JPH0642069B2 - フォトマスク欠陥修正方法 - Google Patents
フォトマスク欠陥修正方法Info
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- JPH0642069B2 JPH0642069B2 JP14447984A JP14447984A JPH0642069B2 JP H0642069 B2 JPH0642069 B2 JP H0642069B2 JP 14447984 A JP14447984 A JP 14447984A JP 14447984 A JP14447984 A JP 14447984A JP H0642069 B2 JPH0642069 B2 JP H0642069B2
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- photomask
- electron beam
- defect
- rectangular
- optical system
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
- G03F1/74—Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はフォトマスクの白点欠陥（欠落欠陥）を短時間
に修正可能にしたフォトマスク欠陥修正方法に関する。
に修正可能にしたフォトマスク欠陥修正方法に関する。
〔発明の背景〕 フォトマスクの欠陥には、残留欠陥（黒点欠陥）と欠落
欠陥（白点欠陥）の二種類がある。これらの欠陥は、Ｌ
ＳＩ等半導体置の歩留まりを左右する。またこれらの欠
陥の修正は生産性に大きく影響するので、これらの欠陥
の修正に要する工程は少なくし、かつ短時間に行う必要
がある。
欠陥（白点欠陥）の二種類がある。これらの欠陥は、Ｌ
ＳＩ等半導体置の歩留まりを左右する。またこれらの欠
陥の修正は生産性に大きく影響するので、これらの欠陥
の修正に要する工程は少なくし、かつ短時間に行う必要
がある。
上記フォトマスクに発生する欠陥のうち、残留欠陥（黒
点欠陥）については、従来よりレーザによる修正方法た
とえば特公昭52-9508号に記載されている方法によって
大巾な工程短縮が実現されている。
点欠陥）については、従来よりレーザによる修正方法た
とえば特公昭52-9508号に記載されている方法によって
大巾な工程短縮が実現されている。
一方欠落欠陥（白点欠陥）即ち正常なパターンの一部が
欠落した様な欠陥については、従来リフト・オフ法が用
いられている。このリフト・オフ法はつぎの工程によっ
て行われている。
欠落した様な欠陥については、従来リフト・オフ法が用
いられている。このリフト・オフ法はつぎの工程によっ
て行われている。
(1)欠落欠陥を有するフォトマスク全面にポジ型フォト
レジストを塗布する。
レジストを塗布する。
(2)部分露光法を用いて欠落欠陥部のみに露光を行う。
(3)現像処理により欠落欠陥部のレジストに窓あけを行
う。
う。
(4)真空蒸着により欠落欠陥部と、その周辺のレジスト
上あるいはフォトマスク全面のレジスト上に金属膜を形
成する。
上あるいはフォトマスク全面のレジスト上に金属膜を形
成する。
(5)レジスト除去を行い、同時にレジスト上に形成され
ている金属膜を除去する。
ている金属膜を除去する。
この様に、リフト・オフ法を用いた場合には、多くの工
程を必要とするので、フォトマスクの欠落欠陥の修正と
しては、生産の点で充分なものといえないものである。
程を必要とするので、フォトマスクの欠落欠陥の修正と
しては、生産の点で充分なものといえないものである。
また、従来より有機金属ガス雰囲気内で電子ビームを照
射して金属を析出する方法が用いられている。この方法
はたとえば、15-th Symposium of Ion Implantation an
d Submicron Fabrication（1984年２月）におけるS.Mat
sui及びK.Moriによる“New Selective Deposition Tech
nology by Electron Beam Induced Surface Reaction”
と題する文献に紹介されている。
射して金属を析出する方法が用いられている。この方法
はたとえば、15-th Symposium of Ion Implantation an
d Submicron Fabrication（1984年２月）におけるS.Mat
sui及びK.Moriによる“New Selective Deposition Tech
nology by Electron Beam Induced Surface Reaction”
と題する文献に紹介されている。
この文献で紹介されている方法は、第６図に示す如く、
Cr（C6H6）２を納めたソースチャンバー１からバルブ２
を介して試料３が納められたチャンバー４内にCr（C
6H6）２蒸気が供給され、サブチャンバー４にあけられ
たピンホール５を通過する電子銃６からの電子ビーム７
が照射れ、試料３上にCr膜を析出するというものであ
る。
Cr（C6H6）２を納めたソースチャンバー１からバルブ２
を介して試料３が納められたチャンバー４内にCr（C
6H6）２蒸気が供給され、サブチャンバー４にあけられ
たピンホール５を通過する電子銃６からの電子ビーム７
が照射れ、試料３上にCr膜を析出するというものであ
る。
然るに、上記の文献には単に金属−有機錯体ガス雰囲気
内で電子ビームを照射して金属を析出する方法の原理が
紹介されているに過ぎず、これを実施するための具体的
