TWI838399B - 光罩基板之修正方法、光罩基板之製造方法、光罩基板之處理方法、光罩之製造方法及基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明的課題在於不需要時間與步驟數便可修正光罩之缺陷，藉此提高光罩製造之生產效率或品質。
該光罩基板之修正方法具有：準備光罩基板10之步驟，該光罩基板10係於透明基板100之一主表面形成有用以形成轉印用圖案之光學膜200；及修正製程，其係對光學膜200中產生之缺失缺陷形成修正膜。修正製程係將原料氣體供給至光罩基板10之形成有光學膜200之第1主表面中之缺失缺陷之位置附近，並且自光罩基板10之第2主表面側照射雷射光，藉由已透過缺失缺陷之雷射光使原料氣體反應，使修正膜沈積於第1主表面之缺失缺陷之位置。

Description

光罩基板之修正方法、光罩基板之製造方法、光罩基板之處理方法、光罩之製造方法及基板處理裝置
本發明係關於一種光罩基板之修正方法、光罩基板之製造方法、光罩基板之處理方法、光罩基板、光罩之製造方法及基板處理裝置。
於光罩基板之製造中，於光罩基板形成轉印用圖案之後，檢查於該轉印用圖案是否存在缺陷，於判定為存在缺陷之情形時，執行修正該缺陷之製程。但，此種缺陷之檢查及修正非常需要時間與成本。
作為抑制此種缺陷之產生之技術，已知有專利文獻1所記載者。於該專利文獻1中記載有如下問題點：即便於上層具有抗反射層之遮光膜之光學密度為3.0以上，亦會因抗反射層之成膜中所取入之異物脫落而導致於 抗反射層產生針孔(pinhole)，從而使光學密度局部降低。專利文獻1為了解決該問題，提出以除抗反射層以外之遮光部之光學密度成為3.0以上之方式設定遮光膜之膜素材與膜厚的技術。
又，於專利文獻2中指出，若進行鉻膜中所產生之針孔等缺陷之修正，則有製造成本變高之問題。因此，專利文獻2提出能夠省略遮罩缺陷修正之光罩之製造方法。於該製造方法中，進行空白遮罩之缺陷檢查，找出鉻膜中存在之針孔缺陷，並將其位置與大小記錄為缺陷座標資料，使相對座標位置偏移以不與遮罩之實際圖案座標資料重疊。藉由相對位置座標偏移，將針孔缺陷與多餘抗蝕劑一起去除或將抗蝕圖案作為遮罩而蝕刻鉻膜之具有針孔之區域，因此，可獲得實質上不存在針孔缺陷之光罩。
進而，於專利文獻3中記載有一種修正方法，其係修正遮罩圖案中所產生之白缺陷之方法，藉由存在於該白缺陷部附近之近場光分解導入至處理室內之原料氣體，於該白缺陷部形成薄膜。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本專利特開2012-3152號公報
[專利文獻2] 日本專利特開平10-186635號公報
[專利文獻3] 日本專利特開2011-186394號公報
於進行光罩之製造時，對在透明基板上形成有至少1個光學膜之光罩基板(例如光罩基底)應用光微影法而形成所需之圖案。
專利文獻1之方法具有如下優點，即，於遮光膜之上層形成抗反射層時，即便因取入至抗反射層之異物脫落而導致於抗反射層之表面產生凹陷，亦可獲得充分之光學密度之遮光膜。然而，光罩之光學膜厚未達0.5μm，更典型而言，未達0.1μm(若為包含抗反射膜之遮光膜，則為500~2000Å左右)，與此相對，成膜中產生之異物之大小與下述產生原因有關，遠大於光學膜厚者較多，超過1μm者亦不少。存在如下情況，即，於成膜製程中此種異物取入至膜中後，於光罩製造製程或光罩使用製程中此種異物脫落。若產生此種異物之脫落，則即便如專利文獻1所提出般調整遮光膜之光學密度，亦無法有效地降低成為缺失缺陷(白缺陷)之風險。
又，根據專利文獻2之方法，具有即便產生缺陷亦能夠省略修正製程的優點。然而，是否能夠應用該方法不僅受缺陷之數量或位置影響，而且受待製造之光罩之圖案設計影響。尤其是，對基板尺寸較大(主表面之一邊為300~2000mm左右)且密集地配置多個面板圖案之顯示裝置製造用光罩應用該方法而作為缺陷對策存在極限。
進而，於專利文獻3之方法中，為了修正光罩圖案中產生之缺陷，首先，進行粗略掃描並暫時指定修正區域。其次，準確地獲取應修正之白缺陷之位置資訊。繼而，將用於修正之原料氣體導入至處理室內並照射雷射光等光時，原料氣體藉由近場光而分解，於白缺陷位置處形成膜。
如上所述，不可避免地於光罩圖案中產生缺陷，為了進行缺陷修正，需要特定出缺陷之位置或尺寸之圖案缺陷檢查製程。該製程係需要時間與步驟數之製程，期望能夠縮短該製程之技術。
本發明之目的在於，不需要時間與步驟數便可修正光罩之缺陷，藉此提高光罩製造之生產效率或品質。
又，本發明之目的在於提供一種對達成上述目的而言較佳之光罩基板之修正方法、光罩基板之製造方法、光罩基板之處理方法、光罩基板、光罩之製造方法及基板處理裝置。
為了解決上述問題，本發明之第1態樣之光罩基板之修正方法具有：準備光罩基板之製程，該光罩基板係於透明基板之一主表面形成有用以形成轉印用圖案之光學膜；及修正製程，其係對上述光學膜中產生之缺失缺陷形成修正膜。上述修正製程之特徵在於，將原料氣體供給至上述光罩基板之形成有上述光學膜之第1主表面中之上述缺失缺陷之位置附近，並且自上述光罩基板之第2主表面側照射雷射光，藉由已透過上述缺失缺陷之上述雷射光使上述原料氣體反應，使上述修正膜沈積於上述第1主表面之上述缺失缺陷之位置。
