JP2878490B2 - マスク修正方法及びそれに用いる装置及びマスク - Google Patents
マスク修正方法及びそれに用いる装置及びマスクInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は投影光学系用マスクのマ
スク修正方法及びそれに用いるマスク修正装置及びマス
クに係り、特に透明基板上に所定のパターンの位相シフ
ターを設けた位相シフトマスクのためのマスク修正方法
及びそれに用いるマスク修正装置及びマスクに関する。
スク修正方法及びそれに用いるマスク修正装置及びマス
クに係り、特に透明基板上に所定のパターンの位相シフ
ターを設けた位相シフトマスクのためのマスク修正方法
及びそれに用いるマスク修正装置及びマスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体の高集積化に伴い、より微細なパ
ターンを低コストで露光するために、位相シフトマスク
の実用化が進められている。この位相シフトマスクの一
例を図１４に示す。同図において、１は透明基板、２は
該透明基板１上の透明導電層で、該透明導電層２上に回
路パターン形成用の遮光パターン３が設けられ、さらに
位相シフター４が回路パターン形成予定領域上に交互に
設けられている。そして、図１４の（ａ）に示すよう
に、位相シフター４を透過した光は隣合うパターンを透
過した光と位相がπずれるために、パターン境界での光
の干渉により高解像度の露光が可能になるようになって
いる。
ターンを低コストで露光するために、位相シフトマスク
の実用化が進められている。この位相シフトマスクの一
例を図１４に示す。同図において、１は透明基板、２は
該透明基板１上の透明導電層で、該透明導電層２上に回
路パターン形成用の遮光パターン３が設けられ、さらに
位相シフター４が回路パターン形成予定領域上に交互に
設けられている。そして、図１４の（ａ）に示すよう
に、位相シフター４を透過した光は隣合うパターンを透
過した光と位相がπずれるために、パターン境界での光
の干渉により高解像度の露光が可能になるようになって
いる。
【０００３】ところが、図１４の（ｂ）に示すように位
相シフター４上に欠陥５が存在すると、欠陥部を透過し
た光の位相振幅が大きくずれて、そのまま素子上に欠陥
が転写されてしまう。このため、この欠陥を修正するこ
とが位相シフトマスクの実用化において重要な課題の一
つとなっており、例えば、日経マイクロデバイシズ１９
９０年１２年月号６６頁に「検査，修整，ネガ・レジス
トなど実用化の要素技術が出始めた位相シフト」とし
て、位相シフトマスクの実用化および検査・修正技術が
開示されている。
相シフター４上に欠陥５が存在すると、欠陥部を透過し
た光の位相振幅が大きくずれて、そのまま素子上に欠陥
が転写されてしまう。このため、この欠陥を修正するこ
とが位相シフトマスクの実用化において重要な課題の一
つとなっており、例えば、日経マイクロデバイシズ１９
９０年１２年月号６６頁に「検査，修整，ネガ・レジス
トなど実用化の要素技術が出始めた位相シフト」とし
て、位相シフトマスクの実用化および検査・修正技術が
開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記した図１４の
（ｂ）に示した位相シフター４上の欠陥を単純に加工等
により除去したのでは、透過光の位相振幅はさらにずれ
る結果となり欠陥修正にならない。この問題を解決する
修正方法の一例が上記報告記事に示されているが、この
修正手法を図１５を用いて簡単に説明する。位相シフト
マスクの構造は、図１５の（ａ）に示すようにマスク全
面に堆積した位相差πのサブ位相シフター８の上に、さ
らにパターニングした位相シフター４をのせた２層シフ
ター構造になっている。そして、位相シフター４上に欠
陥５がある場合、図１５の（ｂ）に示すように、欠陥部
を含む位相シフター４とサブ位相シフター８の両方を除
去するようにされ、これによって除去による修正個所９
の位相は合計で２πずれて元に戻るため、欠陥が修正で
きたことになる。
（ｂ）に示した位相シフター４上の欠陥を単純に加工等
により除去したのでは、透過光の位相振幅はさらにずれ
る結果となり欠陥修正にならない。この問題を解決する
修正方法の一例が上記報告記事に示されているが、この
修正手法を図１５を用いて簡単に説明する。位相シフト
マスクの構造は、図１５の（ａ）に示すようにマスク全
面に堆積した位相差πのサブ位相シフター８の上に、さ
らにパターニングした位相シフター４をのせた２層シフ
ター構造になっている。そして、位相シフター４上に欠
陥５がある場合、図１５の（ｂ）に示すように、欠陥部
を含む位相シフター４とサブ位相シフター８の両方を除
去するようにされ、これによって除去による修正個所９
の位相は合計で２πずれて元に戻るため、欠陥が修正で
きたことになる。
【０００５】ここで、位相差πの位相シフター４の厚さ
ｄは、図１３の（１）式で表わされる。例えば、ｉ線の
波長λ＝３６５ｎｍ、ＳｉＯ2 の屈折率ｎ≒１．５を代
入するとｄ≒３６５ｎｍとなる。従って、位相差πの１
０％以下の精度で修正を行うとした場合、上記した修正
の加工深さ精度は±数１０ｎｍ以下という高い精度が必
要となるが、このような高精度の局所加工は容易ではな
い。また、図１５の従来の修正手法においては、サブ位
相シフター８に欠陥がある場合は修正が困難となる。
ｄは、図１３の（１）式で表わされる。例えば、ｉ線の
波長λ＝３６５ｎｍ、ＳｉＯ2 の屈折率ｎ≒１．５を代
入するとｄ≒３６５ｎｍとなる。従って、位相差πの１
０％以下の精度で修正を行うとした場合、上記した修正
の加工深さ精度は±数１０ｎｍ以下という高い精度が必
要となるが、このような高精度の局所加工は容易ではな
い。また、図１５の従来の修正手法においては、サブ位
相シフター８に欠陥がある場合は修正が困難となる。
【０００６】一方、位相シフターの欠陥部を局所成膜で
埋める方法も提案されているが、成膜厚さに要求される
精度は加工の際と同様の±数１０ｎｍであり、やはり、
このような高精度の局所成膜は容易ではない。
埋める方法も提案されているが、成膜厚さに要求される
精度は加工の際と同様の±数１０ｎｍであり、やはり、
このような高精度の局所成膜は容易ではない。
【０００７】なおまた、特開昭６０−１７０９３８号公
報においては、パターン欠陥部に対応する基板部分にイ
オンビーム照射し、基板に微小イオン注入領域または微
小イオンミリング領域を形成して、当該基板部分の光学
的散乱特性に変化を生じさせ、マスクの遮光性パターン
の欠陥部を修正する技術が開示されている。しかし、こ
れは透明パターンである位相シフターに対する修正手法
