JPH0793284B2 - 半導体素子の作製方法 - Google Patents
半導体素子の作製方法Info
- Publication number
- JPH0793284B2 JPH0793284B2 JP1002142A JP214289A JPH0793284B2 JP H0793284 B2 JPH0793284 B2 JP H0793284B2 JP 1002142 A JP1002142 A JP 1002142A JP 214289 A JP214289 A JP 214289A JP H0793284 B2 JPH0793284 B2 JP H0793284B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- semiconductor
- pattern
- resist
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は半導体素子の作製方法に関し、特にエッチング
方法の改良に関する。
方法の改良に関する。
［従来の技術］ 現在、SiやGaAsを始めとする半導体素子はあらゆる分野
において広く応用されており、その多くは半導体素子作
製において何らかのパターン形成のための工程を経てい
る。そして、半導体素子の高機能化に伴い、形成される
パターンの大きさはより小さくなる傾向にある。パター
ン形成の主な方法としては、高分子材料からなるレジス
トをマスクとして用いるレジスト法と、レジストを用い
ないで直接半導体ウェハー表面に加工を施していく直接
加工法とがある。
において広く応用されており、その多くは半導体素子作
製において何らかのパターン形成のための工程を経てい
る。そして、半導体素子の高機能化に伴い、形成される
パターンの大きさはより小さくなる傾向にある。パター
ン形成の主な方法としては、高分子材料からなるレジス
トをマスクとして用いるレジスト法と、レジストを用い
ないで直接半導体ウェハー表面に加工を施していく直接
加工法とがある。
はじめにレジスト法の場合を考える。
第３図にレジスト法の代表的な工程の概略を示す。ま
ず、パターンを形成されるべき半導体ウェハー（GaAs基
板）301上にレジスト302を200nm厚でスピンコーティン
グする（第３図（ａ））。続いて、通常のマスクを用い
た紫外光によるレジスト露光および現像を実施する。こ
の工程により、半導体ウェハー上にエッチングされるべ
き部分のみに穴のあいたレジストパターン303が形成さ
れる（第３図（ｂ））。本例におけるパターンの最小線
幅は1.2μｍである。次に、このレジスト付きの半導体
ウェハーを平行平板型のプラズマエッチング装置にセッ
トし、CCl4ガスを導入する。ガスの圧力は約3Paとし、
この状態でプラズマを発生させGaAs基板のエッチングを
行う。エッチング深さは0.5μｍである。この半導体ウ
ェハーを取り出してレジストを剥離することにより、所
望のパターン部分304をエッチングされたGaAs基板が得
られる（第３図（ｃ））。
ず、パターンを形成されるべき半導体ウェハー（GaAs基
板）301上にレジスト302を200nm厚でスピンコーティン
グする（第３図（ａ））。続いて、通常のマスクを用い
た紫外光によるレジスト露光および現像を実施する。こ
の工程により、半導体ウェハー上にエッチングされるべ
き部分のみに穴のあいたレジストパターン303が形成さ
れる（第３図（ｂ））。本例におけるパターンの最小線
幅は1.2μｍである。次に、このレジスト付きの半導体
ウェハーを平行平板型のプラズマエッチング装置にセッ
トし、CCl4ガスを導入する。ガスの圧力は約3Paとし、
この状態でプラズマを発生させGaAs基板のエッチングを
行う。エッチング深さは0.5μｍである。この半導体ウ
ェハーを取り出してレジストを剥離することにより、所
望のパターン部分304をエッチングされたGaAs基板が得
られる（第３図（ｃ））。
このようなパターンの形成方法はGaAsに限らずSi素子に
おいても広く応用されている。しかしレジスト法を用い
た場合、スピンコーティングしたレジストの基板面内に
おける厚さのばらつきが原因で半導体ウェハー全体にお
いて同一の大きさのパターンを形成することが困難であ
るという問題点がある。今後、種々の半導体素子におい
て線幅１μｍ以下のパターンを必要とされる場合、この
問題は半導体素子の歩留りの低下につながる。また、よ
り小さなパターン（100nm以下）を指向した場合、レジ
スト法ではレジストを構成している分子が比較的大き
