JPS60245135A - ホトマスク修正方法 - Google Patents
ホトマスク修正方法Info
- Publication number
- JPS60245135A JPS60245135A JP59101004A JP10100484A JPS60245135A JP S60245135 A JPS60245135 A JP S60245135A JP 59101004 A JP59101004 A JP 59101004A JP 10100484 A JP10100484 A JP 10100484A JP S60245135 A JPS60245135 A JP S60245135A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- defect
- pinhole
- photomask
- shielding material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ホトマスクの修正方法に関するものである。
さらに詳しくは、半導体装置（以下、ＩＣという）製造
用のホトマスクのような、高精度無欠陥ホトマスクの製
造において、マスクパターン部のピンホールやパターン
欠落部に選択的に遮光材料を堆積させてホトマスクを修
正する方法に関するものである。
用のホトマスクのような、高精度無欠陥ホトマスクの製
造において、マスクパターン部のピンホールやパターン
欠落部に選択的に遮光材料を堆積させてホトマスクを修
正する方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
一般に、ＩＣ製造用ホトマスクの製作においては、遮光
材の不用部への残り（以下黒残りという）や、遮光材の
形成されたマスクパターン部のピンホールやパターン欠
落等による歩留の低下が大きな問題とされている。思残
りについては、現在レーザートリミングが発達してほぼ
解決されているが、ピンホールやパターン欠落について
は、すぐれた解決手断がない。たとえば、第１図に示す
ような、リフトオフ法による修正法も用いられているよ
うだが決め手とはならない。
材の不用部への残り（以下黒残りという）や、遮光材の
形成されたマスクパターン部のピンホールやパターン欠
落等による歩留の低下が大きな問題とされている。思残
りについては、現在レーザートリミングが発達してほぼ
解決されているが、ピンホールやパターン欠落について
は、すぐれた解決手断がない。たとえば、第１図に示す
ような、リフトオフ法による修正法も用いられているよ
うだが決め手とはならない。
すなわち、マスクパターン１の形成されたホトマスク２
上ヘボジ型ホトレジスト３を塗布し、スポット露光法に
よりピンホール部４を露光し第１図（ａ）、現像除去し
た後、遮光材料６を蒸着法等により全面堆積させ第１図
（ｂ）、リフトオフ法により前記レジスト残部３′およ
びその上の遮光材料６′を除去しピンホール部へのみ遮
光材料５を残こして第１図（Ｃ）ホトマスクを修正する
方法が用いられている。ところがこの方法では、レジス
トピンホール６等かあれば再び黒残り７か生じる欠点が
あった。
上ヘボジ型ホトレジスト３を塗布し、スポット露光法に
よりピンホール部４を露光し第１図（ａ）、現像除去し
た後、遮光材料６を蒸着法等により全面堆積させ第１図
（ｂ）、リフトオフ法により前記レジスト残部３′およ
びその上の遮光材料６′を除去しピンホール部へのみ遮
光材料５を残こして第１図（Ｃ）ホトマスクを修正する
方法が用いられている。ところがこの方法では、レジス
トピンホール６等かあれば再び黒残り７か生じる欠点が
あった。
発明の目的
本発明の目的は、ホトマスクの製造欠陥を修正すること
により歩留向上を計り、マスク製造コストを低減させる
ことにある。さらに詳しくは、ホトマスク七のマスクパ
ターンのパターン欠落部やピンホール部へ選択的に遮光
材料を堆積させることによりマスク欠陥を修正すること
を目的とする。
により歩留向上を計り、マスク製造コストを低減させる
ことにある。さらに詳しくは、ホトマスク七のマスクパ
ターンのパターン欠落部やピンホール部へ選択的に遮光
材料を堆積させることによりマスク欠陥を修正すること
を目的とする。
発明の構成
本発明は、ホトマスク製作工程において、マスクパター
ン部のパターン欠陥特にパターン欠落部や、ピンホール
部に、遮光材料ガス雰囲気中で集光した光を照射するこ
とにより、前記光照射部にのみ選択的に遮光材料を堆積
させることにより、ホトマスクを修正することを特徴と
する。
ン部のパターン欠陥特にパターン欠落部や、ピンホール
部に、遮光材料ガス雰囲気中で集光した光を照射するこ
とにより、前記光照射部にのみ選択的に遮光材料を堆積
させることにより、ホトマスクを修正することを特徴と
する。
実施例の説明
たとえば、現在一般に用いられているＯｒマスクの場合
、第２図（ａｌの如きパターン欠陥２３があった場合、
（図中、２１は石英基板、２２はＣｒマスクパターンを
示す）、Ｃｒ （Ｃｏ ） ｅ 十Ｎ ２中（あるいは
減圧下でＣｒ （’Ｃｏ ）６を用いる）にて、光ビー
ム例えばＣｕ＋レーザー（波長２６０ｎｍ）光２４を照
射し、第２図（ｂ）に示すように、ホトセンサー２６の
出力を見ながら、パターン欠陥部２３が完全にＣｒ薄膜
