JPS5994422A - プラズマエツチング装置 - Google Patents
プラズマエツチング装置Info
- Publication number
- JPS5994422A JPS5994422A JP20340482A JP20340482A JPS5994422A JP S5994422 A JPS5994422 A JP S5994422A JP 20340482 A JP20340482 A JP 20340482A JP 20340482 A JP20340482 A JP 20340482A JP S5994422 A JPS5994422 A JP S5994422A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- electrode
- semiconductor substrate
- substrate
- reaction tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置製造に使用されるプラズマエツチ
ング装置に関するものである。
ング装置に関するものである。
従来、半導体基板表面に付着する絶縁膜、金属膜を７オ
トレジストエ程、フォトエツチング工程を経て選択的に
パターン加工するプラズマエツチング装置は、反応管内
部を減圧し反応ガスを導入し、強い高周波電力を反応管
内部に設置された電極を介して加え、エツチング処理を
行なう構造になっているが、該電極を介して加えられる
高周波電力が強い部分でエツチング処理全行うと、エツ
チング速度が速いため、絶縁膜、金属膜のエツチングと
共にパターン加工の際の保鰻膜の側面方向へのエツチン
グも急速に進み、エツチングオーバーが発生し加工精度
にばらつきを生じ、この欠点を克服するため高周波電力
を弱くすると、エツチング処理時間が長くなり作業能率
の低下全招くと云う欠点があった。
トレジストエ程、フォトエツチング工程を経て選択的に
パターン加工するプラズマエツチング装置は、反応管内
部を減圧し反応ガスを導入し、強い高周波電力を反応管
内部に設置された電極を介して加え、エツチング処理を
行なう構造になっているが、該電極を介して加えられる
高周波電力が強い部分でエツチング処理全行うと、エツ
チング速度が速いため、絶縁膜、金属膜のエツチングと
共にパターン加工の際の保鰻膜の側面方向へのエツチン
グも急速に進み、エツチングオーバーが発生し加工精度
にばらつきを生じ、この欠点を克服するため高周波電力
を弱くすると、エツチング処理時間が長くなり作業能率
の低下全招くと云う欠点があった。
この発明の目的は、かかる従来技術の欠点を除去した有
効なプラズマエツチング装置全提供する事である。
効なプラズマエツチング装置全提供する事である。
この発明のプラズマエツチング装置は、例えば、ガス導
入管及びガス排出管を有し、反応管内部に電極を配置し
た筒状の反応管、該ガス導入管に連結するガス供給源、
該ガス排出管に連結する高真空源、該電極に接続する高
周波発振器を含み、反応管中心部に設置されたエツチン
グ処理台にフォトレジスト工程全経た半導体基板を載せ
種々のエツチングガスにより選択的にパターンをエツチ
ング加工するプラズマエツチング装置において反応管内
部のエツチング処理台に載せられた半導体基板に対して
平行に設置された上部電極の位置あるいは半導体基板が
滅せられたエツチング処理台の位置が必要に応じて上下
に移動できる構造を有している。
入管及びガス排出管を有し、反応管内部に電極を配置し
た筒状の反応管、該ガス導入管に連結するガス供給源、
該ガス排出管に連結する高真空源、該電極に接続する高
周波発振器を含み、反応管中心部に設置されたエツチン
グ処理台にフォトレジスト工程全経た半導体基板を載せ
種々のエツチングガスにより選択的にパターンをエツチ
ング加工するプラズマエツチング装置において反応管内
部のエツチング処理台に載せられた半導体基板に対して
平行に設置された上部電極の位置あるいは半導体基板が
滅せられたエツチング処理台の位置が必要に応じて上下
に移動できる構造を有している。
この発明のプラズマエツチング装置は、半導体基板と電
極の距離とエツチング速度との関係を利用し、（距離間
が広くなればエツチング速度は遅くなる。）当初のエツ
チングでは距離を近くし、エツチング全急速に進め、エ
ツチング終止点近辺で２９、上部電極の位置を半導体基
板より離して行くか、あるいは半導体基板の位置を上部
電極より離すためエツチング処理台を降下させる事によ
り、エツチング速度を遅くする事で、作業能率を低下さ
せる事なくパターン加工精度を向上させる事ができる。
極の距離とエツチング速度との関係を利用し、（距離間
が広くなればエツチング速度は遅くなる。）当初のエツ
チングでは距離を近くし、エツチング全急速に進め、エ
ツチング終止点近辺で２９、上部電極の位置を半導体基
板より離して行くか、あるいは半導体基板の位置を上部
電極より離すためエツチング処理台を降下させる事によ
り、エツチング速度を遅くする事で、作業能率を低下さ
