KR101285450B1 - 전자빔을 이용한 박층의 고분해능 처리 방법 - Google Patents

전자빔을 이용한 박층의 고분해능 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101285450B1
KR101285450B1 KR1020067003480A KR20067003480A KR101285450B1 KR 101285450 B1 KR101285450 B1 KR 101285450B1 KR 1020067003480 A KR1020067003480 A KR 1020067003480A KR 20067003480 A KR20067003480 A KR 20067003480A KR 101285450 B1 KR101285450 B1 KR 101285450B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
delete delete
electron beam
layer
vacuum chamber
etching
Prior art date
Application number
KR1020067003480A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070033307A (ko
Inventor
한스 베 페 쿠프스
클라우스 에딩어
세르게이 바빈
토르슈텐 호프만
페트라 스피에스
Original Assignee
나우테크 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 나우테크 게엠베하 filed Critical 나우테크 게엠베하
Publication of KR20070033307A publication Critical patent/KR20070033307A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101285450B1 publication Critical patent/KR101285450B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/72—Repair or correction of mask defects
    • G03F1/74—Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/80—Etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching
    • H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching
    • H01J37/3056—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching for microworking, e.g. etching of gratings, trimming of electrical components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
    • H01L21/31122—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching of layers not containing Si, e.g. PZT, Al2O3
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3174—Etching microareas
    • H01J2237/31742—Etching microareas for repairing masks
    • H01J2237/31744—Etching microareas for repairing masks introducing gas in vicinity of workpiece

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

본 발명은 진공 챔버 내부의 금속층을 에칭하기 위한 방법에 관한 것으로서, 상기 방법은 할로겐 화합물을 진공 챔버 내부에 도입하는 단계와, 상기 크롬층의 영역 위로 전자빔을 향하게 하여 에칭하는 단계와, 산소 함유 화합물을 상기 진공 챔버 내부로 도입하는 단계를 포함한다. 또 다른 양태에 따르면, 본 발명은 열전도성이 좋지 않은 기판 또는 절연체 상에 배열된 금속 및/또는 금속 산화물로부터 소정의 층을 고분해능 제거하기 위한 방법에 관한 것으로서, 상기 방법은 진공 챔버 내부에 상기 층을 배치하는 단계와, 3~30 keV의 에너지를 갖는 집속 전자빔을 이용하여 상기 층에 충격을 가하는 단계를 포함하고, 상기 전자빔은 단위 시간 및 면적당 에너지 전달에 의해 상기 층이 그 융점 및/또는 증발점 이상으로 국부적으로 가열되도록 안내되고, 상기 층의 제거는 상기 진공 챔버 내부에 반응 가스를 공급하는 일이 없이 이루어진다.