２６でカバーされるまで堆積を行う（第２図Ｃ）。
、第２図（ａｌの如きパターン欠陥２３があった場合、
（図中、２１は石英基板、２２はＣｒマスクパターンを
示す）、Ｃｒ （Ｃｏ ） ｅ 十Ｎ ２中（あるいは
減圧下でＣｒ （’Ｃｏ ）６を用いる）にて、光ビー
ム例えばＣｕ＋レーザー（波長２６０ｎｍ）光２４を照
射し、第２図（ｂ）に示すように、ホトセンサー２６の
出力を見ながら、パターン欠陥部２３が完全にＣｒ薄膜
２６でカバーされるまで堆積を行う（第２図Ｃ）。
あるいは第２の実施例では第３図（、）に示すような、
ガス留め容器３１に、オーリング３２を介して、マスク
パターン面が内側になるようにホトマスク３４をセット
し、ガス容器外側より集光した光３６を照射して、パタ
ーン欠落部３６にＣｒ薄膜を堆積できる。この場合、パ
ターン欠陥がピンホールであれば、集光した光ビームは
それ程、高精度にビームを絞る必要はない。すなわち、
Ｃｒ薄膜を堆積すべき部分以外は、ピンホールの外のＣ
ｒパターン３３′で遮光されているので（つまり、光ビ
ーム幅Ｙはパターン欠落幅Ｘより広くても良５ 、 い）（第３図（ｂ））。セルフアラインメント的に、ピ
ンホール部３６にのみＣｒ薄膜を形成できることが特徴
であり、さらに、堆積終点も堆積が光ビームを透過しな
く々ると、自動的に堆積が終了するので、常に必要な膜
厚を得られる利点がある。
ガス留め容器３１に、オーリング３２を介して、マスク
パターン面が内側になるようにホトマスク３４をセット
し、ガス容器外側より集光した光３６を照射して、パタ
ーン欠落部３６にＣｒ薄膜を堆積できる。この場合、パ
ターン欠陥がピンホールであれば、集光した光ビームは
それ程、高精度にビームを絞る必要はない。すなわち、
Ｃｒ薄膜を堆積すべき部分以外は、ピンホールの外のＣ
ｒパターン３３′で遮光されているので（つまり、光ビ
ーム幅Ｙはパターン欠落幅Ｘより広くても良５ 、 い）（第３図（ｂ））。セルフアラインメント的に、ピ
ンホール部３６にのみＣｒ薄膜を形成できることが特徴
であり、さらに、堆積終点も堆積が光ビームを透過しな
く々ると、自動的に堆積が終了するので、常に必要な膜
厚を得られる利点がある。
なお、本実施例では、Ｃｒ堆積を例に述べたが遮光材料
は限定されるものではなく、ガス状で堆積物が遮光性が
あり光ビーム分解堆積するガス状化合物であれば、ＡＱ
（ＣＨ３）３．Ｗ（ＣＯ）６．Ｓｎ（ＣＨ３）４，５ｎ
ＣＩ１２．Ｚｎ（ＣＨ３）２．Ｆｅ（Ｃｏ）５等どのよ
うなガスを用いても良いことは明らかである。
は限定されるものではなく、ガス状で堆積物が遮光性が
あり光ビーム分解堆積するガス状化合物であれば、ＡＱ
（ＣＨ３）３．Ｗ（ＣＯ）６．Ｓｎ（ＣＨ３）４，５ｎ
ＣＩ１２．Ｚｎ（ＣＨ３）２．Ｆｅ（Ｃｏ）５等どのよ
うなガスを用いても良いことは明らかである。
さらにまた、光により分解して遮光材料を堆積する物質
であれば、ガス状化合物に限定されるものではなく、液
状（例えば、金属−水銀アマルガム等）や固体状（例え
ばＡ２ＣＱ等）でも良い。
であれば、ガス状化合物に限定されるものではなく、液
状（例えば、金属−水銀アマルガム等）や固体状（例え
ばＡ２ＣＱ等）でも良い。
なお、液状の場合はマスクパターン上ヘコートし、固体
状であれば蒸着やキャスティングによりマスクパターン
］二へ全面薄膜を形成した後、光ビームを照射すれば良
い。
状であれば蒸着やキャスティングによりマスクパターン
］二へ全面薄膜を形成した後、光ビームを照射すれば良
い。
また、光ビームとしては、レーザー光を例に示したが、
紫外線ランプや螢光灯、赤外線ランプ等用いる材料に応
じて選ぶことができる。
紫外線ランプや螢光灯、赤外線ランプ等用いる材料に応
じて選ぶことができる。
発明の効果
本発明の方法を用いることにより、ホトマスク欠陥修正
を高能率、高精度に行うことができる。
を高能率、高精度に行うことができる。
すなわち、従来のパターン欠落部あるいは、ピンホール
部へのみ選択的に遮光材料を堆積できるので、黒残りが
新に生じることもないし、修正用のスポット露光も必要
としないので、非常に低コストでホトマスクの修正を行
うことができる。さらに、第２の実施例の方法で行うと
、パターン欠陥部への遮光材料の堆積はセルフアライメ
ント的に行なわれるため、高精度の修正が可能である。
部へのみ選択的に遮光材料を堆積できるので、黒残りが
新に生じることもないし、修正用のスポット露光も必要
としないので、非常に低コストでホトマスクの修正を行
うことができる。さらに、第２の実施例の方法で行うと
、パターン欠陥部への遮光材料の堆積はセルフアライメ
ント的に行なわれるため、高精度の修正が可能である。
また、遮光材の堆積厚も自己制御的に、しかも必要な膜
厚で停止できるので、バラツキが少なくなる効果もある
。
厚で停止できるので、バラツキが少なくなる効果もある
。
第１図（，１〜（Ｃ）は、従来のホトマスク欠陥の修正
法を説明するための工程断面図、第２図（、）は本発明
のホトマスク修正法を説明するだめの概略図、第２図（
ｂ）、（ｃ）は工程を説明するための断面図、第３図（
ａ）は本発明の第２の実施例を説明するため装置断面図
、第３図（ｂ）は同（ａ）の中で○印Ａで示された部分
の拡大図を示す。 ２３．３６・・・・・・パターン欠ＫＬ２４，３ｏ・・
・・・光ビーム、２６・・・・・・遮光材料（Ｃｒ薄膜
）。
