JPS6094728A - 荷電粒子ビームを用いた加工方法およびその装置 - Google Patents
荷電粒子ビームを用いた加工方法およびその装置Info
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- JPS6094728A JPS6094728A JP58201764A JP20176483A JPS6094728A JP S6094728 A JPS6094728 A JP S6094728A JP 58201764 A JP58201764 A JP 58201764A JP 20176483 A JP20176483 A JP 20176483A JP S6094728 A JPS6094728 A JP S6094728A
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、有機ガス募囲気中で試料に荷電粒子ビームを
照射することによって試料表面に有機ガスの分解物質を
付着させて着色する荷電粒子ビームを用いた加工装置に
関するものである。
照射することによって試料表面に有機ガスの分解物質を
付着させて着色する荷電粒子ビームを用いた加工装置に
関するものである。
牛導体製造工程において用いられるマスクおよびレチク
ルは、パターンを脳光し、エツチングすることにより製
造されるが、この際パターンの欠陥には２種類あり、１
つは削られるべき所が残りてしまったもので、もう１つ
は残るべき所が削られてしまったものである。従来から
あるレーザーマスクリペア装置は、パターン形成膜の残
してしまった部分にレーザー光を照射して蒸発させるも
のであるため、前者の欠陥の修復は可能であるが後者の
欠陥に対しては無力であった。そして後者の欠陥を修復
する際には、もう１度マスクの全面にレジスト膜をつけ
てベークした後、埋めようとする部分だけを露光し、現
像してから金属又は金属酸化物の膜付けを行ない、さら
にリフトオフすることによって１サイクルをなしていた
。この方法ではマスク修復のためにマスク製造工程のか
なりの部分を繰り返さねばならなく、時間がか、かって
いた。しかも修復の際の再エツチングで新しい欠陥が生
じる可能性があるため、修復後に再検査を行ない、場合
によっては再び修復を行なう必要があって多大な時間と
手同を要していた。
ルは、パターンを脳光し、エツチングすることにより製
造されるが、この際パターンの欠陥には２種類あり、１
つは削られるべき所が残りてしまったもので、もう１つ
は残るべき所が削られてしまったものである。従来から
あるレーザーマスクリペア装置は、パターン形成膜の残
してしまった部分にレーザー光を照射して蒸発させるも
のであるため、前者の欠陥の修復は可能であるが後者の
欠陥に対しては無力であった。そして後者の欠陥を修復
する際には、もう１度マスクの全面にレジスト膜をつけ
てベークした後、埋めようとする部分だけを露光し、現
像してから金属又は金属酸化物の膜付けを行ない、さら
にリフトオフすることによって１サイクルをなしていた
。この方法ではマスク修復のためにマスク製造工程のか
なりの部分を繰り返さねばならなく、時間がか、かって
いた。しかも修復の際の再エツチングで新しい欠陥が生
じる可能性があるため、修復後に再検査を行ない、場合
によっては再び修復を行なう必要があって多大な時間と
手同を要していた。
本発明は、上記のような従来の修復方法の欠点を除去す
るためになされたものであり、マスクまたはレチクル上
の欠落欠陥を短時間のうちに確実に修復することを目的
としている。
るためになされたものであり、マスクまたはレチクル上
の欠落欠陥を短時間のうちに確実に修復することを目的
としている。
以下、荷電粒子ビームを用いた加工装置の実施例を図面
に基づいて詳細に脱刷する。第１図において、１は内部
を１０−＠ＴＯｒｒ以下に保つための真空チャンバー、
２は真空チャンバー１からガスを排出するための排気系
、６は真空チャンバー１内に設けられた荷電粒子発生源
、４は荷電粒子発生源３から発生する荷電粒子Ａを絞り
且つ走査するための荷電粒子光学系、５は荷電粒子光学
系４からの荷電粒子ビームＢが照射されるガラスおよび
金属パターン等からなる試料、６は試料５を載置するた
めの試料台、７は試料台６を移動し位置決めするための
試料台駆動系、８は試料５に対しレーザ光りを照射する
ためのレーザー光源、９は試料５を透過したレーザー光
りを反射するためのミラー、１０はミラー９からのレー
ザー光りを検出するためのレーザー光検出系であり、こ
れらレーザー光源８．ミラー９およびレーザー光検出系