な方法たとえばフォトマスクの欠落欠陥と、電子ビーム
との位置合せ、電子ビームの走査範囲の設定等について
は何等記載されていない。また通常の走査型電子顕微鏡
の機能を利用することもできない。
内で電子ビームを照射して金属を析出する方法の原理が
紹介されているに過ぎず、これを実施するための具体的
な方法たとえばフォトマスクの欠落欠陥と、電子ビーム
との位置合せ、電子ビームの走査範囲の設定等について
は何等記載されていない。また通常の走査型電子顕微鏡
の機能を利用することもできない。
本発明は上記金属−有機錯体あるいは有機ガス雰囲気内
で電子ビームを照射して金属を析出する方法における技
術的な問題点を解決し、フォトマスクの欠落欠陥の修正
に要する工程数を少なくし、かつ修正に要する時間を短
縮可能にしたフォトマスクの欠陥修正方法を提供するこ
とにある。
で電子ビームを照射して金属を析出する方法における技
術的な問題点を解決し、フォトマスクの欠落欠陥の修正
に要する工程数を少なくし、かつ修正に要する時間を短
縮可能にしたフォトマスクの欠陥修正方法を提供するこ
とにある。
本発明は上記の目的を達成するため、電子ビーム光学系
と同一光軸上を通る光学的観察手段によりフォトマスク
の反パターン側から電子ビームの照射領域を設定し、設
定された領域の内側のみに電子ビームを照射させて上記
フォトマスクの欠落欠陥を修正することを特徴とするも
のである。
と同一光軸上を通る光学的観察手段によりフォトマスク
の反パターン側から電子ビームの照射領域を設定し、設
定された領域の内側のみに電子ビームを照射させて上記
フォトマスクの欠落欠陥を修正することを特徴とするも
のである。
以下、本発明の原理説明を第１図ないし第４図を参照し
て説明する。第１図において、８は真空チヤンバにし
て、上方の真空チヤンバ8a内には上方から陰極9a，第１
陽極9b，第２陽極9cからなる電子銃９と、上部アパーチ
ャ10，ブランキング電極11，下部アパーチャ12，レンズ
コイル13，偏向コイル14，ステイグマコイル15，とを設
けている。上記上部アパーチャ10はその中心部にピンホ
ール10aを形成してこのピンホール10aから上記電子銃９
よりの電子ビームを放出させている。上記ブランキング
電極11は、上記偏向コイル14による走査位置と、後述の
矩形状の開口スリット29の投影位置とを比較し、上記偏
向コイル14により走査される電子ビームが第２図に示す
矩形投影像34の内側にあるときのみブランキング電極11
に電圧を印加せず、電子ビームを下部アパーチャ12のピ
ンホール12aを通過させ、それ以外の時には、ブランキ
ング電極11に電圧を印加して電子ビームを曲げ、上部ア
パーチャ10よりの電子ビームが下部アパーチャ12のピン
ホール12a内を通過しないようにしている。即ち、上記
ブランキング電極11は下部アパーチャ12とともに電子ビ
ームをON,OFFするようにしている。上記偏向コイル14
は、上方の真空チャンバ8a内に保持され、その内部の一
定面積の矩形領域14a内に上記レンズコイル13により集
束された電子ビームを通過させつつ、Ｘ−Ｙに走査す
る。上記ステイグマコイル15は、上記偏向コイル14より
の電子ビームを通過させつつそのスポット形状を整える
如くしている。
て説明する。第１図において、８は真空チヤンバにし
て、上方の真空チヤンバ8a内には上方から陰極9a，第１
陽極9b，第２陽極9cからなる電子銃９と、上部アパーチ
ャ10，ブランキング電極11，下部アパーチャ12，レンズ
コイル13，偏向コイル14，ステイグマコイル15，とを設
けている。上記上部アパーチャ10はその中心部にピンホ
ール10aを形成してこのピンホール10aから上記電子銃９
よりの電子ビームを放出させている。上記ブランキング
電極11は、上記偏向コイル14による走査位置と、後述の
矩形状の開口スリット29の投影位置とを比較し、上記偏
向コイル14により走査される電子ビームが第２図に示す
矩形投影像34の内側にあるときのみブランキング電極11
に電圧を印加せず、電子ビームを下部アパーチャ12のピ
ンホール12aを通過させ、それ以外の時には、ブランキ
ング電極11に電圧を印加して電子ビームを曲げ、上部ア
パーチャ10よりの電子ビームが下部アパーチャ12のピン
ホール12a内を通過しないようにしている。即ち、上記
ブランキング電極11は下部アパーチャ12とともに電子ビ
ームをON,OFFするようにしている。上記偏向コイル14
は、上方の真空チャンバ8a内に保持され、その内部の一
定面積の矩形領域14a内に上記レンズコイル13により集
束された電子ビームを通過させつつ、Ｘ−Ｙに走査す
る。上記ステイグマコイル15は、上記偏向コイル14より
の電子ビームを通過させつつそのスポット形状を整える
如くしている。
また下方の真空チャンバ8b内にはサブチャンバ16，ミラ
ー17を保持し、側壁には窓18を固定している。上記サブ
チャンバ16は上方中心部にピンホール16aを形成し、こ
のピンホール16aの下方対向位置に窓16bを固定し、内部
を開閉弁19aを有する配管19にて材料ガスボンベ20に接
続している。この材料ガスボンベ20はその内部に例えば
（C6H6）2Crを充填している。21は中空状に形成された
Ｘ−Ｙステージにして、欠陥検査装置（図示せず）によ
る欠落欠陥位置の情報に基づいて駆動される駆動機構
（図示せず）によりサブチャンバ16内をＸ−Ｙ方向に走
査する如く保持され、内部に上記サブチャンバ16に固定
された対物レンズ22を内蔵し上方部にパターン面を上向
きに１体に固定したフォトマスク23を保持している。24
a,24bは２個１対のハーフミラーにして、互いに上方部
