JPS61123841A - イオンビ−ムマスクリペア−装置 - Google Patents
イオンビ−ムマスクリペア−装置Info
- Publication number
- JPS61123841A JPS61123841A JP59245603A JP24560384A JPS61123841A JP S61123841 A JPS61123841 A JP S61123841A JP 59245603 A JP59245603 A JP 59245603A JP 24560384 A JP24560384 A JP 24560384A JP S61123841 A JPS61123841 A JP S61123841A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion beam
- mask
- organic compound
- vapor
- compound vapor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
- G03F1/74—Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching
- H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching
- H01J37/3056—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching for microworking, e.g. etching of gratings, trimming of electrical components
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
α、産業上の利用分野
本発明は半導体集積回路製造工程で使用されるマスクの
欠陥を修理するイオンビームマスクリペア−装置に関す
るものである。
欠陥を修理するイオンビームマスクリペア−装置に関す
るものである。
ｂ、従来の技術
半導体集積回路製造工程において用いられるマスクおよ
びレチクルは、パターンを露光し、エツチングすること
により製造されるが、この際パターンに欠陥が生じて問
題となっている。この欠陥には２種類あり、１つは削ら
れるべき箇所が残ってしまったもので黒色欠陥と呼ばれ
、も５１つは残るべき箇所が削られてしまったもので白
色欠陥と呼ばれている。このうち、後者の白色欠陥を有
機化合物と荷電粒子ビーム照射によって修正する従来方
法としては、例えば１９８４年の理化学研究所第１５回
シンポジウム「イオン注入とサブミクロン加工」で述べ
られている。この方法の概念図を第２図に示す（ＣＴ１
３）ｓＡＡ＋ｃ ｒ （Ｃ５Ｈｓｈの蒸気雰囲気にした
真空中に設けた小部屋２１に被照射試料２２（この場合
は欠陥を有するマスク）１−設置し、小部屋の境界に設
けられた小孔田を通じて、荷電粒子ビームスを照射し、
微少パターン膜を形成させる方法が挙げられる。
びレチクルは、パターンを露光し、エツチングすること
により製造されるが、この際パターンに欠陥が生じて問
題となっている。この欠陥には２種類あり、１つは削ら
れるべき箇所が残ってしまったもので黒色欠陥と呼ばれ
、も５１つは残るべき箇所が削られてしまったもので白
色欠陥と呼ばれている。このうち、後者の白色欠陥を有
機化合物と荷電粒子ビーム照射によって修正する従来方
法としては、例えば１９８４年の理化学研究所第１５回
シンポジウム「イオン注入とサブミクロン加工」で述べ
られている。この方法の概念図を第２図に示す（ＣＴ１
３）ｓＡＡ＋ｃ ｒ （Ｃ５Ｈｓｈの蒸気雰囲気にした
真空中に設けた小部屋２１に被照射試料２２（この場合
は欠陥を有するマスク）１−設置し、小部屋の境界に設
けられた小孔田を通じて、荷電粒子ビームスを照射し、
微少パターン膜を形成させる方法が挙げられる。
Ｃ０本発明が解決しようとする問題点
前述した従来の方法では、小部屋内の圧力が１Ｏ−２Ｔ
Ｏｔ−１−１！４度になるようｌこ化合物蒸気を入れる
必要があるため、試料の所定箇所以外の部分も化合物蒸
気により汚染される。ｔ−た、試料が小部屋内に設置さ
れるため、荷電粒子ビームを所定の位置に照射するため
の試料移動が困難となる。さらに、マスクの欠陥修正箇
所を観察、確認するために、荷電粒子ビームを走査して
