JPS614224A - 図形状膜形成装置 - Google Patents

図形状膜形成装置

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JPS614224A
JPS614224A JP12584884A JP12584884A JPS614224A JP S614224 A JPS614224 A JP S614224A JP 12584884 A JP12584884 A JP 12584884A JP 12584884 A JP12584884 A JP 12584884A JP S614224 A JPS614224 A JP S614224A
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JP
Japan
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sample
forming apparatus
film forming
nozzle
patterned film
Prior art date
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Pending
Application number
JP12584884A
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English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPS614224A publication Critical patent/JPS614224A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/486—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using ion beam radiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/24—Deposition of silicon only

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔従来技術〕 従来、図形状膜を試料上に直接形成する装置は無く、一
旦、試料上に膜形成後、該膜をホト−リゾグラフィー技
術とエツチング技術により図形状に形成する方法がとら
れていた。
〔目的〕
本発明にかかる従来技術の間接的な方法を廃し試料上に
直接図形状膜を形成する装置を提供する事を目的とする
。
〔概要〕
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、図
形状膜形成装置に於て、試料上に、イオン線または電子
線を照射すると共に１前記試料上に金属化合物ガスある
いは酸素、窒素あるいは炭素化合物等のガスを導入する
ノズルを具備することを特徴とする。
〔実施例〕
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は本発明の一実施例を示す図形状膜形式装置の模
式図である。
すなわち、ＳＺウェー八への試料ｌの表面にはＡ？−あ
るいはＧ（ｚ等のイオン・ビーム２が照射されると共に
、ノズル８からｓ　６　Ｈ，等のガスが導入されると、
試料ｌの表面忙はＳ＜膜４がイオン・ビーム２を図形状
に走査させることにより図形状膜が形成される。本操作
は真空内で行なわれ、ノズル８は外部から導入される。
尚イオン−ビーム２は電子ビームであっても良い。
更に、導入ガスを５ＯＵ４と０１とすると８（口２等の
絶縁膜を図形状に形成出来、その他の図形状膜の例とし
て、Ａｔ、ｗ、ｎｏ、Ａｓ、ｃ等あらゆる金属膜あるい
は絶縁膜等を図形状に形成することができる。
尚、ノズルのガス体の断熱膨張圧よる冷却を避けるため
にノズルを加熱することもできる。
〔効果〕
本発明の如く図形状膜が試料上に直接形成出来ることＫ
より、従来のホト・リゾグラフィー処理やエツチング処
理の工程が不要となり、工数が少なく、且つ高精度で図
形状膜が形成できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す図形状膜形成装置の模
式図である。 １・・・試料 ２Φ・・イオンあるいは電子ビーム ８・・Φノズル ４・・・図形状膜 以　　　上

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）試料上に量子線を照射すると共に、前記試料上に
    金属化合物ガスあるいは酸素、窒素あるいは炭素化合物
    等のガスを導入するノズルを具備する事を特徴とする図
    形状膜形成装置。
  2. （２）量子線をイオン線となす事を特徴とする特許請求
    の範囲第１項記載の図形状膜形成装置。
  3. （３）量子線を電子線となす事を特徴とする特許請求の
    範囲第１項記載の図形状膜形成装置。
JP12584884A 1984-06-19 1984-06-19 図形状膜形成装置 Pending JPS614224A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH033351A (ja) * 1989-05-31 1991-01-09 Sony Corp 配線形成方法
JPH06283534A (ja) * 1993-03-26 1994-10-07 Hitachi Ltd Ｉｃ素子における配線接続装置
JPH06283535A (ja) * 1993-03-26 1994-10-07 Hitachi Ltd Ｉｃ素子に対する絶縁膜形成方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH033351A (ja) * 1989-05-31 1991-01-09 Sony Corp 配線形成方法
JPH06283534A (ja) * 1993-03-26 1994-10-07 Hitachi Ltd Ｉｃ素子における配線接続装置
JPH06283535A (ja) * 1993-03-26 1994-10-07 Hitachi Ltd Ｉｃ素子に対する絶縁膜形成方法

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