Description

전자빔을 이용한 박층의 고분해능 처리 방법{METHOD FOR HIGH RESOLUTION PROCESSING OF THIN LAYERS USING ELECTRON BEAMS}
본 발명은 전자빔을 이용하여, 박층, 특히 포토리소그래피용 마스크 또는 반도체 소자 중의 층을 고분해능 처리하는 방법에 관한 것이다.
프로세서 또는 메모리 칩과 같은 반도체 소자는 포토리소그래피를 이용하여 제조한다. 반도체 재료로 제조한 웨이퍼 상의 포토레지스트 층은 복수 개의 초소형 미세 구조를 동시에 생성하기 위해 마스크를 통해 노출되는데, 상기 미세 구조들은 상기 소자의 전자 구성품(트랜지스터, 커패시터 등)을 제조하는 단계에서 추가 처리된다. 반도체 소자 내에서의 집적 밀도를 꾸준히 증가시키기 위하여, 현재 파장이 짧은 자외선을 상기 노출 작업에 이용한다. 이러한 리소그래피 방법에 적당한 마스크의 제조는 그 비용이 극히 비싸다.
마스크에 오류가 있다는 것이 나중에 발견된다면, 그 마스크를 수리하는 것이 바람직하다. 이를 위해, 금속층, 예컨대 마스크의 불투명 부분을 형성하는 크롬층을 큰 공간 분해능으로 선택적으로 제거 또는 적층할 필요가 있다. 이미 완성된 반도체 소자가 수정되는 경우[소위 "회로 에디팅(circuit editing)"]에 유사한 문제가 발생되는데, 이러한 경우에 있어서 반도체 소자의 스트립 컨덕터의 구조가 큰 고분해능으로 수정된다. 처리되는 금속층들은 통상 금속/금속 산화물/절연체의 복합물 내에 배열된다.
공지된 한 가지 종래 기술 방법은 집속 이온빔을 이용하는 처리이다. 그러나, 이 처리 방법은 필연적으로, 기판 내부, 예컨대 포토리소그래피용 마스크의 수정 기판 내부에 이온 주입을 야기하고, 이로 인해 그 성질이 변화된다. 이러한 이온빔 기술의 단점은 전자빔을 사용하는 경우 피할 수 있다(T. Liang, et al.의 "Progress in extreme ultraviolet mask repair using a focused ion beam", J. Vac. Sci. Technol. B 18(6), 3216(2000)과, T. Liang, et al.의, "Evaluation of 157 nm substrate damage during mask repair", 157 nm 리소그래피 심포지움, Dana Point, CA, MAY 2001).
일반적으로, 예컨대 용접을 위해 고에너지의 전자빔을 이용하여 금속을 처리하는 것이 알려져 있다. 그러나, 전자빔에 의해 포괄되는 영역의 직경은 2μ 미만이고, 가열된 재료의 열 제거 표면은 열을 공급하는 빔의 상기 영역보다 훨씬 더 크다. 그 결과, 현재까지 적어도 금속의 경우 그 양호한 열전도성으로 인해, 전술한 작업을 위해 필요한 분해능을 갖고 있는 전자빔만을 이용하여 처리하는 것은 불가능한 것으로 생각되었다.
다른 방법으로서, 소위 전자빔 유도 에칭(EBIE)이 있다. 금속 및 금속 산화물, 여기서는 실리콘을 전자빔 유도 에칭하기 위한 자발적이고도 활성화가능한 에칭 수단으로 XeF2를 사용할 수 있다는 것은 오래전에 알려진 사실이다[J.W. Coburn and H.F. Winters의, "Ion-and electron-assisted gas-surface chemistry-an important effect in plasma etching", J. Appl. Phys. Vol. 50(5), 3189 (1979)]. 전자빔은 에칭 가스의 분자들을 선택적으로 붕괴시켜, 공간적으로 분해된 에칭을 가능하게 한다. 예컨대, 논문[P.E., Russel 등의 "Etching characteristics of chromium thin films by an electron beam indued surface reaction" (Semicond. Sci. Technol. 18(2003) page 199-205]은 XeF2의 존재 하에서 EBIE 방법에 의해 마스크의 크롬 박층을 에칭하는 것을 개시하고 있다.
상기 Russel 등의 공개 문헌은 높은 제거 효율을 달성하기 위해, 1.6 nA의 비교적 높은 전자 밀도뿐만 아니라, 5~20 keV의 고전자 에너지 및 XeF2를 사용하는 것을 교시하고 있다. 그러나, 고전자 에너지는 크롬층을 에칭할 때 공간 분해능을 손상시키는 것으로 보고되고 있다. 또한, Russel 등이 개시한 방법에 따르면, 임의의 크롬층을 에칭할 수 없다. 예컨대, 실리콘 기판 위에 스퍼터링된 크롬층은 에칭될 수 없다. 적층된 크롬층 내부의 금속 오염물이 에칭 프로세스에 악영향을 미친다고 하는 것이 이러한 실패에 대한 설명이었다.
측정 결과에 대한 논의에서, Russel 등은, 에칭 속도를 결정하는 표면 화학 프로세스에 의해 크롬층의 표면으로부터 CrO2F2 또는 다른 반응 생성물로서, CrOF2가 탈착된다고 교시하고 있다(204 페이지의 왼쪽 칼럼의 중간 부분). 대조적으로, Russel 등은 진공 챔버의 잔류 가스 중에 어느 정도 항상 존재하는 산소를 획득 에칭 속도에 대한 관련 요인으로서 고려하고 있지 않다.
끝으로, 마스크의 수리 및 상기 회로 에디팅을 위해, 단지 금속/금속 산화물/절연층을 제거하는 것만으로는 충분하지 않다. 또한, 금속층의 선택적 적층도 필요하다. 그렇게 한 후에만, 포토리소그래피 마스크 및 다른 금속/금속 산화물/절연층 시스템을 간단하고도 신뢰성 있게 수리 또는 변형할 수가 있다. 제1 양태에 따르면, 본 발명은 기판과는 독립적으로, 임의의 종류의 금속층 및/또는 금속 산화물층, 예컨대 Cr/CrO 층을 고분해능, 고수율 및 뚜렷한 윤곽으로 에칭할 수 있도록 해주는 방법을 제공하는 과제에 기초한다.
다른 양태에 따르면, 본 발명의 과제는 금속층을 고분해능으로 기판 위에 적층하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 제1 양태에 따르면, 진공 챔버 내부에서 금속층, 특히 크롬층을 에칭하는 방법이 제공되는데, 상기 방법은 할로겐 화합물을 상기 진공 챔버 내로 도입하는 단계와, 전자빔을 에칭할 상기 크롬층의 영역 위로 향하게 하는 단계와, 산소 함유 화합물을 상기 진공 챔버 내로 추가 도입하는 단계를 포함한다.
특히, 산소 함유 화합물을 추가 제공함으로써, 저전자 에너지에서조차도 금속층을 고수율로 에칭할 수 있고, 종래 기술에서 언급한 분해능의 열화 문제도 피할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 방법은 스퍼터링된 또는 증착된 크롬층도 에칭할 수 있다는 것이 관찰되었다. 상기 에칭 반응은 오로지 집속 전자빔에 의해 시작된다. 샘플 가열 또는 레이저 복사와 같은 다른 에너지 전달 기구도 없다.
상기 할로겐 화합물 및 산소 함유 화합물의 정확한 투여량은 진공 챔버의 기하 형태, 사용된 진공 펌프의 펌핑 파워, 가스 노즐의 기하 형태적 배치에 크게 의존한다. 일반적으로, 할로겐 화합물의 가스 유량은 상기 진공 챔버 내부에서 측정한 분압이 10-5 내지 10-3 mbar의 범위에 있도록 조정되어야 한다. 가스 노즐이 기판에 가깝게 배치되는 구조 때문에, 이는 수리 위치에서, 대략 10-4 내지 10-1 mbar의 국부적 가스 압력에 대응한다. 상기 할로겐 화합물과 산소 함유 화합물 사이에서 이와 같은 방식으로 규정된 국부적 분압의 비율은 1000:1 내지 1:2, 특히 바람직하게는 100:1 내지 1:1, 가장 바람직하게는 10:1의 범위에 있어야 한다.
