JPH0315068A - パターン修正方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、有機ガスの局所的吹きっけとイオンビームの
照射により、試料表面に形成されたパターンを修正する
方法に関するものである。

〔従来技術とその欠点〕

半導体製造工程において用いられるマスクおよびレチク
ルは、パターンを露光し、工，チングすることにより製
造されるが、この際パターンの欠陥には２種類あり、１
つは削られるべき所が残ってしまったもので、もうｌっ
は残るべき所が削られてしまったものである。従来から
あるレーザーマスクリベア装置は、パターン形戊膜の残
してしまった部分にレーザー光を照射して茎発させるも
のであるため、前者の欠陥の修復は可能であるが後者の
欠陥に対しては無力であった。そして後者の欠陥を修復
する際には、もう１度マスクの全面にレジスト膜をつけ
てヘークした後、埋めようとする部分だけを露光し、現
像してから金属又は金属酸膜物の膜付けを行い、さらに
リフトオフすることによって１サイクルをなしていた。

この方法ではマスク修復のためにマスク製造工程のかな
りの部分を繰り返さねばならなく、時間がかかっていた
。しかも修復の際の再エノチングで新しい欠陥が生しる
可能性があるため、修復後に再検査を行い、場合によっ
ては再び修復を行う必要があって多大な時間と手間を要
していた。

ｃ本発明の目的〕 本発明は、上記のような従来の修復方法の欠点を除去す
るためになされたものであり、マスクまたはレチクル上
の欠落欠陥を短時間のうちに確実に修復することを目的
としている。。

〔実施例〕

以下、＠電粒子ビーム（イオンビーム）を用いた加工装
置の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。第ｌ図に
おいて、ｌは内部を１０−’Ｔｏｒｒ以下に保つための
真空チャンバー、２は真空チャンバ−１からガスを排出
するための排気系、３は真空チャンバー１内に設けられ
た荷電粒子発生源、４は荷電粒子発生ｉ１１Ｘ３から発
生する荷電粒子Ａを絞り且つ走査するための荷電粒子光
学系、５は荷電粒子光学系４からの荷電粒子ビームＢが
照射されるガラスおよび金属パターン等からなる試料、
６は試料５を！！２置するための試料台、７は試料台６
を移動し位置決めするための試料台駆動系、８は試料５
に対しレーザー光Ｌを照射するためのレーザー光源、９
は試料５を透過したレーザー光Ｌを反射するためのミラ
ー、１０はξラー９からのレーザー光Ｌを検出するため
のレーザー光検出系であり、これらレーザー光源８、ミ
ラー９およびレーザー光検出系は試料５の観察手段を横
威している．ｌ１は真空チャンバー１内を分割するため
の仕切りであり、仕切りｌ１によって荷電粒子光学系室
ｌ２と試料室１３とが形戒される．１１ａは荷電粒子ビ
ームＢがｉｊｌｌｉ！するための内径１關あるいはそれ
以下の小孔である．１４は有機ガス供給源であり、バリ
アブルリークバルブ１５および有機ガス吹きつけ用ノズ
ル１６を介して、試料５の荷電粒子ビーム照射位置に集
中的に有機ガスＧを吹きつけるようになっている。１７
は試料室１３を真空に保つための排気系である。

次に第２図の詳細断面図も参照して本発明装置の作用に
ついて説明する。試料台駆動系７によって位置移動ので
きる試料台６上にセントされた試料としてのマスクまた
はレチクル５は、レーザー光Ｌて照射され、そのｉ３過
光をレーザー光検出系ＩＯで検出することによって試料
上のパターン５２が観察される。レーザー光しで測定さ
れたパターン５２をあらかしめ記憶されているパターン
と比較することによってパターン５２の欠陥を検出する
。バクー７５２の欠陥のうち余計な部分が残ったものに
対しては、試料台駆動系７で粗調整した後、さらに荷電
粒子ビームＢの照射を照射する点の微細な位置決めを荷
電粒子光学系４によって行ってから、パターンのスパッ
タ率が極大となるエネルギーを得る加速電圧で行う。こ
のイオンビーム照射によって余計な残存物をスバソタし
て取り除く。また、第２図に示したガラス基板５１上の
パターン５２のうちの残るべき部分が削られてしまって
できた欠陥５３に対しては、荷電粒子ビームＢによる照
射を、荊述と同様に荷電粒子光学系４によって照射位置
の微細な位置決めを行ってから、試料室ｌ３を有機ガス
供給手段１４．　１５およびｌ６によって有機ガス雰囲
気にする．このときの荷電粒子ビームＢの加速エネルギ
ーは、有機ガスＧを構戒する有機ガス分子ｇが有効に分
解される＊　　ｌＫｅｙから２００ＫｅＶの間に設定す
る．有機ガス分子ｇは荷電粒子ビームＢと衝突して分解
吻質ｇ゛　となり、試料上のパターン欠陥位置５３に積
もるように付着し、一部は炭化する．以上のような追加
修正をすみやかに行うには修正位置の圧力をｔｏ−”Ｔ
ｏｒｒからＩ　Ｔｏｒｒ程度の有機ガス雰囲気にして有
機物分子を充分量供給する必要がある．一方、荷電粒子
発生ｔＡ３を保護すること及び荷電粒子ビームＢの散乱
を最小限にするためには、荷電粒子発生ｔＡ３と荷電粒
子光学系４の圧力を１０−　’Ｔｏｒｒ以下にする必要
がある。

