JPH02181923A - ＧａＡｓ系基板のエッチング方法 - Google Patents
ＧａＡｓ系基板のエッチング方法Info
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- JPH02181923A JPH02181923A JP124189A JP124189A JPH02181923A JP H02181923 A JPH02181923 A JP H02181923A JP 124189 A JP124189 A JP 124189A JP 124189 A JP124189 A JP 124189A JP H02181923 A JPH02181923 A JP H02181923A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、Ｑａ、Ａ、ｓ系基板のエツチング方法に関し
、ざらに詳しくは、エツチングマスクを施したＧａＡｓ
系基板に、垂直な側壁を有する溝を形成するエツチング
方法に関する。
、ざらに詳しくは、エツチングマスクを施したＧａＡｓ
系基板に、垂直な側壁を有する溝を形成するエツチング
方法に関する。
［従来の技術］
化合物半導体のドライエツチング技術は、レーザの端面
ミラーや電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の電極用コン
タクトホール等のパターン形成に欠くことのできない技
術である。代表的なドライエツチング方法としては、例
えば反応性イオンエツチング（ＲＩＥ）、反応性イオン
ビームエツチング（ＲＩＢＥ）がおる。これは、Ａｒの
ような不活性ガスやＣ１２のような反応性ガスをプラズ
マ等でイオン化し、基板に衝突させ、エツチングする方
法である。
ミラーや電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の電極用コン
タクトホール等のパターン形成に欠くことのできない技
術である。代表的なドライエツチング方法としては、例
えば反応性イオンエツチング（ＲＩＥ）、反応性イオン
ビームエツチング（ＲＩＢＥ）がおる。これは、Ａｒの
ような不活性ガスやＣ１２のような反応性ガスをプラズ
マ等でイオン化し、基板に衝突させ、エツチングする方
法である。
ＲＩＥ−！’ＲＩＢＥでは、粒子の持つエネルギーが大
きいため、異方的に基板をエツチングするので、垂直な
側壁を持つ溝の作製が可能である。
きいため、異方的に基板をエツチングするので、垂直な
側壁を持つ溝の作製が可能である。
しかし、このようにイオンを用いるエツチング方法には
以下に示す２つの問題点がある。
以下に示す２つの問題点がある。
その第１は、荷電粒子の衝突によるダメージが基板に生
じることでおる。第２の問題点は、イオンによりスパッ
タされた周囲からの重金属の不純物が、エツチング面に
付着することである。
じることでおる。第２の問題点は、イオンによりスパッ
タされた周囲からの重金属の不純物が、エツチング面に
付着することである。
この方法に対し、気相成長法（ＶＰＥ法）で行われる方
法、即も装置内に塩酸等の反応性ガスを流し、基板を加
熱することによって基板表面に化学反応を起こし、エツ
チングする方法は、ダメージや不純物付着のない優れた
方法である（ Ｓ、 Ｄｏｒｓｈｃｈａｎｄ、 Ｌ、
Ｄａｗｅｒｉｔｚ ａｎｄ １１． Ｂｅｒｇｅｒ。
法、即も装置内に塩酸等の反応性ガスを流し、基板を加
熱することによって基板表面に化学反応を起こし、エツ
チングする方法は、ダメージや不純物付着のない優れた
方法である（ Ｓ、 Ｄｏｒｓｈｃｈａｎｄ、 Ｌ、
Ｄａｗｅｒｉｔｚ ａｎｄ １１． Ｂｅｒｇｅｒ。
Ｃｒｙｓｔａｌ Ｒｅ５ｅａｒｃｈ ＆ Ｔｅｃｈｎｏ
ｌｏｇｙ、 ｔ８． ｐ、１３５９（１９８３） ）。
ｌｏｇｙ、 ｔ８． ｐ、１３５９（１９８３） ）。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、表面反応を利用したエツチング（以下、
化学的ドライエツチングと称する）は、基板表面にダメ
ージを与えないという利点を有しているものの、エツチ
ングマスクを施した基板で溝を形成する場合には次のよ
うな問題点がある。
化学的ドライエツチングと称する）は、基板表面にダメ
ージを与えないという利点を有しているものの、エツチ
ングマスクを施した基板で溝を形成する場合には次のよ
うな問題点がある。
即ち、第２図に示すように、（１００）基板１を用いる
と、＜ＯＩＩ ＞方向に形成した溝１２ａ 、 １２ｂ
の場合には、図中１７で示すように順メサとなり、＜Ｏ
ＩＴ ＞方向に形成した溝１３ａ、 １３ｂの場合には
、図中、１８で示すように逆メサになるという特徴を有
していることである。
と、＜ＯＩＩ ＞方向に形成した溝１２ａ 、 １２ｂ
の場合には、図中１７で示すように順メサとなり、＜Ｏ
ＩＴ ＞方向に形成した溝１３ａ、 １３ｂの場合には
、図中、１８で示すように逆メサになるという特徴を有
していることである。
これは、化学的ドライエツチングでは、化学的に不活性
な（１１１）Ｇａ面のエツチング速度が非常に遅く、最
終的に（１１１）Ｇａ面で、エツチングが停止すること
に起因している。
