0802—Field ionization sources
- H01J2237/0807—Gas field ion sources [GFIS]
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導本集積回路のマスクの欠陥修正方法とこ
の方法を実施するための製電に関する。
の方法を実施するための製電に関する。
近年、半導体集積回路（ＩＣ）は微細化・高集積化が著
しく進み、配線・母ターンの寸法は３μから２μへと移
行しつつあり、数年後には１〜１．５μ・臂ター／の実
現が予測されている。これに伴い、マスクに発生する欠
陥の修正についても、高度の技術が要望される。
しく進み、配線・母ターンの寸法は３μから２μへと移
行しつつあり、数年後には１〜１．５μ・臂ター／の実
現が予測されている。これに伴い、マスクに発生する欠
陥の修正についても、高度の技術が要望される。
第１図、第２図にフォトマスクの縦断面とその平面を示
す。これらの図に示されるフォトマスクは、ガラス基板
ｌの上にＯｒなどの金属材料、酸化鉄のごとき金属化合
物材料など、露光用の光に対する透過率の低い材料の薄
膜（厚さ約１００工〜約１ｏｏｏ１を蒸着し、フォトエ
ツチング技術によシ所望の配置１１”ターン（以下、・
ｆターンと略称）３を形成している。なお、第１図中、
Ａはノ９ター／の間隔、Ｂは・リーンの幅である。この
ようなフォトマスクには、ノ４ターン形成工程等で黒点
欠陥４゜５および白点欠陥６が発生するのが普通である
。
す。これらの図に示されるフォトマスクは、ガラス基板
ｌの上にＯｒなどの金属材料、酸化鉄のごとき金属化合
物材料など、露光用の光に対する透過率の低い材料の薄
膜（厚さ約１００工〜約１ｏｏｏ１を蒸着し、フォトエ
ツチング技術によシ所望の配置１１”ターン（以下、・
ｆターンと略称）３を形成している。なお、第１図中、
Ａはノ９ター／の間隔、Ｂは・リーンの幅である。この
ようなフォトマスクには、ノ４ターン形成工程等で黒点
欠陥４゜５および白点欠陥６が発生するのが普通である
。
ここれは主としてフォトエツチング工程における異物の
介在による。前記黒点欠陥４，５は、この例では金属９
ｒが本来存在してはならない場所に存在するものである
。前記白点欠陥６は、本来存在すべき場所の金属Ｏｒが
欠落したものである。このような欠陥のあるフォトマス
クをそのまま使用すれば、この欠陥がそのままウェハ上
の素子／９ター／に転写され、ＩＣの不良を生じる。２
種の欠陥のうち黒点欠陥４．５の方が数が多い。この欠
陥に対する修正方法としては現在レーザ加工法によるも
のが主流を占めている。
介在による。前記黒点欠陥４，５は、この例では金属９
ｒが本来存在してはならない場所に存在するものである
。前記白点欠陥６は、本来存在すべき場所の金属Ｏｒが
欠落したものである。このような欠陥のあるフォトマス
クをそのまま使用すれば、この欠陥がそのままウェハ上
の素子／９ター／に転写され、ＩＣの不良を生じる。２
種の欠陥のうち黒点欠陥４．５の方が数が多い。この欠
陥に対する修正方法としては現在レーザ加工法によるも
のが主流を占めている。
第３図に従来技術であるレーザによるマスク修正装置の
概略を示す。
概略を示す。
この従来技術では、レーデ発振器８から出たし７−デピ
ーム９は反射ミラー１０により反射され、半透過ミラー
１１を通過した後、レンズ１２で集光され、微動載物台
１３の上に設置されたフォトマスク１４上の黒点欠陥１
５に照射され、黒点欠陥１５を除去する。
ーム９は反射ミラー１０により反射され、半透過ミラー
１１を通過した後、レンズ１２で集光され、微動載物台
１３の上に設置されたフォトマスク１４上の黒点欠陥１
５に照射され、黒点欠陥１５を除去する。
ハーフミラ−１６、照明光源１７、凹面ミラー１８、コ
ンデンサレンズ１９からなる照明光学系は、試料表面を
照明するためのものである。また、レンズ加。
ンデンサレンズ１９からなる照明光学系は、試料表面を
照明するためのものである。また、レンズ加。
２１よりなる観察光学系は、試料を観察し、これＫより
微動載物台１３を動かして黒点欠陥１５の位置を調節し
、集光されたレーデ９′が黒点欠陥１５に正確に照射さ
れるようにするものである。
微動載物台１３を動かして黒点欠陥１５の位置を調節し
、集光されたレーデ９′が黒点欠陥１５に正確に照射さ
れるようにするものである。
ところで、３μ・母ターンの配線を修正するためには、
修正程度、すなわち修正時に除去された部 ７ 分の寸法精度は±１μが要求され、これには集光し九ノ
ーデスポット径として１μ以下が必要となる。これは、
短波長レーデを用いることにより十分対応できる。
修正程度、すなわち修正時に除去された部 ７ 分の寸法精度は±１μが要求され、これには集光し九ノ
ーデスポット径として１μ以下が必要となる。これは、
短波長レーデを用いることにより十分対応できる。
しかしながら、レーザビームによるスポット径の微細化
には回折限界のため下限があり、０．５μ程度が限界で
あると考えられる。これはレーザによる集束の限界であ
り、レーデ加工によるマスク修正技術によっては、よシ
微細なノ４ターンに対応できないことを示す。すなわち
、１〜１．５μノダターンおよびそれ以下の配線のＩＣ
においては、マスクの欠陥Ｆｉ０．３〜０．５μ以上の
ものが欠陥とされ、最小修正単位はこれ以下のものが要
求される。しかし、前述のごとき集束限界のため、従来
のレーザ加工技術ではこれに対応できないことがわかる
。
には回折限界のため下限があり、０．５μ程度が限界で
あると考えられる。これはレーザによる集束の限界であ
り、レーデ加工によるマスク修正技術によっては、よシ
微細なノ４ターンに対応できないことを示す。すなわち
、１〜１．５μノダターンおよびそれ以下の配線のＩＣ
においては、マスクの欠陥Ｆｉ０．３〜０．５μ以上の
ものが欠陥とされ、最小修正単位はこれ以下のものが要
求される。しかし、前述のごとき集束限界のため、従来
のレーザ加工技術ではこれに対応できないことがわかる
。
以上の説明は、可視・紫外光を用いた露光のためのフォ
トマスクの修正についてである。ノ母ターンの微細化が
進めば、回折・散乱などの問題を有する光によるフォト
エツチング技術にては精度の良い微細加工ができないた
め、回折・散乱の少な７頁 いＸ線や、平行束のイオンビームによる露光が用（ζら
れると考えられる＠ 第４図（１）〜（５） Ｋ Ｘ線露光用マスクの一例を
示す。
トマスクの修正についてである。ノ母ターンの微細化が
進めば、回折・散乱などの問題を有する光によるフォト
エツチング技術にては精度の良い微細加工ができないた
め、回折・散乱の少な７頁 いＸ線や、平行束のイオンビームによる露光が用（ζら
れると考えられる＠ 第４図（１）〜（５） Ｋ Ｘ線露光用マスクの一例を
示す。
まず、第４図（１）Ｋ示すごとく厚さ数１００μｍ＆の
８１基板ｎ上に厚さ数μの／中すレン冴を形成し。
８１基板ｎ上に厚さ数μの／中すレン冴を形成し。
さらにその上に厚さ数１００ＸのＣｒ薄膜６、その上に
Ｘ線の吸収体として厚さ数１０００１のＡｕ薄膜あを形
成する。この上にさらに厚さ数１０００１程度Ｋ ＰＭ
ＭＡレジス）２７を塗布する。ついで、電子ビーム露光
機による描画によシ、この上に必要な・量ターンを描画
露光し、現偉処纏を行なうと、ＰＭＭＡレノス）２７に
第４図（２）に示すような溝部、２９が形成される。こ
のＰＭＭＡレジス）２７にあられれた溝列、２９を用い
、リフオオフ法により第４図（３）に示すような厚さ約
１ｏｏｏ １のＣｒ３０の・臂ターンが形成される。す
なわち、第４図（２）Ｋ示す状態に対して、上面よりＣ
ｒ３０を厚さ約１０００１’に蒸着し死後、ＰＭＭＡレ
ゾスト４を剥離液で処理して剥離すれば、ＰＭＭＡレジ
ストＩの上に乗っているＣｒはＰＭＭＡレゾストごとと
もに除去され、Ｃｒ３０の／ｆ量ターン１１開昭５８−
５６３３２ （３） 生じる。この後、このＣｒ３０の薄膜レジストとしてイ
オンビームエツチングを行ない、Ｃｒ３０のない部分の
Ａｕ２６の薄膜を除去し、第４図（４）に示すものを形
成する。さらに、背面からＳｉ基板ｎを大きくエツチン
グし、支持に必要な部分のみを残す。このようＫすれば
、第４図（５）に示すように必要な部分のみＸ線の吸収
体であるＡｕ２６の約１０００Ｘの薄膜が存在し、他は
Ｘ線を吸収しないＣｒ３０の約１０００にの薄膜とノ母
すレン翼のみを残しかっＳｌの支持部分３′によシ支見
られたＸ線用のレジストが製作される。
Ｘ線の吸収体として厚さ数１０００１のＡｕ薄膜あを形
成する。この上にさらに厚さ数１０００１程度Ｋ ＰＭ
ＭＡレジス）２７を塗布する。ついで、電子ビーム露光
機による描画によシ、この上に必要な・量ターンを描画
露光し、現偉処纏を行なうと、ＰＭＭＡレノス）２７に
第４図（２）に示すような溝部、２９が形成される。こ
のＰＭＭＡレジス）２７にあられれた溝列、２９を用い
、リフオオフ法により第４図（３）に示すような厚さ約
１ｏｏｏ １のＣｒ３０の・臂ターンが形成される。す