上述修正製程可不經過上述光學膜之圖案缺陷檢查下而執行。於上述修正方法中，較佳為上述光學膜與上述修正膜包含可利用相同之蝕刻劑 蝕刻之材料。藉由設為可利用相同之蝕刻劑蝕刻，不會增加製造所需之時間及步驟數。又，不妨礙後段之光罩製造製程中之圖案化，而可藉由微影術形成精緻之轉印用圖案。又，上述光學膜及上述修正膜可包含Cr。上述光學膜可包含遮光膜。
上述修正製程可使上述原料氣體之供給機構及上述雷射光之照射機構於隔著上述光罩基板相互對向之狀態下，在與上述光罩基板平行之面內分別移動而進行。又，可於該修正製程之前具有清洗上述光罩基板之清洗製程。又，上述清洗製程可包含物理清洗。
再者，光罩基板之製造方法中亦可包含上述光罩基板之修正方法中之各製程。
本發明之第2態樣之光罩基板之處理方法包含：準備光罩基板之製程，該光罩基板係於透明基板之一主表面形成有用以形成轉印用圖案之光學膜；保持上述光罩基板之製程；及基板處理製程，其係將原料氣體供給至所保持之上述光罩基板之形成有上述光學膜之第1主表面側，並且自上述光罩基板之第2主表面側對上述第1主表面側照射雷射光，且使被實施上述雷射光之照射及上述原料氣體之供給之對象位置相對於上述光罩基板相對地移動。上述基板處理製程係於上述光學膜存在缺失缺陷時，藉由已透過上述缺失缺陷之上述雷射光使上述原料氣體反應，以修正膜沈積於上述第1主表面之上述缺失缺陷之位置之方式控制上述雷射光之照射及上述原料氣體的供給。
於該光罩基板之處理方法之上述基板處理製程中，較佳為一面進行上述原料氣體之供給與上述雷射光之照射一面對上述光罩基板之整面進行掃描。
又，本發明亦包含利用上述方法製造之光罩基板。該光罩基板之特徵在於，於透明基板之一主表面形成有用以藉由圖案化而形成轉印用圖案之光學膜，且僅於上述光學膜之缺失缺陷之部分，藉由填充修正膜材料而形成有修正膜。
本發明之光罩之製造方法可包含：準備利用上述製造方法製造之光罩基板(修正光罩基板)之製程；及圖案化製程，其係對上述修正光罩基板藉由實施描畫、顯影及蝕刻而形成轉印用圖案。
又，本發明之光罩之製造方法亦可包含：準備利用如上所述之光罩基板之製造方法所獲得之修正光罩基板之製程；及圖案化製程，其係對上述修正光罩基板藉由實施描畫、顯影及蝕刻而形成轉印用圖案。
本發明之第3態樣之基板處理裝置係對光罩基板進行處理者，且包括：保持器，其用以保持上述光罩基板；氣體供給機構，其將原料氣體供給至所保持之上述光罩基板之第1主表面側；雷射照射機構，其用以自上述光罩基板之第2主表面側對上述第1主表面側照射雷射光；移動機構，其使上述氣體供給機構及上述雷射照射機構分別於與上述光罩基板平行之面 內相對於上述光罩基板相對移動；及控制機構。控制機構以如下方式控制上述移動機構、上述氣體供給機構及上述雷射照射機構，即，上述氣體供給機構及上述雷射照射機構隔著上述光罩基板相互對向地配置，並且對修正對象位置進行上述原料氣體之供給與上述雷射光之照射。
於該基板處理裝置中，上述移動機構可使上述氣體供給機構及上述雷射照射機構能夠在與保持於上述保持器上之上述光罩基板平行之面內相對於第1方向及與上述第1方向交叉之第2方向之各方向分別移動。與光罩基板平行之面係指光罩基板與氣體供給機構或雷射照射機構之間之距離大致固定之面。大致固定係指雷射照射之聚焦位置與氣體之供給位置相對於光罩基板位置恰當地維持且處於能夠進行上述修正膜之形成之距離。又，氣體供給機構可於其表面具備抗反射膜。第1方向與第2方向較佳為正交。
根據本發明，可提供一種光罩基板之修正方法、光罩基板之製造方法、光罩基板之處理方法、光罩基板、光罩之製造方法及光罩基板處理裝置，其不需要時間與製程便可修正光罩之缺失缺陷，藉此能夠提高光罩製造之生產效率或品質。
10:光罩基板
20:基板處理裝置
100:透明基板
200:光學膜
201:遮光膜
202:抗反射膜
203:修正膜
300:抗蝕劑膜
400:護膜
500:氣體簾幕單元
501:氣體供給系統
501':原料氣體供給管
502:氣體排氣系統
502':氣體排出管
503:抗反射膜
600:雷射光源
700:雷射位移計
800:觀察用光學系統
900:觀察用照明系統
1100:保持器
1200:第1驅動系統
1300:第2驅動系統
2000:控制部
2001:主控制單元
2002:第1驅動部控制部
2003:觀察用光學系統控制部
2004:雷射位移計控制部
2005:氣體控制部
2006:第2驅動部控制部
2007:雷射控制部
AM:膜中異物
Df:缺失缺陷
S1~S5:步驟
S6~S12:步驟
S21~S27:步驟
S28~S31:步驟
圖1係說明光罩基板之製造方法(前製程)之參考例之流程圖及模式圖。
圖2係說明光罩基板之製造方法(後製程)之參考例之流程圖及模式 圖。
圖3(a)、(b)係說明產生缺失缺陷之原因之模式圖。
圖4係說明本發明之實施形態之光罩基板之製造方法(前製程)之流程圖及模式圖。
圖5係說明本發明之實施形態之光罩基板之製造方法(後製程)之流程圖及模式圖。
圖6(a)~(c)係表示本發明之實施形態之缺失缺陷之修正之順序之概略圖。