は試料５の観察手段を構成している。１１は真空チャン
バー１内を分割するための仕切りであり、仕切シ１１に
よって荷電粒子光学系室１２と試料室１３とが形成され
る。１１αは荷電粒子ビー−ムＢが通過するための内径
１ｍあるいはそれ以下の小孔である。１４は有機ガス供
給源であり、バリアプルリークパルプ１５および有機ガ
ス吹きつけ用ノズル１６を介して、試料５の荷電粒子ビ
ーム照射位置に集中的に有機ガスＧを吠きつけるように
なっている。１７は試料室１３を真空に保つための排気
系である。
に基づいて詳細に脱刷する。第１図において、１は内部
を１０−＠ＴＯｒｒ以下に保つための真空チャンバー、
２は真空チャンバー１からガスを排出するための排気系
、６は真空チャンバー１内に設けられた荷電粒子発生源
、４は荷電粒子発生源３から発生する荷電粒子Ａを絞り
且つ走査するための荷電粒子光学系、５は荷電粒子光学
系４からの荷電粒子ビームＢが照射されるガラスおよび
金属パターン等からなる試料、６は試料５を載置するた
めの試料台、７は試料台６を移動し位置決めするための
試料台駆動系、８は試料５に対しレーザ光りを照射する
ためのレーザー光源、９は試料５を透過したレーザー光
りを反射するためのミラー、１０はミラー９からのレー
ザー光りを検出するためのレーザー光検出系であり、こ
れらレーザー光源８．ミラー９およびレーザー光検出系
は試料５の観察手段を構成している。１１は真空チャン
バー１内を分割するための仕切りであり、仕切シ１１に
よって荷電粒子光学系室１２と試料室１３とが形成され
る。１１αは荷電粒子ビー−ムＢが通過するための内径
１ｍあるいはそれ以下の小孔である。１４は有機ガス供
給源であり、バリアプルリークパルプ１５および有機ガ
ス吹きつけ用ノズル１６を介して、試料５の荷電粒子ビ
ーム照射位置に集中的に有機ガスＧを吠きつけるように
なっている。１７は試料室１３を真空に保つための排気
系である。
次に第２図の詳細断面図も参照して本発明装置の作用に
ついて説明する。試料台駆動系７によって位置移動ので
きる試料台６上にセットされた試料としてのマスクまた
はレチクル５は、レーザー光りで照射され、その透過光
をレーザー光検出系１０で検出することによって試料上
のパターン５２が観察される。レーザー光りで測定され
たパターン５２をあらかじめ記憶されているパターンと
比較することによってパターン５２の欠陥を検出する。
ついて説明する。試料台駆動系７によって位置移動ので
きる試料台６上にセットされた試料としてのマスクまた
はレチクル５は、レーザー光りで照射され、その透過光
をレーザー光検出系１０で検出することによって試料上
のパターン５２が観察される。レーザー光りで測定され
たパターン５２をあらかじめ記憶されているパターンと
比較することによってパターン５２の欠陥を検出する。
パターン５２の欠陥のうち余計な部分が残ったものに対
しては、試料台駆動系７で粗調整した後、更に荷電粒子
ビームＢの照射を照射する点の微細な位置決めを荷電粒
子光学系４によって行なってから、パターンのスパッタ
率が極大となるエネルギを得る加速電圧で行なう。この
イオンビーム照射によって余計な残存物をスパッタシテ
取り除く。また、第２図に示したガラス基板５１上のパ
ターン５２のうちの残るべき部分が削られてしまってで
きた欠陥５６に対しては、荷電粒子ビームＢによる照射
を、前述と同様に荷電粒子光学系４によって照射位置の
微細な位置決めを行なってから、試料室１３を有機ガス
供給手段１４゜１５および１６によって有機ガス雰囲気
にする。
しては、試料台駆動系７で粗調整した後、更に荷電粒子
ビームＢの照射を照射する点の微細な位置決めを荷電粒
子光学系４によって行なってから、パターンのスパッタ
率が極大となるエネルギを得る加速電圧で行なう。この
イオンビーム照射によって余計な残存物をスパッタシテ
取り除く。また、第２図に示したガラス基板５１上のパ
ターン５２のうちの残るべき部分が削られてしまってで
きた欠陥５６に対しては、荷電粒子ビームＢによる照射
を、前述と同様に荷電粒子光学系４によって照射位置の
微細な位置決めを行なってから、試料室１３を有機ガス
供給手段１４゜１５および１６によって有機ガス雰囲気
にする。
このときの荷電粒子？−ムＢの加速エネルギーは、有機
ガスＧを構成する有機ガス分子１が有効に分解される。
ガスＧを構成する有機ガス分子１が有効に分解される。
ｊ ＫａＶから２００ＫｅＶの間に設定する。有機ガス
分子ｌは荷電粒子ビームＢと衝突して分解物質ｙ′とな
り、試料上のパターン欠陥位置５３に積もるように付着
し、一部は炭化する。以上のような追加修正をすみやか