なわち、第４図（２）Ｋ示す状態に対して、上面よりＣ
ｒ３０を厚さ約１０００１’に蒸着し死後、ＰＭＭＡレ
ゾスト４を剥離液で処理して剥離すれば、ＰＭＭＡレジ
ストＩの上に乗っているＣｒはＰＭＭＡレゾストごとと
もに除去され、Ｃｒ３０の／ｆ量ターン１１開昭５８−
５６３３２ （３） 生じる。この後、このＣｒ３０の薄膜レジストとしてイ
オンビームエツチングを行ない、Ｃｒ３０のない部分の
Ａｕ２６の薄膜を除去し、第４図（４）に示すものを形
成する。さらに、背面からＳｉ基板ｎを大きくエツチン
グし、支持に必要な部分のみを残す。このようＫすれば
、第４図（５）に示すように必要な部分のみＸ線の吸収
体であるＡｕ２６の約１０００Ｘの薄膜が存在し、他は
Ｘ線を吸収しないＣｒ３０の約１０００にの薄膜とノ母
すレン翼のみを残しかっＳｌの支持部分３′によシ支見
られたＸ線用のレジストが製作される。
次に第５図にコリメートされたイオンビームによる露光
用のマスクの一例を示す。
用のマスクの一例を示す。
この第５図に示すマスクは、支持膜３１、イオン吸収体
３２、スペーサ羽とで構成されている。その支持膜３１
には、通過するイオンビームの散乱をできるだけ小さく
するような材料が用いられる。たとえば上下方向に結晶
軸を有する単結晶シリコン薄膜であシ、これは上下方向
からコ１７メートされｆＦ−イオンビームを照射すると
き、イオンビームの１入射方向と８１支持膜の緒晶軸方
向を一致させれば、チャネリングにより入射イオンビー
ムの大部分が通過し、散乱されるイオンはきわめて少な
いことを利用している０別の例では、きわめて薄くＳ堅
い材料の支持膜が用いら些る。たとえば、゛ノ臂イＶツ
クスの型に張られた厚さ数１００〜数１０００ＸのＡｔ
、Ｏ，の薄膜でイオンビームを透過させるものである。
３２、スペーサ羽とで構成されている。その支持膜３１
には、通過するイオンビームの散乱をできるだけ小さく
するような材料が用いられる。たとえば上下方向に結晶
軸を有する単結晶シリコン薄膜であシ、これは上下方向
からコ１７メートされｆＦ−イオンビームを照射すると
き、イオンビームの１入射方向と８１支持膜の緒晶軸方
向を一致させれば、チャネリングにより入射イオンビー
ムの大部分が通過し、散乱されるイオンはきわめて少な
いことを利用している０別の例では、きわめて薄くＳ堅
い材料の支持膜が用いら些る。たとえば、゛ノ臂イＶツ
クスの型に張られた厚さ数１００〜数１０００ＸのＡｔ
、Ｏ，の薄膜でイオンビームを透過させるものである。
前記支持膜３１の下部に、イオン吸収体ｎとして、たと
えばＡｕの薄膜が形成され、これにノ譬ター／が形成さ
れる。その方法はＸ線用マスクと同様でＰＭＭＡなどの
レジストの電子ビーム露光等による描画と５．それに伴
うエツチングによる。
えばＡｕの薄膜が形成され、これにノ譬ター／が形成さ
れる。その方法はＸ線用マスクと同様でＰＭＭＡなどの
レジストの電子ビーム露光等による描画と５．それに伴
うエツチングによる。
以上、Ｘ線露光用マスクと、コリメートされたイオンビ
ーム露光用のマスクとＫついて述べた。
ーム露光用のマスクとＫついて述べた。
これらのマスクにおいても、ＰＭＭＡ等のレゾストの露
光・現偉が必要であシ、この工程中で異物により欠陥が
発生することはまぬがれ得ない。
光・現偉が必要であシ、この工程中で異物により欠陥が
発生することはまぬがれ得ない。
Ｘ線露光、イオンビーム露光線、１μ以下のノやターン
に適用されると予想されるが、これらのマ、。スフにお
いても欠陥が存在し、０．２μないしそれ以１０頁 下の修正精度が要求される。これに対して、レーザ加工
法による修正が適用できな（・ことは前に述べたことか
らも明らかである。
に適用されると予想されるが、これらのマ、。スフにお
いても欠陥が存在し、０．２μないしそれ以１０頁 下の修正精度が要求される。これに対して、レーザ加工
法による修正が適用できな（・ことは前に述べたことか
らも明らかである。
本発明の目的は、前記従来技術の欠点をなくし、１〜１
．５μないしは１μｍ以下のノリーンのＩＣを製作する
ためのフオ峯マスク、Ｘ線露光用マスク。
．５μないしは１μｍ以下のノリーンのＩＣを製作する
ためのフオ峯マスク、Ｘ線露光用マスク。
イオンビーム露光用のマスク等に発生するマスクの欠陥
修正を、精度良くかつ十分に実用的な生産性をもって行
ないうるマスクの欠陥修正方法を提供するとともに、こ
の方法を確実に実施しつる装置を提供するにある。
修正を、精度良くかつ十分に実用的な生産性をもって行
ないうるマスクの欠陥修正方法を提供するとともに、こ
の方法を確実に実施しつる装置を提供するにある。
本発明の１番目の発明紘、高輝度のイオン源からイオン
ビームを引出し、該イオンビームを荷電粒子光学系によ
り微小なスポットに集束し、試料であるマスクの黒点欠
陥に照射し、該黒点欠陥を除去することを特徴とするも
ので、この構成によりマスクの欠陥修正を、精度良くか
つ十分に実用的な生産性をもって行ないうるようにでき
九本の−である。
ビームを引出し、該イオンビームを荷電粒子光学系によ
り微小なスポットに集束し、試料であるマスクの黒点欠
陥に照射し、該黒点欠陥を除去することを特徴とするも
ので、この構成によりマスクの欠陥修正を、精度良くか
つ十分に実用的な生産性をもって行ないうるようにでき
九本の−である。
また、本発明の２番目の発明は、１番目の発明において
、イオンビームの電荷によるスポットの乱れを防止しつ
つマスクの黒点欠陥に照射することを特徴とするもので
、この構成によりマスクの欠陥修正を、より一層精度良
く行ないうるようにできたものである。
、イオンビームの電荷によるスポットの乱れを防止しつ
つマスクの黒点欠陥に照射することを特徴とするもので
、この構成によりマスクの欠陥修正を、より一層精度良
く行ないうるようにできたものである。
さらに１本発明の３番目の発明は、真空容器内に試料室
を形成し、該試料室にマスクを載置する載物台を設け、
同真空容器、内に試料室に対峙させて液体金属イオン源
または極低温で動作する電界電離型のイオン源等の高輝
度のイオン源を設けるとともに、少なくとも、前記イオ
ン源からイオンビームを引出す手段と、引出されたイオ
ンビームをス４ツＩｎｃ集束する荷電粒子光学系と、イ
オンビームの出力や安定性、スｌット径、スポットの照
射方向を制御し、マスクの黒点欠陥にスポットを照射さ
せる手段とを設置したことを特徴とするもので、この構
成によシ前記１番目の発明を確実に実施できるようにな
し得九も、のである。
を形成し、該試料室にマスクを載置する載物台を設け、
同真空容器、内に試料室に対峙させて液体金属イオン源
または極低温で動作する電界電離型のイオン源等の高輝
度のイオン源を設けるとともに、少なくとも、前記イオ
ン源からイオンビームを引出す手段と、引出されたイオ
ンビームをス４ツＩｎｃ集束する荷電粒子光学系と、イ
オンビームの出力や安定性、スｌット径、スポットの照
射方向を制御し、マスクの黒点欠陥にスポットを照射さ
せる手段とを設置したことを特徴とするもので、この構
成によシ前記１番目の発明を確実に実施できるようにな
し得九も、のである。
そして１本発明の４番目の発明は、前記３番目の発明に
おいて、イオンビームの電荷によるスイットの乱れを防
ぐ手段を設けたことを特徴とするもので、この構成によ
り前記２番目の゛発明をも適確に実施できるようＫなし
得たものである。
おいて、イオンビームの電荷によるスイットの乱れを防
ぐ手段を設けたことを特徴とするもので、この構成によ
り前記２番目の゛発明をも適確に実施できるようＫなし
得たものである。
以下、本発明を図面に基づいて説明する。
第６図に本発明に係るマスクの欠陥修正装置の一実施例
を示す。
を示す。
この第６図に示す装置は、架台３７、真空容器を構成す
る鏡筒３９と試料室４ｏ、該試料室４ｏに連設された試
料交換室４１．真空排気系、試料であるマスクの載物台
間、液体金属イオン源田、コノトロール（バイアス）電
極部、イオンビームの引出し電極６７．７ ”、−＋
７６９、静電ｖｙ、ｅ７０．７１．７２、ブランキング
電極７３、アノ量−チア７４、偏向電極７５゜７６、フ
ィラメント用電源７７、コノトロール電極用電源７８、
引出し電極用電源７９、静電レンズ用電源（資）、８１
、高圧電源８２、ブランキング電極用電源部、偏向電極
用電源Ｍ、電源の制御装置間、試料室４゜内に挿入され
た２次荷電粒子検出器８６、ＳＩＭ（走ＩＥ型イオン顕
微鏡）観察装置８７、イオンビームの電荷によるスポッ
トの乱れを防ぐ手段８９とを備えている。
る鏡筒３９と試料室４ｏ、該試料室４ｏに連設された試
料交換室４１．真空排気系、試料であるマスクの載物台
間、液体金属イオン源田、コノトロール（バイアス）電
極部、イオンビームの引出し電極６７．７ ”、−＋
７６９、静電ｖｙ、ｅ７０．７１．７２、ブランキング
電極７３、アノ量−チア７４、偏向電極７５゜７６、フ
ィラメント用電源７７、コノトロール電極用電源７８、
