JPH11307420A - フォトマスクの回路パターン部の修正方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＦＩＢ修正方法とレーザー修正方法とのそれ
ぞれの利点を利用して、欠陥部の的確な検出と欠陥修正
精度の向上を図ることができるフォトマスクの回路パタ
ーン部の修正方法を提供する。 【解決手段】 フォトマスクの回路パターン部に存在す
るパターン残留欠陥部の修正方法において、残留欠陥部
２２と重複する領域２３にレーザーを照射し、残留欠陥
部２２を新規欠損欠陥部２４にする工程と、フオーカス
・イオン・ビームの照射により前記新規欠損欠陥部２４
の修正を行う工程とを施す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
時におけるリソグラフィ工程の露光装置（ステッパー
等）に用いられる、フォトマスクの回路パターン部の残
留欠陥の修正方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】現在のフォトマスクにおける回路パター
ン部の残留欠陥の修正は、以下のように行われている。 （１）まず、ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａ
ｍ ｓｙｓｔｅｍｓ）修正技術について説明する。ＦＩ
Ｂ修正装置としては、セイコー電子工業（株）やＭｉｃ
ｒｉｏｎ（ＵＳＡ）社製などの装置がある。

【０００３】このＦＩＢ修正装置は、図４に示すよう
に、イオン源１、イオンビームを収束するレンズ１Ａ，
電子銃２、プロセスガス銃３で構成されている。回路パ
ターン部の除去は、イオン源１部からＧａ（ガリウム）
イオンビーム１Ｂを放出させ、除去する回路パターン領
域にイオンビームをスキャニングすることで回路パター
ン部を物理的に除去する。

【０００４】なお、電子銃２から放出される電子は、イ
オンビームのドリフト（位置ずれ）を抑制するために照
射している。イオン源１部から放出されるＧａイオンビ
ーム１Ｂは正の電荷を有するため、絶縁物の石英基板部
４にイオンビームを照射することにより、石英基板部４
表面には正電位が帯電する。そのためにイオンビームの
照射を継続した場合、イオンビームのドリフトが発生す
る。電子銃２から放出される電子はビームドリフトを抑
制する目的で石英基板部４表面を電気的に中和させるよ
うにしている。

【０００５】なお、プロセスガス銃３は、残留欠陥修正
時には使用しない。 （２）次に、レーザー修正技術について説明する。レー
ザー修正装置としては、Ｑｕａｎｔｒｏｎｉｘ（ＵＳ
Ａ）や日本電気（株）製の装置がある。図５に示すレー
ザー修正装置は、Ｎｄ・ＹＡＧレーザーを使用する。以
下に、回路パターン部の除去方法を示す。レーザー１１
を照射する領域の回路パターン部（Ｃｒ部）１３では、
照射された光エネルギーを吸収し、熱エネルギーに変換
する。変換された熱エネルギーは、回路パターン部（Ｃ
ｒ部）１３の融解及び蒸発のためのエネルギーとなる。
よって、回路パターン部（Ｃｒ部）１３は、融解及び蒸
発することにより除去される。なお、図５において、１
２はミラー、１４は石英基板部である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】（１）ＦＩＢ修正技術
は、フォトマスクにイオンビームを照射することによ
り、回路パターン部を形成するＣｒからのＣｒ２次イオ
ンと光透過部である石英基板部からのＳｉの２次イオン
が発生する。イオンの種類と個数をカウントするための
チャネルトロンは、イオンビーム照射時に発生するＣｒ
２次イオンと、Ｓｉ２次イオンはＣｒ２次イオン検出用
のチャネルトロンと、Ｓｉの２次イオン検出用のチャネ
ルトロンにより、イオンの種類と個数をカウントする。
各イオンについて、個数をカウントしたデータは、コン
ピュータに取り込み、イオンビーム照射位置と２次イオ
ン個数を用いてフォトマスクのイメージ像を作成するた
めに使用する。