に行なうには修正位置の圧力を１０″″２ＴＯｒｒから
１’ｒｏｒｒ程度の有機ガス雰囲気にして有機物分子を
充分量供給する必要がある。一方、荷電粒子発生源３を
保護すること及び荷電粒子ビームＢの散乱を最小限にす
るためには、荷電粒子発生源６と荷電粒子光学系４の圧
力を１０”Ｔｏｒｒ以下にする必要がある。このような
要求から荷電粒子光学系４と試料５との間に荷電粒子ビ
ームＢの通過する内径１ｍｍあるいはそれ以下の小孔１
１αを有する仕切シ１１を設けて荷電粒子光学系室１２
と試料室１６を分離し、それぞれ排気系２及び排気系１
７で差動排気する必要がある。追加修正をさらにすみや
かに行なうには、上記のような差動排気手段に加えて有
機ガス吹きつけ用ノズル１６を荷電粒子ビーム照射位置
近傍に設けて有機ガス分子を集中的に欠陥位置に供給す
る。なお、有機ガス吹きつけ用ノズル１６と荷電粒子照
射位置との間の距離は試料室内での有機ガス分子の平均
自由行程以下で、試料室１３が１Ｏ−３Ｔｏｒｒのとき
には５■以下に相当する。以上のような条件が満足され
ないと、試料室内のガス分子による散乱のために、有機
ガス分子の供給が有効に行なわれなくなる以上述べてき
たように、荷電粒子ビームを用いた加工装置は、マスク
またはレチクルのパターンの欠陥の観察と除去修正及び
追加修正を１回の工程で行なうものであり、１枚のマス
クの修正をきわめて短時間で完結させることができる。
分子ｌは荷電粒子ビームＢと衝突して分解物質ｙ′とな
り、試料上のパターン欠陥位置５３に積もるように付着
し、一部は炭化する。以上のような追加修正をすみやか
に行なうには修正位置の圧力を１０″″２ＴＯｒｒから
１’ｒｏｒｒ程度の有機ガス雰囲気にして有機物分子を
充分量供給する必要がある。一方、荷電粒子発生源３を
保護すること及び荷電粒子ビームＢの散乱を最小限にす
るためには、荷電粒子発生源６と荷電粒子光学系４の圧
力を１０”Ｔｏｒｒ以下にする必要がある。このような
要求から荷電粒子光学系４と試料５との間に荷電粒子ビ
ームＢの通過する内径１ｍｍあるいはそれ以下の小孔１
１αを有する仕切シ１１を設けて荷電粒子光学系室１２
と試料室１６を分離し、それぞれ排気系２及び排気系１
７で差動排気する必要がある。追加修正をさらにすみや
かに行なうには、上記のような差動排気手段に加えて有
機ガス吹きつけ用ノズル１６を荷電粒子ビーム照射位置
近傍に設けて有機ガス分子を集中的に欠陥位置に供給す
る。なお、有機ガス吹きつけ用ノズル１６と荷電粒子照
射位置との間の距離は試料室内での有機ガス分子の平均
自由行程以下で、試料室１３が１Ｏ−３Ｔｏｒｒのとき
には５■以下に相当する。以上のような条件が満足され
ないと、試料室内のガス分子による散乱のために、有機
ガス分子の供給が有効に行なわれなくなる以上述べてき
たように、荷電粒子ビームを用いた加工装置は、マスク
またはレチクルのパターンの欠陥の観察と除去修正及び
追加修正を１回の工程で行なうものであり、１枚のマス
クの修正をきわめて短時間で完結させることができる。
このことは追加修正に対して１サイクルで約半日かかっ
て行なった従来の検査、洗浄、ベーク、露光、現像、膜
付けおよびリフトオフを行なうことと比較すると飛躍的
な進歩である。本発明を採用することによりマスクの製
造工程の簡素化およびできあがったマスクの良品化が見
込まれる。
て行なった従来の検査、洗浄、ベーク、露光、現像、膜
付けおよびリフトオフを行なうことと比較すると飛躍的
な進歩である。本発明を採用することによりマスクの製
造工程の簡素化およびできあがったマスクの良品化が見
込まれる。
第１図は荷電粒子ビームを用いた加工装置の側断面図、
第２図は第１図の要部の現象をｈ ＩＧＬ明するための
詳細断面図である。 １・・・・・・真空チャンバー ２・・・・・・排気系 ３・・・・・・荷電粒子発生源 ４・・・・・・荷電粒子光学系 ５・・・・・・試 料 ６・・・・・・試料台 ７・・・・・・試料台駆動系 ８・・・・・・レーザー光源 ９・・・・・・ミラー １０・・・レーザー光検出系 １１・・・仕切シ １１ａ・・・小 孔 １２・・・荷電粒子光学系室 １３・・・試料室 １４・・・有機ガス供給源 １５・・・バリアプルリークパルプ １６・・・有機ガス吹きつけ用ノズル １７・・・排気系 Ａ・・・・・・荷電粒子 Ｂ・・・・・・荷電粒子ビーム Ｌ・・・・・・レーザー光 Ｇ・・・・・・有機ガス ｙ・・・・・・有機ガス分子 １′・・・有機ガス分解物質 ５１・・・ガラス基板 ５２・・・金属パターン ５３・・・金拠膜の欠陥位置 以 上 出願人 セイコー電子工業株式会社 笥１図 １３ 第２図 手続補正書（自発） 昭和５９年４ 月２７１ ８ 昭和 年特許願第２０１７６４号 ２、発明の名称 荷電粒子ビームを用いた加工装置 ３、補正をする者 代表取締役 服 部 −部 ４、代理人 〒１０４ 東京都中央区京橋２丁目６番２１号株式会社