引出し電極用電源７９、静電レンズ用電源（資）、８１
、高圧電源８２、ブランキング電極用電源部、偏向電極
用電源Ｍ、電源の制御装置間、試料室４゜内に挿入され
た２次荷電粒子検出器８６、ＳＩＭ（走ＩＥ型イオン顕
微鏡）観察装置８７、イオンビームの電荷によるスポッ
トの乱れを防ぐ手段８９とを備えている。
前記架台３７は、エアサ／−）３９により防震措置が施
されている。
されている。
前記試料室切および試料交換室４１は、前記架台３７の
上に設置され、試料室４０の上に鏡筒胎が設置されてい
る。
上に設置され、試料室４０の上に鏡筒胎が設置されてい
る。
前記試料室切と鏡筒３９とは、ダートバルブ４３で仕切
られており、試料室ωと試料交換室４１とは、他のゲー
トバルブ４３で仕切られている。
られており、試料室ωと試料交換室４１とは、他のゲー
トバルブ４３で仕切られている。
前記真空排気−系は、オイルロータリ４ンｆ４１、オイ
ルトラツノ４８、イオンビーム４９、ターが分子ポンプ
父、バルブ５１，５２．５３．５４とを有して構成され
ている。この真空排気系と前記鏡筒鵠、試料室切、試料
交換室４１とは真空ノ４イア’４４．４５．４６を介し
て接続され、これら鏡筒３９、試料室４０、試料交換室
４１を１Ｏ−５ｔ ｏ ｒ ｒ以下の真空にしうるよう
になっている。
ルトラツノ４８、イオンビーム４９、ターが分子ポンプ
父、バルブ５１，５２．５３．５４とを有して構成され
ている。この真空排気系と前記鏡筒鵠、試料室切、試料
交換室４１とは真空ノ４イア’４４．４５．４６を介し
て接続され、これら鏡筒３９、試料室４０、試料交換室
４１を１Ｏ−５ｔ ｏ ｒ ｒ以下の真空にしうるよう
になっている。
前記載物台５には、回転導入端子６１．６２．６３を介
してｘ、ｙ、ｚ方向の移動マイクロメータ５６＃５７．
５８が取付けられ、かつθ方向の移動リング５９Ｗ
１４が設けられており、載物台
間はこれら移動マイクロメータ５６．５７．５８と°移
動リング鵠とＫよりＸ。
してｘ、ｙ、ｚ方向の移動マイクロメータ５６＃５７．
５８が取付けられ、かつθ方向の移動リング５９Ｗ
１４が設けられており、載物台
間はこれら移動マイクロメータ５６．５７．５８と°移
動リング鵠とＫよりＸ。
Ｙ、ｚ方向の微動および水平面内における回転角が調整
されるようになっている。
されるようになっている。
前記載物台間の上には、試料台ωが設置され、該試料台
ωの上に試料であるマスクが載置されるようになってい
る。そして、試料台ωは試料引出し具間により試料家信
と試料交換室４１間を移動しうるようになっており、試
料交換時にはゲートバルブ３３を開け、試料台ωを試料
家信に引出し、ゲート４バルブ４３．を閉じ、試料交換
室４１の扉を開け、試料を交換・載置し、扉を閉め、試
料交換−室４１の予備排気を行なってからダートバルブ
４３を開け、試料台ωを試料室４０に入れるよう−・に
なっている。
ωの上に試料であるマスクが載置されるようになってい
る。そして、試料台ωは試料引出し具間により試料家信
と試料交換室４１間を移動しうるようになっており、試
料交換時にはゲートバルブ３３を開け、試料台ωを試料
家信に引出し、ゲート４バルブ４３．を閉じ、試料交換
室４１の扉を開け、試料を交換・載置し、扉を閉め、試
料交換−室４１の予備排気を行なってからダートバルブ
４３を開け、試料台ωを試料室４０に入れるよう−・に
なっている。
なお、第６図において試料を符号美で示す。
前記液体金属イオン源田は、鏡筒３９の頭部に、試料家
信に対峙して設けられている。この液体金属イオン源錫
の第７図に示すものは、絶縁体で作られ九ベース６５０
．該ベース６５０にＵ型に取付けられ九フイラメ７ ）
６５１ 、６５２、夕／ダステ／等１５ １ で作ら、れかつ両フイラメン） ６５１ 、６５２の先
端部間にスポット溶接等で取付けられた鋭いニードル６
５３、該ニードル６５３に取付けられたイオン源となる
金属６５４とを有して構成されている。イオン源となる
金属６５４としては、Ｇａ、Ｉｎ、Ａｕ、Ｂｉ。
信に対峙して設けられている。この液体金属イオン源錫
の第７図に示すものは、絶縁体で作られ九ベース６５０
．該ベース６５０にＵ型に取付けられ九フイラメ７ ）
６５１ 、６５２、夕／ダステ／等１５ １ で作ら、れかつ両フイラメン） ６５１ 、６５２の先
端部間にスポット溶接等で取付けられた鋭いニードル６
５３、該ニードル６５３に取付けられたイオン源となる
金属６５４とを有して構成されている。イオン源となる
金属６５４としては、Ｇａ、Ｉｎ、Ａｕ、Ｂｉ。
Ｓｎ 、 Ｃｕ等が用いられる。また、前記フィラメン
ト ６５１ 、６５２はその電極６５１’ 、 ６５２
’を通じて第６図に示すように、゛高圧電源８２に接続
されたフィラメント用電源７７に接続されている。
ト ６５１ 、６５２はその電極６５１’ 、 ６５２
’を通じて第６図に示すように、゛高圧電源８２に接続
されたフィラメント用電源７７に接続されている。
前記コントロール電極印は、液体金属イオン源田の下位
に設置され、かつ高圧電源羽に接続されたコントロール
電極用電源７８に接続されており、このコントローシミ
極印の設置位置に低い正負の電圧を印加し、イオン、ビ
ームである電流を゛制御する。
に設置され、かつ高圧電源羽に接続されたコントロール
電極用電源７８に接続されており、このコントローシミ
極印の設置位置に低い正負の電圧を印加し、イオン、ビ
ームである電流を゛制御する。
前記イオンビームの引出し電極６７は、コントロール電
極印の下位に設置され、かつ高圧電源８２に接続され九
引出し電極用電源７９に接続されている。
極印の下位に設置され、かつ高圧電源８２に接続され九
引出し電極用電源７９に接続されている。
そしｔ、前記液体金属イオン源田のフィラメント２ｏ６
５１ 、６５２に電流を供給し、１０ ’ ｔｏｒｒ
以下の真特開昭５８−５６３３２（５） 空中において加熱溶融したうえで、引出し電極６７に一
数１０． ＫＶの負の電圧を印加すると、液体金属イオ
ン源田のニードル６５３の先端部の極めて狭い領域から
イオンビームが引出される。なお、第６図中にイオンビ
ームを符号間で示し、またスポットを符号間′で示す。
５１ 、６５２に電流を供給し、１０ ’ ｔｏｒｒ
以下の真特開昭５８−５６３３２（５） 空中において加熱溶融したうえで、引出し電極６７に一
数１０． ＫＶの負の電圧を印加すると、液体金属イオ
ン源田のニードル６５３の先端部の極めて狭い領域から
イオンビームが引出される。なお、第６図中にイオンビ
ームを符号間で示し、またスポットを符号間′で示す。
前記アバ−チア６９は、引出し電極６７の下位に設置さ
れておシ、引出し電極６７により引出されたイオンビー
ムの中央部付近のみを取出すようになっている・ 前記静電レン−ｅｔｏ 、 ７１ 、７２の組は、アノ
や一チア６９の下位に配列され、かつ高圧電源８２に接
続されたレンズ用電源（資）、８１に接続されている。
れておシ、引出し電極６７により引出されたイオンビー
ムの中央部付近のみを取出すようになっている・ 前記静電レン−ｅｔｏ 、 ７１ 、７２の組は、アノ
や一チア６９の下位に配列され、かつ高圧電源８２に接
続されたレンズ用電源（資）、８１に接続されている。
これ−らあ静電レンズ７０ 、７１ 、７２は、ア・ぐ
−チア６９により取出されたイオンビームを集束するよ
うになっているＯ 前記ブランキング電極７３は、静電レンズ７２の下位に
設置され、かつ制御装置部に接続されたブランキング電
極用電源８に接続されている。このブランキング電極７
３は、極めて速い速度でイオンピ１７ ”＋ −ムを試料に向かう方向と直交する方向に走査させ、！
ランキングミ極７３０下位に設置されたア、４−チア７
４の外へはずし、試料へのイオンビームの照射を高速で
停止させるようになっている。
−チア６９により取出されたイオンビームを集束するよ
うになっているＯ 前記ブランキング電極７３は、静電レンズ７２の下位に
設置され、かつ制御装置部に接続されたブランキング電
極用電源８に接続されている。このブランキング電極７
３は、極めて速い速度でイオンピ１７ ”＋ −ムを試料に向かう方向と直交する方向に走査させ、！
ランキングミ極７３０下位に設置されたア、４−チア７
４の外へはずし、試料へのイオンビームの照射を高速で
停止させるようになっている。
前記アノ臂−チア７４は、イオンビームのスポットを試
料面上に投影結偉させるようになっている。
料面上に投影結偉させるようになっている。
前記偏向電極７５ 、７６の組は、ア・臂−チア７４の
下位に設置され、かつ制御装置あに接続された偏向電極
用電源あに接続されている。この偏向電極７５゜７６は
、前記静電レンズ？０，７１．７２で集束されたイオン
ビームのスポットをＸ、Ｙ方向に偏向させ。
下位に設置され、かつ制御装置あに接続された偏向電極
用電源あに接続されている。この偏向電極７５゜７６は
、前記静電レンズ？０，７１．７２で集束されたイオン
ビームのスポットをＸ、Ｙ方向に偏向させ。
試料の黒点欠陥に結ばせるようになっている。
