JPH0862827A - 位相シフトマスクおよびその修正方法 - Google Patents
位相シフトマスクおよびその修正方法Info
- Publication number
- JPH0862827A JPH0862827A JP19577094A JP19577094A JPH0862827A JP H0862827 A JPH0862827 A JP H0862827A JP 19577094 A JP19577094 A JP 19577094A JP 19577094 A JP19577094 A JP 19577094A JP H0862827 A JPH0862827 A JP H0862827A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase shift
- shift mask
- glass substrate
- shifter
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、位相シフトマスクのシフターホ
ール内の残渣欠陥の修正方法に関し、従来の工程を変更
したり、追加することなしに、且つ修正作業による欠陥
発生がないよう残渣欠陥を修正する。 【構成】 位相シフトマスク用ガラス基板１のシフタ
ーホール２内に存在する残渣欠陥３を集光レンズ５で収
束したレーザ光４を用いてエッチング除去することによ
り、また、前記レーザ光４にエキシマレーザを用いるこ
とにより、更に、前記レーザ光４によるガラス基板１の
エッチングを不活性ガス雰囲気中、或いはアシストガス
雰囲気中で行う。
ール内の残渣欠陥の修正方法に関し、従来の工程を変更
したり、追加することなしに、且つ修正作業による欠陥
発生がないよう残渣欠陥を修正する。 【構成】 位相シフトマスク用ガラス基板１のシフタ
ーホール２内に存在する残渣欠陥３を集光レンズ５で収
束したレーザ光４を用いてエッチング除去することによ
り、また、前記レーザ光４にエキシマレーザを用いるこ
とにより、更に、前記レーザ光４によるガラス基板１の
エッチングを不活性ガス雰囲気中、或いはアシストガス
雰囲気中で行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、位相シフトマスク（位
相レチクル）のシフターホール内の残渣欠陥の修正方法
に関する。
相レチクル）のシフターホール内の残渣欠陥の修正方法
に関する。
【０００２】近年の半導体デバイスの微細化により、通
常のフォトマスクでは、光強度の干渉により微細なパタ
ーンをウエハ上に焼き付けることができず、光の位相を
ずらして、光強度の干渉を利用する位相シフトマスクが
要求されている。
常のフォトマスクでは、光強度の干渉により微細なパタ
ーンをウエハ上に焼き付けることができず、光の位相を
ずらして、光強度の干渉を利用する位相シフトマスクが
要求されている。
【０００３】
【従来の技術】図４は従来例の説明図である。図におい
て、１はガラス基板、１’はクロム膜、２はシフターホ
ール、３は残渣欠陥である。
て、１はガラス基板、１’はクロム膜、２はシフターホ
ール、３は残渣欠陥である。
【０００４】位相シフトマスクにおいては、位相をシフ
トさせるために、ガラス上にエッチング等により全体が
シフターとなるホールを作成し、この部分をシフターホ
ールと定義する。
トさせるために、ガラス上にエッチング等により全体が
シフターとなるホールを作成し、この部分をシフターホ
ールと定義する。
【０００５】図４（ａ）に位相シフトマスクの表面を下
にした断面図で示すように、ガラス基板１上に作成され
たシフターホール２内に突起状の残渣欠陥３が生じた場
合、その残渣欠陥３の除去修正のやり方として、従来は
残渣欠陥上部に着色層を形成し、この着色層を吸収する
波長帯を有するレーザ光を使用し、残渣欠陥を選択的に
除去する方法があった。（特開平４−１２８７５８号公
報） ところが、この方法では、この残渣欠陥上に着色層を形
成するために、別プロセスを構築する必要がある。ま
た、着色層形成の状態により、必要箇所以外の場所で、
レーザ光の吸収が起き、エッチングされてしまうことが
ある。
にした断面図で示すように、ガラス基板１上に作成され
たシフターホール２内に突起状の残渣欠陥３が生じた場
合、その残渣欠陥３の除去修正のやり方として、従来は
残渣欠陥上部に着色層を形成し、この着色層を吸収する
波長帯を有するレーザ光を使用し、残渣欠陥を選択的に
除去する方法があった。（特開平４−１２８７５８号公
報） ところが、この方法では、この残渣欠陥上に着色層を形
成するために、別プロセスを構築する必要がある。ま
た、着色層形成の状態により、必要箇所以外の場所で、
レーザ光の吸収が起き、エッチングされてしまうことが
ある。
【０００６】このため、シフターホール２を持つ位相シ
フトフォトマスクの製作において、図４（ａ）に示すよ
うに、位相シフトマスク用ガラス基板１のシフターホー
ル２内に残渣欠陥３がある場合、ウエハ上で図４（ｃ）
に示すように、残渣欠陥部の位相と欠陥周辺部での位相