このような要求から荷電粒子光学系４と試料５との間に
荷電粒子ビームＢの通過する内径１　ａｍあるいはそれ
以下の小孔１１ａを有する仕切り１ｌを設けて荷電粒子
光学系室ｌ２と試料室１３を分離し、それぞれ排気系２
及び排気系１７で差動排気する必要がある．追加修正を
さらにすみやかに行うには、上記のような差動排気手段
に加えて有機ガス吹きつけ用ノズル１６を荷電粒子ビー
ム照射位置近傍に設けて有機ガス分子を集中的に欠陥位
置に供給する。

なお、有機ガス吹きつけ用ノズルｌ６と荷電粒子照射位
置との間の距離は試料室内での有機ガス分子の平均自由
行程以下で、試料室１３が１０−’Ｔｏｒｒのときには
５闘以下に相当する．以上のような条件が満足されない
と、試料室内のガス分子による散乱のために、有機ガス
分子の供給が有効に行われなくなる。

〔発明の効果） 以上述べてきたように、荷電粒子ビームを用いた加工装
置は、マスクまたはレチクルのパターンの欠陥の観察と
除去修正及び追加修正を１回の工程で行うものであり、
１枚のマスクの修正をきわめて短時間で完結させること
ができる。このことは追加修正に対して１サイクルで約
半日かかって行った従来の検査、洗浄、ベータ、露光、
現像、膜付けおよびリフトオフを行うことと比較すると
飛躍的な進歩である．本発明を採用することによりマス
クの製造工程の簡素化及びできあがったマスクの良品化
が見込まれる． 尚、本実施例における有機ガスとしては、フェナントレ
ン、ピレン、メチルフエルナントレン、フルオランテン
、アントロン、トリフエニルメタンのうちの１種又は多
種を用いた場合に有効である．

【図面の簡単な説明】

第１図は荷電粒子ビームを用いた加工装置の側断面図、
第２図は第１図の要部の現像を説明するための詳細断面
図である。 １・・・真空チャンハー ２・・・排気系 ３・・・荷電粒子発生源 ４・・・荷電粒子光学系 ５　・ ６ ７　・ ８　・ ９　・ １０・ １１　・　・ １１ａ　　・ ｌ２ ｌ３・　・ １４・　・ ｌ５・ ｌ６・　・ １７・　・ Ａ　・　・ Ｂ　・　・ Ｌ　・ Ｇ　・　・ ｇ　１　゛ ｇ　　　゜ ・試料 ・試料台 ・試料台駆動系 ・レーザー光源 ミラー ・レーザー光検出系 ・仕切り ・小孔 荷電粒子光学系室 試料室 有機ガス供給源 バリアプルリークバルブ 有機ガス吹きつけ用ノズル 排気系 荷電粒子 荷電粒子ビーム レーザー光 ・有機ガス ・有機ガス分子 ・有機ガス分解物質 ５１・・・ガラス基仮 ５２・・・金属パターン ５３・・・金属膜の欠陥位置 以上

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 荷電粒子発生源からイオンを発生し、荷電粒子光学系に
   より前記イオンを細く絞ってイオンビームにし該イオン
   ビームを走査させながら試料表面に形成されたパターン
   の欠陥位置に照射し、前記パターンの余計な部分をスパ
   ッタにより除去する工程と、更に荷電粒子発生源からイ
   オンを発生し、荷電粒子光学系により前記イオンを細く
   絞ってイオンビームにし該イオンビームを走査させなが
   ら試料表面に形成されたパターンの欠陥位置に照射し、
   前記イオンビーム照射位置と有機ガスを吹き付けるため
   のノズルの先端の距離を５ｍｍ以下とし前記欠陥のうち
   欠損欠陥へ前記イオンビーム照射領域に有機ガスをイオ
   ンビーム照射と同時に集中的に吹き付けて、前記パター
   ンの欠損欠陥を追加修正する工程よりなることを特徴と
   するパターン修正方法。