본 명세서에서, 산소 함유 화합물의 낮은 투여량에서조차도, 수리 위치에서의 그 국부적 분압은, 산소 함유 화합물이 추가되지 않았다면 존재하는 진공 챔버 내에서의 그 대응하는 통상적인 베이스 압력보다 여전히 높다는 것에 유의하여야 한다. 투여 순서와 관련하여, 할로겐 화합물과 산소 함유 화합물은 순차적으로 또는 실질상 동시에 진공 챔버 내부로 도입될 수 있다.
O2, H2O 또는 H2O2 또는 그 혼합물을 산소 함유 화합물로서 사용하는 것이 바람직하다. 할로겐 화합물은 불소를 함유하는 것이 바람직하다.
상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 방법은 낮은 전자빔 에너지 및 낮은 전류를 사용할 수 있도록 해준다. 바람직하게는, 전자빔의 전류는 400 pA 미만, 보다 바람직하게는 100 pA 미만이다. 바람직하게는, 전자빔의 에너지는 5 keV 미만, 가장 바람직하게는 실질상 1 keV이다. 전자빔의 전류 밀도는 1 A/cm2보다 큰 것이 바람직하고, 가장 바람직하게는 200 A/cm2 보다 크다. 1 keV의 전자 에너지에서조차, LEO Elektronenmikroskopic GmbH 사의 LEO Gemini 렌즈를 사용하고 또 저온 또는 열적 전계 방출 전자 공급원(cole or thermal field emission electron source)을 이용하여 이를 달성할 수 있다[H. Jaksch의 "Field emission SEM for true surface imaging and analysis", Materials World, Octiber (1996)].
다른 양태에 따르면, 본 발명은 열전도도가 좋지 않은 기판 또는 절연체 상에 배열된 금속 및/또는 금속 산화물로부터 소정의 층을 고분해능 제거(highly resolved removal)하기 위한 방법에 관한 것으로서, 상기 방법은 진공 챔버 내부에 상기 층을 배치하는 단계와, 3~30 keV 에너지의 집속 전자빔으로 상기 층에 충격을 주는 단계를 포함하고, 상기 전자빔은 단위 시간 및 면적당 에너지 전달에 의해 상기 층이 그 융점 및/또는 증발점 이상으로 국부적으로 가열되도록 안내되고, 상기 층의 제거는 상기 진공 챔버 내부에 반응 가스를 추가하는 일이 없이 이루어진다.
놀랍게도, 상기 지정된 에너지 범위 내의 집속 전자들이 종래 기술과는 대조적으로, 크롬과 같이 열전도도가 높은 금속층들을 포함하는 상기 층들을 제거, 즉 증발시킬 수 있다는 것이 밝혀졌다. 현재까지 사용되어 왔던 추가의 반응 가스들은 더 이상 필요하지 않기 때문에, 본 발명에 따른 상기 방법은 보다 쉽고도 더 저렴한 비용으로 수행할 수 있다.
바람직하게는, 상기 전자빔은 펄스식이고, 이 펄스식 전자빔의 투여는 제거되는 재료의 양을 변경시키도록, 국부적으로 변화되는 것이 바람직하다. 그 결과, 상기 재료의 제거는 예컨대, 포토리소그래피 마스크 중의 임의의 결함 형태에 적합하게 할 수 있다.
상기 방법에서, 전자빔의 전류는 0.1 nA 내지 1 ㎂인 것이 바람직하고, 그 에너지는 5 keV 내지 25 keV인 것이 바람직하며, 특히 거의 10 keV인 것이 바람직하다.
상기 전자빔의 직경은 0.1 ㎛ 내지 0.5 ㎛인 것이 바람직하고, 이에 따라 포토리소그래피 마스크 또는 반도체 소자의 통상의 구조를 처리할 수 있도록 해준다.
또한, 본 발명은 금속층 및/또는 금속 산화물층 및/또는 절연층의 고분해능 제조(highly resolved manufacture) 방법에 관한 것으로서, 상기 방법은 진공 챔버 내부에 기판을 배치하는 단계와, 적어도 무기, 유기 또는 금속 유기 전구물질 중 하나를 상기 진공 챔버 내부로 도입하고, 상기 전구물질을 상기 기판 위에 적층하며, 상기 기판에 전자빔을 선택적으로 조사하여 상기 적층된 전구물질로부터 전도성 금속층을 제조하고 및/또는 상기 기판을 전자빔으로 선택적으로 조사하여 상기 적층된 무기 또는 유기 전구물질로부터 비전도성 절연층을 제조하는 단계를 포함한다.
제1 실시예에서, 상기 금속 유기 전구물질은 본 발명에 따른 방법으로 양질의 전도성 상호 접속을 형성하기 위해 전기 저항이 낮은 금속 원자를 포함하는 것이 바람직하다.
다른 실시예에서, 상기 무기 또는 유기 전구물질은 본 발명에 따른 방법으로 양질의 절연체를 형성하기 위해 절연체의 분자 그룹을 포함하는 것이 바람직하다.
바람직하게는, 상기 기판의 선택적인 조사에 의해, 50℃ 내지 100℃, 특히 바람직하게는 70℃ 내지 80℃의 온도로 국부 가열되고, 상기 전구물질의 디프랙션 생성물(defraction product) 및 의도하지 않은 반응 생성물의 유기 화합물이 상기 기판으로부터 탈착된다.
기판의 전체적인 가열을 통해 저항을 개선시킬 수 있다는 사실은 종래의 기술이다[H.W.P. Koops, C. Schossler, A. Kaya, M. Weber의 "Conductive dots, wires and supertips for field electron emitters produced by electron beam induced deposition on samples having increased temperature" J. Vac. Sci. Technol. B14(6)(1996)4105].
상기 방법은 더 이상 고가의 가열 테이블을 필요로 하지 않으며, 훨씬 더 중요하게는, 이로 인해 프로세스 및 장치의 드리프트(drift) 및 불안정성을 제거한다는 것이다.
또한, 상기 방법은 유리하게도, 금속 에칭의 화학적 반응 또는 국부화된 온도 증가에 의해 양질의 절연체 적층을 제어하고 가속화(실온에서 최대 150℃의 온도 범위)하는 데 이용될 수 있다. 대안으로서, 350℃ 부근 또는 그보다 높은 온도에서 상기 전구물질의 응축을 현저하게 감소시킴으로써 지연이 가능하다.
마지막으로, 본 발명의 추가 양태에 따르면, 본 발명은 포토리소그래피 마스크 및/또는 반도체 소자의 전도성 스트립(conducting strips)을 처리하기 위한 방법에 관한 것으로서, 상기 방법은 금속 및/또는 금속 산화물 및/또는 절연층을 상기한 방법 중 임의의 것을 이용하여 고분해능 제거하는 단계와, 새로운 금속층을 전술한 방법으로 적층하는 단계와, 전술한 방법을 이용하여 새로운 절연층을 추가로 제공하는 선택적인 또는 대안적인 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 전도성 금속층 및/또는 절연층의 고분해능 적층과, 원하지 않은 층들을 고분해능 제거하기 위한 본 발명에 따른 상기 방법들을 조합함으로써, 포토리소그래피 마스크의 종류가 다른 많은 결함들을 제거할 수 있다. 반도체 소자와 관련하여, 회로 에디팅이 가능하다. 즉, 후에 상기 소자의 전도성 스트립을 분리 또는 상호 접속함으로써 미세 구조의 작은 전기 구조를 선택적으로 변형할 수 있다.
종속항들은 본 발명의 추가의 유리한 변형들에 관한 것이다.