く、その大きさ程度以下の狭小なパターンを形成するこ
とはできないという本質的な問題点も残されている。
おいても広く応用されている。しかしレジスト法を用い
た場合、スピンコーティングしたレジストの基板面内に
おける厚さのばらつきが原因で半導体ウェハー全体にお
いて同一の大きさのパターンを形成することが困難であ
るという問題点がある。今後、種々の半導体素子におい
て線幅１μｍ以下のパターンを必要とされる場合、この
問題は半導体素子の歩留りの低下につながる。また、よ
り小さなパターン（100nm以下）を指向した場合、レジ
スト法ではレジストを構成している分子が比較的大き
く、その大きさ程度以下の狭小なパターンを形成するこ
とはできないという本質的な問題点も残されている。
一方、上記例のように半導体素子作製のエッチング工程
に際してプラズマエッチングを採用する場合が多い。こ
れは、プラズマエッチングではマスク下部のサイドエッ
チングがほとんどないために、パターンの線幅がレジス
トの線幅と同じになるという利点があるからである。し
かし、プラズマエッチングは被エッチング物の表面近傍
に損傷を導入することが知られている。これはプラズマ
中に存在するイオンが原因で生ずるものである。ところ
が、上述のサイドエッチングが小さい現象もこのイオン
の存在によるものであり、被エッチング物の損傷を無く
すこととサイドエッチングを小さくすることとを両立さ
せるのは非常に困難である。このように、レジスト法は
種々の問題点を有しており、今後の精細パターン形成方
法として必ずしも最適であるとはいえない。
に際してプラズマエッチングを採用する場合が多い。こ
れは、プラズマエッチングではマスク下部のサイドエッ
チングがほとんどないために、パターンの線幅がレジス
トの線幅と同じになるという利点があるからである。し
かし、プラズマエッチングは被エッチング物の表面近傍
に損傷を導入することが知られている。これはプラズマ
中に存在するイオンが原因で生ずるものである。ところ
が、上述のサイドエッチングが小さい現象もこのイオン
の存在によるものであり、被エッチング物の損傷を無く
すこととサイドエッチングを小さくすることとを両立さ
せるのは非常に困難である。このように、レジスト法は
種々の問題点を有しており、今後の精細パターン形成方
法として必ずしも最適であるとはいえない。
次に、直接加工法の場合を考える。
直接加工法では、所望のパターンを半導体ウェハー表面
に形成するために、荷電粒子ビームを用いる。荷電粒子
ビームは電界や磁界により約100nm程度まで集束させる
ことが可能であり、これからの微細パターンの形成には
欠くことができない。一般に、荷電粒子ビームと反応性
ガスとの組合せにより、両者で照射された部分がエッチ
ングされるように構成されているものが多い。荷電粒子
ビームとしては、種々のイオンビームと電子ビームとが
盛んに実験されているが、イオンを用いたものではプラ
ズマエッチングの場合と同様に被エッチング物に損傷を
導入するという大きな欠点がある。しかし、現在のとこ
ろ電子ビームを用いた直接加工法により実用上十分なエ
ッチング速度を得ることはできていない。
に形成するために、荷電粒子ビームを用いる。荷電粒子
ビームは電界や磁界により約100nm程度まで集束させる
ことが可能であり、これからの微細パターンの形成には
欠くことができない。一般に、荷電粒子ビームと反応性
ガスとの組合せにより、両者で照射された部分がエッチ
ングされるように構成されているものが多い。荷電粒子
ビームとしては、種々のイオンビームと電子ビームとが
盛んに実験されているが、イオンを用いたものではプラ
ズマエッチングの場合と同様に被エッチング物に損傷を
導入するという大きな欠点がある。しかし、現在のとこ
ろ電子ビームを用いた直接加工法により実用上十分なエ
ッチング速度を得ることはできていない。
［発明が解決しようとする課題］ 上述のように、従来のエッチング技術は種々の問題を有
している。ここで、それらの問題点をまとめる。まず、
レジスト法では以下のような問題点がある。
している。ここで、それらの問題点をまとめる。まず、
レジスト法では以下のような問題点がある。
（１）レジストを塗布する工程が必要であり、これは半
導体ウェハー表面の汚染につながる場合もある。
導体ウェハー表面の汚染につながる場合もある。
（２）レジストを除去する工程が必要である。
（３）半導体ウェハー面内におけるレジスト厚のばらつ
きのため、線幅１μｍ以下のパターンを形成するときに
歩留りが低下する。
きのため、線幅１μｍ以下のパターンを形成するときに
歩留りが低下する。