が外方に開口するように反対方向に傾斜している。25は
結像レンズ，26は接眼レンズ，27は光源27aとミラー27b
とからなる証明光学系，28は結像レンズである。
ー17を保持し、側壁には窓18を固定している。上記サブ
チャンバ16は上方中心部にピンホール16aを形成し、こ
のピンホール16aの下方対向位置に窓16bを固定し、内部
を開閉弁19aを有する配管19にて材料ガスボンベ20に接
続している。この材料ガスボンベ20はその内部に例えば
（C6H6）2Crを充填している。21は中空状に形成された
Ｘ−Ｙステージにして、欠陥検査装置（図示せず）によ
る欠落欠陥位置の情報に基づいて駆動される駆動機構
（図示せず）によりサブチャンバ16内をＸ−Ｙ方向に走
査する如く保持され、内部に上記サブチャンバ16に固定
された対物レンズ22を内蔵し上方部にパターン面を上向
きに１体に固定したフォトマスク23を保持している。24
a,24bは２個１対のハーフミラーにして、互いに上方部
が外方に開口するように反対方向に傾斜している。25は
結像レンズ，26は接眼レンズ，27は光源27aとミラー27b
とからなる証明光学系，28は結像レンズである。
また29は２対のナイフエッヂで構成される（１対のみ図
示）可変矩形スリット，30は移動機構にして、上記可変
矩形スリット29の形状・寸法を可変にしている。31はス
リット位置検出器にして、上記２個の可変矩形スリット
29を構成するナイフエッジの移動位置を検出する。32は
参照光学系にして、レンズ32a，干渉フイルタ32bおよび
光源32cとから形成されている。
示）可変矩形スリット，30は移動機構にして、上記可変
矩形スリット29の形状・寸法を可変にしている。31はス
リット位置検出器にして、上記２個の可変矩形スリット
29を構成するナイフエッジの移動位置を検出する。32は
参照光学系にして、レンズ32a，干渉フイルタ32bおよび
光源32cとから形成されている。
なお、図示していないが、上記真空チャンバ８内と、必
要に応じてサブチャンバ16内とを夫々排気ポンプに接続
している。
要に応じてサブチャンバ16内とを夫々排気ポンプに接続
している。
上記の構成であるから、フォトマスク23をＸ−Ｙステー
ジ21上に載置したのち、真空チャンバ８内の気体および
必要に応じてサブチャンバ16内の気体を排気ポンプによ
り排出させる。
ジ21上に載置したのち、真空チャンバ８内の気体および
必要に応じてサブチャンバ16内の気体を排気ポンプによ
り排出させる。
ついで、欠陥検査装置による欠陥位置情報によりＸ−Ｙ
ステージ21を駆動してフォトマスク23の欠陥部を対物レ
ンズ22の視野内に再現させる。上記フォトマスク23の欠
陥部とその周辺は、上記対物レンズ22，窓16b，ハーフ
ミラー24a,24b，結像レンズ25，接眼レンズ26を介して
証明光学系27による落射照明により基板を通じて観察す
ることができる。同時に参照光学系32の干渉フイルタ32
bを介して光源32cから特定波長の光が選択し、対物レン
ズ22と結像レンズ28とにより、フォトマスク23のパター
ン33が結像される位置に置かれた可変矩形スリット29の
投影像34を、逆にフォトマスク23のパターン33面に結像
する。この矩形投影像34は、接眼レンズ26により観察す
ることができる。
ステージ21を駆動してフォトマスク23の欠陥部を対物レ
ンズ22の視野内に再現させる。上記フォトマスク23の欠
陥部とその周辺は、上記対物レンズ22，窓16b，ハーフ
ミラー24a,24b，結像レンズ25，接眼レンズ26を介して
証明光学系27による落射照明により基板を通じて観察す
ることができる。同時に参照光学系32の干渉フイルタ32
bを介して光源32cから特定波長の光が選択し、対物レン
ズ22と結像レンズ28とにより、フォトマスク23のパター
ン33が結像される位置に置かれた可変矩形スリット29の
投影像34を、逆にフォトマスク23のパターン33面に結像
する。この矩形投影像34は、接眼レンズ26により観察す
ることができる。
そこで、作業員はフォトマスク23のパターン33と矩形ス
リット29の投影像34を同時に観察しながらスリット位置
移動機構30により矩形スリット29の投影像34の位置を調
整して両者の投影像33,34を合致させる。この点を第２
図について詳述するとフォトマスク23には通常クロム薄
膜で形成されるパターン33面上で矩形投影像34を形成す
る可変スリット29の位置を移動させ、矩形投影像34が正
常なパターン33の外方位置にならないように、かつ欠落
欠陥35を完全に覆うように位置合せが行われる。このと
き、電子銃９からの電子ビームが偏向コイル14によって
走査された位置と矩形スリット29間の投影位置とを比較
し、上記電子ビームの走査位置が矩形スリット29間の矩
形投影像34の内側にある場合のみ電子銃９から電子ビー
ムを下部アパーチャ12のピンホール12a内を通ってフォ
トマスク23のパターン33面に照射される。即ち、電子銃
９からフォトマスク23のパターン33面に照射される位置
は偏向コイル14により調整され、矩形スリット29の矩形
投影像34の位置は移動機構30により調整される。また、
偏向コイル14にて調整される前の電子ビームの光軸と、
偏向コイル14にて走査位置を調整されたのちの電子ビー
ムの光軸との距離は偏向コイル14電流から容易に求ま
る。またハーフミラー24aと参照光学系32を通る光軸か
ら移動機構30により可変矩形スリット29を構成するナイ
フエッヂ先端が移動した距離はスリット位置検出器31に
より求まる。
リット29の投影像34を同時に観察しながらスリット位置