ではなく、微小散乱により欠陥部に遮光性を持たせるも
ので、通常生じる程度の大きさの位相シフターの欠陥に
対しては実質上適用できず、また、位相シフターの欠陥
の形状（くぼみの形状）に合わせて精度の良い修正を行
えるものではない。
報においては、パターン欠陥部に対応する基板部分にイ
オンビーム照射し、基板に微小イオン注入領域または微
小イオンミリング領域を形成して、当該基板部分の光学
的散乱特性に変化を生じさせ、マスクの遮光性パターン
の欠陥部を修正する技術が開示されている。しかし、こ
れは透明パターンである位相シフターに対する修正手法
ではなく、微小散乱により欠陥部に遮光性を持たせるも
ので、通常生じる程度の大きさの位相シフターの欠陥に
対しては実質上適用できず、また、位相シフターの欠陥
の形状（くぼみの形状）に合わせて精度の良い修正を行
えるものではない。
【０００８】本発明は上記の点に鑑みなされたもので、
その目的とするとろは、位相シフターマスクの位相シフ
ター上の欠陥を高精度かつ簡便に修正することのできる
マスク修正方法とそれを実施するための装置を提供する
ことにある。
その目的とするとろは、位相シフターマスクの位相シフ
ター上の欠陥を高精度かつ簡便に修正することのできる
マスク修正方法とそれを実施するための装置を提供する
ことにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】位相シフター上の欠陥が
問題となるのは、欠陥部を透過した光の位相振幅がずれ
るためである。従って欠陥を修正するためには、正常部
に対して欠陥部で生じる位相差をゼロにすればよい。こ
の位相差修正をより簡便に行うという上記の目的は、加
工や成膜により欠陥部の光路長を物理的に変更するので
はなくて、欠陥部の屈折率を局所的に変更し透過光の位
相差を修正することにより達成される。
問題となるのは、欠陥部を透過した光の位相振幅がずれ
るためである。従って欠陥を修正するためには、正常部
に対して欠陥部で生じる位相差をゼロにすればよい。こ
の位相差修正をより簡便に行うという上記の目的は、加
工や成膜により欠陥部の光路長を物理的に変更するので
はなくて、欠陥部の屈折率を局所的に変更し透過光の位
相差を修正することにより達成される。
【００１０】すなわち、前記した先願以外にも、イオン
ビ−ム照射により不純物を打ち込み光ファイバの光路内
の屈折率を中心部と外周部で変更した例や、エキシマレ
ーザ光の照射により平坦なＳｉＯ2 上にガウス分布の熱
歪みを生じさせてレンズ効果を観測した例が報告されて
いる。そこで本発明では、イオンビームやレーザ光の照
射により生じるこれらの屈折率変化に着目し、エネルギ
ービームを位相シフターの欠陥部に照射し屈折率を変化
させて欠陥修正を行うようにされる。
ビ−ム照射により不純物を打ち込み光ファイバの光路内
の屈折率を中心部と外周部で変更した例や、エキシマレ
ーザ光の照射により平坦なＳｉＯ2 上にガウス分布の熱
歪みを生じさせてレンズ効果を観測した例が報告されて
いる。そこで本発明では、イオンビームやレーザ光の照
射により生じるこれらの屈折率変化に着目し、エネルギ
ービームを位相シフターの欠陥部に照射し屈折率を変化
させて欠陥修正を行うようにされる。
【００１１】
【作用】イオンビームを透明材質に照射すると、不純物
打ち込みの効果により材質の密度が変化し屈折率が変化
する。位相シフターの欠陥部に集束イオンビームを照射
し位相差修正を行う条件について考察する。いま欠陥部
のくぼみの深さをｄ0 、もとの材質の屈折率をｎ、イオ
ンビーム打ち込み層の厚さをｄi 、イオンビーム打ち込
み層の屈折率をｎi とすると、正常部に対する欠陥部の
位相差をイオンビーム照射によりゼロにする条件は、図
１３の（２）式で表わされる。そこで、集束イオンビー
ムの加速エネルギーによってｄi を、電流密度によって
ｎi をそれぞれ制御することにより、（２）式を満足さ
せて欠陥を修正できる。
打ち込みの効果により材質の密度が変化し屈折率が変化
する。位相シフターの欠陥部に集束イオンビームを照射
し位相差修正を行う条件について考察する。いま欠陥部
のくぼみの深さをｄ0 、もとの材質の屈折率をｎ、イオ
ンビーム打ち込み層の厚さをｄi 、イオンビーム打ち込
み層の屈折率をｎi とすると、正常部に対する欠陥部の
位相差をイオンビーム照射によりゼロにする条件は、図
１３の（２）式で表わされる。そこで、集束イオンビー
ムの加速エネルギーによってｄi を、電流密度によって
ｎi をそれぞれ制御することにより、（２）式を満足さ
せて欠陥を修正できる。
【００１２】また、十分なパワーのレーザ光を透明材質
に照射すると、熱歪みにより材質の密度が変化し、屈折
率が変化する。位相シフターの欠陥部にレーザ光を照射
し位相差修正を行う条件は、集束イオンビームを用いた
場合と同様に考えることができる。欠陥部のくぼみの深
さをｄ0 、もとの材質の屈折率をｎ、レーザ光照射によ
る熱歪層の厚さをｄe 、熱歪層の屈折率をｎe とする
と、位相差修正の条件は図１３の（３）式で表わされ
る。そこで、パルスレーザ光を用いる場合は、パルス幅
とレーザパワーとにより上記ｄe とｎe を制御し、同様
に（３）式を満足させて欠陥を修正できる。
に照射すると、熱歪みにより材質の密度が変化し、屈折
率が変化する。位相シフターの欠陥部にレーザ光を照射
し位相差修正を行う条件は、集束イオンビームを用いた
場合と同様に考えることができる。欠陥部のくぼみの深
さをｄ0 、もとの材質の屈折率をｎ、レーザ光照射によ
る熱歪層の厚さをｄe 、熱歪層の屈折率をｎe とする
と、位相差修正の条件は図１３の（３）式で表わされ
る。そこで、パルスレーザ光を用いる場合は、パルス幅
とレーザパワーとにより上記ｄe とｎe を制御し、同様
に（３）式を満足させて欠陥を修正できる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の各実施例を図面を用いて説明
する。 〈第１実施例〉本発明の第１実施例として、位相シフタ
ーの欠陥に集束イオンビームを一括で照射して修正する
方法を図１を用いて説明する。同図において、１は透明
基板、２は透明導電層、３は遮光パターン、４は位相シ
フター、５は該位相シフターの欠陥である。図１の
（ａ）に示すように、位相シフター４に欠陥５がある
と、欠陥部を透過した光の位相振幅が大きくずれてしま
うのは前述した通りである。そこで本実施例において
は、集束イオンビーム６を欠陥５の形状に成形し、欠陥
部に一括照射するようにしている。このとき欠陥の大部
分は、中央ほどくぼみの深さｄ0 が大きくなる皿状の形
状を呈している。
する。 〈第１実施例〉本発明の第１実施例として、位相シフタ
ーの欠陥に集束イオンビームを一括で照射して修正する