【０００７】しかしながら、上記したＦＩＢ修正技術で
は以下のような問題点がある。 （Ａ）回路パターン部に残留欠陥が存在する場合、残留
欠陥部の膜厚が回路パターン部と同程度であれば、コン
ピュータによるイメージ像を作成するためのＣｒ２次イ
オン数をカウントすることができる。しかし、残留欠陥
部からのＣｒ２次イオン数が少ない場合、つまり、残留
欠陥部の膜厚が回路パターン部に対して薄膜な場合（ハ
ーフトーン欠陥）においては、チャネルトロンの検出分
解能力、及びコンピュータ画像処理の分解能力の限界に
より、フォトマスクのイメージ像における残留欠陥部の
形状認識が難しい。

【０００８】（Ｂ）フォトマスク上に存在する欠陥サイ
ズに関する品質要求が６４ＭｂのＤＲＡＭにおいては、
０．３５〜０．３μｍ、２５６ＭｂのＤＲＡＭにおいて
は、０．２５〜０．２μｍレベルの微小欠陥修正が要求
される。しかしながら、コンピュータ画像処理の分解能
力の限界により、フォトマスクのイメージ像微小サイズ
の残留欠陥部の確認は難しい。

【０００９】（Ｃ）フォトマスクの光透過部の基板材質
には通常石英を使用する。ＦＩＢ修正技術とは、回路パ
ターン部の欠陥部を除去する領域に、イオンビームを照
射し、ビームスキャニングさせることで欠陥部を物理的
に除去する方法である。よって、イオンビームが照射さ
れた領域部には、Ｇａイオンが注入され、かつイオンビ
ームにより基板表面が物理的にスパッタされるため、基
板表面のラフネスが悪くなる。

【００１０】つまり、露光時において、欠陥修正部の光
強度は、欠陥修正部の表面ラフネスが悪いことから光透
過率が低下している。よって、欠陥修正部は、転写時に
おいては、欠陥が存在している場合と同様な形状が転写
される。 （Ｄ）ＦＩＢ修正技術は、回路パターン部の欠陥部を除
去する領域にのみビームスキャニングさせ、物理的に除
去する方法である。イオンビームをスキャンさせた領域
（回路パターン部の残留欠陥部）と、スキャンさせてい
ない領域（石英基板部）の境界部は、イオンビームをス
キャンさせた領域が物理的にスパッタされているため
に、境界部に断差が形成される（総称：リバーベッ
ト）。このリバーベットは、欠陥部と同様に転写され
る。 （２）レーザー技術における課題 この装置の観察方式は、ＦＩＢ修正装置におけるフォト
マスクの回路パターン確認方法画像イメージとは違い、
光学顕微鏡を用いた観察方式である。また、観察時の照
明は、反射光、透過光を使用することが可能である。つ
まり、この修正装置の観察方式は、回路パターン部の残
留欠陥を直接観察することが可能である。

【００１１】よって、ＦＩＢ修正装置における課題であ
る欠損欠陥部にＣｒ薄膜が存在する場合（ハーフトーン
欠陥）においても、反射光及び透過光を用いることで確
認することができる。しかしながら、このレーザー修正
装置においては、以下の問題点がある。 （Ａ）レーザー照射領域の設定時において、光源にＮｄ
・ＹＡＧレーザー（λ：５３２ｎｍ）、つまり、光を用
いているために、照射領域の設定は数ミクロン以上が限
界となる。つまり、残留欠陥領域がサブミクロンレベル
の場合は、照射領域の設定が不可能となり、欠陥修正は
不可能となる。

【００１２】（Ｂ）本装置による修正は、レーザー光に
よる残留欠陥部の融解及び蒸発を行う。しかし、パター
ンエッジ部の修正を行った場合、レーザーが照射された
パターンエッジ部に数百Å程度の盛り上がりが形成され
てしまう。つまり、パターンエッジ部の盛り上がり部
は、修正精度を悪くする要因となる。因みに、このレー
ザー修正方法とＦＩＢ修正方法の加工精度を比較した場
合、レーザー修正方法による修正精度の方が悪い。

【００１３】（Ｃ）本装置による修正は、レーザーを使
用する。つまり、レーザー照射領域はレーザー強度分布
（ガウス分布）に依存する。よって、修正部のレーザー
の照射面積が広面積になるにつれ、レーザー照射領域の
外側（周辺部）は、レーザー強度が低下する。その結
果、レーザー照射領域の外側（周辺部）の欠陥部は完全
に蒸発せずに周辺部に飛散または変質する。飛散または
変質した欠陥部は、新たな残留欠陥部となる。