移動機構30により矩形スリット29の投影像34の位置を調
整して両者の投影像33,34を合致させる。この点を第２
図について詳述するとフォトマスク23には通常クロム薄
膜で形成されるパターン33面上で矩形投影像34を形成す
る可変スリット29の位置を移動させ、矩形投影像34が正
常なパターン33の外方位置にならないように、かつ欠落
欠陥35を完全に覆うように位置合せが行われる。このと
き、電子銃９からの電子ビームが偏向コイル14によって
走査された位置と矩形スリット29間の投影位置とを比較
し、上記電子ビームの走査位置が矩形スリット29間の矩
形投影像34の内側にある場合のみ電子銃９から電子ビー
ムを下部アパーチャ12のピンホール12a内を通ってフォ
トマスク23のパターン33面に照射される。即ち、電子銃
９からフォトマスク23のパターン33面に照射される位置
は偏向コイル14により調整され、矩形スリット29の矩形
投影像34の位置は移動機構30により調整される。また、
偏向コイル14にて調整される前の電子ビームの光軸と、
偏向コイル14にて走査位置を調整されたのちの電子ビー
ムの光軸との距離は偏向コイル14電流から容易に求ま
る。またハーフミラー24aと参照光学系32を通る光軸か
ら移動機構30により可変矩形スリット29を構成するナイ
フエッヂ先端が移動した距離はスリット位置検出器31に
より求まる。
ここで上記光軸と各ナイフエッヂ先端との距離とフォト
マスク23上での光軸と投影された矩形の各辺との距離の
比は対物レンズ22と結像レンズ28による投影倍率に一致
するから上記各光軸を一致させることにより電子ビーム
の走査位置と、可変矩形スリット29間の投影像34の位置
とを比較することは容易である。
マスク23上での光軸と投影された矩形の各辺との距離の
比は対物レンズ22と結像レンズ28による投影倍率に一致
するから上記各光軸を一致させることにより電子ビーム
の走査位置と、可変矩形スリット29間の投影像34の位置
とを比較することは容易である。
この状態で開閉弁19aを開いて材料ガスボンベ20内の材
料ガス（C6H6）2Crをサブチャンバ16内に導入して材料
ガス（C6H6）2Crがフォトマスク23の欠落欠陥35を覆
い、かつ電子ビームがフォトマスク23の欠落欠陥35に照
射すると材料ガス（C6H6）2Crから分解したクロムある
いはクロムと炭素の化合物からなる遮光膜を析出するこ
とができるので、これによってフォトマスク23に発生し
た欠落欠陥35を完全に修正することができる。即ち、フ
ォトマスク23の欠落欠陥35に極めて近い位置にある材料
ガス（C6H6）2Crの分子が電子ビームのエネルギで気相
反応により分解し、クロムあるいはクロムと炭素の化合
物が基板上に付着するため、電子ビームの照射領域と同
じ形状、寸法の析出膜が得られる。
料ガス（C6H6）2Crをサブチャンバ16内に導入して材料
ガス（C6H6）2Crがフォトマスク23の欠落欠陥35を覆
い、かつ電子ビームがフォトマスク23の欠落欠陥35に照
射すると材料ガス（C6H6）2Crから分解したクロムある
いはクロムと炭素の化合物からなる遮光膜を析出するこ
とができるので、これによってフォトマスク23に発生し
た欠落欠陥35を完全に修正することができる。即ち、フ
ォトマスク23の欠落欠陥35に極めて近い位置にある材料
ガス（C6H6）2Crの分子が電子ビームのエネルギで気相
反応により分解し、クロムあるいはクロムと炭素の化合
物が基板上に付着するため、電子ビームの照射領域と同
じ形状、寸法の析出膜が得られる。
もし、フォトマスク23に複数個の欠落欠陥35が存在する
場合には、各欠落欠陥35について上記と同一作業を順次
行うことにより、複数個の欠落欠陥35を修正することが
できる。修正後は開閉弁19aを閉じ、サブチャンバ16内
の材料ガス（C6H6）2Crが酸素と反応して酸化クロムを
発生してサブチャンバ16内を汚染する恐れがある場合に
は、サブチャンバ16内のガスを外部に排出したのち、フ
ォトマスク23を取出して修正作業が完了する。
場合には、各欠落欠陥35について上記と同一作業を順次
行うことにより、複数個の欠落欠陥35を修正することが
できる。修正後は開閉弁19aを閉じ、サブチャンバ16内
の材料ガス（C6H6）2Crが酸素と反応して酸化クロムを
発生してサブチャンバ16内を汚染する恐れがある場合に
は、サブチャンバ16内のガスを外部に排出したのち、フ
ォトマスク23を取出して修正作業が完了する。
第１図においては、フォトマスク23の欠落欠陥35の観察
および位置合せに用いる光学系が対物レンズ22として無
限遠補正系対物レンズを用いた場合について述べたが、
これに限定されるものでなく、たとえば第３図に示す如
く、有限補正系の対物レンズ36を使用しても同じ効果を
得られることは云うまでもない。
および位置合せに用いる光学系が対物レンズ22として無
限遠補正系対物レンズを用いた場合について述べたが、
これに限定されるものでなく、たとえば第３図に示す如
く、有限補正系の対物レンズ36を使用しても同じ効果を
得られることは云うまでもない。
即ち、上記対物レンズ36によるフォトマスク23のパター
ンは接眼レンズ37により観察することができ、一方のハ
ーフミラー24aにより曲げられ、結像した位置におかれ
た可変矩形スリット29の投影像34は対物レンズ36により
フォトマスク23のパターン33面に投影される。なお、第
３図に示したものの中に上記以外は第１図と同一であ
る。
ンは接眼レンズ37により観察することができ、一方のハ
ーフミラー24aにより曲げられ、結像した位置におかれ
