JP2023532956A - フォトリソグラフィマスクのパターン要素の側壁角を設定するための方法および装置 - Google Patents
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Abstract
Description
- 少なくとも1つの粒子ビーム源の結像システムの少なくとも1つのコンデンサ絞りを、質量を有する粒子ビームの光軸に対して中心対称に設定するステップ、
- 少なくとも1つの粒子ビーム源の結像システムの少なくとも1つの絞りを非円形に設定するステップ、
- フォトリソグラフィマスクのパターニングされた表面に対する垂線に対して質量を有する粒子ビームを傾斜させるための、少なくとも1つの粒子ビーム源の結像システムを調整するステップ、
- フォトリソグラフィマスクのパターニングされた表面に対する垂線に対して質量を有する粒子ビームを傾斜させるための偏向システムを設定するステップ、および
- 局所化学反応中に質量を有する粒子ビームのビームプロファイルを設定するステップ、
の群のうちの1つの要素を少なくとも変更するステップを含むことができる。
- 修復形状を少なくとも2つの部分修復形状に分割して、少なくとも2つの部分修復形状を異なるプロセスパラメータで処理するステップ、
- 局所化学反応中に、繰り返し時間(フレームリフレッシュ時間)、滞留時間、質量を有する粒子ビームの隣接する走査点の間隔(ラインステップ)、および少なくとも1つの質量を有する粒子ビームの加速電圧の群のうちの少なくとも1つのパラメータを変更するステップ、
- 局所化学反応中に修復形状のサイズを変更するステップ、ならびに
- 局所化学反応中に修復形状の位置を変更するステップ
の群のうちの少なくとも1つの要素を含むことができる。
- パターン要素の欠落材料、
- パターン要素の過剰材料、
- フォトリソグラフィマスクの基板の欠落材料、
- フォトリソグラフィマスクの基板の過剰材料、
- NIL基板および/またはNILテンプレート上の要素の欠落材料、
- NIL基板および/またはNILテンプレート上の要素の過剰材料、
- 指定範囲外の側壁角、
- 少なくとも1つのパターン要素の側壁の、その表面に対する曲率半径であって、指定範囲外にある曲率半径、および
- フォトリソグラフィマスクの基板に対する少なくとも1つのパターン要素の側壁の曲率半径であって、指定範囲外にある曲率半径、
の群のうちの少なくとも1つの要素を含むことができる。
- 異なる入射角で記録された少なくとも1つの欠陥の測定データ、
- 少なくとも1つの欠陥の3次元輪郭のデータ、
- 少なくとも1つの欠陥の修復形状のパラメータ、
- 少なくとも1つの欠陥の欠陥残留物のデータ、
- 少なくとも1つのパターン要素の側壁角、および
- 生成された側壁の角度、
の群の少なくとも1つの要素を取得するようにさらに具現化することができる。
Claims (20)
- フォトリソグラフィマスク(150、200、700)の少なくとも1つのパターン要素(120、220、230、250、260、280、290)の少なくとも1つの側壁角(170、670、1970、2470、2770、2780)を設定するための方法(2800)であって、
a.少なくとも1つの前駆体ガスを供給するステップと、
b.前記少なくとも1つの前駆体ガスの局所化学反応を誘発する少なくとも1つの質量を有する粒子ビーム(910、1215、1515、1930、2120)を提供するステップと、
c.前記少なくとも1つのパターン要素(120、220、230、250、260、280、290)の前記少なくとも1つの側壁角(170、670、1970、2470、2770、2780)を設定するために、前記局所化学反応中に前記粒子ビーム(910、1215、1515、1930、2120)の少なくとも1つのパラメータおよび/またはプロセスパラメータを変更するステップと、
を含み、
d.一次元における修復形状(2620)のサイズが、前記局所化学反応の開始から終了までに、一次元におけるプロセス分解能限界に対して少なくとも5%変化する、
方法。 - 前記少なくとも1つの質量を有する粒子ビーム(910、1215、1515、1930、2120)が、設定される前記側壁角(170、670、1970、2470、2770、2780)の前記位置で前記局所化学反応を誘発する、請求項1に記載の方法(2800)。
- 前記少なくとも1つの側壁角(170、670、1970、2470、2770、2780)が、前記フォトリソグラフィマスク(150、200、700)の欠陥が修復されている間に設定される、請求項1または2に記載の方法(2800)。
- 前記少なくとも1つの粒子ビーム(910、1215、1515、1930、2120)の少なくとも1つのパラメータを変更するステップが、
- 少なくとも1つの粒子ビーム源(1205、1505)の結像システム(1213、1513)の少なくとも1つのコンデンサ絞りを、前記質量を有する粒子ビーム(910、1215、1515、1930、2120)の光軸に対して中心対称に設定するステップ、
- 前記少なくとも1つの粒子ビーム源(1205、1505)の前記結像システム(1213、1513)の少なくとも1つの絞りを非円形に設定するステップ、
