JPH0132494B2 - - Google Patents
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- JPH0132494B2 JPH0132494B2 JP20176483A JP20176483A JPH0132494B2 JP H0132494 B2 JPH0132494 B2 JP H0132494B2 JP 20176483 A JP20176483 A JP 20176483A JP 20176483 A JP20176483 A JP 20176483A JP H0132494 B2 JPH0132494 B2 JP H0132494B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、有機ガス雰囲気中で試料に荷電粒子
ビームを照射することによつて試料表面に有機ガ
スの分解物質を付着させて着色する荷電粒子ビー
ムを用いた加工装置に関するものである。
ビームを照射することによつて試料表面に有機ガ
スの分解物質を付着させて着色する荷電粒子ビー
ムを用いた加工装置に関するものである。
半導体製造工程において用いられるマスクおよ
びレチクルは、パターンを露光し、エツチングす
ることにより製造されるが、この際パターンの欠
陥には２種類あり、１つは削られるべき所が残つ
てしまつたもので、もう１つは残るべき所が削ら
れてしまつたものである。従来からあるレーザー
マスクリペア装置は、パターン形成膜の残してし
まつた部分にレーザー光を照射して蒸発させるも
のであるため、前者の欠陥の修復は可能であるが
後者の欠陥に対しては無力であつた。そして後者
の欠陥を修復する際には、もう１度マスクの全面
にレジスト膜をつけてベークした後、埋めようと
する部分だけを露光し、現像してから金属又は金
属酸化物の膜付けを行ない、さらにリフトオフす
ることによつて１サイクルをなしていた。この方
法ではマスク修復のためにマスク製造工程のかな
りの部分を繰り返さねばならなく、時間がかかつ
ていた。しかも修復の際の再エツチングで新しい
欠陥が生じる可能性があるため、修復後に再検査
を行ない、場合によつては再び修復を行なう必要
があつて多大な時間と手間を要していた。
びレチクルは、パターンを露光し、エツチングす
ることにより製造されるが、この際パターンの欠
陥には２種類あり、１つは削られるべき所が残つ
てしまつたもので、もう１つは残るべき所が削ら
れてしまつたものである。従来からあるレーザー
マスクリペア装置は、パターン形成膜の残してし
まつた部分にレーザー光を照射して蒸発させるも
のであるため、前者の欠陥の修復は可能であるが
後者の欠陥に対しては無力であつた。そして後者
の欠陥を修復する際には、もう１度マスクの全面
にレジスト膜をつけてベークした後、埋めようと
する部分だけを露光し、現像してから金属又は金
属酸化物の膜付けを行ない、さらにリフトオフす
ることによつて１サイクルをなしていた。この方
法ではマスク修復のためにマスク製造工程のかな
りの部分を繰り返さねばならなく、時間がかかつ
ていた。しかも修復の際の再エツチングで新しい
欠陥が生じる可能性があるため、修復後に再検査
を行ない、場合によつては再び修復を行なう必要
があつて多大な時間と手間を要していた。
本発明は、上記のような従来の修復方法の欠点
を除去するためになされたものであり、マスクま
たはレチクル上の欠落欠陥を短時間のうちに確実
に修復することを目的としている。
を除去するためになされたものであり、マスクま
たはレチクル上の欠落欠陥を短時間のうちに確実
に修復することを目的としている。
以下、荷電粒子ビームを用いた加工装置の実施
例を図面に基づいて詳細に説明する。第１図にお
いて、１は内部を10-6Torr以下に保つための真
空チヤンバー、２は真空チヤンバー１からガスを
排出するための排気系、３は真空チヤンバー１内
に設けられた荷電粒子発生源、４は荷電粒子発生
源３から発生する荷電粒子Ａを絞り且つ走査する
ための荷電粒子光学系、５は荷電粒子光学系４か
らの荷電粒子ビームＢが照射されるガラスおよび
金属パターン等からなる試料、６は試料５を載置
するための試料台、７は試料台６を移動し位置決
めするための試料台駆動系、８は試料５に対しレ
ーザ光Ｌを照射するためのレーザー光源、９は試
料５を透過したレーザー光Ｌを反射するためのミ
ラー、１０はミラー９からのレーザー光Ｌを検出
するためのレーザー光検出系であり、これらレー
ザー光源８、ミラー９およびレーザー光検出系は
試料５の観察手段を構成している。１１は真空チ
ヤンバー１内を分割するための仕切りであり、仕
切り１１によつて荷電粒子光学系室１２と試料室
１３とが形成される。１１ａは荷電粒子ビームＢ
が通過するための内径１mmあるいはそれ以下の小
