JP3353121B2 - シフター凸欠陥修正方法 - Google Patents
シフター凸欠陥修正方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，位相シフトフオトマス
クにおけるシフターの凸欠陥修正に関するもので、特
に、すくなくとも遮光パターン上にシフターを有する、
位相シフトフオトマスクのシフターの凸欠陥修正に関す
る。
クにおけるシフターの凸欠陥修正に関するもので、特
に、すくなくとも遮光パターン上にシフターを有する、
位相シフトフオトマスクのシフターの凸欠陥修正に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の高集積化にとも
なって、この回路作製に用いられるレチクルにも、一層
の微細化が求められるようになってきた。現在では、１
６ＭのＤＲＡＭ用５倍レチクルのレチクルから転写され
るデバイスパターンの線幅は０．６μｍと微細なもので
ある。６４ＭのＤＲＡＭのデバイスパターンの場合に
は、０．３５μｍ線幅の解像が必要となってきており、
従来のステッパーを用いた光露光方式ではもはや限界に
きている。この為、光露光におけるレチクルから転写さ
れるデバイスパターンの解像性を上げることができ、現
状のステッパーにて使用できる方式の位相シフトマスク
が注目されるようになってきた。位相シフトマスクにつ
いては、特開昭５８−１７３４４号、特公昭６２−５９
２９６号に、すでに、基本的な考え、原理は記載されて
いるが、現状の、光露光のシステムをそのまま継続使用
できるメリットがみなおされ、各種タイプの位相シフト
マスクの開発が盛んに検討されるようになってきた。
なって、この回路作製に用いられるレチクルにも、一層
の微細化が求められるようになってきた。現在では、１
６ＭのＤＲＡＭ用５倍レチクルのレチクルから転写され
るデバイスパターンの線幅は０．６μｍと微細なもので
ある。６４ＭのＤＲＡＭのデバイスパターンの場合に
は、０．３５μｍ線幅の解像が必要となってきており、
従来のステッパーを用いた光露光方式ではもはや限界に
きている。この為、光露光におけるレチクルから転写さ
れるデバイスパターンの解像性を上げることができ、現
状のステッパーにて使用できる方式の位相シフトマスク
が注目されるようになってきた。位相シフトマスクにつ
いては、特開昭５８−１７３４４号、特公昭６２−５９
２９６号に、すでに、基本的な考え、原理は記載されて
いるが、現状の、光露光のシステムをそのまま継続使用
できるメリットがみなおされ、各種タイプの位相シフト
マスクの開発が盛んに検討されるようになってきた。
【０００３】図１（ａ）に記載のような、遮光層パター
ンを設けたガラス基板上にシフター層をパターンニング
形成する構造の、上シフター型と呼ばれる位相シフトマ
スクも提案されている。しかしながら、このマスクは、
通常のシフター層を用いないマスクに比較して、構成が
複雑で、多くの工程を必要とする為、図１（ａ）の
（イ）に記載される、本来、シフター材が不要な部分
に、シフター材が残留し、Ａ部、Ｂ部のように、シフタ
ー材が形成されたままマスク作製工程が完了する場合が
ある。（以後、このＡ部、Ｂ部のようなシフター材が不
要な部分に残留したものをシフターの凸欠陥と言う。）
このシフターの凸欠陥は、そのままでマスクとして使用
された場合、マスクの解像性向上には寄与せず、むし
ろ、マスク転写時には、デバイスパターン等に欠陥を生
じさせるものである。したがって、実用化には、シフタ
ーの修正も必要で、適当な修正方法が検討されている
が、現状では、マスク自体も、各種タイプが伴行してお
り、特に、余分なシフター材を除去するシフターの修正
方法については、適当な方法がない状態である。このシ
フターの凸欠陥の修正には、従来のクロムを主成分とす
る遮光層の凸欠陥修正に使われていたレーザビームを用
いることをも考えられるが、シフター材に、ＳｉＯ2 系
を用いた場合には、レーザビームを吸収せず、レーザビ
ームを吸収させるためのなんらかの方法が必要とされて
いた。又、ＳｉＯ2 系の物質をシフター材とした場合に
は、通常、ＦＩＢ装置を用い、ミリングによる修正、ま
たは、所定のガスをイオンビームによって励起し、エッ
チングするガスアシストエッチングによる修正も提案さ
れているが、一般に、エッチング時のエンドポイント検
出法は、Ｃｒイオン（遮光パターンの主成分）及びＳｉ
イオン（ガラス基板の主成分）の増減をモニターする方
法、または二次電子量をモニターする方法が採られてい
る為、シフター凸欠陥部を除去するにあたり、エッチン
グのエンドポイントの検出がが難しいとされていた。こ
れは、シフター材に、ＳｉＯ2 系の物質を使用し、シフ
ターの凸欠陥のみを、ＦＩＢ装置を用い、ミリングによ
る修正、またはガスアシストエッチングによる修正しよ
うとした場合には、エッチングストッパー層がないマス
クにおいては、凸欠陥部シフターの下にはガラス基板