（４）レジストは比較的大きな分子により構成されてい
るために、原理的にその大きさ以下のパターンの形成は
不可能である。
るために、原理的にその大きさ以下のパターンの形成は
不可能である。
（５）レジストの使用温度範囲が決まっており、高温で
のエッチングが必要なときは、金属や誘電体膜などのよ
うに耐熱性の物質にパターンを転写した後にエッチング
を実施するような工程を必要とする。
のエッチングが必要なときは、金属や誘電体膜などのよ
うに耐熱性の物質にパターンを転写した後にエッチング
を実施するような工程を必要とする。
また、従来の直接加工法によるエッチングも問題点を有
しており、それらは以下のようにまとめられる。
しており、それらは以下のようにまとめられる。
（１）イオンを使った工程では、半導体ウェハーにイオ
ンの照射欠陥を誘起し、半導体素子の特性劣化をまね
く。
ンの照射欠陥を誘起し、半導体素子の特性劣化をまね
く。
（２）電子を用いた工程では、電子の有する運動エネル
ギーが小さいために、実用化に十分なエッチング速度を
得ることができない。
ギーが小さいために、実用化に十分なエッチング速度を
得ることができない。
本発明は上記問題点を解決し、レジストをマスクとして
用いることなく、かつ半導体ウェハーに損傷を誘起しな
いで十分に速いエッチング速度を得ることができる半導
体素子作製方法を提供することを課題としている。
用いることなく、かつ半導体ウェハーに損傷を誘起しな
いで十分に速いエッチング速度を得ることができる半導
体素子作製方法を提供することを課題としている。
［課題を解決するための手段］ 本発明による半導体素子の作製方法は、半導体ウェハー
表面に反応性ガスと半導体材料との反応を抑制する表面
吸着層を形成する工程と、該表面吸着層付き半導体ウェ
ハーに荷電粒子を照射して該表面吸着層の少なくとも一
部を除去する工程と、該荷電粒子が照射された半導体ウ
ェハー表面に反応性ガスを接触せしめて上記表面吸着層
を除去された領域を処理する工程とを含む。
表面に反応性ガスと半導体材料との反応を抑制する表面
吸着層を形成する工程と、該表面吸着層付き半導体ウェ
ハーに荷電粒子を照射して該表面吸着層の少なくとも一
部を除去する工程と、該荷電粒子が照射された半導体ウ
ェハー表面に反応性ガスを接触せしめて上記表面吸着層
を除去された領域を処理する工程とを含む。
なお、上記表面吸着層は、酸素または炭素を含む吸着物
から構成されている。また、上記荷電粒子をビーム状に
したり、荷電粒子ビームを半導体ウェハー表面にエッチ
ングされるべきパターンを描くように照射したり、更に
は周期的に照射することも含む。
から構成されている。また、上記荷電粒子をビーム状に
したり、荷電粒子ビームを半導体ウェハー表面にエッチ
ングされるべきパターンを描くように照射したり、更に
は周期的に照射することも含む。
［実施例］ 以下に、本発明を半導体素子作製用のエッチング工程に
適用した例を挙げて説明する。
適用した例を挙げて説明する。
第１図にエッチング方法の概略図、第２図に使用したエ
ッチング装置を示す。
ッチング装置を示す。
まず、あるパターンをエッチングされるべき半導体基板
101（ここではIII−Ｖ族化合物半導体であるGaAs基板）
をクリーン大気中より導入チャンバー10に入れ、3x10-4
Paまでロータリーポンプとターボ分子ポンプ（いずれも
図示せず）を用いて排気する。次に、移送手段30により
半導体基板101を導入チャンバー10からエッチングチャ
ンバー20に搬送する。この時のエッチングチャンバー20
の真空度は1x10-6Pa以下になっていることが望ましい。
続いて、半導体基板101の温度を、基板ホルダー40下部
に取り付けられたヒーター70により約130℃にし、電子
ビーム照射部60により電子ビーム110を半導体基板101に
照射する。電子ビーム110は、そのビーム径が200nmに調
整されており、エッチングされるべきパターンを描くよ
うに、半導体基板101上を走査させる（第１図
（ｂ））。なお、半導体基板全面に照射するのに約20秒
要した。
101（ここではIII−Ｖ族化合物半導体であるGaAs基板）
をクリーン大気中より導入チャンバー10に入れ、3x10-4
Paまでロータリーポンプとターボ分子ポンプ（いずれも
図示せず）を用いて排気する。次に、移送手段30により
半導体基板101を導入チャンバー10からエッチングチャ
ンバー20に搬送する。この時のエッチングチャンバー20
の真空度は1x10-6Pa以下になっていることが望ましい。
続いて、半導体基板101の温度を、基板ホルダー40下部
