JP2009098517A - 多階調フォトマスクの欠陥修正方法及び欠陥が修正された多階調フォトマスク - Google Patents
多階調フォトマスクの欠陥修正方法及び欠陥が修正された多階調フォトマスク Download PDFInfo
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Abstract
【課題を解決するための手段】
透明基板の上に少なくとも遮光膜のパターンと修正半透過膜のパターンとを形成し、前記遮光膜のパターンと前記修正半透過膜のパターンのオーバーラップ部が、半透過膜が遮光膜を覆うように形成する。そのオーバーラップ部の余剰部分dが露光装置の解像限界以下の大きさであるように構成する。本発明に係る多階調フォトマスクは露光装置の解像限界以下の余剰部など、本来の設計パターンとは異なる修正半透過膜パターンが形成されているが、露光装置の解像限界以下の大きさであるため露光パターンには全く影響しない。
【選択図】 図1
Description
欠陥を含む未修正半透過膜を前記欠陥と共に除去する工程と、
前記除去された未修正半透過膜に代えて修正半透過膜を堆積する工程と、
前記修正半透過膜の余剰部を除去する工程とを含むことを特徴とする。
図1は、本発明の実施形態について説明するための図である。以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
11 未修正半透過膜
12 欠陥
12a 白欠陥
12b 黒欠陥
13 修正半透過膜
14 トリミング処理後の修正半透過膜
L レーザー光
C1 クラック
C2 膜剥がれ
A レーザーザッピングの起点(遮光膜と修正半透過膜のオーバーラップ部)
B レーザーザッピングの終点(遮光膜と修正半透過膜の他のオーバーラップ部)
d 余剰部の離間距離
Claims (4)
- 透明基板の上に少なくとも遮光膜のパターンと半透過膜のパターンとが形成された多階調フォトマスクの前記半透過膜に欠陥が含まれている場合に適用される多階調フォトマスクの欠陥修正方法であって、
欠陥を含む前記半透過膜を前記欠陥と共に除去する工程と、
前記除去された半透過膜に代えて修正半透過膜を堆積する工程と、
前記修正半透過膜の余剰部を除去する工程とを含むことを特徴とする多階調フォトマスクの欠陥修正方法。 - 前記修正半透過膜の余剰部を除去する工程は、レーザー光を照射することによって行うことを特徴とする請求項1記載の多階調フォトマスクの欠陥修正方法。
- 前記レーザー光は、前記遮光膜に照射しないように、かつ、露光光の解像限界以下の余剰部を残すことを特徴とする請求項2記載の多階調フォトマスクの欠陥修正方法。
- 透明基板の上に少なくとも遮光膜のパターンと修正半透過膜のパターンとが形成された多階調フォトマスクであって、前記遮光膜のパターンと前記修正半透過膜のパターンのオーバーラップ部が、半透過膜が遮光膜を覆うように形成されており、かつ、そのオーバーラップ部の余剰部分が露光装置の解像限界以下の大きさであることを特徴とする欠陥が修正された多階調フォトマスク。
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