圖7(a)、(b)係表示修正缺失缺陷之前後之光罩基板之剖面形狀之概略圖。
圖8係表示適合於執行本發明之實施形態之方法之基板處理裝置之構成之一例之概略圖。
圖9(a)、(b)係表示適合於執行本發明之實施形態之方法之基板處理裝置之構成之一部分之例的概略圖。
以下，參照隨附圖式對本發明之實施形態進行說明。亦有如下情形，即，於隨附圖式中，功能上相同之要素以相同之編號表示。再者，隨附圖式表示根據本發明之原理之實施形態與安裝例，但該等係用於本發明之理解者，絕不用來限定性地解釋本發明。本說明書之記述僅為典型之例示，並非於任何意義下均限定本發明之申請專利範圍或適用例。
於本實施形態中，對業者實施本發明而言足夠詳細地進行了其說 明，但必須理解亦可為其他安裝、形態，於不脫離本發明之技術思想之範圍與精神之情況下可進行構成、構造之變更或多種要素之替換。因此，不能將以下之記述限定於此進行解釋。
於本實施形態中，藉由對在透明基板上形成有至少1個薄膜之光罩基板進行處理，而修正該光罩基板之缺陷。例如光罩基板可為於透明基板之一主表面上形成有光學膜之光罩基底。光罩基底係具有未形成圖案之光學膜之光罩基板。將光罩基板具有之2個主表面中形成有光學膜之側之主表面設為「第1主表面」，將另一個主表面設為「第2主表面」。
再者，本說明書中，所謂「光罩基板」，係指於透明基板上形成有至少1個薄膜(此處為光學膜)者，且係用以藉由將該光學膜圖案化而製成光罩者。將該光學膜圖案化而獲得之轉印用圖案形成於第1主表面上。又，亦將形成有抗蝕劑膜之光罩基板稱為「附抗蝕劑膜之光罩基板」，亦將實施修正後之光罩基板稱為「修正光罩基板」。
首先，參照圖1~圖5對本發明之實施形態之光罩基板之修正方法及處理方法之概要進行說明。
於說明本發明之實施形態之修正方法及處理方法之前，參照圖1及圖2之流程圖及模式圖對光罩基板之製造方法之參考例進行說明。該製造方法大致劃分為(I)前製程(步驟S1~S5)與(II)後製程(步驟S6~S12)。
(I)前製程 (步驟S1)光學膜之成膜
如圖1所示，首先，於步驟S1中，於成為光罩基板之基材之透明基板100上成膜光學膜200。藉由取得在透明基板100上已成膜有光學膜200之狀態之光罩基板，亦可省略該步驟S1。
透明基板100係用以製成光罩基板之板材，使用包含透明材料且正面及背面以成為特定之平坦度、平滑度之方式加工者。作為透明基板100之材料，較佳為石英(SiO2)。較佳地使用由合成石英構成之透明基板。
於步驟S1中，於透明基板100之一主表面形成光學膜200。此處，將透明基板100之形成光學膜200之面設為一主表面，將其相反側之主表面設為另一主表面。透明基板100之一主表面與光罩基板10之第1主表面對應，透明基板100之另一主表面與光罩基板10之第2主表面對應。光學膜200包含具有特定之物理、化學物性之膜材料，應用濺鍍法等公知之成膜方法，以所需之膜厚形成於透明基板100上。如下所述，有時於該成膜時間點膜中異物混入等而產生缺陷(缺失缺陷Df)或潛在缺陷。
(步驟S2)清洗1(塗佈前清洗)
於步驟S2中，進行光學膜200成膜後之光罩基板10之清洗，去除異物，並且使光學膜200之表面清潔。藉此，將妨礙抗蝕劑密接於光學膜200之污垢去除。
(步驟S3)抗蝕劑塗佈
於步驟S3中，藉由抗蝕劑塗佈機(未圖示)於光學膜200上塗佈抗蝕劑，於光學膜200上形成所需厚度(例如5000~10000Å)之抗蝕劑膜300。作為抗蝕劑膜300，可使用正型光阻或負型光阻之任一者，但作為顯示裝置製造用之光罩基板，較佳地使用正型光阻。藉由該抗蝕劑塗佈，光罩基板10成為附抗蝕劑膜之光罩基板。
(步驟S4)描畫
於步驟S4中，對形成於光學膜200上之抗蝕劑膜300使用描畫裝置(未圖示)進行基於所需之圖案資料之描畫。描畫使用電子束或雷射光束等能量束，但於製造顯示裝置製造用光罩時，較佳為使用雷射描畫裝置。
(步驟S5)顯影、蝕刻
於步驟S5中，藉由使抗蝕劑膜300顯影而形成抗蝕圖案。繼而，將該抗蝕圖案作為蝕刻遮罩，對光學膜200實施蝕刻。作為蝕刻，可列舉濕式蝕刻、乾式蝕刻，但於製造顯示裝置製造用之光罩時，較佳地應用濕式蝕刻。藉由該製程，形成包括光學膜200之光罩圖案(轉印用圖案)。
(II)後製程 (步驟S6)清洗2
如圖2所示，於步驟S6中，將於第1主表面形成有圖案之光罩基板10上之抗蝕圖案剝離，其次，進行清洗，將異物去除。即，將藉由抗蝕劑剝離劑未完全去除之微細之抗蝕劑殘渣或藉由光學膜之蝕刻劑(若光學膜為 Cr系膜，則為Cr用蝕刻劑(例如(Cerium Ammonium Nitrate，硝酸鈰銨)))之水解產生之殘渣等污垢去除。藉此，獲得之後進行之圖案缺陷檢查中之缺陷之檢測或為了獲得其位置等之資訊所需之潔淨度。
(步驟S7)圖案缺陷檢查
於後續步驟S7中，對步驟S5中形成於光學膜200之光罩圖案進行基於光學機構(未圖示)之掃描，獲取與光罩圖案中產生之缺陷之有無、所產生之缺陷之種類及缺陷產生位置、大小相關之資訊。圖案缺陷檢查係可獲取所形成之光罩圖案之圖案影像(透射影像或反射影像)，將此與光罩面內之同一設計之圖案影像比較或與圖案資料比較而進行，但伴有較大負荷之製程。
(步驟S8)修正