が反転し、図４（ｄ）に示すように、全体的に、光強度
を打ち消してしまい、光強度が不足して解像そのものが
できなかったり、黒点系の欠陥が発生するため、無欠陥
なシフターホール２を製作する必要がある。
フトフォトマスクの製作において、図４（ａ）に示すよ
うに、位相シフトマスク用ガラス基板１のシフターホー
ル２内に残渣欠陥３がある場合、ウエハ上で図４（ｃ）
に示すように、残渣欠陥部の位相と欠陥周辺部での位相
が反転し、図４（ｄ）に示すように、全体的に、光強度
を打ち消してしまい、光強度が不足して解像そのものが
できなかったり、黒点系の欠陥が発生するため、無欠陥
なシフターホール２を製作する必要がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従って、レーザ光の吸
収が行われたところは、平坦部でもガラス基板のエッチ
ングが行われて、欠けパターンの欠陥を発生するといっ
た問題を生じていた。
収が行われたところは、平坦部でもガラス基板のエッチ
ングが行われて、欠けパターンの欠陥を発生するといっ
た問題を生じていた。
【０００８】本発明は、以上の点を鑑み、位相シフトマ
スクのシフターホール内の残渣欠陥を従来の工程を変更
したり、追加することなしに、且つ修正作業による欠陥
発生がないよう残渣欠陥を修正することを目的として提
供される。
スクのシフターホール内の残渣欠陥を従来の工程を変更
したり、追加することなしに、且つ修正作業による欠陥
発生がないよう残渣欠陥を修正することを目的として提
供される。
【０００９】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図である。図において、１は位相シフトマスク用のガラ
ス基板、２は位相をシフトさせるためにガラス基板内に
形成されたシフターホールであり、全体がシフターとな
り、３はこのシフターホール内に出来た残渣欠陥、４は
レーザ光であり、残渣をエッチングする効果を有し、５
はレーザ光を集光するための集光レンズである。
図である。図において、１は位相シフトマスク用のガラ
ス基板、２は位相をシフトさせるためにガラス基板内に
形成されたシフターホールであり、全体がシフターとな
り、３はこのシフターホール内に出来た残渣欠陥、４は
レーザ光であり、残渣をエッチングする効果を有し、５
はレーザ光を集光するための集光レンズである。
【００１０】このレーザ光エッチングではガラス基板の
エッチング加工深さは光強度とショット回数に関係し、
一定の光強度においては、図２に示すように、レーザ光
のショット回数に比例してガラス基板エッチングの加工
深さが決まってくる。
エッチング加工深さは光強度とショット回数に関係し、
一定の光強度においては、図２に示すように、レーザ光
のショット回数に比例してガラス基板エッチングの加工
深さが決まってくる。
【００１１】すなわち、本発明の本発明の目的は、図１
に示すように、位相シフトマスク用ガラス基板１のシフ
ターホール２内に存在する残渣欠陥３を集光レンズ５で
収束したレーザ光４を用いてエッチング除去することに
より、また、前記レーザ光４にエキシマレーザを用いる
ことにより、更に、前記レーザ光４によるガラス基板１
のエッチングを不活性ガス雰囲気中、或いはアシストガ
ス雰囲気中で行うことにより達成される。
に示すように、位相シフトマスク用ガラス基板１のシフ
ターホール２内に存在する残渣欠陥３を集光レンズ５で
収束したレーザ光４を用いてエッチング除去することに
より、また、前記レーザ光４にエキシマレーザを用いる
ことにより、更に、前記レーザ光４によるガラス基板１
のエッチングを不活性ガス雰囲気中、或いはアシストガ
ス雰囲気中で行うことにより達成される。
【００１２】
【作用】上記のように、本発明では修正すべきシフター
ホール内の残渣欠陥に対して、ガラス加工が出来るエキ
シマレーザ光の集光レンズによる集光を行い、残渣欠陥
の部分に選択的にレーザ光を照射することにより、図２
に示したようなガラス基板の深さ方向へのエッチング量
で、残差欠陥のエッチングが行われるため、残渣欠陥が
完全に除去されるようになっている。
ホール内の残渣欠陥に対して、ガラス加工が出来るエキ
シマレーザ光の集光レンズによる集光を行い、残渣欠陥
の部分に選択的にレーザ光を照射することにより、図２
に示したようなガラス基板の深さ方向へのエッチング量
で、残差欠陥のエッチングが行われるため、残渣欠陥が
完全に除去されるようになっている。
【００１３】通常、ガラス（溶融石英）基板内のシフタ
ーホール（シフター）の深さは、ｉ線用フォトマスクで
は、 ｄ（深さ）＝λ／２（ｎ−１）＝３９６．７４ｎｍ となり、この深さをエッチングするレーザ光のショット
回数としては、２回ないし３回が必要となる。
ーホール（シフター）の深さは、ｉ線用フォトマスクで
は、 ｄ（深さ）＝λ／２（ｎ−１）＝３９６．７４ｎｍ となり、この深さをエッチングするレーザ光のショット
回数としては、２回ないし３回が必要となる。
【００１４】
【実施例】図３は本発明の一実施例の説明図である。図