照射し、二次電子あるいは二次イオンを検出する必要が
あるが、この方法では小部屋を設けているために、二次
荷電粒子の検出が困難である。また、観察時と修正時で
は小部屋内のガス圧を制御し、それぞれに対して所定の
ガス圧に設定しなければならない１例えば前記の（ＣＨ
３）５Ａ７やＣ，（Ｃ，Ｈ，）１ 等の化合物を用いた
場合、観察時は１０ Ｔｏｒｒ程度修正時は１０−”
Ｔｕｒｆ程度の範囲で小部屋内のガス圧の制御が必要と
なる。このガス圧制御が不十分な場合、観察時に、不必
要な膜が形成されてしまったり、修正のためのパターン
膜の付着強度が弱かったり、正確なパターンが形成され
なかったりし、不都合が生じる０本発明はこうした問題
点を解決する手段を提供するものである。
Ｏｔ−１−１！４度になるようｌこ化合物蒸気を入れる
必要があるため、試料の所定箇所以外の部分も化合物蒸
気により汚染される。ｔ−た、試料が小部屋内に設置さ
れるため、荷電粒子ビームを所定の位置に照射するため
の試料移動が困難となる。さらに、マスクの欠陥修正箇
所を観察、確認するために、荷電粒子ビームを走査して
照射し、二次電子あるいは二次イオンを検出する必要が
あるが、この方法では小部屋を設けているために、二次
荷電粒子の検出が困難である。また、観察時と修正時で
は小部屋内のガス圧を制御し、それぞれに対して所定の
ガス圧に設定しなければならない１例えば前記の（ＣＨ
３）５Ａ７やＣ，（Ｃ，Ｈ，）１ 等の化合物を用いた
場合、観察時は１０ Ｔｏｒｒ程度修正時は１０−”
Ｔｕｒｆ程度の範囲で小部屋内のガス圧の制御が必要と
なる。このガス圧制御が不十分な場合、観察時に、不必
要な膜が形成されてしまったり、修正のためのパターン
膜の付着強度が弱かったり、正確なパターンが形成され
なかったりし、不都合が生じる０本発明はこうした問題
点を解決する手段を提供するものである。
ｄ０問題点を解決しようとする手段
イオンビームの光軸に対して同軸上に有機化合物蒸気の
通路を設け、マスクの欠陥上の所定の領域にのみ有機化
合物蒸気を吹付けると同時にイオンビームを照射するこ
とを特徴とするイオンビームマスクリペア−装置。
通路を設け、マスクの欠陥上の所定の領域にのみ有機化
合物蒸気を吹付けると同時にイオンビームを照射するこ
とを特徴とするイオンビームマスクリペア−装置。
−・ 作用
イオンビームの光軸に対して同軸上に有機化合物蒸気の
通路を設け、欠陥領域に選択的に有機化合物蒸気を吹き
付け、同時にイオンビームを゛照射することによって、
マスクの白色欠陥を修正する。
通路を設け、欠陥領域に選択的に有機化合物蒸気を吹き
付け、同時にイオンビームを゛照射することによって、
マスクの白色欠陥を修正する。
また、有機化合物蒸気の通路ｌこ設けられた温度制御装
置によって、前記通路を加熱し、吹き付けるガス流量の
制御、ならびに修正終了後ｌこ前記通路に残留する有機
化合物を気化させ、前記通路を浄化する。
置によって、前記通路を加熱し、吹き付けるガス流量の
制御、ならびに修正終了後ｌこ前記通路に残留する有機
化合物を気化させ、前記通路を浄化する。
ｆ、実施例
以下図面と共に本発明の詳細な説明する。第１図（−は
本発明の実施例を示したものである。イオン源１よす放
出されたイオンは、イオンビーム光学系２により集束さ
れ、イオンビーム８が形成され、マスク４上に照射され
る。またイオンと−ムの光軸に対して同軸上に設けられ
た有機化合物蒸気の通路６は、マスク４上のイオンビー
ム照射位置に有機化合物蒸気６を選択的に吹き付けられ
るように、ノズル形状をなしている。また、有機化合物
蒸気の通路５は、ヒーターを有する有機化合物溜め７と
パルプ８を介して接続されており、パルプ８の開閉ζこ
よって、有機化合物蒸気の吹き付けの開始ならびに停止
を行ない、前記有機化合物溜めに設けられたヒータ一温
度を制御することによって、有機化合物蒸気の吹き付は
流量を制御することができる。ｔた。マスク欠陥の修正
終了後はパルプ８を閉じることによって有機化合物蒸気
の供給を停止しなければならないが、蒸気の通路５内に
、有機化合物が残存する可能性がある。
本発明の実施例を示したものである。イオン源１よす放
出されたイオンは、イオンビーム光学系２により集束さ
れ、イオンビーム８が形成され、マスク４上に照射され
る。またイオンと−ムの光軸に対して同軸上に設けられ
た有機化合物蒸気の通路６は、マスク４上のイオンビー
ム照射位置に有機化合物蒸気６を選択的に吹き付けられ