法を説明するための工程断面図、第２図（、）は本発明
のホトマスク修正法を説明するだめの概略図、第２図（
ｂ）、（ｃ）は工程を説明するための断面図、第３図（
ａ）は本発明の第２の実施例を説明するため装置断面図
、第３図（ｂ）は同（ａ）の中で○印Ａで示された部分
の拡大図を示す。 ２３．３６・・・・・・パターン欠ＫＬ２４，３ｏ・・
・・・光ビーム、２６・・・・・・遮光材料（Ｃｒ薄膜
）。
Claims (3)
- （１）マスクパターン部のピンホールやパターン欠落部
に光を照射しながら、選択的に遮光材料を堆積させるこ
とを特徴としたホトマスク修正方法。 - （２） 光照射をマスクのガラス面側から行うことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のホトマスク修正方
法。 - （３）反応ガスとして、ガス状の金属化合物を用いるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載
のホトマスク修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59101004A JPS60245135A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | ホトマスク修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59101004A JPS60245135A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | ホトマスク修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60245135A true JPS60245135A (ja) | 1985-12-04 |
Family
ID=14289107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59101004A Pending JPS60245135A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | ホトマスク修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60245135A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7264905B2 (en) | 2003-01-31 | 2007-09-04 | Renesas Technology Corp. | Photomask, and method and apparatus for producing the same |
| JP2015200588A (ja) * | 2014-04-09 | 2015-11-12 | 日立アロカメディカル株式会社 | 遮光膜補修キット |
| CN110967924A (zh) * | 2018-09-28 | 2020-04-07 | Hoya株式会社 | 光掩模基板、其修正方法、制造方法和处理方法、光掩模的制造方法以及基板处理装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5320863A (en) * | 1976-08-11 | 1978-02-25 | Hitachi Ltd | Defect correcting method of photo masks and reticles |
| JPS5793346A (en) * | 1980-12-03 | 1982-06-10 | Fujitsu Ltd | Production of photomask plate |
| JPS57109952A (en) * | 1980-12-26 | 1982-07-08 | Fujitsu Ltd | Production of photomask plate |
| JPS57124436A (en) * | 1981-01-26 | 1982-08-03 | Mitsubishi Electric Corp | Correction of pattern defect |
-
1984
- 1984-05-18 JP JP59101004A patent/JPS60245135A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5320863A (en) * | 1976-08-11 | 1978-02-25 | Hitachi Ltd | Defect correcting method of photo masks and reticles |
| JPS5793346A (en) * | 1980-12-03 | 1982-06-10 | Fujitsu Ltd | Production of photomask plate |
| JPS57109952A (en) * | 1980-12-26 | 1982-07-08 | Fujitsu Ltd | Production of photomask plate |