前記液体金属イオン源６のフィラメント用電源ｎ、コン
トロール電極用電源７Ｂ、イオンビームの引出し電極用
電源７９、し／ズ用電源８０．８１に電圧を印加する高
圧電源８２には、数１０ ＫＶのものが使用される。
トロール電極用電源７Ｂ、イオンビームの引出し電極用
電源７９、し／ズ用電源８０．８１に電圧を印加する高
圧電源８２には、数１０ ＫＶのものが使用される。
前記制御装置部は、プランキ／グ電極用電源羽および偏
向電極用電源劇を通じて、プラン・キング電極７３およ
び偏向電極７５ 、７６を一定の・中ターンに１８
ｍ したがって作動するように制御する。
向電極用電源劇を通じて、プラン・キング電極７３およ
び偏向電極７５ 、７６を一定の・中ターンに１８
ｍ したがって作動するように制御する。
前記２次荷電粒子検出器８６は、試料室切内において試
料に向かって設置され、試料にイオンビームのスポット
が照射されたとき、試料から出る２次電子または２次イ
オンを受止め、その強度を電流の強弱に変換し、その信
号を８ＩＭ観察装置釘に送るようになっている。
料に向かって設置され、試料にイオンビームのスポット
が照射されたとき、試料から出る２次電子または２次イ
オンを受止め、その強度を電流の強弱に変換し、その信
号を８ＩＭ観察装置釘に送るようになっている。
以 下 余 白
１９頁
前記ＳＩＭ観察装置８７は、ブラウン管部な備えている
。そして、ＳＩＭ観察装［８７は偏向電極用電源８４か
らイオンビー、ムのＸ、Ｙ方向の偏向量に関する信号を
受け、これと同期させてブラウン管部の輝点を走査し、
かつその輝点の輝度を前記２次荷電粒子検出器８６から
送られて（る電流強度の信号に応じて変化させることに
より試料の各点Ｋｋける２次電子放出能に応じた試料の
僧が得られるＳＩＭ、すなわち走査型イオン顕微鏡の機
能により、試料面の拡大観察を行ないうるよ５になって
いる。
。そして、ＳＩＭ観察装［８７は偏向電極用電源８４か
らイオンビー、ムのＸ、Ｙ方向の偏向量に関する信号を
受け、これと同期させてブラウン管部の輝点を走査し、
かつその輝点の輝度を前記２次荷電粒子検出器８６から
送られて（る電流強度の信号に応じて変化させることに
より試料の各点Ｋｋける２次電子放出能に応じた試料の
僧が得られるＳＩＭ、すなわち走査型イオン顕微鏡の機
能により、試料面の拡大観察を行ないうるよ５になって
いる。
前記イオンビーム、の電荷によるスポットの乱れを防ぐ
手段８９は、偏向電極７６と試料間に設置されている。
手段８９は、偏向電極７６と試料間に設置されている。
このスポットの乱れン防ぐ手段８９の第８図に示すもの
は、イオンビームの通過方向と交差する方向に電子ジャ
ワ８９０ 、８９１ Ｙ対向装置しており、各電子ジャ
ワ８９０ 、８９１ 、はカップ型の本体８９２、その
内部に設けられたフィラメント８９３、本体８９２の開
口部に設けられた格子状の引出し電極８９４とを有して
構成されている。そして、各電特開昭５８−５６３３２
Ｃ６） 子ジャワ８９０ 、８９１はフィラメント８９３から引
出し電極８９４により１００Ｖ程度の加速電圧で電子流
８９５を引出し、該電子流８９５をイオンビームの通過
する空間に放出し、イオンビームに負電荷を与えて中和
するようになっている。このＩ！８図中、符号間はイオ
ンビーム、 ７５ 、７６は偏向電極、（イ）は試料を
示す。
は、イオンビームの通過方向と交差する方向に電子ジャ
ワ８９０ 、８９１ Ｙ対向装置しており、各電子ジャ
ワ８９０ 、８９１ 、はカップ型の本体８９２、その
内部に設けられたフィラメント８９３、本体８９２の開
口部に設けられた格子状の引出し電極８９４とを有して
構成されている。そして、各電特開昭５８−５６３３２
Ｃ６） 子ジャワ８９０ 、８９１はフィラメント８９３から引
出し電極８９４により１００Ｖ程度の加速電圧で電子流
８９５を引出し、該電子流８９５をイオンビームの通過
する空間に放出し、イオンビームに負電荷を与えて中和
するようになっている。このＩ！８図中、符号間はイオ
ンビーム、 ７５ 、７６は偏向電極、（イ）は試料を
示す。
次４、第６図ないし第９図（１）〜（４）に関連して前
記実施例の欠陥修正装置の作用とともに本発明の欠陥修
正方法の一実施態様を説明する。
記実施例の欠陥修正装置の作用とともに本発明の欠陥修
正方法の一実施態様を説明する。
黒点欠陥をもったマスク、すなわち試料頒を試料交換室
４１内において試料台ωの上に載置し、ついで試料交換
室４１ヲ密閉し、真空排気系により予備排気を行なった
後、試料引出し貫刺を介して試料室４０に入れ、載物台
５５の上に載置する。
４１内において試料台ωの上に載置し、ついで試料交換
室４１ヲ密閉し、真空排気系により予備排気を行なった
後、試料引出し貫刺を介して試料室４０に入れ、載物台
５５の上に載置する。
ついで、真空排気系により鏡筒３９と試料室４０内を１
Ｏ−６ｔｏｒｒ程度に真空引きし、その真空状態に保つ
。
Ｏ−６ｔｏｒｒ程度に真空引きし、その真空状態に保つ
。
次に、高圧電源８２および制御装置８５ヲ作動させ、液
体金属イオン源団のフィラメント用電源７７、コントロ
ール電極用電源７８゛、イオンビームの引出し２１
頁 電極源７９、偏向電極用電源８４１に通じて、液体金属
イオン源６５のフィラメント６５１ 、６５２の電極６
５１’。
体金属イオン源団のフィラメント用電源７７、コントロ
ール電極用電源７８゛、イオンビームの引出し２１
頁 電極源７９、偏向電極用電源８４１に通じて、液体金属
イオン源６５のフィラメント６５１ 、６５２の電極６
５１’。
６５２’、コントロール電極□□□、イオンビームの引
出し電極６７、静電レンズ？０ 、７１ 、７２、偏向
電極７５゜７６にそれぞれ電圧を印加する。
出し電極６７、静電レンズ？０ 、７１ 、７２、偏向
電極７５゜７６にそれぞれ電圧を印加する。
そして、当初はコントロール電極部と引出し電極６７と
により液体金属イオン源田のニードル６５３を通じてイ
オン源となる金属６５４から数ＫＶ以下の低い加速電圧
のイオンビーム６８を引出し、そのスポット郭′により
試料頒を走査するとともに、移動マイクロメータ５６
、５７ 、５８およびθ方廁移動リング５９を介して載
物台５５をｘ、ｙ、ｚ方向およびθ方向に移動させ、偏
向電極用電源編からの信号と２次荷電粒子検出器からの
信号とにより８１Ｍ観察装置８７のブラウン管部に試料
表面Ｚ拡太表示し、試料中の黒点欠陥を観察する。
により液体金属イオン源田のニードル６５３を通じてイ
オン源となる金属６５４から数ＫＶ以下の低い加速電圧
のイオンビーム６８を引出し、そのスポット郭′により
試料頒を走査するとともに、移動マイクロメータ５６
、５７ 、５８およびθ方廁移動リング５９を介して載
物台５５をｘ、ｙ、ｚ方向およびθ方向に移動させ、偏
向電極用電源編からの信号と２次荷電粒子検出器からの
信号とにより８１Ｍ観察装置８７のブラウン管部に試料
表面Ｚ拡太表示し、試料中の黒点欠陥を観察する。
そして、前記移動マイクロメータ５６ 、５７ 、５８
およびθ方向移動リング５’ｌ−作動させ、第９図（１
）に示すパターン９１に付着されている黒点欠陥９２ヲ
、第９図（２）に示すようにアバ−チア７４の投影結像
範囲９３に合致させる。
およびθ方向移動リング５’ｌ−作動させ、第９図（１
）に示すパターン９１に付着されている黒点欠陥９２ヲ
、第９図（２）に示すようにアバ−チア７４の投影結像
範囲９３に合致させる。
ついで、イオンビームの引出し電極６７に一数１０ＫＶ
の負の電圧を印加し、液体金属イオン源６のニードル６
５３の先端部の極く狭い領域からイオンビーム６８ヲ引
出し、コントロール電極６６により低・い正負の電圧を
印加して電流を制御し、前記イオンビーム絽をアバ−チ
ア６９により中央部付近のみを取出し、静電レンズ７０
、７１ 、７２により集束し、偏向電極７５ 、７６
によりＸ方向およびＹ方向に偏向させつつ試料（イ）中
の黒点欠陥９２にイオンビーム簡のスポット簡′を照射
する。
の負の電圧を印加し、液体金属イオン源６のニードル６
５３の先端部の極く狭い領域からイオンビーム６８ヲ引
出し、コントロール電極６６により低・い正負の電圧を
印加して電流を制御し、前記イオンビーム絽をアバ−チ
ア６９により中央部付近のみを取出し、静電レンズ７０
、７１ 、７２により集束し、偏向電極７５ 、７６
によりＸ方向およびＹ方向に偏向させつつ試料（イ）中
の黒点欠陥９２にイオンビーム簡のスポット簡′を照射
する。
そして、黒点欠陥９２ヲ修正するに際し、第９図（３）
に示すように、アバ−チア７４の投影結像範囲９３のＸ
方向の１列目の照射位置ｙ、におけるＸ方向の始点ｘ１
にスポット鑓′が位置するようにセットし、ついでスポ
ット銘′を１列目の照射位置ｙｌにおいてＸ方向に走査
させ、Ｘ方向の終点”ｍに到達した時点でブランキング
電極７３ヲ作動させ、スポット困′ヲアバーチア７４か
らはずして試料（イ）に照射されないようにし、スポッ
ト簡′暑終点ｘｒｎから始点６頁 ｘＩＫ戻し、Ｘ方向にΔｙ移動させ、１列目の照射位置
