JPS5810830A - ドライエツチング装置 - Google Patents

ドライエツチング装置

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Publication number
JPS5810830A
JPS5810830A JP10865881A JP10865881A JPS5810830A JP S5810830 A JPS5810830 A JP S5810830A JP 10865881 A JP10865881 A JP 10865881A JP 10865881 A JP10865881 A JP 10865881A JP S5810830 A JPS5810830 A JP S5810830A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
etching
electrode
power
etched
section
Prior art date
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Pending
Application number
JP10865881A
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English (en)
Inventor
Mitsuo Yoneuchi
米内　光雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPS5810830A publication Critical patent/JPS5810830A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32541—Shape

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体製造装置に於けるドライエッチｙｙ；ｉ
ａｔ、＊に平行平板層電極に関する。
集Ｓ回路等の半導体製造装置に於いて、電極配線用の金
属膜や半導体基板にエッチｙＩＫ；Ｋｌ）各種機能を有
するパターンを形放させる工１１に平行ＪＰＩＦＩＩド
ライエッチｙグ装置が使われる。−合があるが、従来の
平行平板撤ト°ライエッチｙダ装置はカンード電極或い
はγノード電極のどちらか一万に単一のＲ１パワーを印
加し、Ｉ［エツチング物をエツチングする方法がとられ
ている。しかし単一のＲＩＦパワーを印加し被エツチン
グ物をエツチングする方法は以下に述べるような欠点を
有する。
凧−のＲＩＦを印加した場合、被エツチング物に於いて
は通常エツチングは外周部から始まり、中心部へと進む
。従って被エツチング物の外周部は中心部よりエツチン
グが早く進み、被エツチング物のエツチング完了ｔ′ｉ
、外周部の方が中心部より早く完了する。これは中心部
エツチングが完了時には外周部に既に下地のエツチング
が相当進行すると論うことにつながり、被エツチング物
の全面にわたり、エツチングが均一に行なわれな込とい
う問題がある。
本発明は上述の欠点を除去したもので、その目的は、エ
ツチングの均一性を艮くする方法を提供するものである
。
以下実施例にもとづいて本発明を詳しく説明する。
菖２図は本発明の一実施例であり、第１図はＲνパワー
を印加させる電極部である。１及び３及び５は電極材で
あり、２及び４は絶縁インシュレータである。ＲＦパワ
ーとエツチング速匿とははぼ比例関係にあり、電極１を
基準和し、電極３に印加するパワーを少し高＜シ、Ｗ！
に電極５に印加するパワーを高く、この高くする置台を
適当に選択するととにより、電極中心部及び電極外周部
との被エツチング物のエツチングの均一性を良くするこ
とが出来る。以上の例にみられるようにアノード或込は
カソード電極の同−電極内で、中心部に高Ａ　／＜ワー
のＲ１を、外周部に中心部より低込パワーのＲ１を印加
させることによ！Ｊ、エツチングの均一性を良くするこ
とが出来、平行平板型ドライエツチング装置として最適
の製品を提供することが出来る。
【図面の簡単な説明】
１１１ＷＩＩＪ、謳２図は本発明の一実施例であり、謳
１図は電極部、第２図は反応室を示すものである。 ｌ及び３及び５＃ｉ電極材、２及び４＃′ｉ絶縁インシ
ユレータ、６は被エツチング物、７は対同電極材。 ８及び９及びＩＯは各々電極材５及び３及び１［Ｒ１パ
ワーを供給する高圧ケーブル、　１１けガス導入管ｂｔ
２＃ｉ真空計及び真空ポンプ、１３ＦｉＲνマツチング
ネツトワーク及びＲ１電源である。 以　　　上 出願人　株式会社緻訪精工舎 代理人　最　　上　　　　務

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 金属或いは半導体からなる被エツチング物のｆツチンダ
    装置に於いて、平行平板電極のカンーＶ或ｖｈＦｉ丁ノ
    ーＶ電極の同−電極内の中心部に高論パワーのＲνを、
    外周部に低いパワーのＲ１を同時に印加させ、エツチン
    グすることを特徴とするＶライエツチング装置。
JP10865881A 1981-07-10 1981-07-10 ドライエツチング装置 Pending JPS5810830A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59143328A (ja) * 1983-02-03 1984-08-16 Anelva Corp ドライエツチング装置
JPH0227675A (ja) * 1988-07-11 1990-01-30 Trw Inc 高密度接触領域の電気コネクタ

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JPS55166926A (en) * 1979-06-15 1980-12-26 Pioneer Electronic Corp Dry etching apparatus
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