せる事なくパターン加工精度を向上させる事ができる。
次にこの発明の実施例につき図を用いて説明する。
第１図、第２図は、この発明の一実施例を説明するため
のプラズマエツチング装置の断囲図である。この実施例
のプラズマエツチング装置ハ、ガス導入管１及びガス排
出管２を有し反応管３内部に電極４，６を配置した筒状
の反応管３、該ガス導入管１に連結するガス供給源、該
ガス排出管２に連結する高真空厚誼電極４．６１Ｃ接続
する高周波発振器金倉み、反応管３中心部に設置された
エツチング処理台６（電極の機能を有す。）に７オトレ
ジストエ程を経た半導体基板５を載せ、ガス導入管１か
らの種々のエツチングガスを導入し選択的にパターン全
エツチング加工するプラズマエツチングｉｔであり、反
応管３内部のエツチング処理台６に載せられた半導体基
板５に対して平行に設置された上部電極４の位置（第１
図）あるいは、半導体基板５が載せであるエツチング処
理台６の位置（第２図）の位置が必要に応じて、上下に
移動できる構造を有している。
のプラズマエツチング装置の断囲図である。この実施例
のプラズマエツチング装置ハ、ガス導入管１及びガス排
出管２を有し反応管３内部に電極４，６を配置した筒状
の反応管３、該ガス導入管１に連結するガス供給源、該
ガス排出管２に連結する高真空厚誼電極４．６１Ｃ接続
する高周波発振器金倉み、反応管３中心部に設置された
エツチング処理台６（電極の機能を有す。）に７オトレ
ジストエ程を経た半導体基板５を載せ、ガス導入管１か
らの種々のエツチングガスを導入し選択的にパターン全
エツチング加工するプラズマエツチングｉｔであり、反
応管３内部のエツチング処理台６に載せられた半導体基
板５に対して平行に設置された上部電極４の位置（第１
図）あるいは、半導体基板５が載せであるエツチング処
理台６の位置（第２図）の位置が必要に応じて、上下に
移動できる構造を有している。
即チ、プラズマエツチング装置では、反応管３の内部を
減圧した後、電極４，６を介して照射される高周波′電
力が１５０ｖＶ〜２５０Ｗと非常に強いため、半導体基
板５表口に付着した絶縁膜、金属膜ｋ ハターン加工す
るに当り、保護膜として使用する膜の下の側面方向へも
かなり速い速度でエツチングが進み、金属膜、絶縁膜の
多少の膜質、膜厚の違いや装置の安定性によってはパタ
ーン加工精度にばらつきが生じてくる。逆にパターン加
工精度を向上させるため、高周波電力を５０Ｗ−ｉｏｏ
ｗに下げるとエツチング速度が遅くなり作業能率の低下
を招く。
減圧した後、電極４，６を介して照射される高周波′電
力が１５０ｖＶ〜２５０Ｗと非常に強いため、半導体基
板５表口に付着した絶縁膜、金属膜ｋ ハターン加工す
るに当り、保護膜として使用する膜の下の側面方向へも
かなり速い速度でエツチングが進み、金属膜、絶縁膜の
多少の膜質、膜厚の違いや装置の安定性によってはパタ
ーン加工精度にばらつきが生じてくる。逆にパターン加
工精度を向上させるため、高周波電力を５０Ｗ−ｉｏｏ
ｗに下げるとエツチング速度が遅くなり作業能率の低下
を招く。
この実施例によれば、エツチング物の終止点近（ＩＣお
いて、エツチング終止点６の上に載せられた半導体基板
５に対して平行に設置された上部電極４の位置あるいは
半導体基板５が載せであるエツチング処理台６の位置が
、半導体基板５と上部電極４の距離が広くなる様に移動
できる構造を有しているため、半導体基板５に当る高周
波電力が弱くなりエツチング速度を遅くする事ができ、
結果的に保護膜の下の側面方向へのエツチング速度も遅
くなりパターン加工精度が同上し、エツチング終止点近
くでのみの移動であるため、従来と同程度の作業能率も
得られる。
いて、エツチング終止点６の上に載せられた半導体基板
５に対して平行に設置された上部電極４の位置あるいは
半導体基板５が載せであるエツチング処理台６の位置が
、半導体基板５と上部電極４の距離が広くなる様に移動
できる構造を有しているため、半導体基板５に当る高周
波電力が弱くなりエツチング速度を遅くする事ができ、
結果的に保護膜の下の側面方向へのエツチング速度も遅
くなりパターン加工精度が同上し、エツチング終止点近
くでのみの移動であるため、従来と同程度の作業能率も
得られる。
尚、上述の実施例は、半導体基板１枚処理型、複数枚処
理型、あるいは電極が平行に設置されていない装置にも
適用できる。
理型、あるいは電極が平行に設置されていない装置にも
適用できる。
第１図、第２図は本発明の実施例を示したプラズマエツ
チング装置の断面図である。 尚、図において、 ゛ １・・・・・・ガス導入管、２・・・・・・ガス排
出管、３・・・・・・反応管、４・・・・・・電極、５
・・・・・・半導体基板、６・・・・・・エツチング処
理台（電極の機能を有す）。
チング装置の断面図である。 尚、図において、 ゛ １・・・・・・ガス導入管、２・・・・・・ガス排
出管、３・・・・・・反応管、４・・・・・・電極、５
・・・・・・半導体基板、６・・・・・・エツチング処
理台（電極の機能を有す）。
Claims (1)
- ガス導入管及びガス排出管を有し、反応管内部に電極全