方法を図１を用いて説明する。同図において、１は透明
基板、２は透明導電層、３は遮光パターン、４は位相シ
フター、５は該位相シフターの欠陥である。図１の
（ａ）に示すように、位相シフター４に欠陥５がある
と、欠陥部を透過した光の位相振幅が大きくずれてしま
うのは前述した通りである。そこで本実施例において
は、集束イオンビーム６を欠陥５の形状に成形し、欠陥
部に一括照射するようにしている。このとき欠陥の大部
分は、中央ほどくぼみの深さｄ0 が大きくなる皿状の形
状を呈している。
【００１４】ここで、イオンビーム照射による位相差修
正の条件の前記（２）式を変形すると、図１３の（４）
式が得られる。いま、集束イオンビーム６のビーム径内
において加速エネルギーはほぼ一定であり、よってイオ
ン打ち込み層７の深さｄi も一定となる。一方、ビーム
径内の電流密度はほぼガウス分布であり、不純物濃度に
依存するイオン打ち込み層７の屈折率ｎi はビーム中央
ほど大きくなる。このことは中央ほど深さｄ0 が大きく
なる欠陥形状をキャンセルする方向に作用し、欠陥内
（ビーム径内）全域でほぼ（４）式の修正条件を満足す
ることができる。以上から、集束イオンビーム６を欠陥
５に一括照射するだけで、図１の（ｂ）に示すように欠
陥部の位相差修正を行うことができる。
正の条件の前記（２）式を変形すると、図１３の（４）
式が得られる。いま、集束イオンビーム６のビーム径内
において加速エネルギーはほぼ一定であり、よってイオ
ン打ち込み層７の深さｄi も一定となる。一方、ビーム
径内の電流密度はほぼガウス分布であり、不純物濃度に
依存するイオン打ち込み層７の屈折率ｎi はビーム中央
ほど大きくなる。このことは中央ほど深さｄ0 が大きく
なる欠陥形状をキャンセルする方向に作用し、欠陥内
（ビーム径内）全域でほぼ（４）式の修正条件を満足す
ることができる。以上から、集束イオンビーム６を欠陥
５に一括照射するだけで、図１の（ｂ）に示すように欠
陥部の位相差修正を行うことができる。
【００１５】なお、集束イオンビーム６を欠陥５の形状
に成形する方法としては、可変スリットアパーチャの像
を集束投影する方法や、デフレクタスティグマ電極に印
加する電圧により電気的に成形する方法がある。
に成形する方法としては、可変スリットアパーチャの像
を集束投影する方法や、デフレクタスティグマ電極に印
加する電圧により電気的に成形する方法がある。
【００１６】〈第２実施例〉本発明の第２実施例とし
て、位相シフタ４ーの欠陥５に細く絞った集束イオンビ
ーム６を走査して照射し、欠陥を修正する方法を図２を
用いて説明する。図２の（ａ）に示すように、位相シフ
ター４上の欠陥５が大きく、欠陥５の深さｄ0 の分布が
非対称である場合には、前記第１実施例による修正は困
難である。そこで本実施例では、欠陥５の大きさに対し
て充分細く絞った集束イオビーム６を欠陥５に走査して
照射するようにしている。このとき、欠陥深さｄ0 、修
正時のイオン打ち込み層７の深さｄi 、屈折率ｎi の平
面内分布を、それぞれ、 ｄ0 （ｘ，ｙ）、ｄi （ｘ，ｙ）、ｎi （ｘ，ｙ） とすると、修正条件は前記（４）式より図１３の（５）
式で表わされる。
て、位相シフタ４ーの欠陥５に細く絞った集束イオンビ
ーム６を走査して照射し、欠陥を修正する方法を図２を
用いて説明する。図２の（ａ）に示すように、位相シフ
ター４上の欠陥５が大きく、欠陥５の深さｄ0 の分布が
非対称である場合には、前記第１実施例による修正は困
難である。そこで本実施例では、欠陥５の大きさに対し
て充分細く絞った集束イオビーム６を欠陥５に走査して
照射するようにしている。このとき、欠陥深さｄ0 、修
正時のイオン打ち込み層７の深さｄi 、屈折率ｎi の平
面内分布を、それぞれ、 ｄ0 （ｘ，ｙ）、ｄi （ｘ，ｙ）、ｎi （ｘ，ｙ） とすると、修正条件は前記（４）式より図１３の（５）
式で表わされる。
【００１７】ここで、ビーム径を一定に保つために加速
エネルギーを一定とするとｄi （ｘ，ｙ）＝ｄi 一定と
なる。また、ｎi は不純物濃度すなわち照射イオン量Ｄ
に依存するためｎi ＝ｆ（Ｄ）とおくと、照射イオン量
Ｄの平面内分布Ｄ（ｘ，ｙ）に求められる条件は、上記
（５）式より図１３の（６）式で表わされる。ここで、
ｎi とＤの関係ｎi ＝ｆ（Ｄ）（単調増加）は、予め標
準サンプルを用いて実験により求めておく。そして、欠
陥を修正する際には光干渉法等により欠陥深さ分布ｄ0
（ｘ，ｙ）を測定し、（６）式を用いて修正に必要な照
射イオン量分布Ｄ（ｘ，ｙ）を求め、求めたＤ（ｘ，
ｙ）に従って集束イオンビーム６を照射する。これによ
って、図２の（ｂ）に示すように欠陥部の位相差修正を
行うことができる。
エネルギーを一定とするとｄi （ｘ，ｙ）＝ｄi 一定と
なる。また、ｎi は不純物濃度すなわち照射イオン量Ｄ
に依存するためｎi ＝ｆ（Ｄ）とおくと、照射イオン量
Ｄの平面内分布Ｄ（ｘ，ｙ）に求められる条件は、上記
（５）式より図１３の（６）式で表わされる。ここで、
ｎi とＤの関係ｎi ＝ｆ（Ｄ）（単調増加）は、予め標
準サンプルを用いて実験により求めておく。そして、欠
陥を修正する際には光干渉法等により欠陥深さ分布ｄ0
（ｘ，ｙ）を測定し、（６）式を用いて修正に必要な照
射イオン量分布Ｄ（ｘ，ｙ）を求め、求めたＤ（ｘ，
ｙ）に従って集束イオンビーム６を照射する。これによ
って、図２の（ｂ）に示すように欠陥部の位相差修正を
行うことができる。
【００１８】ここで、上記Ｄ（ｘ，ｙ）を設定する方法
としては、集束イオンビーム量Ｄが滞在時間に比例すな
わち走査速度ｖに反比例することを利用し、求めたＤ
（ｘ，ｙ）に反比例するように欠陥内の各点での走査速
度ｖを設定すればよい。またビーム径の変化が無視でき
る場合は、Ｄ（ｘ，ｙ）に比例するように各点でのビー
ム電流値を設定すればよい。ビーム電流値を設定する方
法としては、可変アパーチャやズームレンズを用いる方
法がある。
としては、集束イオンビーム量Ｄが滞在時間に比例すな
わち走査速度ｖに反比例することを利用し、求めたＤ
（ｘ，ｙ）に反比例するように欠陥内の各点での走査速
度ｖを設定すればよい。またビーム径の変化が無視でき
る場合は、Ｄ（ｘ，ｙ）に比例するように各点でのビー
ム電流値を設定すればよい。ビーム電流値を設定する方
法としては、可変アパーチャやズームレンズを用いる方
法がある。
【００１９】次に、本実施例を実施するための装置構成
を図３によって説明する。同図において、１０はイオン
源、１１は引出し電極、１２は収束レンズ、１３はブラ
ンキング電極、１４はブランキングアパーチャ、１５は
収束レンズ、１６はデフレクタスティグマ電極、１７は
レーザ発振器、１８は光路拡張分離器、１９は放物面
