JPS614231A - 図形状エツチング装置 - Google Patents
図形状エツチング装置Info
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- JPS614231A JPS614231A JP12585084A JP12585084A JPS614231A JP S614231 A JPS614231 A JP S614231A JP 12585084 A JP12585084 A JP 12585084A JP 12585084 A JP12585084 A JP 12585084A JP S614231 A JPS614231 A JP S614231A
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- Japan
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- etching apparatus
- nozzle
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Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims description 9
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 5
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910001638 barium iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔従来技術〕
従来、図形状エツチングｆｉ−面接行なう装置は無く、
一旦試料上にホト・リソグラフィー技術とエツチング技
術により図形状にエツチングする方法がとられていた。
一旦試料上にホト・リソグラフィー技術とエツチング技
術により図形状にエツチングする方法がとられていた。
水金明社かかる従来技術の間接的な方法を廃し試料上か
ら直接図形状エツチングする装置を提供する牢を目的と
する。
ら直接図形状エツチングする装置を提供する牢を目的と
する。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、図
形状エツチング装置に於て、試料上にイオン線あるいは
電子線を照射す、ると共に、前記試料上に塩素、弗素あ
るいはフレオン等の反応性ガスを導入するノズルを具備
することを特徴とする。
形状エツチング装置に於て、試料上にイオン線あるいは
電子線を照射す、ると共に、前記試料上に塩素、弗素あ
るいはフレオン等の反応性ガスを導入するノズルを具備
することを特徴とする。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は本発明の一実施例を示す図形状エツチング装置
の模式図である。
の模式図である。
すなわち、ＳＺウェーハ等の試料１の表面にはＡ？−あ
るいはＧα等のイオン・ビーム２が照射されｂと共に１
ノズル８からフレオン・ガスが導入されると、試料１０
表面は溝４がイオン自ビーム２を図形状に走査させるこ
とにより、図形状溝が形成される０本操作は真空内で行
なわれ、ノズル８は外部から導入される。
るいはＧα等のイオン・ビーム２が照射されｂと共に１
ノズル８からフレオン・ガスが導入されると、試料１０
表面は溝４がイオン自ビーム２を図形状に走査させるこ
とにより、図形状溝が形成される０本操作は真空内で行
なわれ、ノズル８は外部から導入される。
尚イオン舎ビーム２は電子ビームであっても良い。
更に、導入ガスは試料材質によりて異な゛す、Ａｌの場
合はＢａＩ２ 、ｓ’ｚの場合はＣＦ、、５ｚＯ２め場
合はＣＨＦ、等が具体例として上げられる。
合はＢａＩ２ 、ｓ’ｚの場合はＣＦ、、５ｚＯ２め場
合はＣＨＦ、等が具体例として上げられる。
尚ノズルのガス体の断熱膨張による冷却を避けるために
ノズルを加熱することもできる。
ノズルを加熱することもできる。
本発明の如く図形状溝が試料上に直接形成出来ることに
より、従来のホト−リソグラフィー処理が下架となり、
工数が少なく、且つ高精度で図形状溝が形成できる効果
がある。
より、従来のホト−リソグラフィー処理が下架となり、
工数が少なく、且つ高精度で図形状溝が形成できる効果
がある。
し１面の簡単な説明
第１図は本発明の一実施例を示す図形状溝形成装置の模
式図である。
式図である。
Claims (3)
- （１）試料上に量子線を照射すると共に、前記試料上に
塩素、弗素あるいはフレオン等の反応性ガスを導入する
ノズルを具備することを特徴とする図形状エッチング装
置。 - （２）量子線をイオン線となす事を特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の図形状エッチング装置。 - （３）量子線を電子線となす事を特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の図形状エッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12585084A JPS614231A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 図形状エツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12585084A JPS614231A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 図形状エツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS614231A true JPS614231A (ja) | 1986-01-10 |
Family
ID=14920485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12585084A Pending JPS614231A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 図形状エツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS614231A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62265725A (ja) * | 1986-05-14 | 1987-11-18 | Agency Of Ind Science & Technol | 集束イオンビ−ムを用いた半導体基板の加工装置 |
| JPH02183530A (ja) * | 1989-01-10 | 1990-07-18 | Hikari Gijutsu Kenkyu Kaihatsu Kk | 半導体素子の作製方法 |
-
1984
- 1984-06-19 JP JP12585084A patent/JPS614231A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62265725A (ja) * | 1986-05-14 | 1987-11-18 | Agency Of Ind Science & Technol | 集束イオンビ−ムを用いた半導体基板の加工装置 |
| JPH02183530A (ja) * | 1989-01-10 | 1990-07-18 | Hikari Gijutsu Kenkyu Kaihatsu Kk | 半導体素子の作製方法 |
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