【００１４】本発明は、上記問題点を除去し、ＦＩＢ修
正方法とレーザー修正方法とのそれぞれの利点を利用し
て、欠陥部の的確な検出と欠陥修正精度の向上を図るこ
とができるフォトマスクの回路パターン部の修正方法を
提供することを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕フォトマスクの回路パターン部に存在するパター
ン残留欠陥部の修正方法において、残留欠陥部と重複す
る領域にレーザーを照射し、残留欠陥部を新規欠損欠陥
部にする工程と、フオーカス・イオン・ビームの照射に
より前記新規欠損欠陥部の修正を行う工程とを施すよう
にしたものである。

【００１６】〔２〕フォトマスクの回路パターン部に存
在するパターン残留欠陥部の修正方法において、残留欠
陥部を含むパターンエッジ領域にカーボン膜を形成する
工程と、残留欠陥部領域にレーザーを照射することによ
り前記残留欠陥部の修正を行う工程とを施すようにした
ものである。 〔３〕フォトマスクの回路パターン部に存在するパター
ン残留欠陥部の修正方法において、残留欠陥部を含む回
路パターン部と石英基板部にカーボン膜を用いて新規残
留欠陥部を形成する工程と、新規残留欠陥部領域にレー
ザーを照射することにより前記新規残留欠陥部の修正を
行う工程とを施すようにしたものである。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら詳細に説明する。本発明の修正方
法は、ＦＩＢ修正装置の利点である残留欠陥部の修正精
度がレーザー修正装置と比較して優れている点と、レー
ザー修正方法の利点である光学顕微鏡による直接観察方
法による回路パターン部の残留欠陥部の観察（検出）が
ＦＩＢ修正装置と比較して優れている点を採り入れ、回
路パターン部の欠陥部は、レーザー照射面積が広面積に
なるにつれ、完全に蒸発せず、周辺部に飛散、または変
質するが、ＦＩＢ修正装置で形成したカーボン膜（カー
ボン薄膜）にレーザーを照射すると、回路パターン部の
欠陥部周辺に飛散または変質せずに除去可能である点を
巧みに取り込んでフォトマスクの回路パターン部の修正
を行うことができる。

【００１８】まず、本発明の第１実施例について説明す
る。図１は本発明の第１実施例を示すフォトマスクの回
路パターン部の修正工程図である。 （１）まず、図１（ａ）に示すように、石英基板部２０
上に形成される回路パターン部２１には、残留欠陥（エ
ッジ残留欠陥）部２２がある。つまり、回路パターン部
２１外に残留欠陥（エッジ残留欠陥）部２２が存在す
る。その残留欠陥（エッジ残留欠陥）２２のサイズは
Ｘ：０．３μｍ、Ｙ：０．３μｍである。このエッジ残
留欠陥部２２は、ＦＩＢ修正装置のコンピュータのイメ
ージ像では、検出不可能である。

【００１９】（２）次に、図１（ｂ）に示すように、レ
ーザー修正装置（ＤＲＳ−II：Ｑｕａｎｔｒｏｎｉｘ
製、及びＳＬ４５３Ｃ：日本電気製）を用いて、エッジ
残留欠陥部２２と重複する領域２３を設定する。 （３）次に、図１（ｃ）に示すように、Ｎｄ・ＹＡＧレ
ーザーを照射し、エッジ残留欠陥部２２を新規欠損欠陥
部２４にする。この新規欠損欠陥部２４は、Ｘ：１．６
μｍ、Ｙ：０．７μｍとした。なお、この新規欠損欠陥
部２４のサイズは、ＦＩＢ修正装置における、コンピュ
ータイメージ像で認識可能なサイズ、欠陥修正可能なサ
イズ、及び回路パターン部の設計形状に影響が無い新規
欠損欠陥部の形状であることを考慮すれば、新規欠損欠
陥部のサイズ、形状についての制約は問わない。