鏡、２０は位相シフトマスク、２１はステージ、２２は
結像レンズ、２３は干渉光強度の検出器、２４はイオン
ビームチャンバ、２５はイオンビーム電源、２６はイオ
ンビーム偏向制御装置、２７は全体の制御を司るシステ
ムコントローラである。
を図３によって説明する。同図において、１０はイオン
源、１１は引出し電極、１２は収束レンズ、１３はブラ
ンキング電極、１４はブランキングアパーチャ、１５は
収束レンズ、１６はデフレクタスティグマ電極、１７は
レーザ発振器、１８は光路拡張分離器、１９は放物面
鏡、２０は位相シフトマスク、２１はステージ、２２は
結像レンズ、２３は干渉光強度の検出器、２４はイオン
ビームチャンバ、２５はイオンビーム電源、２６はイオ
ンビーム偏向制御装置、２７は全体の制御を司るシステ
ムコントローラである。
【００２０】上記した構成において、イオン源１０から
引き出したイオンビーム６を、前段および後段の集束レ
ンズ１２、１５によって集束し、位相シフトマスク２０
上に照射する。このとき、ブランキング電極１３に印加
する電圧によって、ビームのＯＮ・ＯＦＦを、デフレク
タスティグマ電極１６に印加する電圧によって、ビーム
形状の成形や走査速度の設定を行う。また、加速エネル
ギーの設定や集束ビーム径の設定、及び前後あるいは後
段の集束レンズをズームレンズとした場合のビーム電流
値の設定は、全てイオンビーム電源２５から各電極に印
加する電圧によって行われる。
引き出したイオンビーム６を、前段および後段の集束レ
ンズ１２、１５によって集束し、位相シフトマスク２０
上に照射する。このとき、ブランキング電極１３に印加
する電圧によって、ビームのＯＮ・ＯＦＦを、デフレク
タスティグマ電極１６に印加する電圧によって、ビーム
形状の成形や走査速度の設定を行う。また、加速エネル
ギーの設定や集束ビーム径の設定、及び前後あるいは後
段の集束レンズをズームレンズとした場合のビーム電流
値の設定は、全てイオンビーム電源２５から各電極に印
加する電圧によって行われる。
【００２１】一方、レーザ発振器１７より発振したレー
ザ光を光路拡張分離器１８によって二つに分離し、これ
を放物面鏡１９によって位相シフトマスク２０上に結像
する。そして、位相シフトマスク２０を透過した２つの
光を結像レンズ２２により再度結像させ、干渉光強度を
検出器２３によって検出する。これにより、位相シフト
マスク２０上の所望の部分の屈折率を間接的に測定する
ことができる。また二つの分離したレーザ光をマスク上
の欠陥部と正常部に照射し、透過光を干渉させることに
より、本発明による欠陥の位相差修正のモニタリングを
行うことができる。さらに、二つに分離したレーザ光を
イオンビームの照射部と非照射部に照射し透過光を干渉
させることにより、ｎi とＤの関係ｎi ＝ｆ（Ｄ）を測
定できる。
ザ光を光路拡張分離器１８によって二つに分離し、これ
を放物面鏡１９によって位相シフトマスク２０上に結像
する。そして、位相シフトマスク２０を透過した２つの
光を結像レンズ２２により再度結像させ、干渉光強度を
検出器２３によって検出する。これにより、位相シフト
マスク２０上の所望の部分の屈折率を間接的に測定する
ことができる。また二つの分離したレーザ光をマスク上
の欠陥部と正常部に照射し、透過光を干渉させることに
より、本発明による欠陥の位相差修正のモニタリングを
行うことができる。さらに、二つに分離したレーザ光を
イオンビームの照射部と非照射部に照射し透過光を干渉
させることにより、ｎi とＤの関係ｎi ＝ｆ（Ｄ）を測
定できる。
【００２２】なお、レーザ光のマスクへの照射方法とし
ては、通常の結像レンズを用いて斜めから集光照射する
方法や、イオンビーム光軸上に設けた反射鏡により光路
を曲げて反射対物レンズ等により真上から集光照射する
方法を用いてもよい。
ては、通常の結像レンズを用いて斜めから集光照射する
方法や、イオンビーム光軸上に設けた反射鏡により光路
を曲げて反射対物レンズ等により真上から集光照射する
方法を用いてもよい。
【００２３】〈第３実施例〉本発明の第３実施例とし
て、集束イオンビームによる加工と打ち込みを組合せて
欠陥を修正する方法を図４を用いて説明する。位相シフ
ター４上の欠陥５が大きくかつ凹凸が激しい場合は、前
記第２実施例における照射イオン量分布Ｄ（ｘ，ｙ）を
精度よく設定することは容易ではない。そこで、図４の
（ａ）に示すように、まずノズル２８からエッチングガ
ス２９を供給しつつ集束イオンビーム６を欠陥部に照射
し、欠陥部の位相シフターを下層に対して選択性よくエ
ッチングする。例えば、位相シフター４の材質がＳｉＯ
2 、透明導電層２の材質がＩｎ2Ｏ3の場合、エッチング
ガスとしてＸｅＦ2 を用いればよい。そして次に、図４
の（ｂ）に示すように透明導電層２に集束イオンビーム
を照射し、図４の（ｃ）に示すようにイオン打ち込み層
７を形成し位相差修正を行う。このとき修正箇所はもは
や平坦化されており、照射イオン量Ｄは平面内で一様条
件となるため設定が容易である。斯様な手法をとる本実
施例においては、加工時と打ち込み時とで集束イオンビ
ームのエネルギーを低加速から高加速に変化させる必要
があるが、それに伴うビーム径の変化を抑制するように
集束系を制御する。なお、上記したエッチング加工を透
明導電層２まで行い、透明基板１に打ち込みを行い欠陥
を修正してもよい。なおまた、図４の（ａ）に示した加
工においては凸部が先に加工され、加工部底面は平坦化
される傾向があるので、欠陥５の底面が十分になだらか
になった時点で加工を停止し、引き続き前記第２実施例
２による手法を用いて欠陥修正を行うようにしてもよ
い。
て、集束イオンビームによる加工と打ち込みを組合せて
欠陥を修正する方法を図４を用いて説明する。位相シフ
ター４上の欠陥５が大きくかつ凹凸が激しい場合は、前
記第２実施例における照射イオン量分布Ｄ（ｘ，ｙ）を
精度よく設定することは容易ではない。そこで、図４の
（ａ）に示すように、まずノズル２８からエッチングガ
ス２９を供給しつつ集束イオンビーム６を欠陥部に照射
し、欠陥部の位相シフターを下層に対して選択性よくエ
ッチングする。例えば、位相シフター４の材質がＳｉＯ
2 、透明導電層２の材質がＩｎ2Ｏ3の場合、エッチング
ガスとしてＸｅＦ2 を用いればよい。そして次に、図４
の（ｂ）に示すように透明導電層２に集束イオンビーム
を照射し、図４の（ｃ）に示すようにイオン打ち込み層
７を形成し位相差修正を行う。このとき修正箇所はもは
や平坦化されており、照射イオン量Ｄは平面内で一様条
件となるため設定が容易である。斯様な手法をとる本実
施例においては、加工時と打ち込み時とで集束イオンビ
ームのエネルギーを低加速から高加速に変化させる必要
があるが、それに伴うビーム径の変化を抑制するように