其次，於步驟S8中，判定檢測出之缺陷能否修正，若能夠修正則修正該缺陷。作為對於缺陷之修正機構，例如可列舉CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)雷射裝置或聚焦離子束裝置。藉由該等修正機構，將光罩圖案之多餘物去除及/或使修正膜沈積於光罩圖案之缺失部分而修正缺陷。
(步驟S9)清洗3
於後續步驟S9中，對形成有光罩圖案之光罩基板10再次進行清洗。
(步驟S10)異物檢查
於接下來之步驟S10中，進行異物檢查，確認於光罩圖案面不存在異物。
(步驟S11)護膜貼附
若於步驟S10中確認於光罩圖案面不存在異物，則於步驟S11中，於需要護膜之光罩基板10之圖案形成面(第1主表面側)貼附護膜400。
(步驟S12)異物檢查
繼而，於步驟S12中，進而自護膜400上進行異物檢查。此處，萬一發現異物，則可藉由自護膜400上照射能量束等而進行異物之去除。以上係參考例中之光罩基板之製造方法之順序。
且說，光罩中產生之缺陷主要分類為缺失缺陷與多餘缺陷之2種。缺失缺陷係因於轉印用圖案中光學膜應殘存之位置之光學膜缺失等而導致透光率超過特定值者，亦稱為白缺陷。缺失缺陷例如可設為貫通光學膜之缺陷。另一方面，多餘缺陷係多餘之光學膜殘存於或異物附著於透明基板上或已形成之光學膜圖案上等而導致透光率低於特定(包含零)之缺陷，亦稱為黑缺陷。
其中，多餘缺陷可利用對多餘之殘存膜或異物照射雷射光束等能量束使之昇華等方法去除而修正缺陷。另一方面，對於缺失缺陷，進行使修正膜(包含與光學膜不同之素材)沈積於缺陷部分使之與正常之光學膜圖案同樣地發揮功能之修正，但不同於多餘缺陷，於護膜貼附後難以進行修正 等對製程之負擔較大。
根據本發明者之研究可明確，光罩之製造中產生之缺陷大部分為缺失缺陷，而且，缺失缺陷之大部分於光學膜之成膜製程中產生。因此，若能夠降低缺失缺陷之修正負荷，則能夠實現光罩製造製程之效率化。
參照圖3，對產生缺失缺陷之原因進行說明。
於透明基板100上成膜光學膜200而形成光罩基板10之情形時，用以形成光罩圖案之光學膜200係膜厚之中央值、偏差均精緻地得到管理而成膜。此時，存在異物混入至光學膜200之可能性(參照圖3(a))。例如，若沈積(附著)於成膜裝置(濺鍍裝置等)之真空腔室之內側之膜材料某種程度地生長，則有時因自身重量或膜應力而脫離，成為異物而掉落、附著於成膜中之光學膜200。此作為膜中異物AM而停留於光罩基板10上。再者，如此於成膜裝置之真空腔室內產生之異物之大小多數情況下為0.5~10μm左右。隨著膜生長，容易發生自裝置內壁等脫離，因此，大小超過1μm者並不少。再者，缺陷之大小可根據使直線與缺陷區域重疊時缺陷區域之外緣與直線相交之複數個交點間之距離且成為最大之距離而掌握。
若此種膜中異物AM於之後之光罩製造製程之任一階段或光罩製造後之使用階段自光學膜200脫落，則如圖3(b)所示，於光學膜200產生針孔。而且，此種針孔作為光罩之缺失缺陷而顯在化。
本發明者等人著眼於如下情況，即，若於對成膜有光學膜200之光罩 基板10實施圖案化前之階段(例如，圖1之抗蝕劑塗佈階段(步驟S3))，光學膜200中不存在缺失缺陷，則認為能夠大致抑制光罩產生缺失缺陷。於該情形時，可縮短圖2所示之遮罩製造製程。其原因在於不需要圖2中之包含圖案缺陷檢查(步驟S7)及修正(步驟S8)之至少2個製程。
因此，於本發明之實施形態之光罩製造方法中，於透明基板100上形成光學膜200，於對光學膜200實施圖案化前之狀態之光罩基板10中，能夠使缺失缺陷實質上為零。以下，有時將使缺失缺陷實質上為零之光罩基板稱為「無缺陷光罩基板」。
接下來，參照圖4及圖5之流程圖及模式圖對本實施形態之光罩製造方法進行說明。本實施形態之方法亦與上述參考例之方法同樣地，大致分類為(I)前製程(步驟S21~S27)與(II)後製程(步驟S28~S31))。
(I)前製程 (步驟S21)光學膜之成膜
首先，於步驟S21中，於透明基板100之一主表面成膜光學膜200。此與參考例之方法之步驟S1大致相同。藉由取得在透明基板100上已成膜有光學膜200之狀態之光罩基板，亦可省略該步驟S21。換言之，準備光罩基板(光罩基底)可藉由在透明基板100成膜光學膜200而進行，亦可藉由取得已完成成膜之光罩基底而進行。再者，作為一例，光學膜200係設為遮光膜201(參照圖7)，係具有將使光罩曝光的曝光之光實質上遮光之功能之膜。其光學密度(OD值)為1.5以上，較佳為2.0以上，更佳為3.0以上。光 罩基板較佳為於遮光膜201之表面上具有抗反射膜202(AR膜)。抗反射膜202可繼遮光膜201之成膜後進行成膜。於遮光膜201與抗反射膜202之間可存在明確之邊界，或者亦可藉由組成梯度而邊界不明確。
(步驟S22)清洗1'(塗佈前清洗)
其次，較佳為於步驟S22中，進行成膜光學膜200後之光罩基板10之清洗，去除異物，並且使光學膜200之表面潔淨。該步驟S22亦與參考例之方法之步驟S2大致相同。藉由該清洗製程，可使停留於光學膜200中之異物積極地脫落而使缺失缺陷顯在化。