孔である。１４は有機ガス供給源であり、バリア
ブルリークバルブ１５および有機ガス吹きつけ用
ノズル１６を介して、試料５の荷電粒子ビーム照
射位置に集中的に有機ガスＧを吹きつけるように
なつている。１７は試料室１３を真空に保つため
の排気系である。
例を図面に基づいて詳細に説明する。第１図にお
いて、１は内部を10-6Torr以下に保つための真
空チヤンバー、２は真空チヤンバー１からガスを
排出するための排気系、３は真空チヤンバー１内
に設けられた荷電粒子発生源、４は荷電粒子発生
源３から発生する荷電粒子Ａを絞り且つ走査する
ための荷電粒子光学系、５は荷電粒子光学系４か
らの荷電粒子ビームＢが照射されるガラスおよび
金属パターン等からなる試料、６は試料５を載置
するための試料台、７は試料台６を移動し位置決
めするための試料台駆動系、８は試料５に対しレ
ーザ光Ｌを照射するためのレーザー光源、９は試
料５を透過したレーザー光Ｌを反射するためのミ
ラー、１０はミラー９からのレーザー光Ｌを検出
するためのレーザー光検出系であり、これらレー
ザー光源８、ミラー９およびレーザー光検出系は
試料５の観察手段を構成している。１１は真空チ
ヤンバー１内を分割するための仕切りであり、仕
切り１１によつて荷電粒子光学系室１２と試料室
１３とが形成される。１１ａは荷電粒子ビームＢ
が通過するための内径１mmあるいはそれ以下の小
孔である。１４は有機ガス供給源であり、バリア
ブルリークバルブ１５および有機ガス吹きつけ用
ノズル１６を介して、試料５の荷電粒子ビーム照
射位置に集中的に有機ガスＧを吹きつけるように
なつている。１７は試料室１３を真空に保つため
の排気系である。
次に第２図の詳細断面図も参照して本発明装置
の作用について説明する。試料台駆動系７によつ
て位置移動のできる試料台６上にセツトされた試
料としてのマスクまたはレチクル５は、レーザー
光Ｌで照射され、その透過光をレーザー光検出系
１０で検出することによつて試料上のパターン５
２が観察される。レーザー光Ｌで測定されたパタ
ーン５２をあらかじめ記憶されているパターンと
比較することによつてパターン５２の欠陥を検出
する。パターン５２の欠陥のうち余計な部分が残
つたものに対しては、試料台駆動系７で粗調整し
た後、更に荷電粒子ビームＢの照射を照射する点
の微細な位置決めを荷電粒子光学系４によつて行
なつてから、パターンのスパツタ率が極大となる
エネルギを得る加速電圧で行なう。このイオンビ
ーム照射によつて余計な残存物をスパツタして取
り除く。また、第２図に示したガラス基板５１上
のパターン５２のうちの残るべき部分が削られて
しまつてできた欠陥５３に対しては、荷電粒子ビ
ームＢによる照射を、前述と同様に荷電粒子光学
系４によつて照射位置の微細な位置決めを行なつ
てから、試料室１３を有機ガス供給手段１４，１
５および１６によつて有機ガス雰囲気にする。こ
のときの荷電粒子ビームＢの加速エネルギーは、
有機ガスＧを構成する有機ガス分子ｇが有効に分
解される。1KeVから200KeVの間に設定する。
有機ガス分子ｇは荷電粒子ビームＢと衝突して分
解物質g′となり、試料上のパターン欠陥位置５３
に積もるように付着し、一部は炭化する。以上の
ような追加修正をすみやかに行なうには修正位置
の圧力を10-2Torrから1Torr程度の有機ガス雰囲
気にして有機物分子を充分量供給する必要があ
る。一方、荷電粒子発生源３を保護すること及び
荷電粒子ビームＢの散乱を最小限にするために
は、荷電粒子発生源３と荷電粒子光学系４の圧力
を10-6Torr以下にする必要がある。このような
要求から荷電粒子光学系４と試料５との間に荷電
粒子ビームＢの通過する内径１mmあるいはそれ以
下の小孔１１ａを有する仕切り１１を設けて荷電
粒子光学系室１２と試料室１３を分離し、それぞ
れ排気系２及び排気系１７で差動排気する必要が
ある。追加修正をさらにすみやかに行なうには、
上記のような差動排気手段に加えて有機ガス吹き
つけ用ノズル１６を荷電粒子ビーム照射位置近傍
に設けて有機ガス分子を集中的に欠陥位置に供給
する。なお、有機ガス吹きつけ用ノズル１６と荷
電粒子照射位置との間の距離は試料室内での有機
ガス分子の平均自由行程以下で、試料室１３が
10-3Torrのときには５mm以下に相当する。以上
のような条件が満足されないと、試料室内のガス
分子による散乱のために、有機ガス分子の供給が
有効に行なわれなくなる。
の作用について説明する。試料台駆動系７によつ
て位置移動のできる試料台６上にセツトされた試
料としてのマスクまたはレチクル５は、レーザー
光Ｌで照射され、その透過光をレーザー光検出系
１０で検出することによつて試料上のパターン５
２が観察される。レーザー光Ｌで測定されたパタ
ーン５２をあらかじめ記憶されているパターンと
比較することによつてパターン５２の欠陥を検出