- 前記フォトリソグラフィマスク(150、200、700)のパターニングされた表面の垂線に対して前記質量を有する粒子ビーム(910、1215、1515、1930、2120)を傾斜させるための、前記少なくとも1つの粒子ビーム源(1205、1505)の前記結像システム(1213、1513)を調整するステップ、
- 前記フォトリソグラフィマスク(150、200、700)の前記パターニングされた表面の前記垂線に対して前記質量を有する粒子ビーム(910、1215、1515、1930、2120)を傾斜させるための偏向システム(1350)を設定するステップ、ならびに
- 前記局所化学反応中に前記質量を有する粒子ビーム(910、1215、1515、1930、2120)のビームプロファイルを設定するステップ、
の群のうちの少なくとも1つの要素を変更するステップを含む、請求項1~3のいずれか1項に記載の方法(2800)。 - 前記少なくとも1つのプロセスパラメータを変更するステップが、
- 修復形状(2520、2620)を少なくとも2つの部分修復形状に分割して、前記少なくとも2つの部分修復形状を異なるプロセスパラメータで処理するステップ、
- 前記局所化学反応中に、繰り返し時間、滞留時間、前記質量を有する粒子ビーム(910、1215、1515、1930、2120)の隣接する走査点の間隔、および前記少なくとも1つの質量を有する粒子ビーム(910、1215、1515、1930、2120)の加速電圧の群のうちの少なくとも1つのパラメータを変更するステップ、
- 前記局所化学反応中に前記修復形状(2620)のサイズを変更するステップ、ならびに
- 前記局所化学反応中に前記修復形状(2520、2620)の位置を変更するステップ、
の群のうちの少なくとも1つの要素を含む、請求項1~4のいずれか1項に記載の方法(2800)。 - 一次元における修復形状(2620)の前記サイズが、前記局所化学反応の前記開始から前記終了までに、一次元におけるプロセス分解能限界に対して少なくとも30%、好ましくは少なくとも50%、より好ましくは少なくとも100%変化する、請求項1~5のいずれか1項に記載の方法(2800)。
- 修復形状(2520、2620)のエッジの前記位置が、前記局所化学反応の前記開始から前記終了までに、一次元におけるプロセス分解能限界に対して少なくとも5%、好ましくは少なくとも30%、より好ましくは少なくとも50%、最も好ましくは少なくとも100%変化する、請求項1~6のいずれか1項に記載の方法(2800)。
- a.前記局所化学反応を中断するステップと、
b.前記局所化学反応中に生成された前記少なくとも1つの欠陥(750)および/または側壁(2460)の欠陥残留物を検査するステップと、
をさらに含む、請求項1~7のいずれか1項に記載の方法(2800)。 - c.前記検査された欠陥残留物および/または前記生成された側壁(2460)によって必要とされる場合、前記局所化学反応中に以前に変更されないままであった前記粒子ビーム(910、1215、1515、1930、2120)の少なくとも1つのパラメータおよび/またはプロセスパラメータを変更するステップと、
d.前記検査された欠陥残留物および/または前記生成された側壁(2460)によって必要とされない場合には、前記少なくとも1つの変更されたパラメータを用いて前記局所化学反応を継続するか、または前記変更されていないパラメータを用いて前記局所化学反応を継続するステップと、
をさらに含む、請求項8に記載の方法(2800)。 - 少なくとも1つの質量を有する粒子ビーム(910、1215、1515、1930、2120)を用いてフォトリソグラフィマスク(150、200、700)の少なくとも1つの欠陥(750)を検査するための方法(1800)であって、
a.少なくとも1つの質量を有する粒子ビーム(910、1215、1515、1930、2120)を提供するステップと、
b.前記少なくとも1つの欠陥(750)の前記検査中に前記少なくとも1つの欠陥(750)への前記質量を有する粒子ビーム(910、1215、1515、1930、2120)の平均入射角(φ1、φ2、φ3)を変更するステップと、
を含む方法(1800)。 - 前記少なくとも1つの欠陥(750)が、
- パターン要素(120、220、230、250、260、280、290)の欠落材料、
- パターン要素(120、220、230、250、260、280、290)の過剰材料、
- 前記フォトリソグラフィマスク(150、200、700)の基板(110)の欠落材料、
- 前記フォトリソグラフィマスク(150、200、700)の前記基板(110)の過剰材料、指定範囲外の側壁角(170、670、1970、2470、2770、2780)、
- NIL基板および/またはNILテンプレート上の要素の欠落材料、
- NIL基板および/またはNILテンプレート上の要素の過剰材料、
- 指定範囲外の側壁角(170、670、1970、2470、2770、2780)、
- 前記少なくとも1つのパターン要素(170、670、1970、2470、2770、2780)の側壁(1960)の、その表面に対する曲率半径(1935、1945)であって、指定範囲外にある曲率半径、および
- 前記フォトリソグラフィマスク(150、200、700)の前記基板(110)に対する前記少なくとも1つのパターン要素(170、670、1970、2470、2770、2780)の前記側壁(1960)の曲率半径(1935、1945)であって、指定範囲外にある曲率半径、