清洗更佳為一面對形成有光學膜200之第1主表面施加機械力一面進行之清洗處理且伴隨所謂物理清洗之清洗。具體而言，伴隨物理清洗之清洗係一面使用清洗液(水或藥液)，一面藉由清洗具(刷、海綿等)或液流(使用超音波、噴流、射叢、氣泡等方法者)，對被清洗面施加機械力而進行的清洗。藉此，促進潛在地成為缺失缺陷之因素之膜中異物自光學膜200脫落，促進缺陷之顯在化。而且，預先防止於光罩製造製程或之後之光罩之操作等中新產生缺失缺陷。為了使異物有效地自光罩基板10脫落，更佳為於物理清洗之中亦使刷、海綿等清洗具相對於第1主表面物理性地接觸之接觸清洗。又，較佳為於該接觸清洗中亦同時使用藥液，於該情形時，作為使用之藥劑，可例示KOH或TMAH(Tetramethyl ammonium hydroxide，氫氧化四甲基銨)等鹼劑之稀釋液或使用界面活性劑之藥劑。
(步驟S23)修正(基板處理)
於後續步驟S23中，進行缺失缺陷之修正。如圖6(a)所示，於透明基板100上形成光學膜200(步驟S21)，可能有因之後於清洗製程中(步驟S22)自光學膜200脫落之異物而導致於光學膜200產生缺失缺陷(針孔缺陷)之情況。
於本實施形態之缺失缺陷之修正製程中，如圖6(b)所示，於光罩基板10之第1主表面側(光學膜200側)配置氣體簾幕單元500，向該第1主表面側供給用以形成修正膜之原料氣體。作為一例，氣體簾幕單元500可設為具備用以供給原料氣體之氣體供給系統501及抽吸滯留之氣體並排出至外部之氣體排氣系統502者。原料箱(未圖示)將包含惰性氣體之載氣(例如氬氣(Ar))朝向氣體簾幕單元500供給。原料箱使用於形成修正膜之原料藉由加熱而昇華，藉由將藉此氣體化之原料與載氣混合而生成原料氣體。
另一方面，於光罩基板10之第2主表面側配置用以照射雷射光之雷射光源600，將雷射光照射至第2主表面側。雷射光源600較佳為構成為能夠與氣體簾幕單元500一起於與光罩基板10之平面平行之面內遍及與整個第2主表面對應的區域移動。雷射光源600隔著光罩基板10配置於氣體簾幕單元500之相反側。
自雷射光源600朝向第2主表面側照射之雷射光係於光學膜200存在缺失缺陷之情形時，通過(透過)該缺失缺陷。然後，到達至第1主表面側，藉此，第1主表面側之原料氣體反應。繼而，如圖6(c)所示，原料氣體中之原料沈積於缺失缺陷附近，進行缺失缺陷之修正(雷射CVD法)。即，如 圖7所示，即便缺失缺陷產生於光罩基板10之光學膜200(遮光膜201及抗反射膜202)，原料氣體中之原料(例如鉻(Cr))亦填埋缺失缺陷，並沈積為修正膜203。
再者，照射至缺失缺陷以外之部分、即正常地沈積有光學膜200之位置之雷射光被光學膜200(遮光膜或抗反射膜)遮擋而未到達至第1主表面。因此，於正常地沈積有光學膜200之位置，修正膜203之沈積得到抑制，修正膜203僅沈積於缺失缺陷之位置。更佳為藉由將光罩基板10之整體加溫而能夠抑制膜材料沈積於不需要修正膜203之部分。例如加溫之溫度可設為40~50℃。
修正膜203之膜厚可藉由調整來自雷射光源600之雷射光之照射時間而進行控制。但，若修正膜203填充於缺失缺陷，則雷射光不再到達至該缺失缺陷，因此，不會形成膜厚過大之修正膜203。該點就於光罩之圖案化製程中不會對蝕刻終點之決定造成影響之方面而言較有利。
再者，有時產生如下不良情況，即，因所照射之雷射光於遮光膜201表面反射而產生雜散光，從而於遮光膜201上之無用位置形成修正膜203。但，於光學膜200中於遮光膜201上形成有抗反射膜202之情形時，具有能夠防止上述不良情況之優點。進而，為了抑制照射之雷射光於氣體簾幕單元等裝置構成物反射而成為雜散光，從而於無用位置形成修正膜203，較佳為該等裝置構成物亦於表面、尤其與光罩基板對向之面形成有抗反射膜。例如，作為抗反射膜，可例示使紫外線光之反射率降低之鍍覆 膜(藉由無電解鍍覆形成之具有凹凸之黑色皮膜)或黑色耐酸鋁處理膜等。
作為修正膜203之原料，較佳地使用金屬羰基化合物。具體而言，可例示羰基鉻(Cr(CO)6)、羰基鉬(Mo(CO)6)、羰基鎢(W(CO)6)等。作為光罩之修正膜，可較佳地使用耐藥性較高之羰基鉻。此處，於對修正膜203使用羰基鉻，且光學膜200中之遮光膜為包含Cr或其化合物(氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物或碳氮氧化物)之膜之情形時，均可藉由相同之蝕刻劑(例如硝酸鈰銨)進行蝕刻。此種材料之選擇由於不妨礙後段之光罩製造製程中之圖案化，而可藉由微影術形成精緻之轉印用圖案，故而較佳。
如上所述，氣體簾幕單元500及雷射光源600構成為可遍及光罩基板10之表面整體移動。藉由氣體簾幕單元500及雷射光源600遍及光罩基板10之表面整體移動，即便於光學膜200產生缺失缺陷，亦可不具體地特定出其位置而修正缺失缺陷。再者，自雷射光源600出射之雷射光較佳為波長λ=380nm以下之紫外線光。作為此種雷射光，例如可例示Nd.YLF(yttrium lithium fluoride，氟化釔鋰)雷射之λ=262nm。
(步驟S24)清洗2'(塗佈前清洗)