する。パターン５２の欠陥のうち余計な部分が残
つたものに対しては、試料台駆動系７で粗調整し
た後、更に荷電粒子ビームＢの照射を照射する点
の微細な位置決めを荷電粒子光学系４によつて行
なつてから、パターンのスパツタ率が極大となる
エネルギを得る加速電圧で行なう。このイオンビ
ーム照射によつて余計な残存物をスパツタして取
り除く。また、第２図に示したガラス基板５１上
のパターン５２のうちの残るべき部分が削られて
しまつてできた欠陥５３に対しては、荷電粒子ビ
ームＢによる照射を、前述と同様に荷電粒子光学
系４によつて照射位置の微細な位置決めを行なつ
てから、試料室１３を有機ガス供給手段１４，１
５および１６によつて有機ガス雰囲気にする。こ
のときの荷電粒子ビームＢの加速エネルギーは、
有機ガスＧを構成する有機ガス分子ｇが有効に分
解される。1KeVから200KeVの間に設定する。
有機ガス分子ｇは荷電粒子ビームＢと衝突して分
解物質g′となり、試料上のパターン欠陥位置５３
に積もるように付着し、一部は炭化する。以上の
ような追加修正をすみやかに行なうには修正位置
の圧力を10-2Torrから1Torr程度の有機ガス雰囲
気にして有機物分子を充分量供給する必要があ
る。一方、荷電粒子発生源３を保護すること及び
荷電粒子ビームＢの散乱を最小限にするために
は、荷電粒子発生源３と荷電粒子光学系４の圧力
を10-6Torr以下にする必要がある。このような
要求から荷電粒子光学系４と試料５との間に荷電
粒子ビームＢの通過する内径１mmあるいはそれ以
下の小孔１１ａを有する仕切り１１を設けて荷電
粒子光学系室１２と試料室１３を分離し、それぞ
れ排気系２及び排気系１７で差動排気する必要が
ある。追加修正をさらにすみやかに行なうには、
上記のような差動排気手段に加えて有機ガス吹き
つけ用ノズル１６を荷電粒子ビーム照射位置近傍
に設けて有機ガス分子を集中的に欠陥位置に供給
する。なお、有機ガス吹きつけ用ノズル１６と荷
電粒子照射位置との間の距離は試料室内での有機
ガス分子の平均自由行程以下で、試料室１３が
10-3Torrのときには５mm以下に相当する。以上
のような条件が満足されないと、試料室内のガス
分子による散乱のために、有機ガス分子の供給が
有効に行なわれなくなる。
以上述べてきたように、荷電粒子ビームを用い
た加工装置は、マスクまたはレチクルのパターン
の欠陥の観察と除去修正及び追加修正を１回の工
程で行なうものであり、１枚のマスクの修正をき
わめて短時間で完結させることができる。このこ
とは追加修正に対して１サイクルで約半日かかつ
て行なつた従来の検査、洗浄、ベーク、露光、現
像、膜付けおよびリフトオフを行なうことと比較
すると飛躍的な進歩である。本発明を採用するこ
とによりマスクの製造工程の簡素化およびできあ
がつたマスクの良品化が見込まれる。
た加工装置は、マスクまたはレチクルのパターン
の欠陥の観察と除去修正及び追加修正を１回の工
程で行なうものであり、１枚のマスクの修正をき
わめて短時間で完結させることができる。このこ
とは追加修正に対して１サイクルで約半日かかつ
て行なつた従来の検査、洗浄、ベーク、露光、現
像、膜付けおよびリフトオフを行なうことと比較
すると飛躍的な進歩である。本発明を採用するこ
とによりマスクの製造工程の簡素化およびできあ
がつたマスクの良品化が見込まれる。
尚、本実施例における有機ガスとしては、フエ
ナントレン、ピレン、メチルフエナントレン、フ
ルオランテン、アントロン、トリフエニルメタン
のうちの１種又は多種を用いた場合に有効であ
る。
ナントレン、ピレン、メチルフエナントレン、フ
ルオランテン、アントロン、トリフエニルメタン
のうちの１種又は多種を用いた場合に有効であ
る。
第１図は荷電粒子ビームを用いた加工装置の側
断面図、第２図は第１図の要部の現象を説明する
ための詳細断面図である。 １……真空チヤンバー、２……排気系、３……
荷電粒子発生源、４……荷電粒子光学系、５……
試料、６……試料台、７……試料台駆動系、８…
…レーザー光源、９……ミラー、１０……レーザ
ー光検出系、１１……仕切り、１１ａ……小孔、
１２……荷電粒子光学系室、１３……試料室、１
４……有機ガス供給源、１５……バリアブルリー
クバルブ、１６……有機ガス吹きつけ用ノズル、
１７……排気系、Ａ……荷電粒子、Ｂ……荷電粒
子ビーム、Ｌ……レーザー光、Ｇ……有機ガス、
ｇ……有機ガス分子、g′……有機ガス分解物質、
５１……ガラス基板、５２……金属パターン、５
３……金属膜の欠陥位置。
断面図、第２図は第１図の要部の現象を説明する
ための詳細断面図である。 １……真空チヤンバー、２……排気系、３……
荷電粒子発生源、４……荷電粒子光学系、５……
試料、６……試料台、７……試料台駆動系、８…
…レーザー光源、９……ミラー、１０……レーザ