において、１は位相シフトマスク用のガラス基板、３は
このシフターホール内に出来た残渣欠陥、４はレーザ
光、４’はエキシマレーザ光（ＡｒＦ）、５はレーザ光
を集光するための集光レンズ、５’は第２に集光レン
ズ、５”は第３の集光レンズ、６はレーザ光のビーム形
状を変更するスリット、７はエキシマレーザ源、８はエ
キシマレーザの光路、９は光学系を構成する反射板、10
は作業者が残渣欠陥を確認するためのＣＣＤ顕微鏡、11
はＸＹステージ、12はＨｅ−Ｎｅレーザ源である。
において、１は位相シフトマスク用のガラス基板、３は
このシフターホール内に出来た残渣欠陥、４はレーザ
光、４’はエキシマレーザ光（ＡｒＦ）、５はレーザ光
を集光するための集光レンズ、５’は第２に集光レン
ズ、５”は第３の集光レンズ、６はレーザ光のビーム形
状を変更するスリット、７はエキシマレーザ源、８はエ
キシマレーザの光路、９は光学系を構成する反射板、10
は作業者が残渣欠陥を確認するためのＣＣＤ顕微鏡、11
はＸＹステージ、12はＨｅ−Ｎｅレーザ源である。
【００１５】図３の本発明の一実施例の説明図では、レ
ーザ光４としてエキシマレーザを使用したガラス残渣欠
陥修正装置の構成を示している。通常の動作は、表面検
査装置で検出された残渣欠陥３をデータとして取り込
み、ＸＹステージ11が移動し、ＣＣＤ顕微鏡10の視野内
へ残渣欠陥３が写し出される。このステージを微調整し
て、Ｈｅ−Ｎｅレーザ源12から発したガイドライン用レ
ーザを使用し、エキシマレーザ光４’が残渣欠陥３に照
射されるように調整する。
ーザ光４としてエキシマレーザを使用したガラス残渣欠
陥修正装置の構成を示している。通常の動作は、表面検
査装置で検出された残渣欠陥３をデータとして取り込
み、ＸＹステージ11が移動し、ＣＣＤ顕微鏡10の視野内
へ残渣欠陥３が写し出される。このステージを微調整し
て、Ｈｅ−Ｎｅレーザ源12から発したガイドライン用レ
ーザを使用し、エキシマレーザ光４’が残渣欠陥３に照
射されるように調整する。
【００１６】そして、残渣欠陥のサイズや形状を考慮
し、レーザ光のビームをスリット６を調整してビーーム
形状を変え、集光レンズ５によってレーザ光４のスポッ
トサイズを残渣欠陥に相当する大きさに調整する。
し、レーザ光のビームをスリット６を調整してビーーム
形状を変え、集光レンズ５によってレーザ光４のスポッ
トサイズを残渣欠陥に相当する大きさに調整する。
【００１７】このとき、レーザ光の光径は、 Ｆ：レンズ直径と焦点距離によって決められた定数 となる。
【００１８】また、集光レンズを５’や５”の位置に移
動させることにより、スリット６のサイズ変更だけでな
く、レンズ系を変更することによるスポットサイズの変
更をも本発明では可能とすることができる。これによ
り、スリット６の調整だけでは、不充分であったレーザ
光４のビームのスポットサイズ調整が可能となる。
動させることにより、スリット６のサイズ変更だけでな
く、レンズ系を変更することによるスポットサイズの変
更をも本発明では可能とすることができる。これによ
り、スリット６の調整だけでは、不充分であったレーザ
光４のビームのスポットサイズ調整が可能となる。
【００１９】また、残渣欠陥周辺雰囲気をヘリウムガス
雰囲気にすることにより、修正時に異物が付着すること
を防止できる。この方法として、修正機構分をチャンバ
13内にし、真空引きを行い、不活性ガス等のアシストガ
スを注入することにより、安定した修正を行うことがで
きる。
雰囲気にすることにより、修正時に異物が付着すること
を防止できる。この方法として、修正機構分をチャンバ
13内にし、真空引きを行い、不活性ガス等のアシストガ
スを注入することにより、安定した修正を行うことがで
きる。
【００２０】処理時の条件の一例を下記に示す。 ・到達真空度 １×１０-7Ｔｏｒｒ ・ヘリウムガス流量 ９．５ｓｃｃｍ ・チャンバ内圧力 ６×１０-3Ｔｏｒｒ アシストガス系にする場合は、ガス噴出部（ヘリウムガ
ス流量：約２５０ｃｃ／ｍｉｎ）を修正実行箇所に取り
付けることにより、残渣欠陥の修正を異物付着を防止し
ながら行うことができる。
ス流量：約２５０ｃｃ／ｍｉｎ）を修正実行箇所に取り
付けることにより、残渣欠陥の修正を異物付着を防止し
ながら行うことができる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ゴミ等の異物付着によるガラス基板のエッチング加工に
おけるシフター（シフターホール) 内のガラス残渣欠陥
の修正が可能となる効果を奏し、マスクまたはレチクル
の製作歩留りは従来例で３０％であったものが、本発明
の実施により７０％と倍以上程度まで向上した。
ゴミ等の異物付着によるガラス基板のエッチング加工に
おけるシフター（シフターホール) 内のガラス残渣欠陥
の修正が可能となる効果を奏し、マスクまたはレチクル
の製作歩留りは従来例で３０％であったものが、本発明
の実施により７０％と倍以上程度まで向上した。
【００２２】また、ウエハプロセスで、位相シフト欠陥
がなくなり、ウエハ歩留りの向上に寄与するところが大
きい。