再次返回至圖4繼續說明。當藉由步驟S23而缺失缺陷之修正完成時，於下一步驟S24中，進行缺陷修正後之光罩基板10之清洗(塗佈前清洗)。藉此，可將於利用雷射CVD法之缺失缺陷之修正製程之期間沈積於光學膜200上之各種異物去除。
(步驟S25~S27)抗蝕劑塗佈/描畫/顯影、蝕刻
繼而，於步驟S25~S27中，執行與參考例之步驟S3~S5同樣之抗蝕劑塗佈、描畫及顯影、蝕刻。藉由以上，前製程結束。
(II)後製程
於本實施形態中，作為後製程，於步驟S28中執行與參考例之步驟S6同樣之抗蝕劑膜300之剝離行程及清洗製程之後，於步驟S29中執行異物檢查。於參考例(圖1)中，於步驟S6之後執行圖案缺陷檢查，但於本實施形態之方法中，可省略步驟S28之後之圖案缺陷檢查。
於本實施形態中，成膜光學膜200之後，於步驟S23中執行上述修正製程。於修正製程之前，無須進行圖案缺陷檢查。換言之，步驟S23之修正製程係不經過光學膜200之圖案缺陷檢查下而執行。
藉由步驟S29中之異物檢查確認無異物或修正由異物引起之缺陷後，於後續步驟S30中貼附護膜400，最後於步驟S31中再次執行異物檢查。藉此，本實施形態之光罩製造製程結束。
如以上所說明般，根據本實施形態之光罩基板之製造製程(修正製程)，可省略用於發現光罩基板10之光學膜200中之缺失缺陷之圖案缺陷檢查，藉此，可削減光罩基板之製造製程之製造成本及步驟數。
[裝置構成]
參照圖8及圖9說明適合於執行本實施形態之方法之基板處理裝置20之構成之一例。該基板處理裝置20係構成為於光罩基板10存在缺失缺陷之情形時能夠對其位置應用雷射CVD法而形成局部之修正膜的裝置。
如圖8所示，該基板處理裝置20包括上述氣體簾幕單元500與雷射光源600。進而，基板處理裝置20包括雷射位移計700、觀察用光學系統800、觀察用照明系統900、保持器1100、第1驅動系統1200、第2驅動系統1300及控制部2000。控制部2000進而包括作為中央控制裝置之主控制單元2001、控制第1驅動系統1200之第1驅動部控制部2002、驅動觀察用光學系統800之觀察用光學系統控制部2003、控制雷射位移計700之雷射位移計控制部2004、控制氣體簾幕單元500之氣體控制部2005、控制第2驅動系統1300之第2驅動部控制部2006、及控制雷射光源600之雷射控制部2007。
雷射位移計700及觀察用光學系統800係與氣體簾幕單元500同樣地配置於光罩基板10之第1主表面側，與氣體簾幕單元500成為一體，且構成為藉由第1驅動系統1200能夠於三維方向(XYZ方向)上移動。雷射位移計700檢測光罩基板10之表面之位置之變化，並將其檢測結果朝向作為控制部2000之一部分之雷射位移計控制部2004輸出。觀察用光學系統800係用以觀察光罩基板10之第1主表面側之光學系統，其觀察圖像可顯示於未圖示之監視器。再者，本說明書中，將設想於光罩基板10之主表面未產生彎曲之情形時的與主表面平行之面設為XY平面，將與主表面之長邊或短邊平行之方向設為X方向(第1或第2方向)，將XY平面內之與X方向垂直之方 向設為Y方向(第2或第1方向)。進而，將與X方向及Y方向垂直之方向(正交方向)設為Z方向。
再者，於該圖8之例中，氣體簾幕單元500藉由原料氣體供給管501'及氣體排出管502'而與氣體控制部2005連接。原料氣體供給管501'自原料箱(未圖示)朝向氣體簾幕單元500供給原料氣體。又，氣體排出管502'抽吸滯留於氣體簾幕單元500之周邊部之多餘之原料氣體，並自氣體簾幕單元500之周邊排出。一面調整原料氣體之供給與排氣之差壓一面將光罩基板10之修正對象位置及其附近設定為原料氣體氛圍。藉由適當調整氣體供給與排氣之差壓，而防止原料氣體氛圍變得不均勻。原料氣體供給管501'與氣體簾幕單元500係作為一體而構成氣體供給機構。原料氣體供給管501'與氣體簾幕單元500係於修正對象之光罩基板10之第1主表面側，於與光罩基板10平行之面內移動至所需之位置。
再者，有時產生如下不良情況，即，因所照射之雷射光於遮光膜201表面反射而產生雜散光，從而於遮光膜201上之多餘之位置形成修正膜203。與此相對，若於光學膜200中於遮光膜201上形成有抗反射膜202，則可防止該不良情況。就同樣之觀點而言，於氣體簾幕單元500之對向面(與遮光膜201表面對向之面)亦設置抗反射膜503就防止雜散光之觀點而言較佳。
另一方面，觀察用照明系統900將用於觀察用光學系統800之觀察之照明光照射至光罩基板10之第2主表面側。於光學膜200存在缺失缺陷之 情形時，照明光通過該缺失缺陷並到達至觀察用光學系統800，藉此，可於觀察用光學系統800觀察缺失缺陷之圖像。
觀察用照明系統900係與雷射光源600同樣地配置於光罩基板10之第2主表面側，與雷射光源600成為一體，且構成為藉由第2驅動系統1300能夠於三維方向上移動。再者，作為一例，第1驅動系統1200及第2驅動系統1300可包括使擔載物能夠於X方向上移動之X方向軌道、能夠於Y方向上移動之Y方向軌道、及能夠於Z方向上移動之Z方向軌道。第1驅動系統1200與第2驅動系統1300係以氣體簾幕單元500及雷射光源600之XY方向之位置始終一致之方式協動地動作。再者，氣體簾幕單元500較佳為構成為於向缺失缺陷之位置附近供給原料氣體之情形時，能夠以其原料氣體之均勻之供給範圍至少遠大於缺失缺陷之面積之方式供給氣體。