ー光検出系、１１……仕切り、１１ａ……小孔、
１２……荷電粒子光学系室、１３……試料室、１
４……有機ガス供給源、１５……バリアブルリー
クバルブ、１６……有機ガス吹きつけ用ノズル、
１７……排気系、Ａ……荷電粒子、Ｂ……荷電粒
子ビーム、Ｌ……レーザー光、Ｇ……有機ガス、
ｇ……有機ガス分子、g′……有機ガス分解物質、
５１……ガラス基板、５２……金属パターン、５
３……金属膜の欠陥位置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 荷電粒子を発生するための荷電粒子発生源
と、 前記荷電粒子を細く絞つて荷電粒子ビームにし
該荷電粒子ビームを走査するための荷電粒子光学
系と、 前記荷電粒子ビームで照射される試料と、 前記試料を支持および位置決めするための試料
台と、 前記試料台を移動するための駆動系とからなる
り、 前記試料のパターンを形成すべき表面部に前記
荷電粒子ビームを照射し、前記試料の前記荷電粒
子ビーム照射領域に有機ガスを局所的に吹きつけ
ることを特徴とする荷電粒子ビームを用いた加工
方法。 ２ 前記試料の前記荷電粒子ビーム照射位置およ
びその近傍に有機ガスをノズルで局所的に吹きつ
ける特許請求の範囲第１項記載の荷電粒子ビーム
を用いた加工方法。 ３ 前記試料が基板および該基板上にパターン化
された金属膜または金属酸化膜からなる特許請求
の範囲第１項記載の荷電粒子ビームを用いた加工
方法。 ４ 前記基板がガラスである特許請求の範囲第３
項記載の荷電粒子ビームを用いた加工方法。 ５ 前記有機ガスはフエナントレン、ピレン、メ
チルフエナントレン、フルオランデン、アントロ
ン、トリフエニルメタンのうち１種又は２種以上
を用いた特許請求の範囲第１項記載の荷電粒子ビ
ームを用いた加工方法。 ６ 荷電粒子を発生するための荷電粒子発生源
と、 前記荷電粒子を細く絞つて荷電粒子ビームにし
該荷電粒子ビームを走査するための荷電粒子光学
系と、 前記荷電粒子ビームで照射される試料と、 前記試料を支持および位置決めするための試料
台と、 前記試料台を移動するための駆動系とからなる
ものにおいて、 前記試料のパターンを形成すべき表面部に前記
荷電粒子ビームを照射し、前記試料の前記荷電粒
子ビーム照射領域に有機ガスを局所的に吹きつけ
ることを特徴とする荷電粒子ビームを用いた加工
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58201764A JPS6094728A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | 荷電粒子ビームを用いた加工方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58201764A JPS6094728A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | 荷電粒子ビームを用いた加工方法およびその装置 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2143698A Division JPH0316112A (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | イオンビーム加工装置 |
| JP2143699A Division JPH0315068A (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | パターン修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6094728A JPS6094728A (ja) | 1985-05-27 |
| JPH0132494B2 true JPH0132494B2 (ja) | 1989-07-04 |
Family
ID=16446543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58201764A Granted JPS6094728A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | 荷電粒子ビームを用いた加工方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6094728A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60182726A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | Seiko Instr & Electronics Ltd | パタ−ン膜形成方法 |