集束系を制御する。なお、上記したエッチング加工を透
明導電層２まで行い、透明基板１に打ち込みを行い欠陥
を修正してもよい。なおまた、図４の（ａ）に示した加
工においては凸部が先に加工され、加工部底面は平坦化
される傾向があるので、欠陥５の底面が十分になだらか
になった時点で加工を停止し、引き続き前記第２実施例
２による手法を用いて欠陥修正を行うようにしてもよ
い。
【００２４】図５は本実施例を実施するための装置構成
に示す図である。同図に示した装置は、前記した図３の
装置にガス供給系としてガスボンベ３０、バルブ３１、
流量制御装置３２、ノズル２８を付加したものである。
これにより集束イオンビーム６の照射と同時にエッチン
グガスを供給し、欠陥部を局所的にエッチングすること
ができる。なお、他の構成および機能は図３の装置と同
様である。
に示す図である。同図に示した装置は、前記した図３の
装置にガス供給系としてガスボンベ３０、バルブ３１、
流量制御装置３２、ノズル２８を付加したものである。
これにより集束イオンビーム６の照射と同時にエッチン
グガスを供給し、欠陥部を局所的にエッチングすること
ができる。なお、他の構成および機能は図３の装置と同
様である。
【００２５】 〈第４実施例〉 本発明の第４実施例として、シャワータイプのイオンビ
ームをマスクの広い領域に一括照射し、位相シフター等
の膜厚不良の修正を行う方法を図６を用いて説明する。
図６の（ａ）に示すように、位相シフター４の膜厚が一
様に不足している場合、透過光の位相振幅も一様に正常
状態（図６（ａ）の点線）からずれてしまう。例えば、
位相として正常状態π／２に対して膜厚不足によりπ／
４となった場合、隣合うパターンの透過光（位相−π／
２）と境界で完全に打ち消し合わないため、解像度劣化
やパターン幅不良を引き起こす原因となる。そこで、シ
ャワータイプのイオンビーム３３を一括照射し、図６の
（ｂ）に示すように膜厚不良部を含む広い領域全面にイ
オン打ち込み層７を形成する。イオン打ち込み層７では
屈折率が増加し、図６の（ａ）において白抜き矢印で示
すように、位相シフター４の透過光は振幅が増加し、隣
合うパターンの透過光は振幅が減少する（位相が−π／
２からずれる）効果を与える。
ームをマスクの広い領域に一括照射し、位相シフター等
の膜厚不良の修正を行う方法を図６を用いて説明する。
図６の（ａ）に示すように、位相シフター４の膜厚が一
様に不足している場合、透過光の位相振幅も一様に正常
状態（図６（ａ）の点線）からずれてしまう。例えば、
位相として正常状態π／２に対して膜厚不足によりπ／
４となった場合、隣合うパターンの透過光（位相−π／
２）と境界で完全に打ち消し合わないため、解像度劣化
やパターン幅不良を引き起こす原因となる。そこで、シ
ャワータイプのイオンビーム３３を一括照射し、図６の
（ｂ）に示すように膜厚不良部を含む広い領域全面にイ
オン打ち込み層７を形成する。イオン打ち込み層７では
屈折率が増加し、図６の（ａ）において白抜き矢印で示
すように、位相シフター４の透過光は振幅が増加し、隣
合うパターンの透過光は振幅が減少する（位相が−π／
２からずれる）効果を与える。
【００２６】そこで、位相シフター４部分の透過光と位
相シフター４のない部分の両透過光の干渉光強度をモニ
タし、両透過光が完全に打ち消しあう時点でイオンビー
ム３３の照射を停止し修正を完了する。上記した例では
位相シフター４の透過光の位相がπ／４から３π／８
へ、かつ隣合うパターンの透過光の位相が−π／２から
−３π／８へ変化した時点が修正の完了点となる。この
とき隣合う透過光が完全に境界で打ち消し合うため、所
望の高解像度のパターン転写が行える。
相シフター４のない部分の両透過光の干渉光強度をモニ
タし、両透過光が完全に打ち消しあう時点でイオンビー
ム３３の照射を停止し修正を完了する。上記した例では
位相シフター４の透過光の位相がπ／４から３π／８
へ、かつ隣合うパターンの透過光の位相が−π／２から
−３π／８へ変化した時点が修正の完了点となる。この
とき隣合う透過光が完全に境界で打ち消し合うため、所
望の高解像度のパターン転写が行える。
【００２７】なお、マスク内で位相シフター４の膜厚が
ゆるやかにばらついている場合には、例えばバケット型
イオン源内のプラズマ分布をマグネットにより制御し、
照射するイオンビームの電流密度分布を上記膜厚ばらつ
きをキャンセルするように設定し、マスク全面を一括修
正することができる。また、本実施例は透明基板１や透
明導電層２の膜厚不良に対しても全く同様に適用でき
る。
ゆるやかにばらついている場合には、例えばバケット型
イオン源内のプラズマ分布をマグネットにより制御し、
照射するイオンビームの電流密度分布を上記膜厚ばらつ
きをキャンセルするように設定し、マスク全面を一括修
正することができる。また、本実施例は透明基板１や透
明導電層２の膜厚不良に対しても全く同様に適用でき
る。
【００２８】〈第５実施例〉本発明の第５実施例とし
て、位相シフターの欠陥に集束レーザ光を一括で照射し
て修正する方法を図７を用いて説明する。本実施例は前
記第１実施例において集束イオンビームに代えて集束レ
ーザ光を用いた修正方法である。図７の（ａ）に示すよ
うに、集束レーザ光３４を欠陥５の形状に成形し欠陥部
に一括照射する。レーザ光照射による位相差修正の条件
の前記した図１３の（３）式を変形すると、図１３の
（７）式が得られる。集束レーザ光の径内で熱拡散時間
はほぼ一定であり、熱歪層３５の深さｄe もほぼ一定と
なる。一方ビーム径内のパワー密度はほぼガウス分布で
あり、熱歪の大きさに依存する熱歪層３５の屈折率ｎe
はビーム中央ほど大きくなる。従って第１実施例と同様
に集束レーザ光３４を欠陥５に一括照射するだけで図７
の（ｂ）に示すように欠陥部の位相差修正を行うことが
できる。
て、位相シフターの欠陥に集束レーザ光を一括で照射し
て修正する方法を図７を用いて説明する。本実施例は前
記第１実施例において集束イオンビームに代えて集束レ
ーザ光を用いた修正方法である。図７の（ａ）に示すよ
うに、集束レーザ光３４を欠陥５の形状に成形し欠陥部
に一括照射する。レーザ光照射による位相差修正の条件
の前記した図１３の（３）式を変形すると、図１３の
（７）式が得られる。集束レーザ光の径内で熱拡散時間
はほぼ一定であり、熱歪層３５の深さｄe もほぼ一定と
なる。一方ビーム径内のパワー密度はほぼガウス分布で
あり、熱歪の大きさに依存する熱歪層３５の屈折率ｎe
はビーム中央ほど大きくなる。従って第１実施例と同様
に集束レーザ光３４を欠陥５に一括照射するだけで図７
の（ｂ）に示すように欠陥部の位相差修正を行うことが
できる。
【００２９】なお、集束レーザ光３４を欠陥５の形状に
