JP2003195481A - フォトマスクの修正方法及び修正装置 - Google Patents
フォトマスクの修正方法及び修正装置Info
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- Analytical Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フォトマスクの欠陥を電子ビームを用いて除
去し、かつエッジラフネスのない仕上がり形状を速いエ
ッチングレートで実現する。 【解決手段】 電子ビームをフォトマスク上で走査し、
フォトマスク表面から放出される二次電子を検出するこ
とでフォトマスクのパターン像を生成し、生成したパタ
ーン像から欠陥部分の位置を特定し、フォトマスクのパ
ターンを形成する膜材料に対して化学的にエッチング効
果のあるガス雰囲気下で、欠陥部分を含む被エッチング
領域７５に電子ビームを照射して欠陥を除去するフォト
マスクの修正方法において、被エッチング領域７５に照
射する電子ビームは、フォトマスクの反転パターンに相
当するキャラクタアパーチャと欠陥部分の位置を含む矩
形アパーチャとの組合せにより作られる合成図形であ
り、被エッチング領域７５に対して一括の電子照射を行
う。
去し、かつエッジラフネスのない仕上がり形状を速いエ
ッチングレートで実現する。 【解決手段】 電子ビームをフォトマスク上で走査し、
フォトマスク表面から放出される二次電子を検出するこ
とでフォトマスクのパターン像を生成し、生成したパタ
ーン像から欠陥部分の位置を特定し、フォトマスクのパ
ターンを形成する膜材料に対して化学的にエッチング効
果のあるガス雰囲気下で、欠陥部分を含む被エッチング
領域７５に電子ビームを照射して欠陥を除去するフォト
マスクの修正方法において、被エッチング領域７５に照
射する電子ビームは、フォトマスクの反転パターンに相
当するキャラクタアパーチャと欠陥部分の位置を含む矩
形アパーチャとの組合せにより作られる合成図形であ
り、被エッチング領域７５に対して一括の電子照射を行
う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトマスクに形
成された欠陥を修正する技術に係わり、特にパターンの
出張り欠陥（黒系欠陥）を修正するためのフォトマスク
の修正方法及び修正装置に関する。
成された欠陥を修正する技術に係わり、特にパターンの
出張り欠陥（黒系欠陥）を修正するためのフォトマスク
の修正方法及び修正装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、フォトマスクに形成された微細パ
ターンを修正するには、ガリウムをイオン源とした集束
イオンビーム修正装置が利用されている。この装置で修
正を行う手順は、 (1) 欠陥部を中心とした適当な大きさのエリアにイオン
ビームを走査し、放出される二次電子又は二次イオンを
検出することで画像を形成する。
ターンを修正するには、ガリウムをイオン源とした集束
イオンビーム修正装置が利用されている。この装置で修
正を行う手順は、 (1) 欠陥部を中心とした適当な大きさのエリアにイオン
ビームを走査し、放出される二次電子又は二次イオンを
検出することで画像を形成する。
【０００３】(2) その画像上で欠陥のサイズ、欠陥の位
置、正常パターンとの位置関係、などを認識する。
置、正常パターンとの位置関係、などを認識する。
【０００４】(3) 適当なエッチングガスを流しながら欠
陥の部分にビーム照射させる。
陥の部分にビーム照射させる。
【０００５】というステップに区分される。
【０００６】この場合、(1) 過程で、修正を行う部分の
周囲数μｍの領域にわたって正常なパターンにも拘わら
ず、イオンビームを打ち込まなくてはならない。フォト
マスクにおいて、露光する光が透過する部分（ガラス
部）にガリウムイオンが打ち込まれると、その部分はガ
リウムステインと呼ばれ、透過率が低下することが知ら
れている。従って、過剰にガリウムを打ち込むとウェハ
転写像に影響が出る場合があるため、基準となるドーズ
量を超えて照射しないことが必要とされる。
周囲数μｍの領域にわたって正常なパターンにも拘わら
ず、イオンビームを打ち込まなくてはならない。フォト
マスクにおいて、露光する光が透過する部分（ガラス
部）にガリウムイオンが打ち込まれると、その部分はガ
リウムステインと呼ばれ、透過率が低下することが知ら
れている。従って、過剰にガリウムを打ち込むとウェハ
転写像に影響が出る場合があるため、基準となるドーズ
量を超えて照射しないことが必要とされる。
【０００７】また、ガリウムステインの影響は、露光装
置の波長が小さくなるにつれ大きくなることが分かって
いる。従って、露光装置がＫｒＦレーザの世代（λ：２
４８ｎｍ）からＡｒＦレーザ（λ：１９３ｎｍ）になる
と、イメージ取得の際に許容されるドーズ量が減少す
る。さらにその次世代のＦ２レーザ（１５７ｎｍ）にな
ると、極少量のガリウムイオンでも転写に影響が出て、
実質的にガリウムイオンビームは使用できない可能性が
ある。
置の波長が小さくなるにつれ大きくなることが分かって
いる。従って、露光装置がＫｒＦレーザの世代（λ：２
４８ｎｍ）からＡｒＦレーザ（λ：１９３ｎｍ）になる
と、イメージ取得の際に許容されるドーズ量が減少す
る。さらにその次世代のＦ２レーザ（１５７ｎｍ）にな
ると、極少量のガリウムイオンでも転写に影響が出て、
実質的にガリウムイオンビームは使用できない可能性が
ある。
【０００８】また、欠陥を修正した後、その位置精度が
不十分であった場合は再修正が必要であるが、ガリウム
ステインの問題があるために再修正の回数が制限され
る。これは、どの露光波長の世代でも共通の問題であ
る。また、(3) 過程において欠陥の下地基板に打ち込ま
れるガリウムイオンの影響も無視できない。これは、エ
ンドポイントをオーバーしてエッチングすることでガリ
ウムが打ち込まれることによるものである。
不十分であった場合は再修正が必要であるが、ガリウム
ステインの問題があるために再修正の回数が制限され
る。これは、どの露光波長の世代でも共通の問題であ
る。また、(3) 過程において欠陥の下地基板に打ち込ま
れるガリウムイオンの影響も無視できない。これは、エ
ンドポイントをオーバーしてエッチングすることでガリ
ウムが打ち込まれることによるものである。
【０００９】これらの問題を解決するために、イオンビ
ームの代わりに電子ビームを使用する方法が提案されて