이하의 설명에서, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1 양태에 따른 방법을 실시하기 위한 개략도로서, 진공 챔버 내에 배치된 샘플이 집속식 전자빔에 의하여 처리되고, 샘플 상에 배치된 재료와 반응하기 위한 상이한 시약은 적어도 두 개의 가스 공급 노즐로 공급된다.
도 2는 본 발명의 제2 양태에 따른 방법을 실시하기 위한 개략도로서, 진공 챔버 내에 배치된 샘플은 집속식 전자빔을 이용한 충격에 의해서만 처리된다.
도 3은 본 발명의 또 다른 양태에 따라, 금속층 및/또는 절연층의 고분해능 증착을 위한 방법을 수행하기 위한 개략도이다.
도 4a 내지 도 4c는 금속층, 예를 들면 포토리소그래피 마스크를 수리하는 일련의 단계를 개략적으로 보여주는 도면으로서, 층의 재료가 1차로 제거되고, 이어서 새로운 금속 및/또는 절연 재료가 결함 영역에 선택적으로 적층된다. 이것은 특히 EUV-마스크[P.B. Mirkarimi, D.G. Stearns, S.L. Baker, J.W. Elmer 및 D.W.Sweeney의 "Method for repairing Mo/Si Multilayer thin film phase defects in reticles for extreme ultraviolet lithography", Journal of Applied Physics Vol. 91, Number 1, 1. January 2002 pages 81-89와, S.P. Hau-Riege, A. Barty, P.B. Mirkarimi, D.G. Stearns, H. Chapman, D. Sweeney, M. Clift, E. Gullikson, M-S.Yi의 "Defect repair for extreme ultraviolet lithography(EUVL) mask blanks", Proc SPIE Vol. 5037 331-338] 및 나노-임프린트(nano-imprint) 마스크 또는 "스텝(step) 및 플래시(flash) 임프린트 리소그래피(S-FIL)" 프로세스의 스탬프[Company prospectus of the company Molecular Imprints, Inc. 1807 West Braker Lame Bldg. C, Austin TX 78758 (www.molecular imprints.com)]" 뿐만 아니라 그 밖의 임프린트 마스크에 이용된다.
이하에서, 본 발명에 따른 방법의 바람직한 실시예를 설명한다. 그러나, 이하의 설명에서 지정된 파라미터는 바람직한 값에 불과하고, 상기 값에서 일부 편차가 있어도 본 발명의 목적을 달성할 수 있다는 점을 이해하여야 한다.
먼저, 본 발명의 제1 양태에 따른 방법을 크롬층의 에칭에 기초하여 설명한다. 그러나, 본 방법은, 화학적 특성이 할로겐 금속 산화물의 형성을 허용한다면, 예를 들면 구리 또는 알루미늄과 같이 반도체 소자에서 스트립 컨덕터로 이용될 수 있는 모든 다른 재료에 대하여도 유리하게 이용할 수 있다.
도 1에 개략적으로 도시한 바와 같이, 에칭될 크롬층(2)이 진공 챔버(1), 예를 들면 전자 현미경과 같이 본 방법을 실시하기에 적합한 전자빔 장치 내에 배치되어 있다. 진공은 전자의 평균 자유 경로 길이가 샘플에 도달하도록 충분해야 한다. 그러나, 고진공 조건(<10-6mbar)이 필요한 것은 아니다. 크롬층(2)은 포토리소그래피용 마스크일 수 있지만, 예를 들면 반도체 소자의 다른 크롬층일 수도 있다.
크롬층(2)은 통상, 자연적으로 형성된 산화물로 덮여 있고, 포토 마스크의 경우에는 산소 외에 질소를 포함할 수 있는 대략 40 nm 두께의 CrO 층(3)으로 덮여 있다. 포토리소그래피용 마스크는 통상적으로 반사 방지 코팅으로서, 크롬 산질화물층을 포함한다. 통상적으로 크롬층(2)은 그 자체가 저농도의 탄소 오염물 및 가능하게는 금속 오염물을 소량 포함한다. 그 정확한 조성은 오우거(Auger) 전자 분광법(AES) 또는 광전자 분광법(XPS)과 같은 표면 분석을 위한 공지의 방법으로 결정할 수 있다.
종래의 기술로부터 공지된 EBIE-법을 이용하여, 1 keV의 저에너지 전자빔으로 XeF2의 존재 하에서 최상위 CrO 또는 CrOxNx-층(3)을 에칭할 수 있다. 그러나, 그 아래에 배열된 크롬층(2)은 보다 큰 전자 에너지를 이용해야만 에칭할 수 있다. 종래 기술에서 크롬에 대한 에칭 프로세스는 고에너지 전자빔(6)의 강한 국부적 가열 때문에 본질적으로 열 증발이라고 추측된다. 그러나, 이것은 Russel 등의 종래 기술에서는 교시되어 있지 않다.
본 발명의 바람직한 실시예에서, 도 1에서 개략적으로 도시한 바와 같이, 챔버(1) 내에 도입된 에칭 가스 XeF2에 산소 함유 화합물이 첨가된다. XeF2와는 별도로, 예를 들면 Cl2, Br2, 및 I2와 같은 다른 할로겐 화합물을 사용할 수 있다. 산소 함유 화합물은 산소 분자(O2), 물(H2O) 또는 과산화수소(H2O2)인 것이 바람직하다. 다른 산소 방출 화합물도 생각할 수 있다.
XeF2 및 산소 함유 화합물은 모두 적당한 투여 밸브 및 대응 노즐(4 또는 5)에 의해, 에칭될 크롬층의 영역으로 공급된다. 특히, 에칭 프로세스는 산소와 할로겐이 1:100 내지 1:10의 비율로 존재하도록 산소 함유 화합물이 투입된다면, 특히 바람직하다. 이는 투여 밸브 및 노즐 전방의 압력 조정 장치를 이용하여 쉽게 조정할 수 있는데, 이들은 흐름 및 그 기하 형태를 결정하며, 한편 잔류 가스 분석용 마스크 분광계가 추가로 이용될 수 있다. 1:100 보다 작은 범위에서 산소 함유 화합물을 적게 투입하여도 에칭 속도를 향상시킬 수 있다.
산소 함유 화합물의 투여는 실제 에칭 프로세스와 동시에 진행되거나, CrOxNx 층이 먼저 에칭되고, Cr 층은 추가의 에칭 등이 후속되는 진공 챔버(1) 내에서 산소 함유 화합물에 의해 그 표면에서 후속적으로 산화된다. 어떤 경우에도, 산소 함유 화합물의 추가는, 표면에서 탈착되는 반응 생성물 CrO2F2 및 CrOF2의 형성을 위해 충분한 산소가 공급되도록 해준다. 이 방법은 예를 들면 기판에 이르기 까지 포토리소그래피 마스크 크롬층을 에칭할 수 있도록 해준다.
에칭을 달성하기 위하여, 상기 챔버 내부에서 측정한 분압이 통상적으로 10-6mbar인 챔버의 기본 압력보다 적어도 10배에서 최대한 150배인 분압으로 두 에칭 가스를 공급하여야 한다. 특히, 마스크의 처리 위치에서, 국부적 할로겐 가스 압력이 10-5mbar 내지 10-1mbar의 범위이고 국부적 산소 가스 압력이 10-7mbar 내지 10-1mbar의 범위가 되도록 가스 공급이 이루어지도록 주의를 기울여야 한다. 이는 특히 챔버 가스를 교축시키고 노즐과 대상물 사이의 거리를 작게 함으로써 달성할 수 있다.
또한, 반응에 참여하는 화학 물질을 균형 맞추는 것 외에, 에칭될 층을 몇몇 반복된 단계에서 전자를 이용하여 충격을 가함으로써, 가스 공급 노즐로부터 매체를 공급하는 것을 고려할 수 있다. 그러나, 가스 공급으로부터 나오는 반응에 필요한 새로운 분자로 표면을 완전히 둘러쌀 수 있도록, 빔이 이전에 처리한 스폿으로 복귀하기 전에 리프레시 시간(refresh time)을 유지한다. 전자빔의 리프레쉬 시간은 1 msec 이상인 것이 바람직하다. 상기 빔은 종료되거나, 또는 처음에 처리된 스폿으로 빔이 복귀하기 전의 사이에 다른 스폿이 처리된다. 상기 빔이 하나의 스폿에서 잔류하는 시간(소위 "픽셀 체재 시간")은 10-3초 미만이고, 바람직하게는 10-5초 미만이어야 한다.