| JPS57124436A (en) * | 1981-01-26 | 1982-08-03 | Mitsubishi Electric Corp | Correction of pattern defect |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7264905B2 (en) | 2003-01-31 | 2007-09-04 | Renesas Technology Corp. | Photomask, and method and apparatus for producing the same |
| US7582397B2 (en) | 2003-01-31 | 2009-09-01 | Renesas Technology Corp. | Photomask, and method and apparatus for producing the same |
| US7585599B2 (en) | 2003-01-31 | 2009-09-08 | Renesas Technology Corp. | Photomask, and method and apparatus for producing the same |
| US7771904B2 (en) | 2003-01-31 | 2010-08-10 | Renesas Technology Corp. | Photomask, and method and apparatus for producing the same |
| JP2015200588A (ja) * | 2014-04-09 | 2015-11-12 | 日立アロカメディカル株式会社 | 遮光膜補修キット |
| CN110967924A (zh) * | 2018-09-28 | 2020-04-07 | Hoya株式会社 | 光掩模基板、其修正方法、制造方法和处理方法、光掩模的制造方法以及基板处理装置 |
| JP2020056998A (ja) * | 2018-09-28 | 2020-04-09 | Hoya株式会社 | フォトマスク基板の修正方法、フォトマスク基板の製造方法、フォトマスク基板の処理方法、フォトマスク基板、フォトマスクの製造方法、及び基板処理装置 |
| TWI838399B (zh) * | 2018-09-28 | 2024-04-11 | 日商Ｈｏｙａ股份有限公司 | 光罩基板之修正方法、光罩基板之製造方法、光罩基板之處理方法、光罩之製造方法及基板處理裝置 |
| CN110967924B (zh) * | 2018-09-28 | 2024-05-24 | Hoya株式会社 | 光掩模基板的修正方法、制造方法和处理方法、光掩模的制造方法以及基板处理装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI396933B (zh) | 光罩、曝光方法、光罩之製造方法、半透相移光罩之製造方法 | |
| US6734443B2 (en) | Apparatus and method for removing photomask contamination and controlling electrostatic discharge | |
| US7195846B2 (en) | Methods of manufacturing photomask blank and photomask | |
| US6558855B2 (en) | Phase shift mask and manufacturing the same | |
| JPS5846055B2 (ja) | ホトマスクの欠陥修正法 | |
| JPS60245135A (ja) | ホトマスク修正方法 | |
| JP3440338B2 (ja) | ハーフトーン型位相シフトフオトマスク | |
| JPS6052022A (ja) | マスクパタ−ン修正方法 | |
| JPH03139647A (ja) | マスクの修正方法 | |
| JPS6053872B2 (ja) | 遮光性マスクの修正方法 | |
| JPS6159732A (ja) | フオトマスクの修正方法 | |
| JPS6163029A (ja) | クロムマスクの修正方法 | |
| JPH01216529A (ja) | Ｘ線露光用マスクの製造方法 | |
| JPH0862827A (ja) | 位相シフトマスクおよびその修正方法 | |
| JPS627691B2 (ja) | ||
| JPH0792658A (ja) | 位相シフトレチクルの修正方法 | |
| JPH0325768B2 (ja) | ||
| JP3664326B2 (ja) | ハーフトーン位相シフトマスク | |
| JPS6042827A (ja) | 露光方法 | |
| JP2003318093A (ja) | マスクの製造方法および半導体装置の製造方法 | |
| JPS6366556A (ja) | フオトマスクの修正方法 | |
| JPS62299970A (ja) | パタ−ン修正方法 | |
| JPS59105320A (ja) | ホトマスクの欠損欠陥修正法 | |
| JPH04251846A (ja) | パターン形成用マスクの検査および修正方法 | |
| JPH021850A (ja) | フォトマスクの修正方法 |