いるが、イオン光学系でよく用いられているような細く
絞ったビームを縦横に走査する方式では、イオン励起の
方式に比べてエッチングレートが小さいことが問題とな
る。ビームサイズを大きくしたりビーム走査画素サイズ
を大きくしたりすれば、エッチングレートの問題は改善
されるが、斜めパターンに沿う形でビーム走査させると
エッジが階段状に加工されてしまう。また、直線的なエ
ッジにおいても、パターンの幅がピクセルサイズの整数
倍とならない場合は、最大でピクセルサイズの半分の幅
で削り幅が広がるか或いは狭まってしまう。
ームの代わりに電子ビームを使用する方法が提案されて
いるが、イオン光学系でよく用いられているような細く
絞ったビームを縦横に走査する方式では、イオン励起の
方式に比べてエッチングレートが小さいことが問題とな
る。ビームサイズを大きくしたりビーム走査画素サイズ
を大きくしたりすれば、エッチングレートの問題は改善
されるが、斜めパターンに沿う形でビーム走査させると
エッジが階段状に加工されてしまう。また、直線的なエ
ッジにおいても、パターンの幅がピクセルサイズの整数
倍とならない場合は、最大でピクセルサイズの半分の幅
で削り幅が広がるか或いは狭まってしまう。
【００１０】この様子を、図８に示す。図８（ａ）は、
隣接パターン８１，８２間に欠陥部８３，８４が存在す
る状態であり、これに対し図８（ｂ）に示すように、矩
形ビーム８５の走査により欠陥部８３，８４を除去しよ
うとすると、図８（ｃ）に示すように、エッジラフネス
が生じてしまう。なお、ビームサイズとビーム走査画素
を極限に小さくして走査すれば上記の加工エッジラフネ
スの問題は改善されるが、エッチングレートが遅くなっ
てしまいもとの問題に戻ってしまう。
隣接パターン８１，８２間に欠陥部８３，８４が存在す
る状態であり、これに対し図８（ｂ）に示すように、矩
形ビーム８５の走査により欠陥部８３，８４を除去しよ
うとすると、図８（ｃ）に示すように、エッジラフネス
が生じてしまう。なお、ビームサイズとビーム走査画素
を極限に小さくして走査すれば上記の加工エッジラフネ
スの問題は改善されるが、エッチングレートが遅くなっ
てしまいもとの問題に戻ってしまう。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】このように従来、フォ
トマスクに形成された欠陥（黒系欠陥）を除去するため
に、イオンビームの代わりに電子ビームを用いる方法が
あるが、電子ビームがイオンビームと比較してエッチレ
ートが低いために、ビームサイズを小さくすると修正に
要する時間が極めて長くなる。これとは逆に、電子ビー
ムのサイズを大きくすると、斜めパターンに沿う部分で
エッジラフネスが生じてしまう問題があった。
トマスクに形成された欠陥（黒系欠陥）を除去するため
に、イオンビームの代わりに電子ビームを用いる方法が
あるが、電子ビームがイオンビームと比較してエッチレ
ートが低いために、ビームサイズを小さくすると修正に
要する時間が極めて長くなる。これとは逆に、電子ビー
ムのサイズを大きくすると、斜めパターンに沿う部分で
エッジラフネスが生じてしまう問題があった。
【００１２】本発明は、上記事情を考慮して成されたも
ので、その目的とするところは、フォトマスクの欠陥を
電子ビームを用いて除去することができ、かつエッジラ
フネスのない仕上がり形状を速いエッチングレートで実
現することができるフォトマスクの修正方法及び修正装
置を提供することにある。
ので、その目的とするところは、フォトマスクの欠陥を
電子ビームを用いて除去することができ、かつエッジラ
フネスのない仕上がり形状を速いエッチングレートで実
現することができるフォトマスクの修正方法及び修正装
置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】（構成）上記課題を解決
するために本発明は、次のような構成を採用している。
するために本発明は、次のような構成を採用している。
【００１４】即ち本発明は、電子ビームをフォトマスク
上で走査し、フォトマスク表面から放出される二次電子
又は反射電子を検出することでフォトマスクのパターン
像を生成し、生成したパターン像から欠陥部分の位置を
特定し、フォトマスクのパターンを形成する膜材料に対
して化学的にエッチング効果のあるガス雰囲気下で、欠
陥部分を含む被エッチング領域に電子ビームを照射して
欠陥を除去するフォトマスクの修正方法において、前記
被エッチング領域に照射する電子ビームは、ビーム成形
用のアパーチャにより成形されフォトマスク表面に投影
露光される成形ビームであって、正常パターンとの境界
部において、該成形ビームの辺が正常パターンとの境界
線に対して平行になるよう照射されることを特徴とす
る。
上で走査し、フォトマスク表面から放出される二次電子
又は反射電子を検出することでフォトマスクのパターン
像を生成し、生成したパターン像から欠陥部分の位置を
特定し、フォトマスクのパターンを形成する膜材料に対
して化学的にエッチング効果のあるガス雰囲気下で、欠
陥部分を含む被エッチング領域に電子ビームを照射して
欠陥を除去するフォトマスクの修正方法において、前記
被エッチング領域に照射する電子ビームは、ビーム成形
用のアパーチャにより成形されフォトマスク表面に投影
露光される成形ビームであって、正常パターンとの境界
部において、該成形ビームの辺が正常パターンとの境界
線に対して平行になるよう照射されることを特徴とす
る。
【００１５】また本発明は、電子ビームをフォトマスク
上で走査し、フォトマスク表面から放出される二次電子
又は反射電子を検出することでフォトマスクのパターン
像を生成し、生成したパターン像から欠陥部分の位置を
特定し、フォトマスクのパターンを形成する膜材料に対
して化学的にエッチング効果のあるガス雰囲気下で、欠
陥部分を含む被エッチング領域に電子ビームを照射して
欠陥を除去するフォトマスクの修正方法において、前記
エッチング領域に対しビーム成形用のアパーチャにより
成形された電子ビームを照射してエッチングする工程
と、欠陥部分を中心とした所定エリアに対し細く絞った
電子ビームを走査させることにより二次電子を放出させ
てパターン像を生成し、パターンエッジに垂直な方向で
の二次電子強度プロファイルを比較することにより欠陥
部分の端にあたる位置を認識する観察工程とを交互に繰
り返しながら修正を進行させ、最終的に欠陥部分の端の
適正な位置になったときエッチング工程をストップさせ