成形する方法としては、可変スリットの像を集光投影す
る方法や、シリンドリカルレンズを用いる方法がある。
成形する方法としては、可変スリットの像を集光投影す
る方法や、シリンドリカルレンズを用いる方法がある。
【００３０】〈第６実施例〉本発明の第６実施例とし
て、位相シフタの欠陥に細く絞ったレーザ光を走査して
照射し、欠陥を修正する方法を図８を用いて説明する。
本実施例は前記第２実施例において集束イオンビームに
代えて集束レーザ光を用いた修正方法である。図８の
（ａ）に示すように、欠陥５の大きさに対して充分細く
絞ったレーザ光３４を欠陥５に走査して照射する。この
とき、欠陥深さｄ0 、修正時の熱歪層３５の深さｄe 、
屈折率ｎeの平面内分布を、それぞれ ｄ0 （ｘ，ｙ）、ｄe （ｘ，ｙ）、ｎe （ｘ，ｙ） とすると、修正条件は前記（７）式より図１３の（８）
式で表わされる。
て、位相シフタの欠陥に細く絞ったレーザ光を走査して
照射し、欠陥を修正する方法を図８を用いて説明する。
本実施例は前記第２実施例において集束イオンビームに
代えて集束レーザ光を用いた修正方法である。図８の
（ａ）に示すように、欠陥５の大きさに対して充分細く
絞ったレーザ光３４を欠陥５に走査して照射する。この
とき、欠陥深さｄ0 、修正時の熱歪層３５の深さｄe 、
屈折率ｎeの平面内分布を、それぞれ ｄ0 （ｘ，ｙ）、ｄe （ｘ，ｙ）、ｎe （ｘ，ｙ） とすると、修正条件は前記（７）式より図１３の（８）
式で表わされる。
【００３１】ここで、レーザパルス幅を一定とするとｄ
e （ｘ，ｙ）＝ｄe 一定となる。また、ｎe は熱歪みの
大きさすなわちレーザパワーＰに依存するためｎe ＝ｇ
（Ｐ）とおくと、レーザパワーＰの平面内分布Ｐ（ｘ，
ｙ）に求められる条件は、上記（８）式より図１３の
（９）式で表わされる。なお、ｎe とＰの関係ｎe ＝ｇ
（Ｐ）（単調増加）は予め標準サンプルを用いて実験に
より求めておく。そして、欠陥を修正する際には光干渉
法等により欠陥深さ分布ｄ0 （ｘ，ｙ）を測定し、
（９）式を用いて修正に必要なレーザパワー分布Ｐ
（ｘ，ｙ）を求めて、求めたＰ（ｘ，ｙ）に従ってレー
ザ光を照射し、これにより、図８の（ｂ）に示すように
欠陥部の位相差修正を行うことができる。ここで、Ｐ
（ｘ，ｙ）はレーザ光学系の途中に設けた透過率可変フ
ィルタを用いて設定できる。
e （ｘ，ｙ）＝ｄe 一定となる。また、ｎe は熱歪みの
大きさすなわちレーザパワーＰに依存するためｎe ＝ｇ
（Ｐ）とおくと、レーザパワーＰの平面内分布Ｐ（ｘ，
ｙ）に求められる条件は、上記（８）式より図１３の
（９）式で表わされる。なお、ｎe とＰの関係ｎe ＝ｇ
（Ｐ）（単調増加）は予め標準サンプルを用いて実験に
より求めておく。そして、欠陥を修正する際には光干渉
法等により欠陥深さ分布ｄ0 （ｘ，ｙ）を測定し、
（９）式を用いて修正に必要なレーザパワー分布Ｐ
（ｘ，ｙ）を求めて、求めたＰ（ｘ，ｙ）に従ってレー
ザ光を照射し、これにより、図８の（ｂ）に示すように
欠陥部の位相差修正を行うことができる。ここで、Ｐ
（ｘ，ｙ）はレーザ光学系の途中に設けた透過率可変フ
ィルタを用いて設定できる。
【００３２】本実施例を実施するための装置構成を図９
に示す。同図において、３６は修正用レーザ発振器、３
７はシャッタ、３８は透過率可変フィルタ、３９はＸＹ
スキャナ、４０は収束レンズ、４１は全体の制御を司る
システムコントローラであり、前記した図３の構成と同
等の構成要素には同一符号を付してある。上記修正用レ
ーザ発振器３６から出力されたレーザ光３４は、透過率
可変フィルタ３８を通過しレーザパワーを設定した後、
集束レンズ４０により収束されて位相シフトマスク２０
上に集光照射される。このとき、途中に設けたＸＹスキ
ャナ３９（ポリゴンミラー、ガルバノミラー等）によ
り、位相シフトマスク２０上の所望の位置にレーザ光３
４を照射したり、マスク上で任意に走査することが可能
となっている。なお、レーザ発振器１７から発振したモ
ニタ用のレーザ光を位相シフトマスク２０上に結像し、
さらに透過干渉光を検出器２３により検出する系は、前
記した図５の装置において放物面鏡１９を集束レンズ４
０に代えたのみで他の構成や機能は全く同等であり、こ
の系を用いて、本発明による欠陥の位相差修正のモニタ
リングや、ｎe とＰの関係ｎe ＝ｇ（Ｐ）の測定を行う
ことができる。
に示す。同図において、３６は修正用レーザ発振器、３
７はシャッタ、３８は透過率可変フィルタ、３９はＸＹ
スキャナ、４０は収束レンズ、４１は全体の制御を司る
システムコントローラであり、前記した図３の構成と同
等の構成要素には同一符号を付してある。上記修正用レ
ーザ発振器３６から出力されたレーザ光３４は、透過率
可変フィルタ３８を通過しレーザパワーを設定した後、
集束レンズ４０により収束されて位相シフトマスク２０
上に集光照射される。このとき、途中に設けたＸＹスキ
ャナ３９（ポリゴンミラー、ガルバノミラー等）によ
り、位相シフトマスク２０上の所望の位置にレーザ光３
４を照射したり、マスク上で任意に走査することが可能
となっている。なお、レーザ発振器１７から発振したモ
ニタ用のレーザ光を位相シフトマスク２０上に結像し、
さらに透過干渉光を検出器２３により検出する系は、前
記した図５の装置において放物面鏡１９を集束レンズ４
０に代えたのみで他の構成や機能は全く同等であり、こ
の系を用いて、本発明による欠陥の位相差修正のモニタ
リングや、ｎe とＰの関係ｎe ＝ｇ（Ｐ）の測定を行う
ことができる。
【００３３】〈第７実施例〉本発明の第７実施例とし
て、集束レーザ光によるエッチングと熱照射を組合せて
欠陥を修正する方法を図１０を用いて説明する。本実施
例は前記第３実施例において集束イオンビームに代えて
集束レーザ光を用いた修正方法である。図１０の（ａ）
に示すように、まずノズル２８からエッチングガス２９
を供給しつつ集束レーザ光３４を照射し、欠陥部の位相
シフタを下層に対して選択性よくエッチングする。次
に、透明導電層２に集束レーザ光３４を照射して熱歪層
３５を形成し、位相差修正を行う。なお、本実施例にお
いては、エッチング時と熱歪層形成時で、集束レーザ光
のパワーを低出力から高出力に変化させる必要がある。
て、集束レーザ光によるエッチングと熱照射を組合せて
欠陥を修正する方法を図１０を用いて説明する。本実施
例は前記第３実施例において集束イオンビームに代えて
集束レーザ光を用いた修正方法である。図１０の（ａ）
に示すように、まずノズル２８からエッチングガス２９
を供給しつつ集束レーザ光３４を照射し、欠陥部の位相
シフタを下層に対して選択性よくエッチングする。次
に、透明導電層２に集束レーザ光３４を照射して熱歪層
３５を形成し、位相差修正を行う。なお、本実施例にお