ｙ１からＸ方向の２列目の照射位置ｙ、に移し、この位
置からスポット銘′を再びＸ方向に走査させ、以後Ｘ方
向の最後列の照射位置Ｆｎにおけるスポット錦′の照射
終了まで前述の動作を繰返して行なうことによって第９
図（４）に示すように、黒点欠陥９２を除去することが
できる。
に示すように、アバ−チア７４の投影結像範囲９３のＸ
方向の１列目の照射位置ｙ、におけるＸ方向の始点ｘ１
にスポット鑓′が位置するようにセットし、ついでスポ
ット銘′を１列目の照射位置ｙｌにおいてＸ方向に走査
させ、Ｘ方向の終点”ｍに到達した時点でブランキング
電極７３ヲ作動させ、スポット困′ヲアバーチア７４か
らはずして試料（イ）に照射されないようにし、スポッ
ト簡′暑終点ｘｒｎから始点６頁 ｘＩＫ戻し、Ｘ方向にΔｙ移動させ、１列目の照射位置
ｙ１からＸ方向の２列目の照射位置ｙ、に移し、この位
置からスポット銘′を再びＸ方向に走査させ、以後Ｘ方
向の最後列の照射位置Ｆｎにおけるスポット錦′の照射
終了まで前述の動作を繰返して行なうことによって第９
図（４）に示すように、黒点欠陥９２を除去することが
できる。
ところで、本発明において対象とするマスクの黒点欠陥
および黒点欠陥と接続されているパターンは余積ないし
金属化合物であり、各々が分離しており、アースされて
いない◎したがって、電荷をもったイオンビームが入射
することによりパターンに電荷が集積し、後から入射す
るイオンビームの行路に影響ン与える。すなわち、イオ
ンビーム簡のスポット絽′が大きくなったり、走査させ
たときに軌道が七ねたり、あるいは投影結像したアバ−
チア７４の像の端部が乱れたりして艮好な加工が妨げら
れる。
および黒点欠陥と接続されているパターンは余積ないし
金属化合物であり、各々が分離しており、アースされて
いない◎したがって、電荷をもったイオンビームが入射
することによりパターンに電荷が集積し、後から入射す
るイオンビームの行路に影響ン与える。すなわち、イオ
ンビーム簡のスポット絽′が大きくなったり、走査させ
たときに軌道が七ねたり、あるいは投影結像したアバ−
チア７４の像の端部が乱れたりして艮好な加工が妨げら
れる。
そこで、イオンビームの電荷によるスポットの乱ｔＢ、
−防ぐ手段８９の電子ジャワ８９０ 、８９１から、イ
特開昭５８−５１Ｅ３３２（７） オンビーム簡に向って電子流８９５ヲ放出し、イオンビ
ーム関に負電荷を与えて中和する。その結果、空間電荷
効果によるイオンビーム錦の鉱がり、スポット銘′を走
査させたときの軌道のずわ、あるいはアバ−チア７４の
像の端部Ｑ′ａれな防止できるので、より一層黒点欠陥
の修正精度を向上させることができる。
−防ぐ手段８９の電子ジャワ８９０ 、８９１から、イ
特開昭５８−５１Ｅ３３２（７） オンビーム簡に向って電子流８９５ヲ放出し、イオンビ
ーム関に負電荷を与えて中和する。その結果、空間電荷
効果によるイオンビーム錦の鉱がり、スポット銘′を走
査させたときの軌道のずわ、あるいはアバ−チア７４の
像の端部Ｑ′ａれな防止できるので、より一層黒点欠陥
の修正精度を向上させることができる。
以上の工程を経て加工修正したマスクを取出すときは、
鏡筒３９と試料室４０間に設けられたゲートパルプ４２
Ｙ閉じ、試料室４０と試料交換室４１間に設けられたゲ
ートバルブ４３ヲ開け、試料引出し具６により試料台ω
を試料交換室４】に引出し、ゲートパルプ４３を閉じ、
試料交換室４１の扉を開け、前記加工修正したマスクを
取出し、後工程に送付する。
鏡筒３９と試料室４０間に設けられたゲートパルプ４２
Ｙ閉じ、試料室４０と試料交換室４１間に設けられたゲ
ートバルブ４３ヲ開け、試料引出し具６により試料台ω
を試料交換室４】に引出し、ゲートパルプ４３を閉じ、
試料交換室４１の扉を開け、前記加工修正したマスクを
取出し、後工程に送付する。
実際に黒点欠陥ケ除去した条件を示すと、厚さ６００
ＸのＣｒマスクの黒点欠陥に対し、Ｇａの液体金属イオ
ン源から加速電圧４５ ＫＶで引出し、静電レンズによ
り０．２μ−に絞り、かつ偏向電源により加μ／５Ｉｌ
ｃの速度でイオンビームのスポラトラ走査して良好な加
工結果を得た。
ＸのＣｒマスクの黒点欠陥に対し、Ｇａの液体金属イオ
ン源から加速電圧４５ ＫＶで引出し、静電レンズによ
り０．２μ−に絞り、かつ偏向電源により加μ／５Ｉｌ
ｃの速度でイオンビームのスポラトラ走査して良好な加
工結果を得た。
５１
次に、本発明の異なる色々な実施例について説明する。
まず、真空排気系は前記第６図に示すものに限らず、オ
イルロータリポンプとディフュージョン５ポンプとオイ
ルトラップとを組合わせて構成してもよ（、またオイル
ロータリポンプとクライオポンプとイオンポンプとチタ
ンポンプとを組合わせて構成してもよい。
イルロータリポンプとディフュージョン５ポンプとオイ
ルトラップとを組合わせて構成してもよ（、またオイル
ロータリポンプとクライオポンプとイオンポンプとチタ
ンポンプとを組合わせて構成してもよい。
また、イオン源は第６図および第７図に示す液体金属イ
オン源団に限らず、１０−′１ｔｏｒｒ以下の高真空で
動作する極低温の電界電離型のイオン源を用いることも
可能である。
オン源団に限らず、１０−′１ｔｏｒｒ以下の高真空で
動作する極低温の電界電離型のイオン源を用いることも
可能である。
第１０図に前記極低温の電界電離型のイオン源を示す。
この第１０図に示されるものは、ガス送出用孔６５６を
有する支持部６５５、該支持部６５５に設けられた金属
製のニードル６５７、サファイア等の絶縁体６５９によ
り支持部６５５に対して電気的に絶縁された引出し電極
６５８とン備えている。前記支持部６５５は、液体ヘリ
ウムの冷凍器に接続され、支持部６５５とニードル６５
７とは前記冷凍器により液６１ 体ヘリウム温度にまで冷却されている。この支持部６５
５に設けられた孔６５６から希ガス、Ｈ，ガス等のイオ
ン化用ガス６６０が送込まれ、そのガス原子はニードル
６５７の表面に吸着さね、高い密度を有５するようにな
る。そして、引出し電極６５８に電圧が印加されるに伴
い、その高電圧によりガス原子がニードル６５７の先端
部の極めて、狭い領域から電界電離し、イオンビーム６
６１として引出される。
有する支持部６５５、該支持部６５５に設けられた金属
製のニードル６５７、サファイア等の絶縁体６５９によ
り支持部６５５に対して電気的に絶縁された引出し電極
６５８とン備えている。前記支持部６５５は、液体ヘリ
ウムの冷凍器に接続され、支持部６５５とニードル６５
７とは前記冷凍器により液６１ 体ヘリウム温度にまで冷却されている。この支持部６５
５に設けられた孔６５６から希ガス、Ｈ，ガス等のイオ
ン化用ガス６６０が送込まれ、そのガス原子はニードル
６５７の表面に吸着さね、高い密度を有５するようにな
る。そして、引出し電極６５８に電圧が印加されるに伴
い、その高電圧によりガス原子がニードル６５７の先端
部の極めて、狭い領域から電界電離し、イオンビーム６
６１として引出される。
この極低温の電界電離型のイオン源は、通常の温度によ
る電界電離型のイオン源に比べてガス原子のニードル先
端近辺での吸着密度が極めて高いため、高輝度のイオン
源となる。
る電界電離型のイオン源に比べてガス原子のニードル先
端近辺での吸着密度が極めて高いため、高輝度のイオン
源となる。
さらに、イオンビームな集束する荷電粒子光学系はへ第
６図に示す３枚１組の静電レンズ７０，７１゜７２に限
らス、アインツエルレンズ音用いることも可能であり、
またレンズの枚数も３枚に限らない◇また・荷電粒子光
学系のレンズとブランキング電極とアバ−チアと偏向電
極との設置順序も第６図に示す順序に限らず、様々に変
えることができるＯ 第１１図（１） 、 （２） 、 （３） 、 （４）
に荷電粒子光学系のレンズと７バーチアとの色々な実施
例を示す。
６図に示す３枚１組の静電レンズ７０，７１゜７２に限
らス、アインツエルレンズ音用いることも可能であり、
またレンズの枚数も３枚に限らない◇また・荷電粒子光
学系のレンズとブランキング電極とアバ−チアと偏向電
極との設置順序も第６図に示す順序に限らず、様々に変
えることができるＯ 第１１図（１） 、 （２） 、 （３） 、 （４）
に荷電粒子光学系のレンズと７バーチアとの色々な実施
例を示す。
その第１１図（１）に示すものは、イオン源６８０の下
位にアバ−チア６８１ヲ設置し、その下位にレンズ７０
０ 、７０１ 、７０２の組を設置しており、アバ−チ
ア６８１から出た像をレンズ７００ 、７０１ 、７０
２により試料頭の上に結像投影するようにしている。
位にアバ−チア６８１ヲ設置し、その下位にレンズ７０
０ 、７０１ 、７０２の組を設置しており、アバ−チ
ア６８１から出た像をレンズ７００ 、７０１ 、７０
２により試料頭の上に結像投影するようにしている。
また、＠１１図（２）に示すものはイオン源６８０の下
位に１段目のレンズ７０３ ’＋ ７０４ 、７０５の
組と、２段目のレンズ７０６ 、７０７の組とｔ間隔を
おいて配置し、これら“１段目のレンズ７０３ 、７０