ることを特徴とする。
上で走査し、フォトマスク表面から放出される二次電子
又は反射電子を検出することでフォトマスクのパターン
像を生成し、生成したパターン像から欠陥部分の位置を
特定し、フォトマスクのパターンを形成する膜材料に対
して化学的にエッチング効果のあるガス雰囲気下で、欠
陥部分を含む被エッチング領域に電子ビームを照射して
欠陥を除去するフォトマスクの修正方法において、前記
エッチング領域に対しビーム成形用のアパーチャにより
成形された電子ビームを照射してエッチングする工程
と、欠陥部分を中心とした所定エリアに対し細く絞った
電子ビームを走査させることにより二次電子を放出させ
てパターン像を生成し、パターンエッジに垂直な方向で
の二次電子強度プロファイルを比較することにより欠陥
部分の端にあたる位置を認識する観察工程とを交互に繰
り返しながら修正を進行させ、最終的に欠陥部分の端の
適正な位置になったときエッチング工程をストップさせ
ることを特徴とする。
【００１６】また本発明は、上記方法を実施するための
フォトマスクの修正装置であって、前記フォトマスクを
収容するためのチャンバと、このチャンバ内にエッチン
グガスを導入する手段と、前記フォトマスクの表面で電
子ビームを走査し、フォトマスク表面からの二次電子又
は反射電子を検出する手段と、検出した電子情報を基に
前記フォトマスクのパターン像を生成する手段と、生成
したパターン像から得られる欠陥部分に対して成形ビー
ムを照射する手段とを具備してなり、前記成形ビーム
は、正常パターンとの境界部において、該成形ビームの
辺が正常パターンとの境界線に対して平行になるよう定
義されていることを特徴とする。
フォトマスクの修正装置であって、前記フォトマスクを
収容するためのチャンバと、このチャンバ内にエッチン
グガスを導入する手段と、前記フォトマスクの表面で電
子ビームを走査し、フォトマスク表面からの二次電子又
は反射電子を検出する手段と、検出した電子情報を基に
前記フォトマスクのパターン像を生成する手段と、生成
したパターン像から得られる欠陥部分に対して成形ビー
ムを照射する手段とを具備してなり、前記成形ビーム
は、正常パターンとの境界部において、該成形ビームの
辺が正常パターンとの境界線に対して平行になるよう定
義されていることを特徴とする。
【００１７】また本発明は、上記方法を実施するための
フォトマスクの修正装置であって、前記フォトマスクを
収容するためのチャンバと、このチャンバ内にエッチン
グガスを導入する手段と、前記フォトマスクの表面で電
子ビームを走査し、フォトマスク表面からの二次電子又
は反射電子を検出する手段と、検出した電子情報を基に
前記フォトマスクのパターン像を生成する手段と、生成
したパターン像から得られる欠陥部分に対して成形ビー
ムを照射する手段とを具備してなり、前記ビーム走査に
よるモニタと成形ビーム照射によるエッチングとを交互
に繰り返し、且つモニタ時に前記パターン像から正常エ
ッジ位置と欠陥のエッジ位置とを認識し、修正エッジ位
置が適切な位置になったときエッチングをストップさせ
ることを特徴とする。
フォトマスクの修正装置であって、前記フォトマスクを
収容するためのチャンバと、このチャンバ内にエッチン
グガスを導入する手段と、前記フォトマスクの表面で電
子ビームを走査し、フォトマスク表面からの二次電子又
は反射電子を検出する手段と、検出した電子情報を基に
前記フォトマスクのパターン像を生成する手段と、生成
したパターン像から得られる欠陥部分に対して成形ビー
ムを照射する手段とを具備してなり、前記ビーム走査に
よるモニタと成形ビーム照射によるエッチングとを交互
に繰り返し、且つモニタ時に前記パターン像から正常エ
ッジ位置と欠陥のエッジ位置とを認識し、修正エッジ位
置が適切な位置になったときエッチングをストップさせ
ることを特徴とする。
【００１８】（作用）本発明によれば、フォトマスクに
おけるパターン欠陥（黒系欠陥）を成形ビームを用いて
修正することにより、斜め線に沿った欠陥を修正しても
階段状に加工されることはなく、正常パターンと同様な
ラフネスのない形状の修正仕上がりが得られる。また、
ピクセルサイズではなく複数の成形アパーチャの光学的
重なりにより照射する幅を制御できるため、非常に細か
いステップで照射エリアを設定できる。
おけるパターン欠陥（黒系欠陥）を成形ビームを用いて
修正することにより、斜め線に沿った欠陥を修正しても
階段状に加工されることはなく、正常パターンと同様な
ラフネスのない形状の修正仕上がりが得られる。また、
ピクセルサイズではなく複数の成形アパーチャの光学的
重なりにより照射する幅を制御できるため、非常に細か
いステップで照射エリアを設定できる。
【００１９】また、欠陥のエッチングとモニタを繰り返
し、モニタ情報に応じてエッチングを停止することによ
り、過剰なエッチングやエッチング残しを防止すること
ができ、修正精度の向上をはかることができる。
し、モニタ情報に応じてエッチングを停止することによ
り、過剰なエッチングやエッチング残しを防止すること
ができ、修正精度の向上をはかることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細を図示の実施
形態によって説明する。
形態によって説明する。
【００２１】（第１の実施形態）図１は、本発明の第１
の実施形態に係わるフォトマスクの欠陥修正装置を示す
概略構成図である。この装置は、電子光学鏡筒１０とチ
ャンバ２０とを接続してなり、電子光学鏡筒１０内に
は、電子銃１１、集束レンズ１２、縮小レンズ１３、対
物レンズ１４、成形アパーチャ１５，１６、偏向電極１
７等が設けられている。また、チャンバ２０内にはフォ
トマスク２１が載置されるステージ（図示せず）が設け
られている。
の実施形態に係わるフォトマスクの欠陥修正装置を示す
概略構成図である。この装置は、電子光学鏡筒１０とチ
ャンバ２０とを接続してなり、電子光学鏡筒１０内に
は、電子銃１１、集束レンズ１２、縮小レンズ１３、対
物レンズ１４、成形アパーチャ１５，１６、偏向電極１
７等が設けられている。また、チャンバ２０内にはフォ
トマスク２１が載置されるステージ（図示せず）が設け
られている。
【００２２】ここまでの基本構成は、従来一般的な電子
ビーム露光装置と同じであるが、本実施形態ではこれに
加えて、チャンバ２０内のフォトマスク２１からの二次
電子を検出する電子検出器２２が設けられ、更にチャン
バ２０内にエッチングガスを導入するためのガス導入機