保持器1100構成為能夠將光罩基板10使上側作為膜面(形成有光學膜200之第1主表面)而實質上水平地保持。實質上水平包括於光罩基板10存在因自身重量或保持器之保持等引起之略微之彎曲之情形。而且，於保持器1100之上側配置有用以形成修正膜203之氣體簾幕單元500(原料氣體供給機構)，於保持器1100之下側配置有雷射光源600(雷射照射機構)。該等能夠以可於光罩基板之表面上之任意位置在相互對向之方向上進行軸對準之方式移動。於光罩基板10產生彎曲之情形時，較佳為預先掌握彎曲之傾向，據此亦能夠以可一面將光罩基板10與氣體簾幕單元500或雷射光源600之分開距離維持為固定一面移動的方式控制Z方向之移動。又，於保持器1100，如圖9所示，光罩基板10之第2另一主表面側露出，構成為光 罩基板10可接受來自雷射光源600之雷射光之照射。再者，圖9省略保持器1100之構成之一部分，表示簡化者。觀察用光學系統800與觀察用照明系統900係以XY方向之位置始終一致之方式控制位置。
再者，氣體簾幕單元500及雷射光源600只要相對於光罩基板10相對地移動即可。此處言及之相對移動可為於光罩基板10靜止之狀態下氣體簾幕單元500及雷射光源600移動，亦可與上述相反。或者，亦可為氣體簾幕單元500、雷射光源600及光罩基板10(保持器1100)均能夠移動。藉由該相對移動，可使原料氣體及雷射光到達至光罩基板10之第1主表面側之任意位置。
氣體簾幕單元500與雷射光源600亦可構成為於缺失缺陷之偵測機構(未圖示)偵測出缺失缺陷之位置時，使第1驅動系統1200及第2驅動系統1300之相對移動停止(Step & Repeat，分步重複)，然後開始原料氣體之供給與雷射光照射。或者，氣體簾幕單元500與雷射光源600亦可一面繼續(不中斷地)進行原料氣體之供給與雷射光照射一面使光罩基板整面掃描移動(整面掃描)而進行修正膜之沈積。其原因在於，為了於不進行光罩基板之缺陷檢測之情況下，作為下述「基板處理製程」，確實地獲得無缺陷光罩基板，可應用上述製程。再者，於整面掃描之情形時，較佳為使移動速度可變而進行控制。於該情形時，可藉由調整移動速度而調整修正膜之沈積量。
以上，對光罩基板10之缺失缺陷之修正方法進行了說明。於上述例 中，缺失缺陷之修正係對整面執行而不預先檢測缺失缺陷之存在。但，本發明並不限定於此，當然，亦可檢測缺失缺陷之存在之有無，於存在之情形時，特定出缺失缺陷之位置之後，執行同樣之缺陷之修正製程。又，此處言及之「整面」係為了特定及修正光罩基板之缺失缺陷所需之所有範圍之程度之含義，當然，並不限定於100%掃描形成有光學膜200之區域。
又，本發明包含修正光罩基板之製造方法。即，修正光罩基板之製造方法亦可包含於本發明之範圍，該修正光罩基板之製造方法包含：準備帶光學膜之光罩基板之製程，該光罩基板係於透明基板上形成有用以藉由圖案化而形成轉印用圖案之光學膜；及應用上述缺陷修正方法進行修正之製程。
又，本發明包含藉由該製造方法製造之光罩基板本身。即，修正光罩基板亦可包含於本發明之範圍，該修正光罩基板具有如下構造：藉由實施上述修正方法，僅於形成於光罩基板之光學膜之缺失缺陷之部分填充修正膜材料，於其他部分未沈積有修正膜。
進而，本發明包含應用上述修正方法之光罩之製造方法。又，本發明包含具有圖案化製程之光罩之製造方法，上述圖案化製程係準備上述修正光罩基板，對該光罩基板藉由實施描畫、顯影及蝕刻而形成轉印用圖案。此處，準備之修正光罩基板可為未形成圖案之光罩基底，又，亦可為於一部分形成有圖案之光罩中間體。
又，亦可視需要進行缺陷修正之後，進行新的光學膜之成膜。利用該製造方法形成之光罩亦可於將實施上述修正後之光學膜圖案化而成之光學膜圖案之上側具有其他光學膜或光學膜圖案。只要不妨礙本發明之作用效果，則光罩基板之膜構成或材料並無特別限制。
作為光學膜之膜材料，較佳為Cr或其化合物，但亦可為包含Mo、W(鎢)、Ta、Ti之金屬之矽化物或該矽化物之上述化合物。但，於修正膜203與光學膜200包含可利用相同之蝕刻劑蝕刻之材料之情形時，於之後之圖案化製程中修正膜203與光學膜200表現相同之行為而不妨礙蝕刻，因而較佳。例如，於光學膜200包含Cr系之材料之情形時，較佳為修正膜203亦包含Cr系之材料。又，光學膜200較佳為具備遮光膜201、及形成於遮光膜201上之抗反射膜202之構成，該抗反射膜202亦較佳為利用與遮光膜201之蝕刻劑相同之蝕刻劑蝕刻者。抗反射膜202之較佳之材料為Cr化合物(氧化物、氮化物、氮氧化物等)。再者，應用本發明之光罩修正方法而製造之光罩之用途並無特別限制。
本發明之光罩基板之修正方法對顯示裝置(所謂平板顯示器)製造用之光罩而言特佳。作為顯示裝置之例，例如可列舉LCD(Liquid Crystal Display)(液晶顯示裝置)或OLED(Organic Light-Emitting Diode，有機發光二極體)(有機EL(electroluminescent，電致發光)顯示裝置)等。顯示裝置亦可包含所謂可摺疊顯示器及可捲曲顯示器。此種顯示裝置製造用之光罩之尺寸較其他領域之光罩大，根據光罩之尺寸，成膜裝置亦較其他用途之裝置大。因此，異物產生之概率較高，本發明尤其有效地發揮功能。再 者，此處之顯示裝置製造用係以不僅包含顯示裝置其本身，而且包含搭載於顯示裝置之顯示裝置用器件之製造用的含義使用。又，此處之光罩為等倍曝光用之光罩，但亦可為藉由投影曝光進行轉印之光罩，或者還可為近接曝光用。