配電した筒状の反応管、該ガス導入管に連結するガス供
給源、該ガス排出管に連結する高真空源、該電極に咲慨
する高周波発振器を含み、反応管中心部に設置されたエ
ツチング処理台にフォトレジスト工程全経た半導体基板
を載せ種々のエツチングガスにより選択的にパターン全
エツチング加工するプラズマエツチング装置において、
反応管内部のエツチング処理台ｖｃ載せられた半導体基
板に対して平行ｖｃｅ置された上部電極の位置あるいは
半導体基板が載せであるエツチング処理台の位置が必要
に応じて、上下に移動できる構造？・げする事を特徴と
するプラズマエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20340482A JPS5994422A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | プラズマエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20340482A JPS5994422A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | プラズマエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5994422A true JPS5994422A (ja) | 1984-05-31 |
Family
ID=16473490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20340482A Pending JPS5994422A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | プラズマエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5994422A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01268886A (ja) * | 1988-04-18 | 1989-10-26 | Fujitsu Ltd | プラズマドライエッチング方法 |
| JPH0258830A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-02-28 | Nec Kyushu Ltd | ドライエッチング装置 |
| US5228940A (en) * | 1990-10-03 | 1993-07-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Fine pattern forming apparatus |
| US5266154A (en) * | 1991-04-26 | 1993-11-30 | Sony Corporation | Dry etching method |
| US5478403A (en) * | 1988-10-31 | 1995-12-26 | Fujitsu Limited | Process and apparatus for ashing treatment |
-
1982
- 1982-11-19 JP JP20340482A patent/JPS5994422A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01268886A (ja) * | 1988-04-18 | 1989-10-26 | Fujitsu Ltd | プラズマドライエッチング方法 |
| JPH0258830A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-02-28 | Nec Kyushu Ltd | ドライエッチング装置 |
| US5478403A (en) * | 1988-10-31 | 1995-12-26 | Fujitsu Limited | Process and apparatus for ashing treatment |
| US5228940A (en) * | 1990-10-03 | 1993-07-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Fine pattern forming apparatus |
| US5292401A (en) * | 1990-10-03 | 1994-03-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of forming a fine pattern |
| US5266154A (en) * | 1991-04-26 | 1993-11-30 | Sony Corporation | Dry etching method |
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