るように、ノズル形状をなしている。また、有機化合物
蒸気の通路５は、ヒーターを有する有機化合物溜め７と
パルプ８を介して接続されており、パルプ８の開閉ζこ
よって、有機化合物蒸気の吹き付けの開始ならびに停止
を行ない、前記有機化合物溜めに設けられたヒータ一温
度を制御することによって、有機化合物蒸気の吹き付は
流量を制御することができる。ｔた。マスク欠陥の修正
終了後はパルプ８を閉じることによって有機化合物蒸気
の供給を停止しなければならないが、蒸気の通路５内に
、有機化合物が残存する可能性がある。
そのため、欠陥終了の確認あるいは他の欠陥場所の観察
等の目的で、マスク上にイオンピームラ照射するときに
、不要な膜を付着させてしまう不都合が生じる。そこで
、前記有機化合物蒸気の通路５の周囲に、例えばヒータ
ーのような加熱手段９を設け、温度制御装置１０の作動
によって、有機化合物蒸気通路内を浄化する。
等の目的で、マスク上にイオンピームラ照射するときに
、不要な膜を付着させてしまう不都合が生じる。そこで
、前記有機化合物蒸気の通路５の周囲に、例えばヒータ
ーのような加熱手段９を設け、温度制御装置１０の作動
によって、有機化合物蒸気通路内を浄化する。
また、第１図（６） 、 （ｃ）は、マスク直上のイオ
ンビームおよび有機化合物通路の断面図を示すものであ
る、（ｂ）は、有機化合物通路を細管ノズル１２とした
場合の実施例である。（Ｃ）は、イオンビーム通路の周
囲に設置された中空円筒の金属ブロックに、有機化合物
蒸気の通路となり小孔を設けた場合の実施例である。こ
のように、蒸気通路を細管状にすることによって蒸気流
の抵抗を増加させ流量制御をやり易くさせることができ
る。
ンビームおよび有機化合物通路の断面図を示すものであ
る、（ｂ）は、有機化合物通路を細管ノズル１２とした
場合の実施例である。（Ｃ）は、イオンビーム通路の周
囲に設置された中空円筒の金属ブロックに、有機化合物
蒸気の通路となり小孔を設けた場合の実施例である。こ
のように、蒸気通路を細管状にすることによって蒸気流
の抵抗を増加させ流量制御をやり易くさせることができ
る。
ｇ６発明の効果
本発明の実施によって、マスク上の欠陥修正すべき箇所
に選択的にかつ、均一に有機化合物蒸気を吹き付けるこ
とができるため、正確なパターン膜を形成させることが
可能となり、さらにマスクの不要な箇所および装置全体
を有機物で汚染することなく修正ができる。その結果、
観察、修正の時間間隔を短縮できる。ｉた、従来例で述
べた小部屋が不要なため、マスクの移動が容易となり、
大面積マスクの修正が、真空を破ることなく可能となる
。
に選択的にかつ、均一に有機化合物蒸気を吹き付けるこ
とができるため、正確なパターン膜を形成させることが
可能となり、さらにマスクの不要な箇所および装置全体
を有機物で汚染することなく修正ができる。その結果、
観察、修正の時間間隔を短縮できる。ｉた、従来例で述
べた小部屋が不要なため、マスクの移動が容易となり、
大面積マスクの修正が、真空を破ることなく可能となる
。
菖１図（（１）は本発明の実施例の概略図である。
１・・イオン源 ２・・イオンビーム光学系８ｅ・イオ
ンビーム ４＠・マスク ５・・有機化合物蒸気の通路
６・・有機化合物蒸気 ７・・有機化合物溜 ８・・
パルプ ９・Ｃ加熱体ｌＯ・・温度制御装置 また、第１図（６） 、 （Ｃ）は、有機化合物吹付通
路付近の断面図である。 １１−・イオンビームの通路 １２ 、１３−・有機化
合物蒸気の通路 第２図は従来技術の実施例を示すものである。 以 上
ンビーム ４＠・マスク ５・・有機化合物蒸気の通路
６・・有機化合物蒸気 ７・・有機化合物溜 ８・・
パルプ ９・Ｃ加熱体ｌＯ・・温度制御装置 また、第１図（６） 、 （Ｃ）は、有機化合物吹付通
路付近の断面図である。 １１−・イオンビームの通路 １２ 、１３−・有機化
合物蒸気の通路 第２図は従来技術の実施例を示すものである。 以 上
Claims (5)
- （１）イオンビームと有機化合物蒸気をマスク上の所定
の欠陥位置に同時に照射し薄膜を形成することによって
、前記マスクの欠陥を修正する装置において、前記イオ
ンビームの光軸に対して、前記有機化合物蒸気の通路を
同軸上に設けたことを特徴とするイオンビームマスクリ
ペアー装置。 - （２）有機化合物蒸気の通路を細管状とし、前記細管状
通路をイオンビームの光軸に対して同軸上に複数個設け
た特許請求の範囲第（１）項記載のイオンビームマスク