지금까지 공지된 방법과 달리, 산소의 첨가는 낮은 전자 에너지에서 이미 크 롬층을 에칭할 수 있게 한다. 바람직한 값은 5 keV 미만이고, 특히 바람직한 값은 1 keV 미만이다. 또한, 통상적인 값이 400 pA 미만, 특히 바람직하게는 100 pA 미만이 되도록 전류를 감소시킬 수 있다. 에칭 작업 중에 크롬층(2)의 국부적 가열 및 대응되는 공간 분해능의 손실은 상기 값에서는 염려할 필요가 없다. 또한, 온도가 상승되었을 때의 경우와는 달리, 표면 상의 반응 분자들의 응축물이 상당히 잔류한다.
에칭될 영역은 공지의 방법(예를 들면 주사 전자 현미경의 빔 제어)에 의해 크롬층 위로 주사될 수 있는 전자빔에 의해 측정된다. 열 효과는 있다고 하더라도 2차적 영향만을 미친다. 그 결과, 본 발명에 따른 방법은 고속 및 고분해능으로 크롬층을 에칭할 수 있도록 해주어, 포토리소그래피 마스크의 구조를 변화시킨다.
산화 또는 산화물의 플루오르화의 화학반응을 시작하는 데 단지 2 eV보다 큰 에너지만이 필요하므로, 예를 들면 주사 터널링 현미경 또는 다른 저에너지 전자 공급원으로부터의 매우 낮은 에너지의 전자로 본 방법을 이용할 수 있다.
도 2는 재료의 선택적인 제거를 위한 다른 방법을 개략적으로 보여주고 있다. 이 경우, 처리될 표면은, 어떤 반응 가스도 첨가하지 않으면서, 바람직하게는 약 10 keV의 에너지에서 집속식 전자빔을 이용하여 충격을 가한다. 전자빔의 전류는 0.1 nA 내지 1 ㎂인 것이 바람직하다. 이것은 크롬 산화물-크롬 산질화물 층 및 그 아래에 배치된 포토리소그래피 마스크의 크롬층에 선택적으로 구멍을 형성할 수 있도록 해준다. 이는 고 에너지 전자빔에 의한 재료의 열 증발로 설명된다. 빔의 직경은 0.1 ㎛ 내지 0.5 ㎛인 것이 바람직하다.
상기 얻어진 재료의 제거는 전류, 전자빔의 에너지, 펄스 길이 및 처리될 층의 열전도도에 의해 결정된다. 전자빔에 의해 제공되는 투여 속도의 적절한 분배는 수율이 처리될 마스크 및 반도체 소자의 결함의 기하 형태에 더욱 적합하도록 해준다.
본 방법은 또한 회로를 수정하는 데에, 즉 회로 에디팅에 유리하게 이용될 수 있는데, 금속제의 전도성 스트립은 소자의 깊이 내부에서 분리되거나 재연결된다. 전자빔은, 전자빔에 의한 증발 또는 화학적 에칭에 의해 처음 개방된 동일한 개구를 통해 소자의 깊이로 들어가는 것이 바람직하다. 마지막으로, 본 방법은 공간 분해능을 가장 필요로 하는, 예컨대 딥(deep) UV, 익스트림 UV((EUV)용의 차세대 리소그래피 마스크 등과 같이, 열전도성이 좋지 않은 임의의 금속 층을 수리하는 데 이용될 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 양태를 보여준다. 본 방법을 이용하여 높은 공간 분해능으로 금속층을 적층할 수 있다. 이러한 목적을 위하여, 먼저 전구물질 가스(12)가 노즐(10)을 통해 진공 챔버에 도입된다. 적절한 전구물질 가스는 특히 금속-유기 화합물, 예를 들면 가스 상태에서 기판 위로 적층되는 시클로펜타디에닐 플래티늄 디메틸이다. 이어서 이 응축물이 전자빔에 선택적으로 노출되면[H.W.P. Koops, J. Kretz, M. Rudolph, M. Weber, G. Dahm, K.L. Lee의 "Characterization and application of materials grown by electron beam induced deposition", Jpn. J. Appln. Phys Vol. 33 (1994) 7099-7107, Part. 1 No. 12B, December 1994], 유기물 부분은 흡착되고, 나머지 금속 원자는 마스크 또는 반도체 소자의 결함을 수리하는 데 이용될 수 있는 전도성 금속층을 형성한다.
본 방법에서 바람직하게는 1 keV 내지 40 keV의 에너지와 1 pA 내지 100 nA 범위의 전류를 갖는 전자빔은 샘플을 가열하지 않는다. 이는 1 nA 미만의 전류까지 적용된다. 종래 기술에 대한 개선은, 전구물질의 유기 성분을 국부적으로 탈착시키는, 초점뿐만 아니라 전류 및 전자 에너지의 적절한 선택을 통해 50℃ 내지 100℃, 바람직하게는 약 80℃의 온도까지, 국부적으로 분해된 기판을 가열함으로써 달성된다. 이는 오염물의 온도가 낮은 보다 순수한 물질을 생성할 수 있도록 해주는데, 이는 전도성이 좋은 재료뿐만 아니라, EBID(전자빔 유도 적층)에 의해 예를 들면 TEOS(테트라에틸 오르소 실록산) 또는 다른 실란으로부터 적층될 수 있는 절연성이 좋은 재료의 제조와 관련된다. 기판의 국부적 가열 및 반응의 열적 제어를 통해 보다 순수한 산화물을 얻는다. 두 가지 모두 회로 에디팅에 필요하다. 지정된 범위 밖에 있을 수 있는 정확한 온도는, 각각 용해되는 전구물질 재료(12)의 유기물 성분 및 기판에 결합되는 강도에 의존한다. 이 방법은 고전류를 이용하여 반응 생성물을 기판 재료에서 분리하고, 흡수된 전구물질을 넓게 분포된 전자빔으로부터의 열 공급에 의해 반응된 표면으로부터 제거하는 기법, 250℃를 넘는 크로밀 클로라이드의 증발과 같이, 증발되지 않으면 표면에 남아 있을 수 있기 때문에 상기 물질들을 증발시키는 기법을 따르지 않는다.
본 방법은 기판 전체를 가열하는 가열 테이블에 대해 기계적으로 불안정한 복잡한 구조를 필요로 하지 않으며, 예를 들면 컴퓨터 기반형 가열 예측을 이용하여 반응을 정확히 제어할 수 있다(미국, 캘리포니아, 카스트로 밸리에 소재하는 소 프트 서비스사의 "템프테이션" 프로그램 참조).
전술한 방법들을 결합하면, 도 4a에 개략적으로 도시한 바와 같이, 반도체 요소인 스트립 컨덕터(20) 또는 마스크의 결함(21)은 집속식 전자빔을 이용하여 용이하게 수리할 수 있다. 이러한 목적을 위하여, 낮은 전자 전류에서, 할로겐 화합물 및 산소 함유 화합물로 상기 방법을 이용하는 선택적 에칭, 또는 결함(21)을 소정의 규정된 형태(22)로 하기 위하여 고전류(고전류 프로세스)의 고에너지 전자를 이용한 충격에 의해, 스트립 컨덕터(20)로부터 먼저 재료를 제거한다. 다음 단계(도 4의 c 참조)에서, 상기 방법을 후속적으로 이용하여, 비교적 낮은 전자 전류(바람직한 값은 1 pA 내지 500 pA)에서 불투명 또는 투명 또는 전기 전도성 재료(23)를 상기 에칭된 수리 지점(22)의 영역에 선택적으로 적층하여, 스트립 컨덕터의 원하는 형태를 복구한다.
결함을 처리하기 위한 반대의 과정도 생각할 수 있는데, 이러한 과정에서, 재료는 먼저 상기 고분해능 적층 기술을 이용하여 결합 영역에 적층되고, 후속하여 임의의 과잉 재료는 상기 방식으로 에칭되거나 고에너지 전자 충격에 의해 증발된다. 어느 경우에서든지, 전체 프로세스는 단일 진공 챔버 내부의 현장에서 수행될 수 있다. 단지, 상기 프로세스 가스가 도입되어야 하고, 전자빔의 파라미터는 상기한 방식으로 조절되어야 한다.