４ 、７０５の組と２段目のレンズ７０６ 、７０７の
粗間にアバ−チア６８２す設置している。そして、イオ
ン源６８０から出たイオンビームを１段目のレンズ７０
３ 、７０４゜７０５により平行ビームに変え、アバ−
チア６８２により平行ビームの中央部付近な取出し、そ
の像を２段目のレンズ７０６ 、７０７により試料頒の
上に結像投影するようにしている・この第１１図（２）
に示すものは、第１１図（１）に示すものに比べてイオ
ンビームのより多（の部分を試料の照射に用いることが
できる。
位に１段目のレンズ７０３ ’＋ ７０４ 、７０５の
組と、２段目のレンズ７０６ 、７０７の組とｔ間隔を
おいて配置し、これら“１段目のレンズ７０３ 、７０
４ 、７０５の組と２段目のレンズ７０６ 、７０７の
粗間にアバ−チア６８２す設置している。そして、イオ
ン源６８０から出たイオンビームを１段目のレンズ７０
３ 、７０４゜７０５により平行ビームに変え、アバ−
チア６８２により平行ビームの中央部付近な取出し、そ
の像を２段目のレンズ７０６ 、７０７により試料頒の
上に結像投影するようにしている・この第１１図（２）
に示すものは、第１１図（１）に示すものに比べてイオ
ンビームのより多（の部分を試料の照射に用いることが
できる。
次に、第１１図（３） 、 （４）に示すものはイオン
源６８０の下位にズームレンズである１段目のレンズ７
０８゜７０９ 、７１０の組を配置し、その下位に開口
部の寸法可変のアバ−チア６８３を設置し、さらにその
下位に′２段目のレンズ７１１ 、７１２ 、７１３の
組を配置している。そして、第１１図（３）ではアバ−
チア６８３の開口部の寸法すを狭（調節し、イオンビー
ムをズームレンズである１段目のレンズ７０８ 、７０
９ 。
源６８０の下位にズームレンズである１段目のレンズ７
０８゜７０９ 、７１０の組を配置し、その下位に開口
部の寸法可変のアバ−チア６８３を設置し、さらにその
下位に′２段目のレンズ７１１ 、７１２ 、７１３の
組を配置している。そして、第１１図（３）ではアバ−
チア６８３の開口部の寸法すを狭（調節し、イオンビー
ムをズームレンズである１段目のレンズ７０８ 、７０
９ 。
７１０によりアバ−チア６８３の開口部の寸法すよりも
やや太き目あ寸法Ｃに絞込み、アバ−チア６８３から出
たイ象′ｌｋ２段目のレンズ７１１ 、７１２ 、７１
３により試料美の上に寸法轟をもって投影させている。
やや太き目あ寸法Ｃに絞込み、アバ−チア６８３から出
たイ象′ｌｋ２段目のレンズ７１１ 、７１２ 、７１
３により試料美の上に寸法轟をもって投影させている。
ついで、第１１図（４）ではアバ−チア６８３の開口部
を第１１図（３）の寸法すよりも広い寸法ｂ′に調節し
、イオンビームな１段目のレンズ７０８ 、７０９ 、
７１０で前記寸法ｂ′よりもやや太き目の寸法Ｃ′に絞
り、２段目のレンズ７１１ 、７１２ 、７１３により
試料匍の上に寸法ａ′に投影するようにしている。これ
ら第１１図（３） 、 （４１に示す構成によればイオ
ンビームのサラに多くの部分を試料頒の上に照射させる
ことができる。
を第１１図（３）の寸法すよりも広い寸法ｂ′に調節し
、イオンビームな１段目のレンズ７０８ 、７０９ 、
７１０で前記寸法ｂ′よりもやや太き目の寸法Ｃ′に絞
り、２段目のレンズ７１１ 、７１２ 、７１３により
試料匍の上に寸法ａ′に投影するようにしている。これ
ら第１１図（３） 、 （４１に示す構成によればイオ
ンビームのサラに多くの部分を試料頒の上に照射させる
ことができる。
なお、アバ−チアの開口部は、円形、多角形等、任意の
形状に形成してもよいが、四角形でかつ寸法可変のもの
が最も使い易い。
形状に形成してもよいが、四角形でかつ寸法可変のもの
が最も使い易い。
第１２図（１１、＋２）、第１３図Ｔ１） 、 （２）
、 （３）、第１４図（１）。
、 （３）、第１４図（１）。
（ｉ）、 （３）、第１５図に開口部の寸法を可変とし
たアバ−チアと、これの使用方法と・黒点欠陥とアバ−
チアの開口部との位置および寸法合わせに使用する装置
とを示す。
たアバ−チアと、これの使用方法と・黒点欠陥とアバ−
チアの開口部との位置および寸法合わせに使用する装置
とを示す。
その第１２図（１） 、 （２）に示すアバ−チアは、
水平面内のＸ方向に対置された第１．第２のスライドプ
レート６８５ 、６８６、Ｙ方向に対置された第３．＠
４のスライドプレー） ６８７ 、６８８ 、真空容器
の壁６８４ Ｋ外部から操作しうるように取付けられか
つ第１．第２．第３．第４のスライドプレート６８５゜
６８６ 、６８７ 、６８８にそれぞれ連結されたマイ
クロメータ式の第１．第２．第３．第４の微動送り手段
６８９ 、６９０ 、６９１ 、６９２とを備えている
。前記第１．第２のスライドプレー） ６８５ 、６８
６の対向頁
３０ 頁１面と、第３１第４の
スライドプレート６Ｆ１７ 、６８８の対向面とは刃型
に形成されている。また、第１゜第２のスライドグレー
ト６８５ 、６８６と第３．第４のスライドグレート 介してパック・トウ・バックに配置されている。
水平面内のＸ方向に対置された第１．第２のスライドプ
レート６８５ 、６８６、Ｙ方向に対置された第３．＠
４のスライドプレー） ６８７ 、６８８ 、真空容器
の壁６８４ Ｋ外部から操作しうるように取付けられか
つ第１．第２．第３．第４のスライドプレート６８５゜
６８６ 、６８７ 、６８８にそれぞれ連結されたマイ
クロメータ式の第１．第２．第３．第４の微動送り手段
６８９ 、６９０ 、６９１ 、６９２とを備えている
。前記第１．第２のスライドプレー） ６８５ 、６８
６の対向頁
３０ 頁１面と、第３１第４の
スライドプレート６Ｆ１７ 、６８８の対向面とは刃型
に形成されている。また、第１゜第２のスライドグレー
ト６８５ 、６８６と第３．第４のスライドグレート 介してパック・トウ・バックに配置されている。
このアバ−チアでは、第１．第２の微動送り手段６８９
−、６９０を操作することによって、第１．！２のスラ
イドプレー） ６８５ 、６８６がＸ方向に移動するの
で・開口部のＸ方向の寸法および位置を微動調整でき、
Ｉｔ！３．第４の微動送り手段６９１ 、６９２を操作
することによって第３．第４のスライドプレー） ６８
７ 、６８８がＹ方向に移動するので、開口部のＹ方向
の寸法および位置を微動調整することかで゛きる。
−、６９０を操作することによって、第１．！２のスラ
イドプレー） ６８５ 、６８６がＸ方向に移動するの
で・開口部のＸ方向の寸法および位置を微動調整でき、
Ｉｔ！３．第４の微動送り手段６９１ 、６９２を操作
することによって第３．第４のスライドプレー） ６８
７ 、６８８がＹ方向に移動するので、開口部のＹ方向
の寸法および位置を微動調整することかで゛きる。
第１３図（１） 、 ＋２） 、 ＋３）は、隣合わせ
のパターン間の間隔が狭い所に付着した黒点欠陥を除去
する場合に、前記第１２図＋１） 、 （２１を適用し
た使用例を示す。
のパターン間の間隔が狭い所に付着した黒点欠陥を除去
する場合に、前記第１２図＋１） 、 （２１を適用し
た使用例を示す。
゛すなわち、第１３図（１）に示すように、隣合わせの
パターン９４に付着された黒点欠陥％の位置および寸法
に合わせて第１２図（１１、（２）に示すアバ−チアの
第３１頁 １．第２．＠３．第４のスライドプレート６８５゜６８
ｆｉ 、 ６８７ 、６８８を移動させ、調節されたア
バ−チアの開口部により第１３図（２）に示すように、
黒点欠陥９６を投影結像範囲である矩形の枠６９４で囲
み、この枠６９４内で前記第９図（３）に示す要領でス
ポットを走査させ、黒点欠陥９６を除去し、＠１３図（
３］に示すようにパターン９４を修正する。
パターン９４に付着された黒点欠陥％の位置および寸法
に合わせて第１２図（１１、（２）に示すアバ−チアの
第３１頁 １．第２．＠３．第４のスライドプレート６８５゜６８
ｆｉ 、 ６８７ 、６８８を移動させ、調節されたア
バ−チアの開口部により第１３図（２）に示すように、
黒点欠陥９６を投影結像範囲である矩形の枠６９４で囲
み、この枠６９４内で前記第９図（３）に示す要領でス
ポットを走査させ、黒点欠陥９６を除去し、＠１３図（
３］に示すようにパターン９４を修正する。
次に、第１４図（１） 、 （２１、（３）は、パター
ン９７ 、９８のうちの、パターン９７に大きな黒点欠
陥的が付着している場合に、第１２図（１１、（２）
Ｋ示す開口部の寸法可変のアバ−チアを使用する例を示
すもので、大きな黒点欠陥的の位置および寸法に合わせ
て矩形の枠６９５を形成しうるようにする外は、前記第
１３図（１） 、 ＋２１ 、 （３１Ｋ示すものと同
様である。
ン９７ 、９８のうちの、パターン９７に大きな黒点欠
陥的が付着している場合に、第１２図（１１、（２）
Ｋ示す開口部の寸法可変のアバ−チアを使用する例を示
すもので、大きな黒点欠陥的の位置および寸法に合わせ
て矩形の枠６９５を形成しうるようにする外は、前記第