た可変矩形スリット29の投影像34は対物レンズ36により
フォトマスク23のパターン33面に投影される。なお、第
３図に示したものの中に上記以外は第１図と同一であ
る。
つぎに第４図に本発明の原理説明用の他の構成例を示
す。同図においては、上方の真空チャンバ38内に陰極39
a，第１陽極39bおよび第２陽極39cからなる電子銃39と
ブランキング電極40，コンデンサレンズコイル41，上部
矩形アパーチャ42a，偏向電極43，整形レンズコイル4
4，下部矩形アパーチャ42b，縮小レンズコイル45，投影
レンズコイル46および偏向電極47を設けている。上記ブ
ランキング電極40は電圧が印加されたとき、電子ビーム
が曲げられ、上部矩形アパーチャ42aにより遮られる
が、それ以外のときには、コンデンサレンズコイル41に
より集中されながら上部矩形アパーチャ42aにより電子
ビームの断面形状を矩形状にする。偏向電極43は整形レ
ンズコイル44により整形された矩形状の電子ビームをＸ
−Ｙ方向に一定角度だけ偏向させて下部矩形アパーチャ
42bにより矩形状の電子ビームの一部即ち、矩形ビーム
と下部矩形アパーチャ42bとの重合した部分のみをもと
の矩形状の電子ビームより小さな矩形状の電子ビームと
して通過するようにしている。また上記偏向電極43はそ
の偏向角度を変えることにより矩形状の電子ビームの各
辺の長さを任意に変更することができる。上記偏向電極
43により所定の大きさに調整された矩形状の電子ビーム
は縮小レンズコイル45，投影レンズコイル46により縮小
され、サブチャンバ16にあけられたピンホール16aを通
過してフォトマスク23の欠落欠陥に投影，照射されるよ
うに構成されている。
す。同図においては、上方の真空チャンバ38内に陰極39
a，第１陽極39bおよび第２陽極39cからなる電子銃39と
ブランキング電極40，コンデンサレンズコイル41，上部
矩形アパーチャ42a，偏向電極43，整形レンズコイル4
4，下部矩形アパーチャ42b，縮小レンズコイル45，投影
レンズコイル46および偏向電極47を設けている。上記ブ
ランキング電極40は電圧が印加されたとき、電子ビーム
が曲げられ、上部矩形アパーチャ42aにより遮られる
が、それ以外のときには、コンデンサレンズコイル41に
より集中されながら上部矩形アパーチャ42aにより電子
ビームの断面形状を矩形状にする。偏向電極43は整形レ
ンズコイル44により整形された矩形状の電子ビームをＸ
−Ｙ方向に一定角度だけ偏向させて下部矩形アパーチャ
42bにより矩形状の電子ビームの一部即ち、矩形ビーム
と下部矩形アパーチャ42bとの重合した部分のみをもと
の矩形状の電子ビームより小さな矩形状の電子ビームと
して通過するようにしている。また上記偏向電極43はそ
の偏向角度を変えることにより矩形状の電子ビームの各
辺の長さを任意に変更することができる。上記偏向電極
43により所定の大きさに調整された矩形状の電子ビーム
は縮小レンズコイル45，投影レンズコイル46により縮小
され、サブチャンバ16にあけられたピンホール16aを通
過してフォトマスク23の欠落欠陥に投影，照射されるよ
うに構成されている。
上記以外は第１図と同一であるから第１図と一符号をも
って示す。
って示す。
上記の構成であるから、フォトマスク23をＸ−Ｙステー
ジ21上に載置したのち、真空チャンバ38内の気体および
必要に応じてサブチャンバ16内の気体を排気ポンプによ
り排出させる。ついで欠陥検査装置による欠陥位置情報
によりＸ−Ｙステージ21を駆動してフォトマスク23の欠
陥部を対物レンズ22の視野内に再現させる。ついで、接
眼レンズ26により、第２図に示す如く、可変矩形スリッ
ト29の投影像34とフォトマスク23に形成されるパターン
33を観察しながら上記投影像34が上記パターン33の外方
位置にならないようにフォトマスク23の欠落欠陥35を完
全に覆うように位置合せを行なう。ついで、位置検出器
31により可変矩形スリット29の位置を検出し、矩形投影
像34の各辺の長さと、中心の座標を求める。上記可変矩
形スリット29の位置から求めた長さと、実際の投影像34
の長さの比は対物レンズ22と結像レンズ28による投影倍
率に一致する。この求まった矩形投影像34の各辺の寸法
から上記上部偏向電極43に印加する電圧を調整し、照射
される矩形電子ビームの寸法と投影された投影像34の寸
法を一致させる。このようにして形成された矩形電子ビ
ームの照射位置を、下部偏向電極47に印加する電圧を調
整することにより、投影された矩形投影像34と一致整合
させる。前もってブランキング電極40により電子ビーム
をＯＮ状態にし、一定時間照射する。予め、後開閉弁19
aを開いて材料ガスボンベ20から材料ガス（C6H6）2Crを
サブチャンバ16内に導入しておけばサブチャンバ16のピ
ンホール16aを通過した電子ビームが照射する矩形領域
内で上記材料ガス（C6H6）2Crが気相反応により分解
し、CrあるいはCrと炭素との化合物が析出して欠落欠陥
35を完全に修正することができる。なお、第４図に示し
た原理説明図においては、欠落欠陥35の観察位置のため
光学系の代りに第３図に示した光学系を用いても同一効
果が得られる。また上記第１図乃至第４図に示した原理
説明図においては、材料ガスとして（C6H6）2Crを用い
た場合について述べたが、この（C6H6）2Crは常温では
固体であるが、昇華性があり真空中で10-3〜10-4Torrの
蒸気圧が得られる。また加熱すると、蒸気圧は増加し、
150℃で１乃至２Torrの蒸気圧が得られ、300℃以上で分
解する性質を有する。ただし、本発明の場合、電子ビー