【００２０】（４）次に、図１（ｄ）に示すように、Ｆ
ＩＢ修正装置（ＳＩＲ−１０００：セイコー電子工業
製）にフォトマスクをセットし修正を行う。まず、回路
パターン部２１の新規欠損欠陥部２４上にカーボン膜を
形成するＦＩＢ堆積領域２５を決定する。このＦＩＢ堆
積領域２５には、ＦＩＢ修正装置のコンピュータイメー
ジ像上で修正膜であるカーボン膜を形成するための形状
及び領域の設定を行う。なお、ＦＩＢ堆積領域２５は、
回路パターン部の新規欠損欠陥部２４を一回の修正で可
能な設定を行った。

【００２１】（５）次に、図１（ｅ）に示すように、Ｆ
ＩＢ堆積領域２５にカーボン膜２６を１３００Å形成し
たが、形成するカーボン膜２６については、リソグラフ
ィ工程の露光装置（ステッパー等）において露光する光
源、光強度に対して遮断可能とする薄膜であれば、膜厚
値は関係ない。 （６）最後に、修正終了後の回路パターン部を光学顕微
鏡（ニコン製）の透過光を用いて、回路パターン部の遮
光イメージを観察した。光学顕微鏡の光源は、水銀ラン
プを使用し、かつ変調フィルタにより波長を（λ：３６
５ｎｍ）近傍と転写時の光源波長近傍にした。顕微鏡観
察結果は、図１（ｆ）に示すように、回路パターン部に
残留欠陥部がない状態と同等な転写イメージであること
を確認した。

【００２２】このように、回路パターン部のエッジ残留
欠陥部に重複する領域にレーザーを照射し、エッジ残留
欠陥部を新規欠損欠陥部にする。その後、回路パターン
部の新規欠損欠陥部上に遮光膜としてのカーボン膜を形
成する。上記したように、第１実施例によれば、回路パ
ターン部のエッジ残留欠陥部を新規欠損欠陥部にするこ
とにより、 １．ＦＩＢ修正装置のイメージ像において、検出（確
認）不可能な欠陥部の検出と位置認識が可能になる。

【００２３】２．回路パターン部の微小なエッジ残留欠
陥部を修正するツールとして、ＦＩＢ修正装置を用いる
ことにより、エッジ欠損欠陥部をＦＩＢ修正装置で行う
ことで修正膜をカーボン膜にすることにより、欠陥修正
精度が良く、かつ欠陥修正部が耐洗浄性に優れたものを
得ることができる。 ３．回路パターン部の微小なエッジ残留欠陥部の修正方
法として、現有修正装置を適用することができ、容易に
回路パターン部の微小なエッジ残留欠陥部の修正を行う
ことができる。

【００２４】次に、本発明の第２実施例について説明す
る。この実施例は、回路パターン部の材質であるＣｒと
ＦＩＢ修正装置で形成するカーボン膜の熱特性の違いを
利用するようにしたものである。レーザー修正装置で回
路パターン部エッジの残留欠陥を修正する場合、精度良
く修正可能にすることができる。

【００２５】ここで、回路パターン部の材質のＣｒは、
融点：２６７０℃、融解熱：１４．６ＫＪ／ｍｏｌ、熱
伝導率：９０．３Ｗ／ｍ・Ｋの熱特性に対して、ＦＩＢ
修正装置で形成するカーボン膜は、昇華点：３３７０
℃、昇華熱：７１５ＫＪ／ｍｏｌ、熱伝導率：１００〜
１３０Ｗ／ｍ・Ｋと熱特性において耐熱性がある。回路
パターン部のエッジに存在する残留欠陥部をレーザー修
正で除去する場合、パターンエッジ部はレーザー照射に
より熱エネルギーを得るため、パターンエッジ部のＣｒ
の膜厚が数百Å程度厚くなる（Ｃｒが盛り上がる）。

【００２６】したがって、回路パターンのエッジ部は形
状変化する。つまり、修正精度が悪くなることになる。
そこで、ＦＩＢ修正装置で形成するカーボン膜を回路パ
ターン部の一部に形成することにより、レーザー照射時
のエッジ形状が乱れない修正方法を以下に示す。図２は
本発明の第２実施例を示すフォトマスクの回路パターン
部の修正工程図である。