１３図（１） 、 ＋２１ 、 （３１Ｋ示すものと同
様である。
さらに、第１５図はパターンの黒点欠陥と開口部の寸法
可変のアバ−チアの開口部との位置および寸法合わせに
ＴＶモニタを使用する装置を示す。
可変のアバ−チアの開口部との位置および寸法合わせに
ＴＶモニタを使用する装置を示す。
この図に示す装置は、電子ライン発生ユニット６９６と
ＴＶモニタ６９７とを備えている。そし、て、この装置
では前記第１２図に示す開口部の寸法可変特開昭５８−
５６３３２ （９） のアバ−チアの、第１．第２．第３．第４の微動送り手
段６８９ 、６９０ 、６９１ 、６９２にポテンショ
メータ等を連動させ、これからの信号６９８を電子ライ
ン発生ユニット６９６に入れ、この電子ライン発生ユニ
ット６９６からＴＶモニタ６９７に前記アバ−チアの第
１ 、ｉ２．８３ 、＠４のスライドプレート６８５
、６８６ 、６８７ 、６８８の位置の信号６９９を送
り蒐この信号に基づき、 ＴＶモニタ６９７ Ｋ Ｘ方
向の位置をＸｌ、Ｘ、の電子ラインで示し、Ｙ方向の位
置なＹ、、Ｙ、の電子ラインで表示する。したがって、
この装置を使用することにより、黒点欠陥の位置および
寸法に合わせてアバ−チアの開口部を正確にかつ容易に
調整することができる。
ＴＶモニタ６９７とを備えている。そし、て、この装置
では前記第１２図に示す開口部の寸法可変特開昭５８−
５６３３２ （９） のアバ−チアの、第１．第２．第３．第４の微動送り手
段６８９ 、６９０ 、６９１ 、６９２にポテンショ
メータ等を連動させ、これからの信号６９８を電子ライ
ン発生ユニット６９６に入れ、この電子ライン発生ユニ
ット６９６からＴＶモニタ６９７に前記アバ−チアの第
１ 、ｉ２．８３ 、＠４のスライドプレート６８５
、６８６ 、６８７ 、６８８の位置の信号６９９を送
り蒐この信号に基づき、 ＴＶモニタ６９７ Ｋ Ｘ方
向の位置をＸｌ、Ｘ、の電子ラインで示し、Ｙ方向の位
置なＹ、、Ｙ、の電子ラインで表示する。したがって、
この装置を使用することにより、黒点欠陥の位置および
寸法に合わせてアバ−チアの開口部を正確にかつ容易に
調整することができる。
前°記アバーチアの投影結像範囲の調整は、第１２図＋
１） 、 （２１に示す機械的に行なうものに限らず、
デフレクタ電源で行なうようにしてもよい。
１） 、 （２１に示す機械的に行なうものに限らず、
デフレクタ電源で行なうようにしてもよい。
また、本発明では前記イオンビームの電極用電源７９、
レンズ用電源７９ 、８０に代えて、分割抵抗器を用い
る場合もある。
レンズ用電源７９ 、８０に代えて、分割抵抗器を用い
る場合もある。
進んで、第１６図、第１７図（１１、（２）、第１８図
はイ第３１ ンビームの電荷によるスポットの乱れを防ぐ手段におけ
る第８図に示すものに対して異なる実施例を示す。
はイ第３１ ンビームの電荷によるスポットの乱れを防ぐ手段におけ
る第８図に示すものに対して異なる実施例を示す。
その第１６図に示す手段は、電子シャツ８９６゜８９７
′％：試料匍の表面に向けて設置し、電子流８９８を試
料美の表面に照射し、イオンビームの照射による試料匍
の電荷蓄積を防止しつるようになっている外は、第８図
に示すものと同様である。
′％：試料匍の表面に向けて設置し、電子流８９８を試
料美の表面に照射し、イオンビームの照射による試料匍
の電荷蓄積を防止しつるようになっている外は、第８図
に示すものと同様である。
次に第１７図（１３、（２）に示す手段は、ｘ、ｙ、ｚ
方向に移動しうるアーム８９８とこれに取付けられたプ
ローバ８９９とを備え、アーム８９８をアースしている
。そして、ブローバ８９９を黒点欠陥１０１を有するパ
ターン１００に接触させて使用し、試料頒にイオンビー
ム簡が照射されたとき、その電荷がパターン１００、プ
ローバ８９９およびアーム８９８を通 １じてアースへ
と流れるようにしている。その結果、試料匍への電荷の
蓄積を防止することができる。
方向に移動しうるアーム８９８とこれに取付けられたプ
ローバ８９９とを備え、アーム８９８をアースしている
。そして、ブローバ８９９を黒点欠陥１０１を有するパ
ターン１００に接触させて使用し、試料頒にイオンビー
ム簡が照射されたとき、その電荷がパターン１００、プ
ローバ８９９およびアーム８９８を通 １じてアースへ
と流れるようにしている。その結果、試料匍への電荷の
蓄積を防止することができる。
さらに、第１８図に示す手段は、試料台ωの上にマスク
基板９０１を設置し、マスク基板９０１の全面に極めて
薄く金属またはＩｎ５ｅｔ 、 Ｓｎｕｇなどの導電３
４ｉ’ｉ 性化谷物の薄膜９０３を蒸着し、導電材製のクランパ９
０４で固定する。これにより、試料であるマスクの、光
やＸ線、イオンビームに対する透過率を全く変えること
な（、）くターン９０２からの電荷を、導電材製のクラ
ンパ９０４および試料台ωを通じてアースへ流すことが
モき、したがってイオンビームを照射したときの電荷の
蓄積を防止することができる。
基板９０１を設置し、マスク基板９０１の全面に極めて
薄く金属またはＩｎ５ｅｔ 、 Ｓｎｕｇなどの導電３
４ｉ’ｉ 性化谷物の薄膜９０３を蒸着し、導電材製のクランパ９
０４で固定する。これにより、試料であるマスクの、光
やＸ線、イオンビームに対する透過率を全く変えること
な（、）くターン９０２からの電荷を、導電材製のクラ
ンパ９０４および試料台ωを通じてアースへ流すことが
モき、したがってイオンビームを照射したときの電荷の
蓄積を防止することができる。
本発明は、以下説明した構成９作用のもので、本発明の
１番目の発明によれば、高輝度のイオン源からイオンビ
ームな引出し、該イオンビームな荷電粒子光学系により
微小なスポットに集束し、試料であるマスクの黒点欠陥
に照射し、該黒点欠陥！除去するようにしているので、
１〜１．５μなＸ、−５し１μ以下のパターンＩＣを製
作するためのフォトマスク、Ｘ線露光用マスク、イオン
ビーム露光用のマスク等に発生する黒点欠陥を高精度に
修正できる効果があり、十分に実用的な生産性をもって
修正できる効果もある。
１番目の発明によれば、高輝度のイオン源からイオンビ
ームな引出し、該イオンビームな荷電粒子光学系により
微小なスポットに集束し、試料であるマスクの黒点欠陥
に照射し、該黒点欠陥！除去するようにしているので、
１〜１．５μなＸ、−５し１μ以下のパターンＩＣを製
作するためのフォトマスク、Ｘ線露光用マスク、イオン
ビーム露光用のマスク等に発生する黒点欠陥を高精度に
修正できる効果があり、十分に実用的な生産性をもって
修正できる効果もある。
また、本発明の２番目の発明によれば、１番目の発明に
おいて、イオンビームの電荷によるスポットの乱れを防
止しつつマスクの黒点欠陥に照射するようにしているの
で、より一層高精度に修正できる効果がある。
おいて、イオンビームの電荷によるスポットの乱れを防
止しつつマスクの黒点欠陥に照射するようにしているの
で、より一層高精度に修正できる効果がある。
さらに、本発明の３番目の発明によれば、真空容器内に
試料室ン形成し、該試料室にマスクを載置する載物台を
設け、同真空容器内に試料室に対峙させて液体金属イオ
ン源または極低温で動作する電界電離型のイオン源等の
高輝度のイオン源を設けるとともに、少なくとも、前記
イオン源からイオンビームな引出す手段と、引出された
イオンビームなスポットに集束する荷電粒子光学系と、
イオンビームの出力や安定性、スポット径、スポットの
照射方向を制御し、マスクの黒点欠陥にスポットを照射
させる手段とを設置した構成としているので、前記１番
目の発明を確実に実施できる効果がある。
試料室ン形成し、該試料室にマスクを載置する載物台を
設け、同真空容器内に試料室に対峙させて液体金属イオ
ン源または極低温で動作する電界電離型のイオン源等の
高輝度のイオン源を設けるとともに、少なくとも、前記
イオン源からイオンビームな引出す手段と、引出された
イオンビームなスポットに集束する荷電粒子光学系と、
イオンビームの出力や安定性、スポット径、スポットの
照射方向を制御し、マスクの黒点欠陥にスポットを照射
させる手段とを設置した構成としているので、前記１番
目の発明を確実に実施できる効果がある。
また、本発明の４番目の発明によれば、前記３番目の発
明において、イオンビームの電荷によるＸ ホ’７ ）
の乱れｔ防ぐ手段を設けているので、前
明において、イオンビームの電荷によるＸ ホ’７ ）
の乱れｔ防ぐ手段を設けているので、前
ｗＪ１図はガラス基板上にクロム金属等を蒸着したフォ
トマスクの縦断面図、第２図はフォトマスクの平面図で
あってマスクに発生する黒点欠陥と白点欠陥を示す図、
第３図はレーザ加工を用いた従来のマスクの欠陥修正装
置を示す図、第４図（１）。 （２） 、 ＋３１ 、 （４１、（５１はＸ線用のマ
スクの製作工程とその製品の一例を示す図、第５図はイ
オンビーム露光用のマスクの一例を示す縦断面図、第６
図は本発明のマスク欠陥修正方法を実施する装置の一実
施例な示すブ・ツク図、第７図は第６−に示す装置中の