いては、エッチング時と熱歪層形成時で、集束レーザ光
のパワーを低出力から高出力に変化させる必要がある。
【００３４】本実施例を実施するための装置構成を図１
１に示す。同図に示した装置は、前記した図９の装置
に、ガス供給系としてガスボンベ３０、バルブ３１、流
量制御装置３２、ノズル２８を付加し、さらに位相シフ
トマスク２０をチャンバ２４内に収納し、図示されない
排気系によりエッチングガスを排気する構成としたもの
である。これにより集束レーザ光３４の照射と同時に位
相シフトマスク２０の表面にエッチングガスを供給し、
欠陥部を局所的にエッチングすることができる。他の構
成および機能は図９の装置と同様である。
１に示す。同図に示した装置は、前記した図９の装置
に、ガス供給系としてガスボンベ３０、バルブ３１、流
量制御装置３２、ノズル２８を付加し、さらに位相シフ
トマスク２０をチャンバ２４内に収納し、図示されない
排気系によりエッチングガスを排気する構成としたもの
である。これにより集束レーザ光３４の照射と同時に位
相シフトマスク２０の表面にエッチングガスを供給し、
欠陥部を局所的にエッチングすることができる。他の構
成および機能は図９の装置と同様である。
【００３５】〈第８実施例〉本発明第８の実施例として
幅の広いレーザ光あるいはランプ等の加熱光をマスクの
広い領域に一括照射し、位相シフタ等の膜厚不良の修正
を行う方法を図１２を用いて説明する。本実施例は前記
第４実施例においてイオンビームに代えてレーザ光ある
いは加熱光を用いた修正方法である。
幅の広いレーザ光あるいはランプ等の加熱光をマスクの
広い領域に一括照射し、位相シフタ等の膜厚不良の修正
を行う方法を図１２を用いて説明する。本実施例は前記
第４実施例においてイオンビームに代えてレーザ光ある
いは加熱光を用いた修正方法である。
【００３６】すなわち、前記第４実施例ではシャワータ
イプのイオンビームを照射して一様なイオン打ち込み層
を形成して屈折率を増加させたのに対して、本実施例で
は図１２の（ａ）に示す様に幅の広いレーザ光４２の照
射により、図１２の（ｂ）に示すような一様な熱歪層３
５を形成して屈折率を増加させるようにしている。一様
な屈折率の増加により膜厚不良を修正する原理について
は第４実施例と同様である。
イプのイオンビームを照射して一様なイオン打ち込み層
を形成して屈折率を増加させたのに対して、本実施例で
は図１２の（ａ）に示す様に幅の広いレーザ光４２の照
射により、図１２の（ｂ）に示すような一様な熱歪層３
５を形成して屈折率を増加させるようにしている。一様
な屈折率の増加により膜厚不良を修正する原理について
は第４実施例と同様である。
【００３７】なお、第５実施例及至第８実施例において
熱歪層を形成するための加熱ビームとしてレーザ光ある
いは加熱光を用いたが、電子ビームを用いても全く同様
に実施することができる。
熱歪層を形成するための加熱ビームとしてレーザ光ある
いは加熱光を用いたが、電子ビームを用いても全く同様
に実施することができる。
【００３８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、位相シフ
トマスク上の所望の箇所の屈折率を容易かつ精度よく調
整することができるので、位相シフタ上の欠陥を高精度
かつ簡便に修正でき、位相シフトマスクを用いる半導体
製造分野等においてその価値は多大である。
トマスク上の所望の箇所の屈折率を容易かつ精度よく調
整することができるので、位相シフタ上の欠陥を高精度
かつ簡便に修正でき、位相シフトマスクを用いる半導体
製造分野等においてその価値は多大である。
【図１】本発明の第１実施例の修正方法を模式的に示す
説明図である。
説明図である。
【図２】本発明の第２実施例の修正方法を模式的に示す
説明図である。
説明図である。
【図３】本発明の第２実施例の修正方法を実施するため
の修正装置の１例を簡略化して示す説明図である。
の修正装置の１例を簡略化して示す説明図である。
【図４】本発明の第３実施例の修正方法を模式的に示す
説明図である。
説明図である。
【図５】本発明の第３実施例の修正方法を実施するため
の修正装置の１例を簡略化して示す説明図である。
の修正装置の１例を簡略化して示す説明図である。
【図６】本発明の第４実施例の修正方法を模式的に示す
説明図である。
説明図である。
【図７】本発明の第５実施例の修正方法を模式的に示す
説明図である。
説明図である。
【図８】本発明の第６実施例の修正方法を模式的に示す
説明図である。
説明図である。
【図９】本発明の第６実施例の修正方法を実施するため
の修正装置の１例を簡略化して示す説明図である。
の修正装置の１例を簡略化して示す説明図である。
【図１０】本発明の第７実施例の修正方法を模式的に示
す説明図である。
す説明図である。
【図１１】本発明の第７実施例の修正方法を実施するた
めの修正装置の１例を簡略化して示す説明図である。
めの修正装置の１例を簡略化して示す説明図である。
【図１２】本発明の第８実施例の修正方法を模式的に示
す説明図である。
す説明図である。
【図１３】本発明の説明において用いられる各数式を一
覧にして示した説明図である。
覧にして示した説明図である。
【図１４】位相シフトマスクの欠陥の様子を模式的を示
す説明図である。
す説明図である。
【図１５】従来の修正方法を模式的に示す説明図であ
る。
る。
１ 透明基板 ２ 透明導電層 ３ 遮光パターン ４ 位相シフター ５ 欠陥 ６ 集束イオンビーム ７ イオン打ち込み層 ８ サブ位相シフター ９ 除去による修正箇所 １０ イオン源 １２，１５ 集束レンズ １３ ブランキング電極 １６ デフレクタスティグマ電極 １７ レーザ発振器 １８ 光路拡張分離器 １９ 放物面鏡 ２０ 位相シフトマスク ２１ ステージ ２２ 結像レンズ ２３ 干渉光強度の検出器 ２５ イオンビーム電源 ２６ イオンビーム偏向制御装置 ２７，４１ システムコントローラ ２８ ノズル ３２ 流量制御装置 ３３ シャワータイプのイオンビーム ３４ 収束レーザ光 ３５ 熱歪層 ３６ 修正用レーザ発振器 ３８ 透過率可変フィルタ ３９ ＸＹスキャナ ４０ 集束レンズ ４２ 幅の広いレーザ光（加熱光）
Claims (11)
- 【請求項１】 透明基板上に遮光パターンを形成した
後、所定パターンの位相シフターを形成してなる投影光
学系用マスクの前記位相シフターの欠陥を修正する方法
であって、前記位相シフターに存在する欠陥領域の形状
に応じて該位相シフターの欠陥領域の屈折率を調整する
ことを特徴とするマスク修正方法。 - 【請求項２】 前記屈折率の調整を、前記投影光学系用
マスクにイオンビーム又はレーザビームを照射して行う