ム照射による発熱のために分解するだけでなく、電子ビ
ームのエネルギにより直接分解する。また、この材料に
限定されるものでなく、たとえば（C6H6）Mo，（C6H6）
２Ｗ等の材料を使用することもできる。ただし、この場
合、析出する膜はそれぞれMoあるいはMoと炭素との化合
物，ＷあるいはＷと炭素との化合物である。
ジ21上に載置したのち、真空チャンバ38内の気体および
必要に応じてサブチャンバ16内の気体を排気ポンプによ
り排出させる。ついで欠陥検査装置による欠陥位置情報
によりＸ−Ｙステージ21を駆動してフォトマスク23の欠
陥部を対物レンズ22の視野内に再現させる。ついで、接
眼レンズ26により、第２図に示す如く、可変矩形スリッ
ト29の投影像34とフォトマスク23に形成されるパターン
33を観察しながら上記投影像34が上記パターン33の外方
位置にならないようにフォトマスク23の欠落欠陥35を完
全に覆うように位置合せを行なう。ついで、位置検出器
31により可変矩形スリット29の位置を検出し、矩形投影
像34の各辺の長さと、中心の座標を求める。上記可変矩
形スリット29の位置から求めた長さと、実際の投影像34
の長さの比は対物レンズ22と結像レンズ28による投影倍
率に一致する。この求まった矩形投影像34の各辺の寸法
から上記上部偏向電極43に印加する電圧を調整し、照射
される矩形電子ビームの寸法と投影された投影像34の寸
法を一致させる。このようにして形成された矩形電子ビ
ームの照射位置を、下部偏向電極47に印加する電圧を調
整することにより、投影された矩形投影像34と一致整合
させる。前もってブランキング電極40により電子ビーム
をＯＮ状態にし、一定時間照射する。予め、後開閉弁19
aを開いて材料ガスボンベ20から材料ガス（C6H6）2Crを
サブチャンバ16内に導入しておけばサブチャンバ16のピ
ンホール16aを通過した電子ビームが照射する矩形領域
内で上記材料ガス（C6H6）2Crが気相反応により分解
し、CrあるいはCrと炭素との化合物が析出して欠落欠陥
35を完全に修正することができる。なお、第４図に示し
た原理説明図においては、欠落欠陥35の観察位置のため
光学系の代りに第３図に示した光学系を用いても同一効
果が得られる。また上記第１図乃至第４図に示した原理
説明図においては、材料ガスとして（C6H6）2Crを用い
た場合について述べたが、この（C6H6）2Crは常温では
固体であるが、昇華性があり真空中で10-3〜10-4Torrの
蒸気圧が得られる。また加熱すると、蒸気圧は増加し、
150℃で１乃至２Torrの蒸気圧が得られ、300℃以上で分
解する性質を有する。ただし、本発明の場合、電子ビー
ム照射による発熱のために分解するだけでなく、電子ビ
ームのエネルギにより直接分解する。また、この材料に
限定されるものでなく、たとえば（C6H6）Mo，（C6H6）
２Ｗ等の材料を使用することもできる。ただし、この場
合、析出する膜はそれぞれMoあるいはMoと炭素との化合
物，ＷあるいはＷと炭素との化合物である。
つぎに第５図に本発明の実施例を示す。図において、電
子銃からフォトマスク23への電子ビームの照射系および
真空チャンバ８，38は第１図あるいは第４図と同一構成
である。フォトマスク23の欠落欠陥の観察および位置合
せのための光学系は対物レンズ22，サブチャンバ16に設
けられた窓16b，ミラー17，真空チャンバ８に設けられ
た窓18，ハーフミラー24，結像レンズ48，ＴＶカメラ4
9，モニタ50，電子ライン発生器51，制御装置52，落射
照明用光源27から構成されている。またフォトマスク23
のパターン33面は対物レンズ22と結像レンズ48によりＴ
Ｖカメラ49の撮像管面に結像れ、モニタ50の画面上に表
示される。このモニタ50の画面上に表示されたパターン
の欠落欠陥部を電子ライン発生器51により発生させて電
子ライン53（縦横２本づつ）により正常なパターンから
外方に出ないようにかつ欠落欠陥部を完全に覆うように
囲む、このときの各電子ライン53の位置信号を制御装置
52に送り、電子ビーム照射系が第１図に示した場合に
は、位置信号によりブランキング電極11を制御して電子
銃９からの電子ビームをON,OFFを行なって電子ライン53
で囲まれた内側のみに電子ビームを走査させる。また、
電子ビーム照射系が第４図に示す場合には、各電子ライ
ン53で囲まれた矩形の各辺の長さおよび矩形中心の座標
を算出して偏向電極43および47を制御してブランキング
電極40により電子ビームをON,OFFさせ、電子ライン53で
囲まれた矩形領域内のみに電子ビームを照射する。な
お、第５図に示す実施例においては、たとえば、電子ビ
ーム光学系の中心（光軸）と、モニタ50の画面の中心と
を一致させておくことにより、正確な電子ビーム照射位
置を設定することができる。
子銃からフォトマスク23への電子ビームの照射系および
真空チャンバ８，38は第１図あるいは第４図と同一構成
である。フォトマスク23の欠落欠陥の観察および位置合
せのための光学系は対物レンズ22，サブチャンバ16に設
けられた窓16b，ミラー17，真空チャンバ８に設けられ
た窓18，ハーフミラー24，結像レンズ48，ＴＶカメラ4
9，モニタ50，電子ライン発生器51，制御装置52，落射
照明用光源27から構成されている。またフォトマスク23
のパターン33面は対物レンズ22と結像レンズ48によりＴ
Ｖカメラ49の撮像管面に結像れ、モニタ50の画面上に表
示される。このモニタ50の画面上に表示されたパターン
の欠落欠陥部を電子ライン発生器51により発生させて電
子ライン53（縦横２本づつ）により正常なパターンから