液体金属イオン源の一実施例乞示す拡大斜視図、第８図
はイオンビームの電荷によるスポットの乱わを防ぐ手段
の一実施例を示す拡大断面図、第９図（１） 、 （２
） 、 （３１、（４）は第６図に示す装置を使用して
行なう本発明の実施態様を示す図、第１０図はイオン源
の異なる実施例を示すもので、極低温の電界電離型イオ
ン源の拡大断面図、第１１図（１） 、 （２）。 （３）、（４）は荷を粒子光学系のレンズと、イオンヒ
ー７ ムを試料の上に投影結偉させるアバ−チアとの組合わせ
の異なる色々な実施例を示す図、第１２図（１）および
（２）は開口部の寸法可変のアバ−チアの拡大縦断正面
図および側面図、第１３図（１） 、 （２） 、 （
３）および第１４図（１） 、 （２１、（３）は開口
部の寸法可変のアバ−チアを使用して行なう欠陥修正工
程を示す図、第１５図は黒点欠陥の位置および寸法と開
口部の寸法可変のアバ−チアの開口部との位置および寸
法合わせの状態を表示する装置のブロック図、第１６図
はイオンビームの電荷によるスポットの乱れを防ぐ手段
のＷｃ８図に対して異なる実施例を示す断面図、第１７
図（１）および（２）は前記手段の他の実施例を示す正
面図および平面図、第１８図は前記手段の別の実施例の
縦断面図である・ ３７・・・架台、３９・・・鏡筒、４０・・・試料室、
４１・・・試料交換室、４２〜５４・・・真空排気系の
構成部材、関・・・載物台、５６．５７．５８・・・ｘ
、ｙ、ｚ方向の移動マイクロメータ、５９・・・θ方向
移動リング、ω・・・試料台、液体金属イオン源、６５
０〜６５４・・・液体金属イオン源の構成部材、６５５
〜６５９・・・極低温で動作する電界電離型のイオン源
の構成部材、閉・・・コントロール［極、６７・・・イ
オンビームの引出し電極、６９ 、７４ 。 ６８１ 、６８２ 、６８３・・・アバ−チア、６８５
〜６９２・・・開口部の寸法可変のアバ−チアの構成部
材、簡・・・イオンビーム、６８’・・・イオンビーム
のスポット、７０〜７２・・・荷電粒子光学系の静電レ
ンズ、７００〜７］３・・・レンズ、７３・・・ブラン
キング電極、７５ 、７６・・・偏向電極、７７〜８４
・・・各電極用の電源、あ・・・制御装置、８７・・・
２次荷電粒子検出器、８９・・・イオンビームの電荷に
よるスポットの乱れを防ぐ手段、８９０〜９０４・・・
同手段を構成する部材、匍・・・試料、９１ 、９４
、９５ 。 ９７ 、９８ 、１００・・・パターン、９２，９６．
９９，１０１・・・黒点欠陥。 代理人弁理士 秋 本 正 実 第１図 ２ 第２Ｅ 第３図 第７図 第８図 第９図 （１） （２） （３） ｘ（４） 第ｉｏｍ （３） （４） 第１２図 （１） （２） 第１３図 （１） （２） （３） 第１４図 （３） 第１５図 第１６ｖＡ 第１７図 第１８図
トマスクの縦断面図、第２図はフォトマスクの平面図で
あってマスクに発生する黒点欠陥と白点欠陥を示す図、
第３図はレーザ加工を用いた従来のマスクの欠陥修正装
置を示す図、第４図（１）。 （２） 、 ＋３１ 、 （４１、（５１はＸ線用のマ
スクの製作工程とその製品の一例を示す図、第５図はイ
オンビーム露光用のマスクの一例を示す縦断面図、第６
図は本発明のマスク欠陥修正方法を実施する装置の一実
施例な示すブ・ツク図、第７図は第６−に示す装置中の
液体金属イオン源の一実施例乞示す拡大斜視図、第８図
はイオンビームの電荷によるスポットの乱わを防ぐ手段
の一実施例を示す拡大断面図、第９図（１） 、 （２
） 、 （３１、（４）は第６図に示す装置を使用して
行なう本発明の実施態様を示す図、第１０図はイオン源
の異なる実施例を示すもので、極低温の電界電離型イオ
ン源の拡大断面図、第１１図（１） 、 （２）。 （３）、（４）は荷を粒子光学系のレンズと、イオンヒ
ー７ ムを試料の上に投影結偉させるアバ−チアとの組合わせ
の異なる色々な実施例を示す図、第１２図（１）および
（２）は開口部の寸法可変のアバ−チアの拡大縦断正面
図および側面図、第１３図（１） 、 （２） 、 （
３）および第１４図（１） 、 （２１、（３）は開口
部の寸法可変のアバ−チアを使用して行なう欠陥修正工
程を示す図、第１５図は黒点欠陥の位置および寸法と開
口部の寸法可変のアバ−チアの開口部との位置および寸
法合わせの状態を表示する装置のブロック図、第１６図
はイオンビームの電荷によるスポットの乱れを防ぐ手段
のＷｃ８図に対して異なる実施例を示す断面図、第１７
図（１）および（２）は前記手段の他の実施例を示す正
面図および平面図、第１８図は前記手段の別の実施例の
縦断面図である・ ３７・・・架台、３９・・・鏡筒、４０・・・試料室、
４１・・・試料交換室、４２〜５４・・・真空排気系の
構成部材、関・・・載物台、５６．５７．５８・・・ｘ
、ｙ、ｚ方向の移動マイクロメータ、５９・・・θ方向
移動リング、ω・・・試料台、液体金属イオン源、６５
０〜６５４・・・液体金属イオン源の構成部材、６５５
〜６５９・・・極低温で動作する電界電離型のイオン源
の構成部材、閉・・・コントロール［極、６７・・・イ
オンビームの引出し電極、６９ 、７４ 。 ６８１ 、６８２ 、６８３・・・アバ−チア、６８５
〜６９２・・・開口部の寸法可変のアバ−チアの構成部
材、簡・・・イオンビーム、６８’・・・イオンビーム
のスポット、７０〜７２・・・荷電粒子光学系の静電レ
ンズ、７００〜７］３・・・レンズ、７３・・・ブラン
キング電極、７５ 、７６・・・偏向電極、７７〜８４
・・・各電極用の電源、あ・・・制御装置、８７・・・
２次荷電粒子検出器、８９・・・イオンビームの電荷に
よるスポットの乱れを防ぐ手段、８９０〜９０４・・・
同手段を構成する部材、匍・・・試料、９１ 、９４
、９５ 。 ９７ 、９８ 、１００・・・パターン、９２，９６．
９９，１０１・・・黒点欠陥。 代理人弁理士 秋 本 正 実 第１図 ２ 第２Ｅ 第３図 第７図 第８図 第９図 （１） （２） （３） ｘ（４） 第ｉｏｍ （３） （４） 第１２図 （１） （２） 第１３図 （１） （２） （３） 第１４図 （３） 第１５図 第１６ｖＡ 第１７図 第１８図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、液体金属イオン源、極低温で動作する電界電離型の
イオン源等の高輝度のイオン源からイオンビームを引出
し、該イオンビームを荷電粒子光学系により微小なスポ
ットに集束し、試料であるマスクの黒点欠陥に照射し、
該黒点欠陥を除去することを特徴とするマスクの欠陥修
正方法。 ２、液体金属イオン系、極低温で動作する電界電離型の
イオン源等の高輝度のイオン源からイオンビームを引出
し、該イオンビームを荷電粒子光学系により微小なスポ
ットに集束するとともに、イオンビームの電荷によるス
ポットの乱れを防止しつつマスクの黒点欠陥に照射し、
該黒点欠陥を １除去することを特徴とするマスクの欠
陥修正方法。 ３、 前記イオンビームをマスクの黒点欠陥の、大きさ
よシも小さいスポットに集束し、該スポットをマスクの
黒点欠陥に照射するとともに走査させることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項または２頁 第２項記載のマスクの欠陥修正方法。 ４、真空容器内に試料室を形成し、該試料室にマスクを
載置する載物台を設け、同真空容器内に試料室に対峙さ
せて液体金属イオン源または極低温で動作する電界電離
型のイオン源等の高輝度のイオン源を設けるとともに、
少なくとも、前記イオン源からイオンビームを引出す手
段と、引出されたイオンビームをスポットに集束する荷
電粒子光学系と、イオンビームの出力や安定性、スポッ
ト径、スポットの照射方向を制御し、マスクの黒点欠陥
にスポットを照射させる手段とを設置したことを特徴と
するマスクの欠陥修正装置。 ５、真空容器内に試料室を形成し、該試料室にマスクを
載置する載物台を設け、同真空容器内に・、試料室に対
峙させて液体金属イオン源または極低温で動作する電界
電離型のイオン源等の高輝度のイオン源を設けるととも
に、少なくとも、前記イオン源からイオンビームを引出
す手段と、引出されたイオンビームをスポットに集束す
る荷電粒子光学系と、イオンビームの出力や安定性、ス
ポットの照射方向を制御し、マスクの黒点欠陥にスポッ
トを照射させる手段とを設置し、さらにイオンビームの
電荷によるスポットの乱れを防ぐ手段を設けたことを特
徴とするマスクの欠陥修正装置。 ６、 前記スポットの乱れを防ぐ手段は、イオンビーム
を電気的に中和するように構成されていモことを特徴と
する特許請求の範囲第５項記載のマスクの欠陥修正装置
。 ７、 前記ス４ットの乱れを防ぐ手段祉、マスクの配線
ツヤターンを通じてイオンビ・−ムの電荷を外部に流出
させるように構成されていることを特徴とする特許請求
の範囲第５項記載のマスクの欠陥修正装置。
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