に取り付けられたヒーター70により約130℃にし、電子
ビーム照射部60により電子ビーム110を半導体基板101に
照射する。電子ビーム110は、そのビーム径が200nmに調
整されており、エッチングされるべきパターンを描くよ
うに、半導体基板101上を走査させる（第１図
（ｂ））。なお、半導体基板全面に照射するのに約20秒
要した。
さて、この時点における半導体基板101表面の状態を考
える。一般に、大気中より導入された半導体基板101表
面には酸素や炭素の原子あるいは分子による吸着物102
が多数吸着している。このことはオージェ電子分光等の
方法により検知することができる。しかし、このように
表面に多数の吸着物を有する半導体基板に対して、エッ
チングチャンバーのような高真空中で電子ビームを照射
した場合、半導体基板表面の半導体分子が励起され吸着
物とのボンド103が切れやすくなる。そのため、電子ビ
ーム110を照射された第１図（ｂ）に示す領域150では半
導体基板表面が比較的きれいな状態で真空と接している
ことになる。
える。一般に、大気中より導入された半導体基板101表
面には酸素や炭素の原子あるいは分子による吸着物102
が多数吸着している。このことはオージェ電子分光等の
方法により検知することができる。しかし、このように
表面に多数の吸着物を有する半導体基板に対して、エッ
チングチャンバーのような高真空中で電子ビームを照射
した場合、半導体基板表面の半導体分子が励起され吸着
物とのボンド103が切れやすくなる。そのため、電子ビ
ーム110を照射された第１図（ｂ）に示す領域150では半
導体基板表面が比較的きれいな状態で真空と接している
ことになる。
次に、塩素ガス120を半導体基板101に照射する。塩素ガ
ス120は半導体基板101近傍に設置された塩素ガス導入ノ
ズル50より照射され、半導体基板全面においてほぼ均一
な照射濃度が得られるように調整されている。（塩素ガ
スは熱平衡状態でGaAs基板をエッチングすることが可能
であり、基板温度130℃でのエッチング速度は１分間に
約30nmである。）この状態で電子ビームを照射された領
域150の半導体基板表面では表面吸着物がほとんど無い
ため塩素ガスとGaAsの通常の反応が進行し、エッチング
が起こる。しかし、電子ビームを照射されなかった領域
151の半導体基板表面には依然として吸着物102が多数存
在する。（この酸素や炭素の吸着は基板温度を300℃ま
で上昇させても安定に存在することを確かめた。）その
ため塩素ガスとGaAs表面の接触が阻まれ、エッチング反
応は進行しない。すなわち、表面吸着物102が原子層程
度の厚さを持つマスクとして働いているわけである。従
って、エッチングは電子ビーム110を照射された領域15
0、言い替えればエッチングされるべきパターン内にお
いてのみ進行することになる。10分間塩素ガスを照射す
ることにより300nmの深さを有するパターンを形成する
ことができた。
ス120は半導体基板101近傍に設置された塩素ガス導入ノ
ズル50より照射され、半導体基板全面においてほぼ均一
な照射濃度が得られるように調整されている。（塩素ガ
スは熱平衡状態でGaAs基板をエッチングすることが可能
であり、基板温度130℃でのエッチング速度は１分間に
約30nmである。）この状態で電子ビームを照射された領
域150の半導体基板表面では表面吸着物がほとんど無い
ため塩素ガスとGaAsの通常の反応が進行し、エッチング
が起こる。しかし、電子ビームを照射されなかった領域
151の半導体基板表面には依然として吸着物102が多数存
在する。（この酸素や炭素の吸着は基板温度を300℃ま
で上昇させても安定に存在することを確かめた。）その
ため塩素ガスとGaAs表面の接触が阻まれ、エッチング反
応は進行しない。すなわち、表面吸着物102が原子層程
度の厚さを持つマスクとして働いているわけである。従
って、エッチングは電子ビーム110を照射された領域15
0、言い替えればエッチングされるべきパターン内にお
いてのみ進行することになる。10分間塩素ガスを照射す
ることにより300nmの深さを有するパターンを形成する
ことができた。
本方法でのエッチングは、ガスによる熱平衡に近い反応
を応用しているので、半導体基板に対する損傷は無く、
かつ十分なエッチング速度を得ることができている。ま
た、従来技術の問題点であった面内でのパターンのばら
つきもなく、200nm以下のパターンをエッチングするこ
とが可能になっている。
を応用しているので、半導体基板に対する損傷は無く、