【００２７】（１）まず、図２（ａ）に示すように、石
英基板部３０上に形成される回路パターン部３１には、
残留欠陥（エッジ残留欠陥）部３２がある。つまり、回
路パターン部３１外に残留欠陥（エッジ残留欠陥）部３
２が存在する。その残留欠陥（エッジ残留欠陥）部３２
のサイズはＸ：０．３μｍ、Ｙ：０．３μｍである。こ
のエッジ残留欠陥部は、ＦＩＢ修正装置のコンピュータ
のイメージ像では、検出不可能であった。

【００２８】（２）次に、図２（ｂ）に示すように、Ｆ
ＩＢ修正装置（ＳＩＲ−１０００：セイコー電子工業
製）にフォトマスクをセット後、回路パターン部３１の
エッジ残留欠陥部３２を含む回路パターン部３１のエッ
ジ領域に、カーボン膜を形成するためのＦＩＢ堆積領域
３３を決定する。そのＦＩＢ堆積領域３３では、ＦＩＢ
修正装置のコンピュータイメージ像上で修正膜であるカ
ーボン膜を形成するための形状及び領域の設定を行っ
た。

【００２９】この修正領域の設定は、ＦＩＢ修正装置の
コンピュータイメージ像での設定可能なサイズ、正規回
路パターン部とエッジ残留欠陥部３２において、共有す
るエッジ部にカーボン膜を形成できるサイズ、及び回路
パターン部３１の形状に影響がない形状であることを考
慮すれば、カーボン膜を形成する領域のサイズ、形状に
ついての制約は問わない。

【００３０】（３）次いで、図２（ｃ）に示すように、
ＦＩＢ修正装置を用いてＦＩＢ堆積領域３２にカーボン
膜３４を１０００Å形成した。この修正においては、カ
ーボン膜３４を１０００Å形成したが、形成するカーボ
ン膜は、ＦＩＢ修正装置で薄膜形成可能な薄膜厚であれ
ば問題はない。 （４）次に、図２（ｄ）に示すように、レーザー修正装
置（ＤＲＳ−II：Ｑｕａｎｔｒｏｎｉｘ製、及びＳＬ４
５３Ｃ：日本電気製）にフォトマスクをセットし、エッ
ジ残留欠陥部領域にＮｄ・ＹＡＧレーザーを照射する領
域３５を設定する。レーザーを照射する領域３５は、正
規回路パターンのエッジ部にレーザーを照射する領域を
設定すること以外は、回路パターン部に影響のないサイ
ズ及び形状であれば、制約は問わない。

【００３１】（５）次いで、図２（ｅ）に示すように、
レーザーを照射する領域３５にレーザーを照射し、回路
パターン部の残留欠陥部３２を除去した。 （６）最後に、修正終了後の回路パターン部を光学顕微
鏡（ニコン製）の透過光を用いて、回路パターン部の遮
光イメージを観察した。光学顕微鏡の光源は、水銀ラン
プを使用し、変調フィルタにより波長を（λ：３６５ｎ
ｍ）近傍と転写時の光源波長近傍にした。顕微鏡観察結
果は、図２（ｆ）に示すように、回路パターン部に残留
欠陥部がない状態と同等な転写イメージであることを確
認した。

【００３２】このように、回路パターン部のエッジ残留
欠陥部を含む回路パターン部エッジ領域にカーボン膜を
形成する。その後、回路パターン部のエッジ残留欠陥部
領域にレーザーを照射し、エッジ残留欠陥部を除去す
る。上記したように、第２実施例によれば、回路パター
ン部のエッジ残留欠陥部と回路パターン部のエッジ部近
傍領域にカーボン薄膜を形成することにより、 １．レーザー修正装置において、回路パターン部のエッ
ジにおける修正精度が向上する。

【００３３】２．回路パターン部のエッジ残留欠陥部の
修正方法として、現有修正装置を適用することができ、
容易に回路パターン部のエッジ残留欠陥部の修正を行う
ことができる。次に、本発明の第３実施例について説明
する。この実施例は、回路パターン部の残留欠陥部を含
めた領域にＦＩＢ修正装置でカーボン膜を形成し、新規
残留欠陥を作製後、レーザー修正装置で残留欠陥部と新
規残留欠陥を修正する方法である。