構２３が設けられている。そして、チャンバ２０はエッ
チングに有効なプロセスガスを一定圧力で保持する機能
を持っており、電子ビームとの相互作用によってフォト
マスク２１のパターン膜をエッチングする機能を持つ。
ビーム露光装置と同じであるが、本実施形態ではこれに
加えて、チャンバ２０内のフォトマスク２１からの二次
電子を検出する電子検出器２２が設けられ、更にチャン
バ２０内にエッチングガスを導入するためのガス導入機
構２３が設けられている。そして、チャンバ２０はエッ
チングに有効なプロセスガスを一定圧力で保持する機能
を持っており、電子ビームとの相互作用によってフォト
マスク２１のパターン膜をエッチングする機能を持つ。
【００２３】この装置で更に特徴的な点は、鏡筒内部に
おいて複数のビーム成形用のアパーチャ１５，１６を持
ち、フォトマスク２１の表面上に投影されるビームの形
状を自在に制御する点である。アパーチャは幾つあって
もよいが本質的な二つについて以降説明する。第１の成
形アパーチャ１５は矩形のものが適当であり、電子銃１
１から放出された電子がこれを通過することで余分な領
域への照射をカットすると共に矩形に成形される。この
矩形ビームはさらに第２の成形アパーチャ１６により特
定の形状に成形されてマスク面上に投影される。
おいて複数のビーム成形用のアパーチャ１５，１６を持
ち、フォトマスク２１の表面上に投影されるビームの形
状を自在に制御する点である。アパーチャは幾つあって
もよいが本質的な二つについて以降説明する。第１の成
形アパーチャ１５は矩形のものが適当であり、電子銃１
１から放出された電子がこれを通過することで余分な領
域への照射をカットすると共に矩形に成形される。この
矩形ビームはさらに第２の成形アパーチャ１６により特
定の形状に成形されてマスク面上に投影される。
【００２４】このとき、図２に示すように、第２の成形
アパーチャ１６の開口形状を単純な四角形やひし形とす
ると、第１成形アパーチャ１５の投影像１５ａとの重ね
合わせで矩形や三角形のビームを形成できる。さらに、
重ね合わせる面積を変えるとビームサイズを自在に変え
ることが可能である。このようにして形状とサイズを制
御したビーム（Variable Shaped Beam；ＶＳＢ）を正常
部のパターンエッジに合わせるよう偏向しながら連続照
射すれば複雑なパターンについても修正することができ
る。
アパーチャ１６の開口形状を単純な四角形やひし形とす
ると、第１成形アパーチャ１５の投影像１５ａとの重ね
合わせで矩形や三角形のビームを形成できる。さらに、
重ね合わせる面積を変えるとビームサイズを自在に変え
ることが可能である。このようにして形状とサイズを制
御したビーム（Variable Shaped Beam；ＶＳＢ）を正常
部のパターンエッジに合わせるよう偏向しながら連続照
射すれば複雑なパターンについても修正することができ
る。
【００２５】このＶＳＢ方式での修正例を、図３に示
す。図３（ａ）において、隣接する正常パターン３１，
３２間に欠陥を含む欠陥部分３３，３４があったとす
る。これらの欠陥部分は、後述するように細く絞った電
子ビームを欠陥付近で走査し、その二次電子を検出して
二次電子イメージ像を生成することにより認識すること
ができる。そして、図３（ｂ）に示すように、欠陥部分
に応じて三角形ビーム３５と矩形ビーム３６の組合せの
パターンを形成し、欠陥部分を含むエッチング領域をビ
ームを照射する。これにより、図３（ｃ）に示すよう
に、欠陥部分を除去することができる。
す。図３（ａ）において、隣接する正常パターン３１，
３２間に欠陥を含む欠陥部分３３，３４があったとす
る。これらの欠陥部分は、後述するように細く絞った電
子ビームを欠陥付近で走査し、その二次電子を検出して
二次電子イメージ像を生成することにより認識すること
ができる。そして、図３（ｂ）に示すように、欠陥部分
に応じて三角形ビーム３５と矩形ビーム３６の組合せの
パターンを形成し、欠陥部分を含むエッチング領域をビ
ームを照射する。これにより、図３（ｃ）に示すよう
に、欠陥部分を除去することができる。
【００２６】次に、本実施形態における具体的な修正プ
ロセスについて、図４のフローチャートを参照して説明
する。
ロセスについて、図４のフローチャートを参照して説明
する。
【００２７】まず、前記図１に示した装置において、電
子光学鏡筒１０により電子ビームを細く絞り込み、この
電子ビームをフォトマスク２１上の欠陥部分を含む数μ
ｍのエリアで走査する（Ｓ１）。そして、フォトマスク
２１から放出される二次電子を検出し、二次電子イメー
ジ像を取得する（Ｓ２）。なお、このときのビーム電流
量は後述するエッチング加工時のものに比べ非常に小さ
いものとする。
子光学鏡筒１０により電子ビームを細く絞り込み、この
電子ビームをフォトマスク２１上の欠陥部分を含む数μ
ｍのエリアで走査する（Ｓ１）。そして、フォトマスク
２１から放出される二次電子を検出し、二次電子イメー
ジ像を取得する（Ｓ２）。なお、このときのビーム電流
量は後述するエッチング加工時のものに比べ非常に小さ
いものとする。
【００２８】次いで、撮り込んだ画像において、正常パ
ターンと垂直な方向に二次電子強度プロファイルを描
き、ピークの位置から正常パターンのエッジに相当する
位置、欠陥の端に相当する位置を認識する。即ち、欠陥
部分を認識する（Ｓ３）。このときの様子を図５に示
す。（ａ）はパターンイメージの平面図、（ｂ）はパタ
ーンイメージの断面図、（ｃ）は二次電子プロファイル
を示している。Ａの位置で走査した場合とＢの位置で走
査した場合では、欠陥の存在により二次電子プロファイ
ルが異なったものとなる。この違いから、欠陥部分の位
置を特定することができる。
ターンと垂直な方向に二次電子強度プロファイルを描
き、ピークの位置から正常パターンのエッジに相当する
位置、欠陥の端に相当する位置を認識する。即ち、欠陥
部分を認識する（Ｓ３）。このときの様子を図５に示
す。（ａ）はパターンイメージの平面図、（ｂ）はパタ
ーンイメージの断面図、（ｃ）は二次電子プロファイル
を示している。Ａの位置で走査した場合とＢの位置で走
査した場合では、欠陥の存在により二次電子プロファイ
ルが異なったものとなる。この違いから、欠陥部分の位
置を特定することができる。
【００２９】次いで、フォトマスク２１が収容されたチ
ャンバ２０内に、パターン材に対して電子ビーム励起の
エッチング効果があるガス、例えばＦ2 を導入し、一定
圧力で保つようにする（Ｓ４）。このときの圧力，基板