かつ十分なエッチング速度を得ることができている。ま
た、従来技術の問題点であった面内でのパターンのばら
つきもなく、200nm以下のパターンをエッチングするこ
とが可能になっている。
上記実施例では10分間のエッチングの場合を説明した
が、より長いエッチングを実行する場合には、電子ビー
ム照射を周期的に行いエッチング反応を妨げる吸着物を
取り除いた。また、イオンを用いても表面吸着物を除去
することは可能である。この場合、イオンが照射された
部分においてガスエッチングが進行するので、損傷が導
入された部分はエッチングにより除去される。すなわ
ち、イオンを用いてパターンを描いてもエッチング後に
損傷は残らない。
が、より長いエッチングを実行する場合には、電子ビー
ム照射を周期的に行いエッチング反応を妨げる吸着物を
取り除いた。また、イオンを用いても表面吸着物を除去
することは可能である。この場合、イオンが照射された
部分においてガスエッチングが進行するので、損傷が導
入された部分はエッチングにより除去される。すなわ
ち、イオンを用いてパターンを描いてもエッチング後に
損傷は残らない。
このように、本発明を適用することにより非常に精細な
パターンを歩留まりよく形成することができ、かつレジ
ストを用いた場合のレジストコーティング、露光、現
像、レジスト除去という煩雑な工程を実施する必要がな
くなる。また、本発明は上記実施例に限らず以下のよう
な場合にも適用可能である。
パターンを歩留まりよく形成することができ、かつレジ
ストを用いた場合のレジストコーティング、露光、現
像、レジスト除去という煩雑な工程を実施する必要がな
くなる。また、本発明は上記実施例に限らず以下のよう
な場合にも適用可能である。
１）半導体基板表面のクリーニングを目的として、荷電
粒子がビーム状ではなく基板全面に照射される場合。
（但し、この場合はパターンを形成するためには別にレ
ジスト等のマスクを必要とする。） ２）エッチング用のガスが塩素以外の場合。（熱的に基
板をエッチング可能なものならすべて適用可能であ
る。） ３）エッチング用ガスの温度や基板の温度が実施例と異
なる場合。（エッチング用ガスを1000℃程度のホットビ
ームにした場合など。） ４）エッチング用ガスが熱的な基底状態ではない場合。
（プラズマより引き出されるラジカル分子または原子で
ある場合など。） ５）荷電粒子がエッチング用ガスと同時に照射される時
が存在する場合。（両者が常に照射されている場合な
ど。） ６）半導体基板表面への吸着物が酸素や炭素と異なる場
合。（例えば硫黄が過飽和の硫化アンモニウム溶液によ
り表面に硫黄を吸着させた場合など。） ７）半導体基板がGaAsでない場合。（Si,InPやそれらの
上に成長された半導体層等。） ８）エッチング深さの異なったパターンを作製するため
に荷電粒子ビームの描くパターンをエッチングの途中で
変えた場合。
粒子がビーム状ではなく基板全面に照射される場合。
（但し、この場合はパターンを形成するためには別にレ
ジスト等のマスクを必要とする。） ２）エッチング用のガスが塩素以外の場合。（熱的に基
板をエッチング可能なものならすべて適用可能であ
る。） ３）エッチング用ガスの温度や基板の温度が実施例と異
なる場合。（エッチング用ガスを1000℃程度のホットビ
ームにした場合など。） ４）エッチング用ガスが熱的な基底状態ではない場合。
（プラズマより引き出されるラジカル分子または原子で
ある場合など。） ５）荷電粒子がエッチング用ガスと同時に照射される時
が存在する場合。（両者が常に照射されている場合な
ど。） ６）半導体基板表面への吸着物が酸素や炭素と異なる場
合。（例えば硫黄が過飽和の硫化アンモニウム溶液によ
り表面に硫黄を吸着させた場合など。） ７）半導体基板がGaAsでない場合。（Si,InPやそれらの
上に成長された半導体層等。） ８）エッチング深さの異なったパターンを作製するため
に荷電粒子ビームの描くパターンをエッチングの途中で
変えた場合。
９）作製装置が実施例と異なる場合。（エッチング用ガ
スの導入部がガスセルのように加熱機構を有していた
り、半導体基板との距離が離れている場合。） ［発明の効果］ 本発明を適用することにより、半導体基板上にレジスト
を用いることなく所望のパターンをエッチングすること
ができるようになり、エッチングにより導入される基板
結晶の損傷も無くすことができた。
スの導入部がガスセルのように加熱機構を有していた
り、半導体基板との距離が離れている場合。） ［発明の効果］ 本発明を適用することにより、半導体基板上にレジスト