【００３４】図３は本発明の第３実施例を示すフォトマ
スクの回路パターン部の修正工程図である。 （１）まず、図３（ａ）に示すように、石英基板部４０
上に形成される回路パターン部４１には、残留欠陥（エ
ッジ残留欠陥）部４２がある。つまり、回路パターン部
４１外に残留欠陥（エッジ残留欠陥）部４２が存在す
る。その残留欠陥（エッジ残留欠陥）４２のサイズは
Ｘ：０．３μｍ、Ｙ：０．３μｍである。このエッジ残
留欠陥部は、ＦＩＢ修正装置のコンピュータのイメージ
像では、検出不可能であった。

【００３５】（２）次に、図３（ｂ）に示すように、Ｆ
ＩＢ修正装置（ＳＩＲ−１０００：セイコー電子工業
製）にフォトマスクをセットし、回路パターン部のエッ
ジ残留欠陥部４２を含む回路パターン部４１と石英基板
部部４０にカーボン膜を形成するためのＦＩＢ堆積領域
４３を決定する。このＦＩＢ堆積領域４３とは、ＦＩＢ
修正装置のコンピュータイメージ像上で修正膜であるカ
ーボン膜を形成するための形状及び領域の設定をした。

【００３６】なお、この修正領域の設定は、ＦＩＢ修正
装置のコンピュータイメージ像での設定可能なサイズ、
正規回路パターン部とエッジ残留欠陥部において、共有
するエッジ部にカーボン薄膜を形成できるサイズ及び回
路パターン部の形状に影響がないことを考慮すれば、カ
ーボン膜を形成する領域のサイズ、形状についての制約
は問わない。

【００３７】（３）次に、図３（ｃ）に示すように、Ｆ
ＩＢ堆積領域４３にカーボン膜４４を１０００Å形成し
た。この修正においては、カーボン膜４４を１０００Å
形成したが、形成するカーボン膜４４は、ＦＩＢ修正装
置で薄膜形成可能な薄膜厚であれば問題はない。 （４）次に、図３（ｄ）に示すように、レーザー修正装
置（ＤＲＳ−II：Ｑｕａｎｔｒｏｎｉｘ製、及びＳＬ４
５３Ｃ：日本電気製）を用いて、カーボン膜４４を形成
した部分に、Ｎｄ・ＹＡＧレーザーを照射する領域４５
を設定する。レーザーを照射する領域４５は、正規回路
パターン部４１のエッジ部にレーザーを照射する領域を
設定すること以外は、回路パターン部４１に影響のない
エッジ残留欠陥部４２を除去するサイズ、形状及び石英
基板部４０にカーボン膜４４を形成した領域を除去する
サイズ、形状であれば、照射する領域について制約は問
わない。

【００３８】（５）次いで、図３（ｅ）に示すように、
レーザーを照射する領域４５にレーザーを照射すること
より、回路パターン部４１の残留欠陥部４２と石英基板
部４０上カーボン膜を形成した領域を除去し、修正カー
ボン膜領域４６を形成する。 （６）最後に、修正終了後の回路パターン部４１を光学
顕微鏡（ニコン製）の透過光を用いて、回路パターン部
４１の遮光イメージを観察した。光学顕微鏡の光源は、
水銀ランプを使用し、かつ変調フィルタにより波長を
（λ：３６５ｎｍ）近傍と転写時の光源波長近傍にし
た。顕微鏡観察結果は、図３（ｆ）に示すように、回路
パターン部４１に残留欠陥部４２がない状態と同等な転
写イメージであることを確認した。

【００３９】このように、回路パターン部のエッジ残留
欠陥部を含む回路パターン部エッジ領域と石英基板部に
カーボン膜を形成する。その後、回路パターン部のエッ
ジ残留欠陥部領域と新規残留欠陥部にレーザーを照射
し、残留欠陥部を除去する。上記したように、第３実施
例によれば、回路パターン部のエッジ残留欠陥部及び石
英基板部にカーボン膜を形成することにより、 １．レーザー修正装置により、回路パターン部のエッジ
における修正精度が向上する。

【００４０】２．回路パターン部のエッジ残留欠陥部の
修正方法として、現有修正装置を適用することができ、
容易に回路パターン部のエッジ残留欠陥部の修正を行う
ことができる。なお、第１、第２、第３実施例では、フ
ォトマスクにおける回路パターン修正方法を例に説明し
たが、本発明の回路パターン修正技術は、フォトマスク
の修正技術を液晶パネルの配線パターン修正及び形成技
術にも適用可能である。