| US4930439A (en) * | 1984-06-26 | 1990-06-05 | Seiko Instruments Inc. | Mask-repairing device |
| JPH0642069B2 (ja) * | 1984-07-13 | 1994-06-01 | 株式会社日立製作所 | フォトマスク欠陥修正方法 |
| JPS62195662A (ja) * | 1986-02-24 | 1987-08-28 | Seiko Instr & Electronics Ltd | マスクリペア方法及び装置 |
| JPS62281349A (ja) * | 1986-05-29 | 1987-12-07 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 金属パタ−ン膜の形成方法及びその装置 |
| NL8602176A (nl) * | 1986-08-27 | 1988-03-16 | Philips Nv | Ionen bundel apparaat voor nabewerking van patronen. |
| EP0316111B1 (en) * | 1987-11-09 | 1994-08-17 | AT&T Corp. | Mask repair |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5270991A (en) * | 1975-12-10 | 1977-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | Gas phase reactor by use of laser |
| JPS53135276A (en) * | 1977-04-30 | 1978-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | Correcting method for defect of photomask |
| JPS5428313A (en) * | 1977-08-03 | 1979-03-02 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Bonding method of carbon material |
| JPS55150225A (en) * | 1979-05-11 | 1980-11-22 | Hitachi Ltd | Method of correcting white spot fault of photomask |
| JPS5856332A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-04 | Hitachi Ltd | マスクの欠陥修正方法 |
-
1983
- 1983-10-27 JP JP58201764A patent/JPS6094728A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5270991A (en) * | 1975-12-10 | 1977-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | Gas phase reactor by use of laser |
| JPS53135276A (en) * | 1977-04-30 | 1978-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | Correcting method for defect of photomask |
| JPS5428313A (en) * | 1977-08-03 | 1979-03-02 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Bonding method of carbon material |
| JPS55150225A (en) * | 1979-05-11 | 1980-11-22 | Hitachi Ltd | Method of correcting white spot fault of photomask |
| JPS5856332A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-04 | Hitachi Ltd | マスクの欠陥修正方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6094728A (ja) | 1985-05-27 |
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