を用いることなく所望のパターンをエッチングすること
ができるようになり、エッチングにより導入される基板
結晶の損傷も無くすことができた。
第１図は本発明を実施してGaAs基板をエッチングする場
合の工程を概略的に示した図、 第２図は本発明を実施する半導体作製装置のうちエッチ
ング装置の断面構造図、 第３図は従来技術によるパターンエッチングの一例の工
程を概略的に示した図。 図中、10は導入チャンバー、20はエッチングチャンバ
ー、40は基板ホルダー、50は塩素ガス導入ノズル、60は
電子ビーム照射部、101は半導体基板、102は吸着物、11
0は電子ビーム、120は塩素ガス。
合の工程を概略的に示した図、 第２図は本発明を実施する半導体作製装置のうちエッチ
ング装置の断面構造図、 第３図は従来技術によるパターンエッチングの一例の工
程を概略的に示した図。 図中、10は導入チャンバー、20はエッチングチャンバ
ー、40は基板ホルダー、50は塩素ガス導入ノズル、60は
電子ビーム照射部、101は半導体基板、102は吸着物、11
0は電子ビーム、120は塩素ガス。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 秋田 健三 神奈川県横浜市緑区あざみ野４―１ あざ み野団地５―209 (56)参考文献 特開 昭62−76521（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−292827（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−177430（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−4231（ＪＰ，Ａ)
Claims (5)
- 【請求項１】半導体ウェハー表面に反応性ガスと半導体
材料との反応を抑制する表面吸着層を形成する工程と、 該表面吸着層付き半導体ウェハーに荷電粒子を照射して
該表面吸着層の少なくとも一部を除去する工程と、 該荷電粒子が照射された半導体ウェハー表面に反応性ガ
スを接触せしめて上記表面吸着層を除去された領域を処
理する工程とを含むことを特徴とする半導体素子の作製
方法。 - 【請求項２】請求項（１）記載の半導体素子の作製方法
において、上記表面吸着層は、酸素または炭素を含む吸
着物から構成されていることを特徴とする半導体素子の
作製方法。 - 【請求項３】請求項（１）記載の半導体素子の作製方法
において、上記荷電粒子が半導体ウェハー表面の面積よ
り小さいビーム状に成形されていることを特徴とする半
導体素子の作製方法。 - 【請求項４】請求項（３）記載の半導体素子の作製方法
において、上記荷電粒子ビームが半導体ウェハー表面に
エッチングされるべきパターンを描くように照射される
ことを特徴とする半導体素子の作製方法。 - 【請求項５】請求項（１）〜（４）のいずれかに記載の
半導体素子の作製方法において、上記荷電粒子が周期的
に照射されることを特徴とする半導体素子の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1002142A JPH0793284B2 (ja) | 1989-01-10 | 1989-01-10 | 半導体素子の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1002142A JPH0793284B2 (ja) | 1989-01-10 | 1989-01-10 | 半導体素子の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02183530A JPH02183530A (ja) | 1990-07-18 |
| JPH0793284B2 true JPH0793284B2 (ja) | 1995-10-09 |
Family
ID=11521094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1002142A Expired - Lifetime JPH0793284B2 (ja) | 1989-01-10 | 1989-01-10 | 半導体素子の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0793284B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1363164B1 (en) | 2002-05-16 | 2015-04-29 | NaWoTec GmbH | Procedure for etching of materials at the surface with focussed electron beam induced chemical reactions at said surface |