【００４１】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。

【００４２】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、回路パターン部の
エッジ残留欠陥部を新規欠損欠陥部にすることにより、
ＦＩＢ修正装置のイメージ像において、検出（確認）不
可能な欠陥部の検出と位置認識が可能になる。

【００４３】また、回路パターン部の微小なエッジ残留
欠陥部を修正するツールとしてＦＩＢ修正装置を用い、
エッジ欠損欠陥部をそのＦＩＢ修正装置で行うことで修
正膜をカーボン膜にすることにより、欠陥修正精度が良
く、かつ欠陥修正部が耐洗浄性に優れたものを得ること
ができる。更に、回路パターン部の微小なエッジ残留欠
陥部の修正方法として、現有修正装置を適用することが
でき、容易に回路パターン部の微小なエッジ残留欠陥部
の修正を行うことができる。

【００４４】（２）請求項２記載の発明によれば、回路
パターン部のエッジ残留欠陥部と回路パターン部のエッ
ジ部近傍領域にカーボン膜を形成することにより、レー
ザー修正装置において、回路パターン部のエッジにおけ
る修正精度が向上する。また、回路パターン部のエッジ
残留欠陥部の修正方法として、現有修正装置を適用する
ことができ、容易に回路パターン部のエッジ残留欠陥部
の修正を行うことができる。

【００４５】（３）請求項３記載の発明によれば、回路
パターン部のエッジ残留欠陥部及び石英基板部にレーザ
ー修正装置によってカーボン膜を形成することにより、
回路パターン部のエッジにおける修正精度が向上する。
また、回路パターン部のエッジ残留欠陥部の修正方法と
して、現有修正装置を適用することができ、容易に回路
パターン部のエッジ残留欠陥部の修正を行うことができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例を示すフォトマスクの回路
パターン部の修正工程図である。

【図２】本発明の第２実施例を示すフォトマスクの回路
パターン部の修正工程図である。

【図３】本発明の第３実施例を示すフォトマスクの回路
パターン部の修正工程図である。

【図４】ＦＩＢ修正装置の模式図である。

【図５】レーザー修正装置の模式図である。

【符号の説明】

２０，３０，４０ 石英基板部 ２１，３１，４１ 回路パターン部 ２２，３２，４２ 残留欠陥（エッジ残留欠陥）部 ２３ エッジ残留欠陥部と重複する領域 ２４ 新規欠損欠陥部 ２５，４３ ＦＩＢ堆積領域 ２６，３４，４４ カーボン膜 ３３ ＦＩＢ堆積領域 ３５，４５ レーザーを照射する領域 ４６ 修正カーボン膜領域

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 フォトマスクの回路パターン部に存在す
   るパターン残留欠陥部の修正方法において、（ａ）残留
   欠陥部と重複する領域にレーザーを照射し、残留欠陥部
   を新規欠損欠陥部にする工程と、（ｂ）フオーカス・イ
   オン・ビームの照射により前記新規欠損欠陥部の修正を
   行う工程とを施すことを特徴とするフォトマスクの回路
   パターン部の修正方法。
2. 【請求項２】 フォトマスクの回路パターン部に存在す
   るパターン残留欠陥部の修正方法において、（ａ）残留
   欠陥部を含むパターンエッジ領域にカーボン膜を形成す
   る工程と、（ｂ）残留欠陥部領域にレーザーを照射する
   ことにより前記残留欠陥部の修正を行う工程とを施すこ
   とを特徴とするフォトマスクの回路パターン部の修正方
   法。
3. 【請求項３】 フォトマスクの回路パターン部に存在す
   るパターン残留欠陥部の修正方法において、（ａ）残留
   欠陥部を含む回路パターン部と石英基板部にカーボン膜
   を用いて新規残留欠陥部を形成する工程と、（ｂ）新規
   残留欠陥部領域にレーザーを照射することにより前記新
   規残留欠陥部の修正を行う工程とを施すことを特徴とす
   るフォトマスクの回路パターン部の修正方法。