な（１１１）Ｇａ面のエツチング速度が非常に遅く、最
終的に（１１１）Ｇａ面で、エツチングが停止すること
に起因している。
従って、レーザ端面ミラーに必要な垂直加工は、不可能
である。
である。
本発明の目的は、化学的ドライエツチングを用いた場合
でもＧａＡＳ系基板に垂直な側壁を有する溝を形成する
ことのできる方法を提供することにある。
でもＧａＡＳ系基板に垂直な側壁を有する溝を形成する
ことのできる方法を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明は、ＧａＡＳ系基板を加熱しつつ反応性ガスを供
給し、化学反応により基板をエツチングする方法におい
て、基板として（１１０）基板を用い、＜１１１ ＞方
向にエツチングマスクの溝を形成してなることを特徴と
するＧａＡｓ系基板のエツチング方法である。
給し、化学反応により基板をエツチングする方法におい
て、基板として（１１０）基板を用い、＜１１１ ＞方
向にエツチングマスクの溝を形成してなることを特徴と
するＧａＡｓ系基板のエツチング方法である。
［作用］
本発明では、（１１０）基板を用いてエツチングマスク
の溝を＜１１１ ＞方向に形成する。こうすると、溝の
側壁は（１１１）Ｇａ面となり、エツチングはこの面で
止まり、表面に対して垂直な面が形成できる。
の溝を＜１１１ ＞方向に形成する。こうすると、溝の
側壁は（１１１）Ｇａ面となり、エツチングはこの面で
止まり、表面に対して垂直な面が形成できる。
［実施例］
次に、本発明の実施例について、図面を参照して詳細に
説明する。
説明する。
第３図は、本発明の方法を実施するための装置の一例の
概略構成図である。第３図において、エツチング室１に
は、排気装置２ａと、加熱機構を備えた基板ホルダ３と
、マスフローコントローラ５を介して反応性ガスを導入
するガス導入管４が設けられている。また８は、ゲート
バルブ６によりエツチング室１に接続する基板交換室、
７は基板移動機構、２ｂは基板交換室を排気する排気装
置である。
概略構成図である。第３図において、エツチング室１に
は、排気装置２ａと、加熱機構を備えた基板ホルダ３と
、マスフローコントローラ５を介して反応性ガスを導入
するガス導入管４が設けられている。また８は、ゲート
バルブ６によりエツチング室１に接続する基板交換室、
７は基板移動機構、２ｂは基板交換室を排気する排気装
置である。
以上のように構成された装置を用いて、本実施例では、
ＧａＡＳ （１１０）基板をエツチングした。
ＧａＡＳ （１１０）基板をエツチングした。
（１１０）基板には、第１図に示すように、＜１１１
＞方向に平行に溝１０が形成されている。マスク１１は
、ＳｉＯ２によりパターニングした。
＞方向に平行に溝１０が形成されている。マスク１１は
、ＳｉＯ２によりパターニングした。
エツチングは次のように行った。ＧａＡｓ（１１０）基
板を、基板ホルダ３にセットし、排気装置２ａにより、
１×１叶６ Ｔｏｒｒ以下に排気した。
板を、基板ホルダ３にセットし、排気装置２ａにより、
１×１叶６ Ｔｏｒｒ以下に排気した。
基板を３００℃に加熱し、反応性ガスとして、塩素（Ｃ
ｆｆｉｚ）を用い、マスフローコントローラ５を介して
ガス導入管４から導入した。Ｃβ２の流量は５ＣＣ／ｍ
ｉｎに設定した。
ｆｆｉｚ）を用い、マスフローコントローラ５を介して
ガス導入管４から導入した。Ｃβ２の流量は５ＣＣ／ｍ
ｉｎに設定した。
２期エツチングして、基板を取り出し、走査電子顕微６
１（ＳＥＭ）により断面を観察したところ、第１図に示
すような垂直な側壁が形成されていることを確認した。
１（ＳＥＭ）により断面を観察したところ、第１図に示
すような垂直な側壁が形成されていることを確認した。
なお、上記実施例では、反応性ガスとしてＣβ２を用い
たが、塩酸（ＨＣり、三塩化砒素（ＡｓＣｊ３ ）、塩
化炭素（ＣＣβ４）等化合物半導体と反応するガスは、
すべて使用可能である。
たが、塩酸（ＨＣり、三塩化砒素（ＡｓＣｊ３ ）、塩
化炭素（ＣＣβ４）等化合物半導体と反応するガスは、
すべて使用可能である。
第１図は本発明の方法を示すエツチング断面図、第２図
はＧａＡＳ （１００）基板をエツチングした場合のエ
ツチング断面図、第３図は本発明の方法に用いられるエ
ツチング装置の一例の概略構成図である。 １・・・エツチング至 ３・・・基板ホルダ ５・・・マスフローコン ロ・・・ゲートバルブ ８・・・基板交換室 １０、１２ａ 、 １２ｂ 。 １１・・・マスク ３ａ ２ａ、 ２ｂ・・・排気装置 ４・・・ガス導入管 トローラ ７・・・移動機構 、１３ｂ・・・溝 代 理 人
はＧａＡＳ （１００）基板をエツチングした場合のエ
ツチング断面図、第３図は本発明の方法に用いられるエ
ツチング装置の一例の概略構成図である。 １・・・エツチング至 ３・・・基板ホルダ ５・・・マスフローコン ロ・・・ゲートバルブ ８・・・基板交換室 １０、１２ａ 、 １２ｂ 。 １１・・・マスク ３ａ ２ａ、 ２ｂ・・・排気装置 ４・・・ガス導入管 トローラ ７・・・移動機構 、１３ｂ・・・溝 代 理 人
Claims (1)
- （１）ＧａＡｓ系基板を加熱しつつ反応性ガスを供給し
、化学反応により基板をエッチングする方法において、