外方に出ないようにかつ欠落欠陥部を完全に覆うように
囲む、このときの各電子ライン53の位置信号を制御装置
52に送り、電子ビーム照射系が第１図に示した場合に
は、位置信号によりブランキング電極11を制御して電子
銃９からの電子ビームをON,OFFを行なって電子ライン53
で囲まれた内側のみに電子ビームを走査させる。また、
電子ビーム照射系が第４図に示す場合には、各電子ライ
ン53で囲まれた矩形の各辺の長さおよび矩形中心の座標
を算出して偏向電極43および47を制御してブランキング
電極40により電子ビームをON,OFFさせ、電子ライン53で
囲まれた矩形領域内のみに電子ビームを照射する。な
お、第５図に示す実施例においては、たとえば、電子ビ
ーム光学系の中心（光軸）と、モニタ50の画面の中心と
を一致させておくことにより、正確な電子ビーム照射位
置を設定することができる。
以上述べたる如く、本発明は１工程でフォトマスクの欠
落欠陥の修正を行なうことができ、かつ光学的に観察，
位置合せ等を行うので、正確な修正を容易に、かつ短時
間に実施することができる効果を有する。
落欠陥の修正を行なうことができ、かつ光学的に観察，
位置合せ等を行うので、正確な修正を容易に、かつ短時
間に実施することができる効果を有する。
また、本発明によれば、電子ビーム照射のじゃまになら
ず、かつ、材料ガスの影響を受けない反パターン側から
フォトマスクを光学的に観察して修正すべき欠陥の領域
を決定することができるので、電子ビームを用いて正確
にパターンの欠陥領域に薄膜を形成することができる。
ず、かつ、材料ガスの影響を受けない反パターン側から
フォトマスクを光学的に観察して修正すべき欠陥の領域
を決定することができるので、電子ビームを用いて正確
にパターンの欠陥領域に薄膜を形成することができる。
第１図は本発明の原理説明用のフォトマスク欠陥修正装
置を示す構成図、第２図はそのフォトマスクの欠陥の位
置合せの説明図、第３図は第１図に示す光学系の他の構
成例を示す図、第４図は本発明の原理説明用の他のフォ
トマスク欠陥修正装置を示す構成図、第５図は本発明の
一実施例を示す光学系の構成図、第６図は従来の金属−
有機錯体ガス雰囲気内における電子ビームの照射による
金属の析出の一例を示す構成図である。 ８，38……真空チャンバー、９，39……電子銃、10,42a
……上部アパーチャ、11,40……ブランキング電極、12,
42b……下部アパーチャ、13,44……レンズコイル、14…
…偏向コイル、15……シテイグマコイル、43……偏向電
極、16……サブチャンバ、17……ミラー、18……窓、19
……配管、19a……開閉弁、20……材料ガスボンベ、21
……Ｘ−Ｙステージ、22……対物レンズ、23……フォト
マスク、24……ハーフミラー、25……結像レンズ、26…
…接眼レンズ、29……可変矩形スリット、30……移動機
構、31……スリット位置検出器、32……参照光学系、33
……パターン、34……投影像、35……欠落欠陥。
置を示す構成図、第２図はそのフォトマスクの欠陥の位
置合せの説明図、第３図は第１図に示す光学系の他の構
成例を示す図、第４図は本発明の原理説明用の他のフォ
トマスク欠陥修正装置を示す構成図、第５図は本発明の
一実施例を示す光学系の構成図、第６図は従来の金属−
有機錯体ガス雰囲気内における電子ビームの照射による
金属の析出の一例を示す構成図である。 ８，38……真空チャンバー、９，39……電子銃、10,42a
……上部アパーチャ、11,40……ブランキング電極、12,
42b……下部アパーチャ、13,44……レンズコイル、14…
…偏向コイル、15……シテイグマコイル、43……偏向電
極、16……サブチャンバ、17……ミラー、18……窓、19
……配管、19a……開閉弁、20……材料ガスボンベ、21
……Ｘ−Ｙステージ、22……対物レンズ、23……フォト
マスク、24……ハーフミラー、25……結像レンズ、26…
…接眼レンズ、29……可変矩形スリット、30……移動機
構、31……スリット位置検出器、32……参照光学系、33
……パターン、34……投影像、35……欠落欠陥。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮内 建興 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 山口 博司 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 嶋瀬 朗 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 原市 聡 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭53−135276（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−70991（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−94728（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−105968（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−68632（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−113015（ＪＰ，Ａ) 特公 昭54−28313（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (4)