Claims (39)

  1. 진공 챔버(1) 중의 금속층(2) 또는 금속 산화물 층(3)을 에칭하기 위한 에칭 방법으로서,
    (a) 할로겐 화합물(4)을 진공 챔버(1) 내의 에칭될 금속층(3) 또는 금속 산화물 층(3)의 영역 위로 향하게 하는 단계와,
    (b) 에칭될 금속층(2) 또는 금속 산화층(3)의 영역 위로 전자빔(6)을 향하게 하는 단계로서, 상기 전자빔(6)은 2 eV 내지 2 keV의 에너지를 갖는 것인 단계, 그리고
    (c) 산소 함유 화합물(5)을 진공 챔버(1) 내의 에칭될 금속층(3) 또는 금속 산화물 층(3)의 영역 위로 향하게 하는 단계를 포함하고
    (d) 상기 할로겐 화합물과 산소 함유 화합물은 투여 밸브 및 노즐에 의해 산소 함유 화합물 대 할로겐 화합물의 분압 비가 1:100 내지 1:1이 되도록 국부적으로 투여되며, 에칭 위치에서의 국부적 가스 압력은 10-4 내지 10-1 mbar의 범위 내인 것인 에칭 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 할로겐 화합물과 산소 함유 화합물은 산소 함유 화합물 대 할로겐 화합물의 분압 비가 1:10이 되도록 투여되는 것인 에칭 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 할로겐 화합물과 산소 함유 화합물은 차례 차례로 진공 챔버(1) 내로 도입되는 것인 에칭 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 할로겐 화합물과 산소 함유 화합물은 동시에 진공 챔버(1) 내로 도입되는 것인 에칭 방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, O2, H2O 또는 H2O2 또는 이들의 혼합물이 산소 함유 화합물로서 사용되는 것인 에칭 방법.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 할로겐 화합물은 제논 또는 다른 희가스(noble gas)를 포함하는 것인 에칭 방법.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 할로겐 화합물은 XeF, XeF2, XeF4를 포함하는 것인 에칭 방법.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 전자빔(6)은 400 pA 미만의 전류를 갖는 것인 에칭 방법.
  9. 제8항에 있어서, 전자빔(6)은 100 pA 미만의 전류를 갖는 것인 에칭 방법.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 전자빔의 리프레쉬 시간(refresh time)은 1 msec 이상인 것인 에칭 방법.
  13. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 전자빔의 체재 시간은 10-8 내지 10-3초인 것인 에칭 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 전자빔의 체재 시간은 10-7 내지 10-5초인 것인 에칭 방법.
  15. 제1항 또는 제2항에 따른 에칭 방법에 의해 처리되는 금속층.
  16. 제1항 또는 제2항에 따른 에칭 방법에 의해 처리되는 절연층.
  17. 제15항에 따른 금속층을 포함하는 포토리소그래피 마스크.
  18. 제15항에 따른 금속층을 포함하는 반도체 소자.
  19. 제16항에 따른 절연층을 포함하는 임프린트-리소그래피 마스크.
  20. 진공 챔버(1) 중의 금속층(2) 또는 금속 산화물 층(3)을 에칭하기 위한 에칭 장치로서,
    (a) 할로겐 화합물(4)을 진공 챔버(1) 내의 에칭될 금속층(3) 또는 금속 산화물 층(3)의 영역 위로 향하게 하는 수단과,
    (b) 에칭될 금속층(2) 또는 금속 산화층(3)의 영역 위로 전자빔(6)을 향하게 하는 수단으로서, 상기 전자빔(6)은 2 eV 내지 2 keV의 에너지를 갖는 것인 수단과, 그리고
    (c) 산소 함유 화합물(5)을 진공 챔버(1) 내의 에칭될 금속층(3) 또는 금속 산화물 층(3)의 영역 위로 향하게 하는 수단을 포함하고
    (d) 상기 할로겐 화합물과 산소 함유 화합물은 투여 밸브 및 노즐에 의해 산소 함유 화합물 대 할로겐 화합물의 분압 비가 1:100 내지 1:1이 되도록 국부적으로 투여되며, 에칭 위치에서의 국부적 가스 압력은 10-4 내지 10-1 mbar의 범위 내인 것인 에칭 장치.
  21. 삭제
  22. 삭제
  23. 삭제
  24. 삭제
  25. 삭제
  26. 삭제
  27. 삭제
  28. 삭제
  29. 삭제
  30. 삭제
  31. 삭제
  32. 삭제
  33. 삭제
  34. 삭제
  35. 삭제
  36. 삭제
  37. 삭제
  38. 삭제
  39. 삭제
KR1020067003480A 2003-08-19 2004-08-12 전자빔을 이용한 박층의 고분해능 처리 방법 KR101285450B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10338019A DE10338019A1 (de) 2003-08-19 2003-08-19 Verfahren zum hochaufgelösten Bearbeiten dünner Schichten mit Elektronenstrahlen
DE10338019.1 2003-08-19
PCT/EP2004/009049 WO2005017949A2 (en) 2003-08-19 2004-08-12 Method for high-resolution processing of thin layers with electron beams