本發明並不限定於上述實施例，包含各種變化例。上述實施例係為了容易理解地說明本發明而詳細地說明者，不一定限定於具備所說明之所有構成者。又，亦可將某實施例之構成之一部分替換為其他實施例之構成。又，亦可對某實施例之構成添加其他實施例之構成。又，亦可對各實施例之構成之一部分追加、刪除、置換其他實施例之構成。
10:光罩基板
100:透明基板
200:光學膜
500:氣體簾幕單元
501:氣體供給系統
502:氣體排氣系統
600:雷射光源

Claims (15)

  1. 一種光罩基板之修正方法，其特徵在於具有：準備光罩基板之製程，該光罩基板係於透明基板之一主表面形成有用以形成轉印用圖案之光學膜；及修正製程，其係對上述光學膜中產生之缺失缺陷形成修正膜；且上述修正製程係一面對上述光罩基板之形成有上述光學膜之第1主表面中之上述缺失缺陷之位置附近供給原料氣體，一面抽吸多餘之上述原料氣體，使上述缺失缺陷之位置及其附近成為原料氣體氛圍，並且自上述光罩基板之第2主表面側照射雷射光，藉由已透過上述缺失缺陷之上述雷射光使上述原料氣體反應，使上述修正膜沈積於上述第1主表面之上述缺失缺陷之位置，於上述修正製程中，一面進行上述原料氣體之供給與抽吸以及上述雷射光之照射，一面對上述光罩基板之整面進行掃描。
  2. 如請求項1之光罩基板之修正方法，其中上述修正製程係不經過上述光學膜之圖案缺陷檢查下而執行。
  3. 如請求項1或2之光罩基板之修正方法，其中上述光學膜與上述修正膜包含可利用相同之蝕刻劑蝕刻之材料。
  4. 如請求項1或2之光罩基板之修正方法，其中上述光學膜及上述修正膜包含Cr。
  5. 如請求項1或2之光罩基板之修正方法，其中上述光學膜包含遮光膜。
  6. 如請求項1或2之光罩基板之修正方法，其中上述修正製程係使上述原料氣體之供給機構及上述雷射光之照射機構於隔著上述光罩基板相互對向之狀態下，在與上述光罩基板平行之面內分別移動而進行。
  7. 如請求項1或2之光罩基板之修正方法，其中於上述修正製程之前具有清洗上述光罩基板之清洗製程。
  8. 如請求項7之光罩基板之修正方法，其中上述清洗製程包含物理清洗。
  9. 一種光罩基板之製造方法，其包含如請求項1至8中任一項之光罩基板之修正方法。
  10. 一種光罩基板之處理方法，其包含：準備光罩基板之製程，該光罩基板於透明基板之一主表面形成有用以形成轉印用圖案之光學膜；保持上述光罩基板之製程；及基板處理製程，其係一面對所保持之上述光罩基板之形成有上述光學膜之第1主表面側供給原料氣體，一面抽吸多餘之上述原料氣體，使對 象位置及其附近成為原料氣體氛圍，並且自上述光罩基板之第2主表面側對上述第1主表面側照射雷射光，且使被實施上述雷射光之照射及上述原料氣體之供給之對象位置相對於上述光罩基板相對地移動；且上述基板處理製程係於上述光學膜存在缺失缺陷時，藉由已透過上述缺失缺陷之上述雷射光使上述原料氣體反應，以修正膜沈積於上述第1主表面之上述缺失缺陷之位置之方式控制上述雷射光之照射及上述原料氣體之供給，於上述基板處理製程中，一面進行上述原料氣體之供給與抽吸以及上述雷射光之照射，一面對上述光罩基板之整面進行掃描。
  11. 一種光罩基板之製造方法，其包含如請求項10之光罩基板之處理方法。
  12. 一種光罩之製造方法，其包含如下製程：準備利用如請求項9或11之製造方法形成之光罩基板；及圖案化製程，其係對上述光罩基板藉由實施描畫、顯影及蝕刻而形成轉印用圖案。
  13. 一種基板處理裝置，其係對光罩基板進行處理者，且包括：保持器，其用以保持上述光罩基板；氣體簾幕單元，其具備將原料氣體供給至所保持之上述光罩基板之第1主表面側之氣體供給機構，及抽吸多餘之上述原料氣體之排出機構，且該氣體簾幕單元使上述第1主表面之對象位置及其附近成為原料氣體氛 圍；雷射照射機構，其用以自上述光罩基板之第2主表面側對上述第1主表面側照射雷射光；移動機構，其使上述氣體簾幕單元及上述雷射照射機構分別於與上述光罩基板平行之面內相對於上述光罩基板相對移動；及控制機構，其以如下方式控制上述移動機構、上述氣體簾幕單元及上述雷射照射機構，即，上述氣體簾幕單元及上述雷射照射機構隔著上述光罩基板相互對向地配置，並且對上述光罩基板之整面進行掃描，對修正對象位置進行上述原料氣體之供給與上述雷射光之照射。
  14. 如請求項13之基板處理裝置，其中上述移動機構能夠使上述氣體簾幕單元及上述雷射照射機構在與保持於上述保持器上之上述光罩基板平行之面內相對於第1方向及與上述第1方向交叉之第2方向之各方向分別移動。
  15. 如請求項13或14之基板處理裝置，其中上述氣體簾幕單元於其表面具備抗反射膜。
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