- 【請求項１】フォトマスクの欠落欠陥を修正する方法で
あって、 観察光学系によりフォトマスクを反パターン面側から光
学的に観察してモニタ画面上に表示させ、 該モニタ画面上で前記フォトマスクの修正すべき欠落欠
陥の修正領域を決定し、 該決定された修正領域に、パターン面側のみの材料ガス
雰囲気中で、前記観察光学系と光軸を合わせた電子ビー
ム光学系によりパターン面側から電子ビームを照射し、
前記修正領域に遮光膜を形成して欠落欠陥を修正するこ
とを特徴とするフォトマスク欠陥修正方法。 - 【請求項２】前記修正領域の決定は、前記観察光学系に
より光学的に観察されて前記モニタ画面上に表示された
前記フォトマスクの画像のうち、修正すべき領域を前記
モニタ画面上の電子線で囲むことにより行われることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のフォトマスク欠
陥修正方法。 - 【請求項３】前記欠落欠陥を修正する際に、前記修正領
域内だけに、前記電子ビームを走査させて照射すること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のフォトマスク
欠陥修正方法。 - 【請求項４】前記電子ビームを、前記修正領域に整合さ
せて照射することを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のフォトマスク欠陥修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14447984A JPH0642069B2 (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | フォトマスク欠陥修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14447984A JPH0642069B2 (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | フォトマスク欠陥修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6125146A JPS6125146A (ja) | 1986-02-04 |
| JPH0642069B2 true JPH0642069B2 (ja) | 1994-06-01 |
Family
ID=15363261
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14447984A Expired - Lifetime JPH0642069B2 (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | フォトマスク欠陥修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0642069B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10230675B4 (de) | 2002-07-04 | 2007-01-25 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung von Phasenschiebermasken |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5270991A (en) * | 1975-12-10 | 1977-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | Gas phase reactor by use of laser |
| JPS5846055B2 (ja) * | 1977-04-30 | 1983-10-14 | 三菱電機株式会社 | ホトマスクの欠陥修正法 |
| JPS5428313A (en) * | 1977-08-03 | 1979-03-02 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Bonding method of carbon material |
| JPS5922372B2 (ja) * | 1979-02-21 | 1984-05-26 | 株式会社日立製作所 | フォトマスク修正方法 |
| JPS5787128A (en) * | 1980-11-19 | 1982-05-31 | Toshiba Corp | Correcting method of mask |
| JPS586128A (ja) * | 1981-07-03 | 1983-01-13 | Hitachi Ltd | フォトマスクの欠落欠陥修正装置 |
| JPS6094728A (ja) * | 1983-10-27 | 1985-05-27 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 荷電粒子ビームを用いた加工方法およびその装置 |
-
1984
- 1984-07-13 JP JP14447984A patent/JPH0642069B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6125146A (ja) | 1986-02-04 |
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