ことを特徴とする請求項１記載のマスク修正方法。 - 【請求項３】 イオンビーム又はレーザビームを、前記
欠陥領域の形状に整形して前記投影光学系用マスクに照
射することを特徴とする請求項２記載のマスク修正方
法。 - 【請求項４】 前記屈折率の調整を、前記投影光学系用
マスクに、前記欠陥領域の大きさよりも細く絞ったイオ
ンビーム又はレーザビームを照射し走査して行うことを
特徴とする請求項１記載のマスク修正方法。 - 【請求項５】 透明基板上に遮光パターンを形成した
後、所定パターンの位相シフターを形成してなる投影光
学系用マスクの前記位相シフターの欠陥を修正する方法
であって、前記位相シフターに存在する欠陥領域の前記
位相シフターを除去して該位相シフターの下層を露出さ
せ、該露出させた下層の屈折率を調整することを特徴と
するマスク修正方法。 - 【請求項６】 前記位相シフターに存在する欠陥領域の
前記位相シフターの除去を、収束させたイオンビーム又
はレーザビームを用いて行うことを特徴とする請求項５
記載のマスク修正方法。 - 【請求項７】 透明基板上に遮光パターン及び位相シフ
ターを形成した投影光学系用マスクの欠陥を修正する欠
陥修正装置であって、前記投影光学系用マスクを載置す
る載置手段と、該載置手段上に載置された前記投影光学
系用マスクに収束させたビームを照射して欠陥領域の屈
折率を変化させるビーム照射手段と、レーザ光を前記投
影光学系用マスクに投影して結像する投影結像手段と、
該投影結像手段により投影して結像され前記投影光学系
用マスクを透過した前記レーザ光を検出する手段と、該
検出した前記投影光学系用マスクを透過したレーザ 光に
基づいて前記投影光学系用マスクの前記収束させたビー
ムを照射した領域の屈折率を求める屈折率算出手段とを
備えたことを特徴とするマスク修正装置。 - 【請求項８】 前記ビーム照射手段が前記投影光学系用
マスクに照射する収束させたビームは、イオンビームま
たは電子ビームまたはレーザビームのうちの何れかのビ
ームであることを特徴とする請求項７記載のマスク修正
装置。 - 【請求項９】 前記欠陥領域の形状に合わせて整形した
ビームを、前記投影光学系用マスクを前記欠陥領域に照
射することを特徴とする請求項７記載のマスク修正装
置。 - 【請求項１０】 前記欠陥領域の大きさよりも細く絞っ
たビームを、前記投影光学系用マスクを前記欠陥領域に
照射して走査することを特徴とする請求項７記載のマス
ク修正装置。 - 【請求項１１】 透明基板上に遮光パターンを形成した
後、所定パターンの位相シフターを形成してなる投影光
学系用マスクであって、前記位相シフターに存在した欠
陥領域の形状に応じて該位相シフターの欠陥領域の屈折
率が調整されて、欠陥の修正が施されたことを特徴とす
るマスク。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18407191A JP2878490B2 (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | マスク修正方法及びそれに用いる装置及びマスク |
| US07/854,861 US5358806A (en) | 1991-03-19 | 1992-03-19 | Phase shift mask, method of correcting the same and apparatus for carrying out the method |
| US08/022,909 US5439763A (en) | 1991-03-19 | 1993-02-26 | Optical mask and method of correcting the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18407191A JP2878490B2 (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | マスク修正方法及びそれに用いる装置及びマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0511436A JPH0511436A (ja) | 1993-01-22 |
| JP2878490B2 true JP2878490B2 (ja) | 1999-04-05 |
Family
ID=16146875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18407191A Expired - Lifetime JP2878490B2 (ja) | 1991-03-19 | 1991-06-28 | マスク修正方法及びそれに用いる装置及びマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2878490B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009020662A1 (en) * | 2007-08-09 | 2009-02-12 | Rave, Llc | Apparatus and method for modifying optical material properties |
| US11311917B2 (en) | 2007-08-09 | 2022-04-26 | Bruker Nano, Inc. | Apparatus and method for contamination identification |
| US7993464B2 (en) | 2007-08-09 | 2011-08-09 | Rave, Llc | Apparatus and method for indirect surface cleaning |
| WO2016144690A1 (en) * | 2015-03-12 | 2016-09-15 | Rave, Llc | Apparatus and method for indirect surface cleaning |
| JP2022109566A (ja) * | 2021-01-15 | 2022-07-28 | 株式会社ブイ・テクノロジー | フォトマスク修正装置およびフォトマスクの修正方法 |
-
1991
- 1991-06-28 JP JP18407191A patent/JP2878490B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0511436A (ja) | 1993-01-22 |
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