眼部セイコー内 最上特許事務所！ｌＬ／補正の対象 明細誓 ６ 補正の内容 ＋１１ 特許請求の範囲全別紙の１由り補ＩＦシます。 （２）明紬１＃舅８貞第１３行と４Ｘ１４行の間に下記
事項を挿入する。 ［尚、本央侑則に（・・ける打機ガスとしてａ、フェナ
ントレン、ピレン、メチルフェナントレン。 フルオランテン、アントロン、トリフェニルメタンのう
ちの１櫨又ｒ４丁多柿を用いたＪａ合に有効である。１ 以上 ％ｆｆ請求の範囲 ［（１）荷電粒子を発生するための荷電粒子発生源と、
前？荷１．４を粒子を細く絞つ−Ｃ荷電粒子ビームにし
前記ビームを走査するための荷ｄ粒子光学系試料台を移
動するための駆動系と、前Ｍｅ試料上に記荷′醒粒子ビ
ームにより前記有機ガスを分ＩＩｆｌすると共に、前記
試料の荷置粒子ビーム照射位置に前記有機ガスの分解物
質を付層させる構成としたことを特徴とする荷電粒子ビ
ームを用い次加工装置。 る特許請求の範囲第１項記載の荷電粒子ビーム金用いた
加工装置。 １− メチルフェナントレン、フルオランテン。アンド−２−
第２図は第１図の要部の現象をｈ ＩＧＬ明するための
詳細断面図である。 １・・・・・・真空チャンバー ２・・・・・・排気系 ３・・・・・・荷電粒子発生源 ４・・・・・・荷電粒子光学系 ５・・・・・・試 料 ６・・・・・・試料台 ７・・・・・・試料台駆動系 ８・・・・・・レーザー光源 ９・・・・・・ミラー １０・・・レーザー光検出系 １１・・・仕切シ １１ａ・・・小 孔 １２・・・荷電粒子光学系室 １３・・・試料室 １４・・・有機ガス供給源 １５・・・バリアプルリークパルプ １６・・・有機ガス吹きつけ用ノズル １７・・・排気系 Ａ・・・・・・荷電粒子 Ｂ・・・・・・荷電粒子ビーム Ｌ・・・・・・レーザー光 Ｇ・・・・・・有機ガス ｙ・・・・・・有機ガス分子 １′・・・有機ガス分解物質 ５１・・・ガラス基板 ５２・・・金属パターン ５３・・・金拠膜の欠陥位置 以 上 出願人 セイコー電子工業株式会社 笥１図 １３ 第２図 手続補正書（自発） 昭和５９年４ 月２７１ ８ 昭和 年特許願第２０１７６４号 ２、発明の名称 荷電粒子ビームを用いた加工装置 ３、補正をする者 代表取締役 服 部 −部 ４、代理人 〒１０４ 東京都中央区京橋２丁目６番２１号株式会社
眼部セイコー内 最上特許事務所！ｌＬ／補正の対象 明細誓 ６ 補正の内容 ＋１１ 特許請求の範囲全別紙の１由り補ＩＦシます。 （２）明紬１＃舅８貞第１３行と４Ｘ１４行の間に下記
事項を挿入する。 ［尚、本央侑則に（・・ける打機ガスとしてａ、フェナ
ントレン、ピレン、メチルフェナントレン。 フルオランテン、アントロン、トリフェニルメタンのう
ちの１櫨又ｒ４丁多柿を用いたＪａ合に有効である。１ 以上 ％ｆｆ請求の範囲 ［（１）荷電粒子を発生するための荷電粒子発生源と、
前？荷１．４を粒子を細く絞つ−Ｃ荷電粒子ビームにし
前記ビームを走査するための荷ｄ粒子光学系試料台を移
動するための駆動系と、前Ｍｅ試料上に記荷′醒粒子ビ
ームにより前記有機ガスを分ＩＩｆｌすると共に、前記
試料の荷置粒子ビーム照射位置に前記有機ガスの分解物
質を付層させる構成としたことを特徴とする荷電粒子ビ
ームを用い次加工装置。 る特許請求の範囲第１項記載の荷電粒子ビーム金用いた
加工装置。 １− メチルフェナントレン、フルオランテン。アンド−２−
Claims (2)
- （１）荷電粒子を発生するための荷電粒子発生源と、こ
の荷電粒子を細く絞って荷電粒子ビームにし該ビームを
走査するためのに電粒子光学系と、この荷電粒子ビーム
で照射されるガラスおよび該ガラス上にパターン化され
た金属膜または金属酸化物膜からなる試料と、この試料
を支持および位置決めするための試料台と、この試料台
を移動するための駆動系と、前記試料上のパターンを観
察するためり観察手段とからなるものにおいて、前記試
料と荷電粒子光学系との間に設けられた仕切シと、この
仕切シに設けられた前記荷電粒子ビームを通過させるた
めの小孔と、前記試料側の部屋を有機ガスの雰囲気にす
るための有機ガス供給源とを備え、前記荷電粒子ビーム
により前記有機ガスを分解すると共に、前記試料の荷電
粒子ビーム照射位−′に前記有機ガスの分解物質を付着
させる構成としたことを特徴とする一Ｈ’＊、粒子ビー
ムを用いた加二り装置。 - （２）前Ｈ１シ有機ガス供給踪のうち有機ガスを試料側