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070033307A KR20070033307A (ko) 2007-03-26
KR101285450B1 true KR101285450B1 (ko) 2013-07-12

Family

ID=34177683

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020067003480A KR101285450B1 (ko) 2003-08-19 2004-08-12 전자빔을 이용한 박층의 고분해능 처리 방법

Country Status (8)

Country Link
EP (1) EP1664924B8 (ko)
JP (1) JP2007503009A (ko)
KR (1) KR101285450B1 (ko)
CN (1) CN1839349B (ko)
AT (1) ATE556355T1 (ko)
DE (1) DE10338019A1 (ko)
TW (1) TWI257673B (ko)
WO (1) WO2005017949A2 (ko)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7670956B2 (en) 2005-04-08 2010-03-02 Fei Company Beam-induced etching
JP5373298B2 (ja) 2008-03-04 2013-12-18 株式会社日立ハイテクサイエンス Ｅｕｖｌマスクの加工方法
DE102008037943B4 (de) 2008-08-14 2018-04-26 Nawotec Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum elektronenstrahlinduzierten Ätzen und Halbleiterbauelement mit einer Struktur geätzt mittels eines derartigen Verfahrens
DE102008037951B4 (de) * 2008-08-14 2018-02-15 Nawotec Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum elektronenstrahlinduzierten Ätzen von mit Gallium verunreinigten Schichten
DE102008037944B4 (de) 2008-08-14 2013-03-21 Carl Zeiss Sms Gmbh Verfahren zum elektronenstrahlinduzierten Abscheiden von leitfähigem Material
DE102008062928A1 (de) 2008-12-23 2010-07-01 Nawotec Gmbh Verfahren zum Ermitteln einer Reparaturform eines Defekts an oder in der Nähe einer Kante eines Substrats einer Photomaske
JP2012073553A (ja) * 2010-09-30 2012-04-12 Hoya Corp フォトマスクの欠陥修正方法、フォトマスクの製造方法、及びフォトマスク、並びにパターン転写方法
DE102013203995B4 (de) 2013-03-08 2020-03-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Schützen eines Substrats während einer Bearbeitung mit einem Teilchenstrahl
CN107980170B (zh) * 2015-06-17 2022-02-18 英特尔公司 用于器件制造的通过对氧化物层的原子层去除的过渡金属干法蚀刻
KR101737016B1 (ko) * 2015-10-26 2017-05-17 주식회사 이오테크닉스 포토마스크 수선 시스템 및 수선 방법
DE102016203094B4 (de) 2016-02-26 2022-02-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum dauerhaften Reparieren von Defekten fehlenden Materials einer photolithographischen Maske
DE102017208114A1 (de) 2017-05-15 2018-05-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Teilchenstrahl-induzierten Ätzen einer photolithographischen Maske
DE102018222522A1 (de) 2018-12-20 2020-06-25 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren zum Betrieb einer Gaszuführungseinrichtung sowie Gaszuführungseinrichtung zur Durchführung des Verfahrens und Teilchenstrahlgerät mit einer Gaszuführungseinrichtung
DE102020208883B4 (de) 2020-07-16 2023-06-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Computerprogramm zur Reparatur einer Maske für die Lithographie
DE102020120884A1 (de) * 2020-08-07 2022-02-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Ätzen einer Lithographiemaske
DE102021206100A1 (de) 2021-06-15 2022-12-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren, vorrichtung und computerprogramm zur bearbeitung einer oberfläche eines objekts
DE102022202061A1 (de) * 2022-03-01 2023-09-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und vorrichtung zur maskenreparatur