リペアー装置。 - （３）イオンビーム光軸に対して同軸上に設けられた中
空円筒状の金属ブロックに有機化合物蒸気の通路となる
小孔を複数個設けた特許請求の範囲第（１）項記載のイ
オンビームマスクリペアー装置。 - （４）前記有機化合物通路の温度を制御する手段を設け
た特許請求の範囲第（１）項記載のイオンビームマスク
リペアー装置。 - （５）前記有機化合物としてフェナントレン、ピレン、
メチルフェナントレン、フルオランテン、アントロント
リフエニルメタンのうち１種類または２種類以上の混合
物を用いた特許請求の範囲第（１）項記載のイオンビー
ムマスクリペアー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59245603A JPS61123841A (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | イオンビ−ムマスクリペア−装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59245603A JPS61123841A (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | イオンビ−ムマスクリペア−装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61123841A true JPS61123841A (ja) | 1986-06-11 |
Family
ID=17136172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59245603A Pending JPS61123841A (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | イオンビ−ムマスクリペア−装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61123841A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS643661A (en) * | 1987-06-25 | 1989-01-09 | Mitsubishi Electric Corp | Pattern defect correcting device |
| EP0316111A2 (en) * | 1987-11-09 | 1989-05-17 | AT&T Corp. | Mask repair |
| US5683547A (en) * | 1990-11-21 | 1997-11-04 | Hitachi, Ltd. | Processing method and apparatus using focused energy beam |
| JP2007292078A (ja) * | 2004-01-13 | 2007-11-08 | Gates Corp:The | ツースピードトランスミッション及びベルトドライブシステム |
-
1984
- 1984-11-20 JP JP59245603A patent/JPS61123841A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS643661A (en) * | 1987-06-25 | 1989-01-09 | Mitsubishi Electric Corp | Pattern defect correcting device |
| EP0316111A2 (en) * | 1987-11-09 | 1989-05-17 | AT&T Corp. | Mask repair |
| US5683547A (en) * | 1990-11-21 | 1997-11-04 | Hitachi, Ltd. | Processing method and apparatus using focused energy beam |
| JP2007292078A (ja) * | 2004-01-13 | 2007-11-08 | Gates Corp:The | ツースピードトランスミッション及びベルトドライブシステム |
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