温度，電子ビーム電流量などの条件は、パターン材に対
するエッチング速度が速く、マスク基板とのエッチング
選択比が大きく取れるようなものとする。
ャンバ２０内に、パターン材に対して電子ビーム励起の
エッチング効果があるガス、例えばＦ2 を導入し、一定
圧力で保つようにする（Ｓ４）。このときの圧力，基板
温度，電子ビーム電流量などの条件は、パターン材に対
するエッチング速度が速く、マスク基板とのエッチング
選択比が大きく取れるようなものとする。
【００３０】例えば、Ｆ2 を用いた例では、チャンバ２
０内を０．４Ｐａに保ち、２ＫｅＶの電子線を３．２×
１０-4Ａ／ｃｍ2 の電流密度で連続照射することによ
り、位相シフトマスク膜材料であるモリブデンシリサイ
ド（ＭＯＳｉ）を１９０ｎｍ／ｈのレートでエッチング
することが可能である。さらなるエッチングレートの向
上には、ガス圧力をビーム照射領域で局所的に上げるこ
とが有効と考えられ、エッチング選択比を大きくとるに
は、塩素（Ｃｌ）や酸素（Ｏ）を添加することが有効と
考えられる。
０内を０．４Ｐａに保ち、２ＫｅＶの電子線を３．２×
１０-4Ａ／ｃｍ2 の電流密度で連続照射することによ
り、位相シフトマスク膜材料であるモリブデンシリサイ
ド（ＭＯＳｉ）を１９０ｎｍ／ｈのレートでエッチング
することが可能である。さらなるエッチングレートの向
上には、ガス圧力をビーム照射領域で局所的に上げるこ
とが有効と考えられ、エッチング選択比を大きくとるに
は、塩素（Ｃｌ）や酸素（Ｏ）を添加することが有効と
考えられる。
【００３１】次いで、認識した欠陥部分に応じてＶＳＢ
方式で電子ビームを成形し、この成形ビームで欠陥部分
を露光する（Ｓ５）。即ち、Ｆ2 ガスを上記の条件で導
入すると共に、成形電子ビームを前記図３（ｂ）に示す
ように照射する。これによって、前記図８に示したよう
なドットパターンでの階段状の仕上がりを防ぐことが可
能となる。
方式で電子ビームを成形し、この成形ビームで欠陥部分
を露光する（Ｓ５）。即ち、Ｆ2 ガスを上記の条件で導
入すると共に、成形電子ビームを前記図３（ｂ）に示す
ように照射する。これによって、前記図８に示したよう
なドットパターンでの階段状の仕上がりを防ぐことが可
能となる。
【００３２】欠陥修正後のエッジ位置は基本的にビーム
の照射位置に依存しているが、そればかりでなくプロセ
ス的な要因が大きく関わっている。欠陥は表面からエッ
チングされると同時にエッジにあたる部分からもサイド
エッチされ大きさが縮小していくからである。例えば、
エッチングが終点に達したあとも引き続きビーム照射す
るとビームプロファイルの裾引きにより、徐徐に削った
端面が後退していく。こうした過程をモニタするために
次項の修正プロセスフローを実施する。
の照射位置に依存しているが、そればかりでなくプロセ
ス的な要因が大きく関わっている。欠陥は表面からエッ
チングされると同時にエッジにあたる部分からもサイド
エッチされ大きさが縮小していくからである。例えば、
エッチングが終点に達したあとも引き続きビーム照射す
るとビームプロファイルの裾引きにより、徐徐に削った
端面が後退していく。こうした過程をモニタするために
次項の修正プロセスフローを実施する。
【００３３】このプロセスでは修正時に用いる照射方式
は後述するＣＰでもＶＳＢでもよいが、電子ビームは欠
陥部分に一定時間照射してエッチングを進行させた後、
一度細く絞り欠陥を含む数μｍのエリアでスキャンさせ
て（Ｓ６）、二次電子イメージ像を取り込む（Ｓ７）。
このときのビーム電流量はエッチング加工時のものに比
べ非常に小さいものとして、エッチングガス雰囲気中で
あってもパターンが殆どエッチングされないようにす
る。さらに、撮り込んだ画像において、正常パターンと
垂直な方向に二次電子強度プロファイルを描き、ピーク
の位置から正常パターンのエッジに相当する位置、欠陥
の端に相当する位置を認識する（Ｓ８）。
は後述するＣＰでもＶＳＢでもよいが、電子ビームは欠
陥部分に一定時間照射してエッチングを進行させた後、
一度細く絞り欠陥を含む数μｍのエリアでスキャンさせ
て（Ｓ６）、二次電子イメージ像を取り込む（Ｓ７）。
このときのビーム電流量はエッチング加工時のものに比
べ非常に小さいものとして、エッチングガス雰囲気中で
あってもパターンが殆どエッチングされないようにす
る。さらに、撮り込んだ画像において、正常パターンと
垂直な方向に二次電子強度プロファイルを描き、ピーク
の位置から正常パターンのエッジに相当する位置、欠陥
の端に相当する位置を認識する（Ｓ８）。
【００３４】次いで、欠陥部分が無くなったか否かを判
定する（Ｓ９）。欠陥部分が無くなっていればプロセス
を終了する。欠陥部分が残っていれば、欠陥の大きさに
応じてビームを再成形して再度のビーム照射を行う（Ｓ
１０）。そして、Ｓ６〜Ｓ１０の工程を繰り返し、即ち
成形ビームを照射する過程と観察プロセスとを繰り返
し、観察プロセスにより認識されるエッジの側面が適正
な位置になったときエッチングをストップさせる。
定する（Ｓ９）。欠陥部分が無くなっていればプロセス
を終了する。欠陥部分が残っていれば、欠陥の大きさに
応じてビームを再成形して再度のビーム照射を行う（Ｓ
１０）。そして、Ｓ６〜Ｓ１０の工程を繰り返し、即ち
成形ビームを照射する過程と観察プロセスとを繰り返
し、観察プロセスにより認識されるエッジの側面が適正
な位置になったときエッチングをストップさせる。
【００３５】なお、図４のフローチャートにおける成形
ビーム照射工程Ｓ５とＳ１０において、ビーム強度は同
じであってもよいし、最初のビーム照射工程Ｓ５でビー
ム強度を大きくし、以降のビーム照射工程Ｓ１０でビー
ム強度を弱くするようにしてもよい。ビーム強度を変え
る場合、最初のビーム照射工程Ｓ５におけるビーム強度
を過剰エッチングが生じない範囲で大きくすることによ
り、トータルの処理時間を短縮することが可能となる。
ビーム照射工程Ｓ５とＳ１０において、ビーム強度は同
じであってもよいし、最初のビーム照射工程Ｓ５でビー
ム強度を大きくし、以降のビーム照射工程Ｓ１０でビー
ム強度を弱くするようにしてもよい。ビーム強度を変え
る場合、最初のビーム照射工程Ｓ５におけるビーム強度
を過剰エッチングが生じない範囲で大きくすることによ
り、トータルの処理時間を短縮することが可能となる。
【００３６】このように本実施形態によれば、ＶＳＢ方
式で三角形や矩形のビームを組み合わせてエッチング領
域を設定することにより、正常パターンとの境界部にお