の群のうちの少なくとも1つの要素を含む、請求項10に記載の方法(1800)。 - 前記少なくとも1つの質量を有する粒子ビーム(910、1215、1515、1930、2120)の前記平均入射角(φ1、φ2、φ3)を変更するステップが、前記質量を有する粒子ビーム(910、1215、1515、1930、2120)を電界および/または磁界内で偏向させるステップを含む、請求項10または11に記載の方法(1800)。
- 前記少なくとも1つの検査された欠陥(750)の修復形状(2520、2620)のパラメータを決定するステップをさらに含む、請求項10~12のいずれか1項に記載の方法(1800)。
- 前記平均入射角(φ1、φ2、φ3)を変更するステップが、前記フォトリソグラフィマスク(150、200、700)の基板(110)への前記少なくとも1つの質量を有する粒子ビーム(910、1215、1515、1930、2120)の垂直入射に対して、前記入射角を5°超、好ましくは10°超、好ましくは20°超、最も好ましくは30°超変更するステップを含む、請求項10~13のいずれか1項に記載の方法(1800)。
- コンピュータシステムによって実行されると、請求項1~9のいずれか1項に記載の方法ステップを前記コンピュータシステムに実行させる命令を含む、コンピュータプログラム。
- コンピュータシステムによって実行されると、請求項10~14のいずれか1項に記載の方法ステップを前記コンピュータシステムに実行させる命令を含む、コンピュータプログラム。
- フォトリソグラフィマスク(160、200、700)の少なくとも1つのパターン要素(170、670、1970、2470、2770、2780)の少なくとも1つの側壁角(170、670、1970、2470、2770、2780)を設定するための装置(1500)であって、
a.少なくとも1つの前駆体ガスを供給するように具現化された少なくとも1つのガス供給システム(1540、1542、1545、1547、1550、1552、1555、1547、1560、1562、1565、1567)と、
b.少なくとも1つの質量を有する粒子ビーム(910、1215、1515、1930、2120)を生成するように具現化された少なくとも1つの粒子ビーム源(1205、1505)であって、前記少なくとも1つの質量を有する粒子ビーム(910、1215、1515、1930、2120)が、前記少なくとも1つの前駆体ガスの局所化学反応を誘発するように具現化されている、少なくとも1つの粒子ビーム源(1205、1505)と、
c.前記少なくとも1つのパターン要素(120、220、230、250、260、280、290)の前記少なくとも1つの側壁角(170、670、1970、2470、2770、2780)を設定するために、前記局所化学反応中に前記少なくとも1つの粒子ビーム源(1205、1505)の少なくとも1つのパラメータおよび/または少なくとも1つのプロセスパラメータを変更するように具現化されている少なくとも1つの調整ユニット(1590)と、
を備え、
d.前記少なくとも1つの調整ユニット(1590)が、前記局所化学反応の開始から終了までに、一次元における修復形状(2620)のサイズを、一次元におけるプロセス分解能限界に対して少なくとも5%変化させるようにさらに具現化されている、
装置(1500)。 - 前記調整ユニット(1590)が、
- 異なる入射角(φ1、φ2、φ3)で記録された少なくとも1つの欠陥(750)の測定データ、
- 少なくとも1つの欠陥(750)の3次元輪郭のデータ、
- 少なくとも1つの欠陥(750)の修復形状(2520、2620)のパラメータ、
- 少なくとも1つの欠陥(750)の欠陥残留物のデータ、
- 少なくとも1つのパターン要素(120、220、230、250、260、280、290)の側壁角(170、670、1970、2470、2770、2780)、および
- 生成された側壁(2460)の角度、
の群のうちの少なくとも1つの要素を受け取るようにさらに具現化されている、請求項17に記載の装置(1500)。 - 少なくとも1つの質量を有する粒子ビーム(910、1215、1515、1930、2120)を用いて異なる角度でフォトリソグラフィマスク(150、200、750)の少なくとも1つの欠陥(750)を検査するための装置(1200)であって、
a.少なくとも1つの質量を有する粒子ビーム(910、1215、1515、1930、2120)を生成するように具現化されている少なくとも1つの粒子ビーム源(1205)と、
b.前記検査中に前記質量を有する粒子ビーム(910、1215、1515、1930、2120)の平均入射角(φ1、φ2、φ3)を変更するように具現化されている少なくとも1つの調整ユニット(1290)と、
を備える、装置(1200)。 - 前記調整ユニット(1290)が、パラメータ化された修復形状(2520、2560)に基づいて、前記フォトリソグラフィマスク(150、200、700)の前記少なくとも1つのパターン要素(120、220、230、250、260、280、290)への前記質量を有する粒子ビーム(910、1215、1515、1930、2120)の前記平均入射角(φ1、φ2、φ3)の前記変更を制御するようにさらに具現化されている、請求項19に記載の装置(1200)。
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