がなくなり、ウエハ歩留りの向上に寄与するところが大
きい。
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 レーザエッチングのショット回数と加工深さ
の関係
の関係
【図３】 本発明の一実施例の説明図
【図４】 従来例の説明図
図において １ ガラス基板 １’クロム膜 ２ シフターホール ３ 残渣欠陥 ４ レーザ光 ４’エキシマレーザ光 ５ 集光レンズ ６ スリット ７ エキシマレーザ源 ８ 光路 ９ 反射板 10 ＣＣＤ顕微鏡 11 ＸＹステージ 12 Ｈｅ−Ｎｅレーザ源 13 チャンバ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５２８
Claims (4)
- 【請求項１】 位相シフトマスク用ガラス基板のシフタ
ーホール内に存在する残渣欠陥を集光レンズで収束した
レーザ光を用いてエッチング除去することを特徴とする
位相シフトマスクの修正方法。 - 【請求項２】 前記レーザ光にエキシマレーザを用いる
ことを特徴とする請求項１記載の位相シフトマスクの修
正方法。 - 【請求項３】 前記レーザ光によるガラス基板のエッチ
ングを不活性ガス雰囲気中、或いはアシストガス雰囲気
中で行うことを特徴とする請求項１または２記載の位相
シフトマスクの修正方法。 - 【請求項４】 ガラス基板のシフターホール内に存在す
る残渣欠陥が、集光レンズで収束したレーザ光を用いて
エッチング除去されたことを特徴とする位相シフトマス
ク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19577094A JPH0862827A (ja) | 1994-08-19 | 1994-08-19 | 位相シフトマスクおよびその修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19577094A JPH0862827A (ja) | 1994-08-19 | 1994-08-19 | 位相シフトマスクおよびその修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0862827A true JPH0862827A (ja) | 1996-03-08 |
Family
ID=16346677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19577094A Withdrawn JPH0862827A (ja) | 1994-08-19 | 1994-08-19 | 位相シフトマスクおよびその修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0862827A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005507318A (ja) * | 2001-03-22 | 2005-03-17 | エグシル テクノロジー リミテッド | レーザ加工システム及び方法 |
| US6890387B2 (en) | 2000-10-19 | 2005-05-10 | Laserfront Technologies, Inc. | Method and device for correcting pattern film on a semiconductor substrate |
| CN113985696A (zh) * | 2021-11-10 | 2022-01-28 | 泉意光罩光电科技(济南)有限公司 | 掩模版修补方法及装置、掩模版修补控制设备和存储介质 |
-
1994
- 1994-08-19 JP JP19577094A patent/JPH0862827A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6890387B2 (en) | 2000-10-19 | 2005-05-10 | Laserfront Technologies, Inc. | Method and device for correcting pattern film on a semiconductor substrate |
| JP2005507318A (ja) * | 2001-03-22 | 2005-03-17 | エグシル テクノロジー リミテッド | レーザ加工システム及び方法 |
| JP4643889B2 (ja) * | 2001-03-22 | 2011-03-02 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | レーザ加工システム及び方法 |
| CN113985696A (zh) * | 2021-11-10 | 2022-01-28 | 泉意光罩光电科技(济南)有限公司 | 掩模版修补方法及装置、掩模版修补控制设备和存储介质 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011106 |