いて成形ビームは、該成形ビームの辺が正常パターンと
の境界線に対して平行になるよう照射される。このた
め、斜め線に沿った欠陥を修正しても階段状に加工され
ることはなく、正常パターンと同様なラフネスのない形
状の修正仕上がりが得られる。しかも、細く絞ったビー
ムではなく成形ビームを用いることから、電子ビームを
用いながら十分なエッチレートを確保することができ
る。
式で三角形や矩形のビームを組み合わせてエッチング領
域を設定することにより、正常パターンとの境界部にお
いて成形ビームは、該成形ビームの辺が正常パターンと
の境界線に対して平行になるよう照射される。このた
め、斜め線に沿った欠陥を修正しても階段状に加工され
ることはなく、正常パターンと同様なラフネスのない形
状の修正仕上がりが得られる。しかも、細く絞ったビー
ムではなく成形ビームを用いることから、電子ビームを
用いながら十分なエッチレートを確保することができ
る。
【００３７】また、ピクセルサイズではなく複数の成形
アパーチャの光学的重なりにより照射する幅を制御でき
るため、非常に細かいステップで照射エリアを設定でき
る。これにより、ブリッジ型の黒欠陥でパターン幅に極
力近い形でビーム照射できる。このような成形アパーチ
ャを使わない場合、ビームサイズと走査画素を極限まで
小さくして走査することで同じ結果が得られるが、これ
ではエッチングレートが極端に悪くなってしまい修正に
多大な時間がかかってしまう。
アパーチャの光学的重なりにより照射する幅を制御でき
るため、非常に細かいステップで照射エリアを設定でき
る。これにより、ブリッジ型の黒欠陥でパターン幅に極
力近い形でビーム照射できる。このような成形アパーチ
ャを使わない場合、ビームサイズと走査画素を極限まで
小さくして走査することで同じ結果が得られるが、これ
ではエッチングレートが極端に悪くなってしまい修正に
多大な時間がかかってしまう。
【００３８】また、欠陥のエッチングとモニタを繰り返
し、モニタ情報に応じてエッチングを停止することによ
り、加工途中においてその場での観察が可能になり、ビ
ーム照射位置にフィードバックをかけることで修正精度
の向上に効果がある。これは特に、チャージアップによ
りビームがドリフトする場合、マスクやステージの熱膨
張により機械的に位置がずれる場合などに有効と考えら
れる。
し、モニタ情報に応じてエッチングを停止することによ
り、加工途中においてその場での観察が可能になり、ビ
ーム照射位置にフィードバックをかけることで修正精度
の向上に効果がある。これは特に、チャージアップによ
りビームがドリフトする場合、マスクやステージの熱膨
張により機械的に位置がずれる場合などに有効と考えら
れる。
【００３９】ここで、欠陥の大きさや厚みは個々の欠陥
によって様様に異なり、エンドポイントまでに必要なド
ーズ量は個々の欠陥によって異なる。エンドポイントに
達した後もビーム照射を続けると、ビームプロファイル
の裾引きがエッチングに寄与するため削った端面が徐徐
に後退する。このため、エンドポイントは正確に制御し
なくてはならない。しかし、個々の欠陥について正確に
エンドポイントを把握することは困難である。従って、
この意味でも加工途中に観察工程を挟み、欠陥の端の位
置をモニタすることは効果がある。
によって様様に異なり、エンドポイントまでに必要なド
ーズ量は個々の欠陥によって異なる。エンドポイントに
達した後もビーム照射を続けると、ビームプロファイル
の裾引きがエッチングに寄与するため削った端面が徐徐
に後退する。このため、エンドポイントは正確に制御し
なくてはならない。しかし、個々の欠陥について正確に
エンドポイントを把握することは困難である。従って、
この意味でも加工途中に観察工程を挟み、欠陥の端の位
置をモニタすることは効果がある。
【００４０】また、加工途中に観察工程を挟むことは著
しくビーム照射範囲がずれていた場合にはエンドポイン
トまで加工することなく途中でストップさせることが可
能である。これにより、再修正が不可能になるような重
大な修正失敗の確率を減少させることができる。
しくビーム照射範囲がずれていた場合にはエンドポイン
トまで加工することなく途中でストップさせることが可
能である。これにより、再修正が不可能になるような重
大な修正失敗の確率を減少させることができる。
【００４１】前述したガスを用いることにより、マスク
と基板とのエッチング選択比が大きく、かつ垂直な加工
形状を得ることが可能となる。
と基板とのエッチング選択比が大きく、かつ垂直な加工
形状を得ることが可能となる。
【００４２】（第２の実施形態）本発明の第２の実施形
態として、ＶＳＢの代わりにキャラクタアパーチャを用
いてビームを成形した例を説明する。
態として、ＶＳＢの代わりにキャラクタアパーチャを用
いてビームを成形した例を説明する。
【００４３】パターン欠陥修正装置の構成は、基本的に
は前記図１と同じである。但し、第２の成形アパーチャ
１６は矩形とひし形ではなく、正常パターンを反転した
反転パターンの形状である。これは、パターンを形成す
る際に用いたのと同様なキャラクタアパーチャである。
は前記図１と同じである。但し、第２の成形アパーチャ
１６は矩形とひし形ではなく、正常パターンを反転した
反転パターンの形状である。これは、パターンを形成す
る際に用いたのと同様なキャラクタアパーチャである。
【００４４】このようなキャラクタアパーチャを用いる
ことにより、図６に示すように、第２成形アパーチャ１
６のキャラクタ開口（反転パターン）と第１成形アパー
チャの投影像１５ａとの組合せにより、欠陥部分を含む
エッチング領域に相当する合成図形を形成することがで
きる。従って、ビーム偏向させることなく欠陥部分を一
括照射して修正することができる。このような方式をキ
ャラクタプロジェクション（以後ＣＰ方式と記載）と呼
ぶ。
ことにより、図６に示すように、第２成形アパーチャ１
６のキャラクタ開口（反転パターン）と第１成形アパー
チャの投影像１５ａとの組合せにより、欠陥部分を含む
エッチング領域に相当する合成図形を形成することがで
きる。従って、ビーム偏向させることなく欠陥部分を一
括照射して修正することができる。このような方式をキ
ャラクタプロジェクション（以後ＣＰ方式と記載）と呼
ぶ。
【００４５】ＣＰ方式での修正例を、図７に示す。図７
（ａ）において、隣接する正常パターン７１，７２間に
欠陥を含む欠陥部分７３，７４があったとする。これら
の欠陥部分は、細く絞った電子ビームを欠陥付近で走査