の部屋に導入する部分を、荷電粒子ビームが試料に倫突
する位置に集中的に有機ガスを吹きつけるためのノズル
で構成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１
項Ｈ【シ載の荷電粒子ビームを用いた加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58201764A JPS6094728A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | 荷電粒子ビームを用いた加工方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58201764A JPS6094728A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | 荷電粒子ビームを用いた加工方法およびその装置 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2143698A Division JPH0316112A (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | イオンビーム加工装置 |
| JP2143699A Division JPH0315068A (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | パターン修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6094728A true JPS6094728A (ja) | 1985-05-27 |
| JPH0132494B2 JPH0132494B2 (ja) | 1989-07-04 |
Family
ID=16446543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58201764A Granted JPS6094728A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | 荷電粒子ビームを用いた加工方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6094728A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6125146A (ja) * | 1984-07-13 | 1986-02-04 | Hitachi Ltd | フオトマスク欠陥修正方法 |
| EP0247714A2 (en) * | 1986-05-29 | 1987-12-02 | Seiko Instruments Inc. | Method and apparatus for forming a film on a substrate |
| JPS6373252A (ja) * | 1986-08-27 | 1988-04-02 | エヌ・ベ−・フィリップス・フル−イランペンファブリケン | パタ−ン仕上げ装置 |
| JPH01150139A (ja) * | 1987-11-09 | 1989-06-13 | American Teleph & Telegr Co <Att> | デバイスのマスク修正プロセスとマスク |
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| US4950498A (en) * | 1986-02-24 | 1990-08-21 | Seiko Instruments Inc. | Process for repairing pattern film |
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| JPS5856332A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-04 | Hitachi Ltd | マスクの欠陥修正方法 |
-
1983
- 1983-10-27 JP JP58201764A patent/JPS6094728A/ja active Granted
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0132494B2 (ja) | 1989-07-04 |
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