| DE10302794A1 (de) | 2003-01-24 | 2004-07-29 | Nawotec Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Korpuskularstrahlsystemen |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS614231A (ja) * | 1984-06-19 | 1986-01-10 | Seiko Epson Corp | 図形状エツチング装置 |
| JPS6276521A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-08 | Nec Corp | 電子ビ−ムエツチング方法 |
| JPH01292827A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-27 | Nec Corp | 集束荷電ビームエッチング装置 |
-
1989
- 1989-01-10 JP JP1002142A patent/JPH0793284B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02183530A (ja) | 1990-07-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0367568B1 (en) | Use of plasma in ashing processes | |
| US5490896A (en) | Photomask or a light shielding member having a light transmitting portion and a light shielding portion | |
| JPH0622212B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| US4642171A (en) | Phototreating apparatus | |
| US5112645A (en) | Phototreating method and apparatus therefor | |
| JPH04159718A (ja) | ハロゲン化物質使用の銅エッチング工程 | |
| JPH0793284B2 (ja) | 半導体素子の作製方法 | |
| JPS63224233A (ja) | 表面処理方法 | |
| JPH05190517A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| JP3408311B2 (ja) | デジタルエッチング方法及び装置 | |
| JP2912214B2 (ja) | 半導体基板の表面処理方法，表面処理装置，並びに半導体装置の製造方法 | |
| JPS6191930A (ja) | 半導体基板の清浄方法 | |
| JP3198302B2 (ja) | 微細構造パターンの形成方法 | |
| JPH05275376A (ja) | ドライエッチング装置およびドライエッチング方法 | |
| JP3009209B2 (ja) | 表面保護方法 | |
| JPS6015931A (ja) | 反応性イオンエツチング方法 | |
| JPH0517300A (ja) | 化合物半導体基体のエツチング方法および製造方法 | |
| JP2737613B2 (ja) | 微細パターンの形成方法 | |
| JP2985321B2 (ja) | マスクパタ−ン形成方法 | |
| JPH0517291A (ja) | ダイヤモンド薄膜堆積用基板の処理方法 | |
| JP2826972B2 (ja) | 化合物半導体の極微細パターン形成方法 | |
| JPH03255628A (ja) | 表面清浄化装置及び方法 | |
| JPH0311721A (ja) | 化合物半導体のパターン形成方法 | |
| JP3033186B2 (ja) | 光エッチング装置及び光エッチング方法 | |
| JPH04360526A (ja) | 微細パターン形成方法 |