し、その二次電子を検出して二次電子イメージ像を生成
することにより認識することができる。そして、図７
（ｂ）に示すように、矩形アパーチャとキャラクタアパ
ーチャとの組合せのエッチング領域７５を形成し、欠陥
部分を含むエッチング領域７５を電子ビームで一括照射
する。同様に、矩形アパーチャとキャラクタアパーチャ
との組合せのエッチング領域７６を形成し、欠陥部分を
含むエッチング領域７６を電子ビームで一括照射する。
これにより、図７（ｃ）に示すように、欠陥部分を除去
することができる。
（ａ）において、隣接する正常パターン７１，７２間に
欠陥を含む欠陥部分７３，７４があったとする。これら
の欠陥部分は、細く絞った電子ビームを欠陥付近で走査
し、その二次電子を検出して二次電子イメージ像を生成
することにより認識することができる。そして、図７
（ｂ）に示すように、矩形アパーチャとキャラクタアパ
ーチャとの組合せのエッチング領域７５を形成し、欠陥
部分を含むエッチング領域７５を電子ビームで一括照射
する。同様に、矩形アパーチャとキャラクタアパーチャ
との組合せのエッチング領域７６を形成し、欠陥部分を
含むエッチング領域７６を電子ビームで一括照射する。
これにより、図７（ｃ）に示すように、欠陥部分を除去
することができる。
【００４６】本実施形態における具体的な修正プロセス
は、エッチング領域に照射する成形ビームの形状が異な
るだけで、前記図４のフローチャートで説明した第１の
実施形態と実質的に同様である。従って、第１の実施形
態と同様の効果が得られるのは勿論のこと、エッチング
領域を一括照射できることから、第１の実施形態以上に
スループットの向上をはかることができる。
は、エッチング領域に照射する成形ビームの形状が異な
るだけで、前記図４のフローチャートで説明した第１の
実施形態と実質的に同様である。従って、第１の実施形
態と同様の効果が得られるのは勿論のこと、エッチング
領域を一括照射できることから、第１の実施形態以上に
スループットの向上をはかることができる。
【００４７】（変形例）なお、本発明は上述した各実施
形態に限定されるものではない。欠陥部分のエッチング
に用いるガスは、Ｆ2 に限るものではなく、Ｃｌ2 ，Ｂ
ｒ2 ，Ｉ2 等のハロゲンガス、若しくはこれらの混合ガ
ス、又はこれらのガスにさらにＯ2 ，Ｎ 2 ，若しくはＨ
2 を添加したガス等、パターン材に対して電子ビーム励
起のエッチング効果があるものであればよい。また、パ
ターン欠陥修正装置の構成は前記図１に何ら限定される
ものではなく、ＶＳＢやＣＰ等の成形ビームを形成でき
る電子線露光装置の構成に加え、ビーム走査によるフォ
トマスクからの二次電子又は反射電子を検出する機構、
フォトマスクを収容したチャンバ内にエッチングガスを
導入する機構を備えたものであればよい。
形態に限定されるものではない。欠陥部分のエッチング
に用いるガスは、Ｆ2 に限るものではなく、Ｃｌ2 ，Ｂ
ｒ2 ，Ｉ2 等のハロゲンガス、若しくはこれらの混合ガ
ス、又はこれらのガスにさらにＯ2 ，Ｎ 2 ，若しくはＨ
2 を添加したガス等、パターン材に対して電子ビーム励
起のエッチング効果があるものであればよい。また、パ
ターン欠陥修正装置の構成は前記図１に何ら限定される
ものではなく、ＶＳＢやＣＰ等の成形ビームを形成でき
る電子線露光装置の構成に加え、ビーム走査によるフォ
トマスクからの二次電子又は反射電子を検出する機構、
フォトマスクを収容したチャンバ内にエッチングガスを
導入する機構を備えたものであればよい。
【００４８】その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で、種々変形して実施することができる。
で、種々変形して実施することができる。
【００４９】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、フ
ォトマスクのパターン欠陥を修正する際に、成形用のア
パーチャにより成形され、修正すべき欠陥部分と正常パ
ターン部分との境界線に対し投影図形の辺が平行になる
ような電子ビームを用いることにより、フォトマスクの
欠陥を電子ビームを用いて除去することができ、かつエ
ッジラフネスのない仕上がり形状を速いエッチングレー
トで実現することができる。
ォトマスクのパターン欠陥を修正する際に、成形用のア
パーチャにより成形され、修正すべき欠陥部分と正常パ
ターン部分との境界線に対し投影図形の辺が平行になる
ような電子ビームを用いることにより、フォトマスクの
欠陥を電子ビームを用いて除去することができ、かつエ
ッジラフネスのない仕上がり形状を速いエッチングレー
トで実現することができる。
【図１】第１の実施形態に係わるパターン欠陥修正装置
を示す概略構成図。
を示す概略構成図。
【図２】第１の実施形態に用いたＶＳＢ方式のアパーチ
ャの例を示す図。
ャの例を示す図。
【図３】ＶＳＢ方式による修正プロセスの例を示す図。
【図４】第１の実施形態における具体的な修正プロセス
を説明するためのフローチャート。
を説明するためのフローチャート。
【図５】パターンイメージ検出の様子を示す図。
【図６】第２の実施形態に用いたＣＰ方式のアパーチャ
の例を示す図。
の例を示す図。
【図７】ＣＰ方式による修正プロセスの例を示す図。
【図８】従来方式の問題点を説明するための図。
１０…電子光学鏡筒
１１…電子銃
１２…集束レンズ
１３…縮小レンズ
１４…対物レンズ
１５…第１成形アパーチャ
１６…第２成形アパーチャ
１７…偏向電極
２０…チャンバ
２１…フォトマスク
２２…二次電子検出器
２３…ガス供給機構
３１，３２，７１，７２…正常パターン
３３，３４，７３，７４…欠陥部
３５…三角形ビーム
３６…矩形ビーム
７５，７６…エッチング領域
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 平野 隆
神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株
式会社東芝マイクロエレクトロニクスセン
ター内
(72)発明者 重光 文明
神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株
式会社東芝マイクロエレクトロニクスセン
ター内
(72)発明者 三好 元介
神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株
式会社東芝横浜事業所内
(72)発明者 杉原 和佳