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030000921A1 (en) * 2001-06-29 2003-01-02 Ted Liang Mask repair with electron beam-induced chemical etching
JP2003195481A (ja) * 2001-12-27 2003-07-09 Toshiba Corp フォトマスクの修正方法及び修正装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2003921A (en) * 1933-06-02 1935-06-04 Francois Cementation Co Ltd Process for waterproofing or filling cavities in the ground or in structures
US4239954A (en) * 1978-12-11 1980-12-16 United Technologies Corporation Backer for electron beam hole drilling
CH643941A5 (en) * 1979-11-16 1984-06-29 Elesta Ag Elektronik Bad Ragaz Method and device for producing optical scales, and scale produced according to the method
JPS604271B2 (ja) * 1981-08-03 1985-02-02 三菱電機株式会社 クロム系金属膜のドライエツチング方法
JPH04718A (ja) * 1990-04-18 1992-01-06 Toshiba Corp 表面処理装置
JP3238550B2 (ja) * 1992-11-02 2001-12-17 株式会社東芝 構造体の欠陥修正方法
JPH0711429A (ja) * 1993-06-23 1995-01-13 Toshiba Corp 金属蒸気発生方法および装置
US6353219B1 (en) * 1994-07-28 2002-03-05 Victor B. Kley Object inspection and/or modification system and method
US6042738A (en) * 1997-04-16 2000-03-28 Micrion Corporation Pattern film repair using a focused particle beam system
ATE246269T1 (de) * 1998-02-06 2003-08-15 Richardson Technologies Inc Verfahren zum abscheiden dreidimensionaler objekte
JP2004537758A (ja) * 2001-07-27 2004-12-16 エフ・イ−・アイ・カンパニー 電子ビーム処理

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030000921A1 (en) * 2001-06-29 2003-01-02 Ted Liang Mask repair with electron beam-induced chemical etching
JP2003195481A (ja) * 2001-12-27 2003-07-09 Toshiba Corp フォトマスクの修正方法及び修正装置

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Semiconductor Science and Technology, Vol.18, pp199-205 (2003.02.10) *
Semiconductor Science and Technology, Vol.18, pp199-205 (2003.02.10)*

Also Published As

Publication number Publication date
EP1664924A2 (en) 2006-06-07
ATE556355T1 (de) 2012-05-15
EP1664924B1 (en) 2012-05-02
CN1839349A (zh) 2006-09-27
KR20070033307A (ko) 2007-03-26
WO2005017949A3 (en) 2005-07-14
JP2007503009A (ja) 2007-02-15
DE10338019A1 (de) 2005-03-24
TW200518229A (en) 2005-06-01
CN1839349B (zh) 2013-07-31
EP1664924B8 (en) 2012-12-05
WO2005017949A2 (en) 2005-02-24
TWI257673B (en) 2006-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101285450B1 (ko) 전자빔을 이용한 박층의 고분해능 처리 방법
CN1479175B (zh) 在表面用聚焦电子束诱导化学反应蚀刻表面材料的方法
US5104684A (en) Ion beam induced deposition of metals
JPS60236219A (ja) プラズマ生成したソースガスを用いた蒸着方法
US5490896A (en) Photomask or a light shielding member having a light transmitting portion and a light shielding portion
US7452477B2 (en) Procedure for etching of materials at the surface with focussed electron beam induced chemical reaction at said surface
US7148148B2 (en) Mask forming and removing method, and semiconductor device, an electric circuit, a display module, a color filter and an emissive device manufactured by the same method
US7786403B2 (en) Method for high-resolution processing of thin layers using electron beams
US6746969B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device
US6730237B2 (en) Focused ion beam process for removal of copper
Gamo et al. Maskless ion beam assisted deposition of W and Ta films
US10818512B2 (en) Photo-assisted chemical vapor etch for selective removal of ruthenium
JPS6276521A (ja) 電子ビ−ムエツチング方法
JPH0574746A (ja) 微細加工方法及び微細加工装置
JPH05190517A (ja) 微細パターン形成方法
WO2021175589A1 (en) Method and apparatus for forming a patterned layer of material
RU2476373C1 (ru) Способ изготовления сверхпроводниковых однофотонных детекторов
JPH0517300A (ja) 化合物半導体基体のエツチング方法および製造方法
Foulon et al. Laser projection patterned processing of semiconductors
JPH06232041A (ja) パターン形成方法
KR100882055B1 (ko) 표면에 화학반응을 유도하는 초점전자빔에 의해 표면에재료를 에칭하기 위한 공정
JPH088254A (ja) 金属薄膜形成方法
JPH03236237A (ja) 配線形成方法およびその装置
JP2709188B2 (ja) 半導体デバイスの微細加工方法およびその装置
JPH0793284B2 (ja) 半導体素子の作製方法

Legal Events

Date Code Title Description
AMND Amendment
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E90F Notification of reason for final refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160623

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170623

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180621

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190627

Year of fee payment: 7