基板として（１１０）基板を用い、〈１１１〉方向にエ
ッチングマスクの溝を形成してなることを特徴とするＧ
ａＡｓ系基板のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP124189A JPH02181923A (ja) | 1989-01-09 | 1989-01-09 | ＧａＡｓ系基板のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP124189A JPH02181923A (ja) | 1989-01-09 | 1989-01-09 | ＧａＡｓ系基板のエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02181923A true JPH02181923A (ja) | 1990-07-16 |
Family
ID=11495961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP124189A Pending JPH02181923A (ja) | 1989-01-09 | 1989-01-09 | ＧａＡｓ系基板のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02181923A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0477992A2 (en) * | 1990-09-28 | 1992-04-01 | Shimadzu Corporation | Focused ion beam etching apparatus |
| US7098976B2 (en) | 2001-06-15 | 2006-08-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Micro corner cube array, method of making the micro corner cube array and reflective type display device |
| US7098137B2 (en) | 2001-12-13 | 2006-08-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Micro corner cube array, method of making the micro corner cube array, and display device |
-
1989
- 1989-01-09 JP JP124189A patent/JPH02181923A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0477992A2 (en) * | 1990-09-28 | 1992-04-01 | Shimadzu Corporation | Focused ion beam etching apparatus |
| US5518595A (en) * | 1990-09-28 | 1996-05-21 | Shimadzu Corporation | Focused ion beam etching apparatus |
| US7098976B2 (en) | 2001-06-15 | 2006-08-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Micro corner cube array, method of making the micro corner cube array and reflective type display device |
| US7518676B2 (en) | 2001-06-15 | 2009-04-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Micro corner cube array, method of making the micro corner cube array and reflective type display device |
| US7098137B2 (en) | 2001-12-13 | 2006-08-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Micro corner cube array, method of making the micro corner cube array, and display device |
| US7360907B2 (en) | 2001-12-13 | 2008-04-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Micro corner cube array, method of making the micro corner cube array, and display device |
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