神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株
式会社東芝横浜事業所内
(72)発明者 山崎 裕一郎
神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株
式会社東芝横浜事業所内
(72)発明者 関根 誠
神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株
式会社東芝横浜事業所内
(72)発明者 酒井 隆行
神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株
式会社東芝横浜事業所内
(72)発明者 森 一朗
神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株
式会社東芝横浜事業所内
(72)発明者 奥村 勝弥
神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株
式会社東芝マイクロエレクトロニクスセン
ター内
Ｆターム(参考） 2H095 BD32 BD36
5C034 BB04 BB05 BB07
Claims (10)
- 【請求項１】電子ビームをフォトマスク上で走査し、フ
ォトマスク表面から放出される二次電子又は反射電子を
検出することでフォトマスクのパターン像を生成し、生
成したパターン像から欠陥部分の位置を特定し、フォト
マスクのパターンを形成する膜材料に対して化学的にエ
ッチング効果のあるガス雰囲気下で、欠陥部分を含む被
エッチング領域に電子ビームを照射して欠陥を除去する
フォトマスクの修正方法において、 前記被エッチング領域に照射する電子ビームは、ビーム
成形用のアパーチャにより成形されフォトマスク表面に
投影露光される成形ビームであって、正常パターンとの
境界部において、該成形ビームの辺が正常パターンとの
境界線に対して平行になるよう照射されることを特徴と
するフォトマスクの修正方法。 - 【請求項２】前記被エッチング領域は、電子光学系にお
いて三角形或いは矩形のアパーチャを通過して前記フォ
トマスク上で得られる三角形或いは矩形の基本ビームを
複数個組み合わせて作られる合成図形であり、前記被エ
ッチング領域に対し合成図形を作る各基本ビームを順次
照射することを特徴とする請求項１記載のフォトマスク
の修正方法。 - 【請求項３】前記被エッチング領域は、前記フォトマス
クの反転パターンに相当するキャラクタアパーチャと欠
陥部分の位置を含む矩形アパーチャとの組合せにより作
られる合成図形であり、前記被エッチング領域に対して
一括の電子照射を行うことを特徴とする請求項１記載の
フォトマスクの修正方法。 - 【請求項４】前記被エッチング領域に対する複数の基本
図形の照射又は合成図形の一括照射を繰り返すことでエ
ッチングを進行させることを特徴とする請求項２又は３
記載のフォトマスクの修正方法。 - 【請求項５】電子ビームをフォトマスク上で走査し、フ
ォトマスク表面から放出される二次電子又は反射電子を
検出することでフォトマスクのパターン像を生成し、生
成したパターン像から欠陥部分の位置を特定し、フォト
マスクのパターンを形成する膜材料に対して化学的にエ
ッチング効果のあるガス雰囲気下で、欠陥部分を含む被
エッチング領域に電子ビームを照射して欠陥を除去する
フォトマスクの修正方法において、 前記エッチング領域に対しビーム成形用のアパーチャに
より成形された電子ビームを照射してエッチングする工
程と、欠陥部分を中心とした所定エリアに対し細く絞っ
た電子ビームを走査させることにより二次電子を放出さ
せてパターン像を生成し、パターンエッジに垂直な方向
での二次電子強度プロファイルを比較することにより欠
陥部分の端にあたる位置を認識する観察工程と、を交互
に繰り返しながら修正を進行させ、 最終的に欠陥部分の端が適正な位置になったときエッチ
ング工程をストップさせることを特徴とするフォトマス
クの修正方法。 - 【請求項６】前記膜材料に対して化学的にエッチング効
果のあるガスとして、単一のハロゲンガス、又は複数の
ハロゲン元素の混合ガスを用いることを特徴とする請求
項１又は５記載のフォトマスク修正方法。 - 【請求項７】前記膜材料に対して化学的にエッチング効
果のあるガスとして、単一のハロゲンガス又は複数のハ
ロゲン元素の混合ガスに、Ｏ2 ，Ｎ2 ，若しくはＨ2 を
添加したガスを用いることを特徴とする請求項１又は５
記載のフォトマスク修正方法。 - 【請求項８】前記ハロゲンガスとして、Ｆ2 ，Ｃｌ2 ，
Ｂｒ2 ，又はＩ2 を用いたことを特徴とする請求項６又
は７記載のフォトマスク修正方法。 - 【請求項９】請求項１〜４の何れかに記載の修正方法を
実施するためのフォトマスクの修正装置であって、 前記フォトマスクを収容するためのチャンバと、このチ
ャンバ内にエッチングガスを導入する手段と、前記フォ
トマスクの表面で電子ビームを走査し、フォトマスク表
面からの二次電子又は反射電子を検出する手段と、検出
した電子情報を基に前記フォトマスクのパターン像を生
成する手段と、生成したパターン像から得られる欠陥部
分に対して成形ビームを照射する手段とを具備してな
り、 前記成形ビームは、正常パターンとの境界部において、
該成形ビームの辺が正常パターンとの境界線に対して平
行になるよう定義されていることを特徴とするフォトマ
スクの修正装置。 - 【請求項１０】請求項１〜４の何れかに記載の修正方法
を実施するためのフォトマスクの修正装置であって、 前記フォトマスクを収容するためのチャンバと、このチ
ャンバ内にエッチングガスを導入する手段と、前記フォ
トマスクの表面で電子ビームを走査し、フォトマスク表
面からの二次電子又は反射電子を検出する手段と、検出
した電子情報を基に前記フォトマスクのパターン像を生
成する手段と、生成したパターン像から得られる欠陥部
分に対して成形ビームを照射してエッチングする手段と
を具備してなり、 前記ビーム走査によるモニタと成形ビーム照射によるエ
ッチングとを交互に繰り返し、且つモニタ時に前記パタ
ーン像から正常エッジ位置と欠陥のエッジ位置とを認識
し、修正エッジ位置が適切な位置になったときエッチン
グをストップさせることを特徴とするフォトマスクの修
正装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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