で、エンドポイントが確認ができず、ガラス基板までエ
ッチングまたはミリングが行われてしまう為である。。
又、エッチングストッパー層がある場合にも、ビームの
分布、フオーカスぼけ、照射位置ドリフトなどにより、
欠陥部周辺のエッチングストッパー層を削ってしまい、
下層からのＳｉのシグナルが検出されてしまったり、シ
フターのエッチングがオーバーだと、エッチングストッ
パー層が薄くなり、下層のガラス基板のシグナルが検出
されてしまうことがある為である。又、実務上、エッチ
ングストッパー層の有無により、凸欠陥の修正方法を分
けることは難しく、エッチングストッパー層の有無に係
わらず、そして上記いずれの従来からのエンドポイント
モニター方法でもを使用でき、ＦＩＢにおけるシフター
の凸欠陥において、エッチング修正、ミリング修正での
確実なエンドポイント確認方法が求められていた。
ンを設けたガラス基板上にシフター層をパターンニング
形成する構造の、上シフター型と呼ばれる位相シフトマ
スクも提案されている。しかしながら、このマスクは、
通常のシフター層を用いないマスクに比較して、構成が
複雑で、多くの工程を必要とする為、図１（ａ）の
（イ）に記載される、本来、シフター材が不要な部分
に、シフター材が残留し、Ａ部、Ｂ部のように、シフタ
ー材が形成されたままマスク作製工程が完了する場合が
ある。（以後、このＡ部、Ｂ部のようなシフター材が不
要な部分に残留したものをシフターの凸欠陥と言う。）
このシフターの凸欠陥は、そのままでマスクとして使用
された場合、マスクの解像性向上には寄与せず、むし
ろ、マスク転写時には、デバイスパターン等に欠陥を生
じさせるものである。したがって、実用化には、シフタ
ーの修正も必要で、適当な修正方法が検討されている
が、現状では、マスク自体も、各種タイプが伴行してお
り、特に、余分なシフター材を除去するシフターの修正
方法については、適当な方法がない状態である。このシ
フターの凸欠陥の修正には、従来のクロムを主成分とす
る遮光層の凸欠陥修正に使われていたレーザビームを用
いることをも考えられるが、シフター材に、ＳｉＯ2 系
を用いた場合には、レーザビームを吸収せず、レーザビ
ームを吸収させるためのなんらかの方法が必要とされて
いた。又、ＳｉＯ2 系の物質をシフター材とした場合に
は、通常、ＦＩＢ装置を用い、ミリングによる修正、ま
たは、所定のガスをイオンビームによって励起し、エッ
チングするガスアシストエッチングによる修正も提案さ
れているが、一般に、エッチング時のエンドポイント検
出法は、Ｃｒイオン（遮光パターンの主成分）及びＳｉ
イオン（ガラス基板の主成分）の増減をモニターする方
法、または二次電子量をモニターする方法が採られてい
る為、シフター凸欠陥部を除去するにあたり、エッチン
グのエンドポイントの検出がが難しいとされていた。こ
れは、シフター材に、ＳｉＯ2 系の物質を使用し、シフ
ターの凸欠陥のみを、ＦＩＢ装置を用い、ミリングによ
る修正、またはガスアシストエッチングによる修正しよ
うとした場合には、エッチングストッパー層がないマス
クにおいては、凸欠陥部シフターの下にはガラス基板
で、エンドポイントが確認ができず、ガラス基板までエ
ッチングまたはミリングが行われてしまう為である。。
又、エッチングストッパー層がある場合にも、ビームの
分布、フオーカスぼけ、照射位置ドリフトなどにより、
欠陥部周辺のエッチングストッパー層を削ってしまい、
下層からのＳｉのシグナルが検出されてしまったり、シ
フターのエッチングがオーバーだと、エッチングストッ
パー層が薄くなり、下層のガラス基板のシグナルが検出
されてしまうことがある為である。又、実務上、エッチ
ングストッパー層の有無により、凸欠陥の修正方法を分
けることは難しく、エッチングストッパー層の有無に係
わらず、そして上記いずれの従来からのエンドポイント
モニター方法でもを使用でき、ＦＩＢにおけるシフター
の凸欠陥において、エッチング修正、ミリング修正での
確実なエンドポイント確認方法が求められていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
状況のもと、すくなくともクロムを主成分とする遮光層
上にシフター部を有する、上シフタ型の位相シフトフオ
トマスクの凸欠陥修正方法において、従来の、ＦＩＢ装
置に使用していた、エッチング時のエンドポイントモニ
ター方法でも、エッチングストッパー層の有無に係わら
ず、確実にエンドポイントをモニターでき、修正を行
え、且つ、修正されたものが品質面でも充分実用に対応
できるものとなる、修正方法を提供使用とするものであ
る。
状況のもと、すくなくともクロムを主成分とする遮光層
上にシフター部を有する、上シフタ型の位相シフトフオ
トマスクの凸欠陥修正方法において、従来の、ＦＩＢ装
置に使用していた、エッチング時のエンドポイントモニ
ター方法でも、エッチングストッパー層の有無に係わら
ず、確実にエンドポイントをモニターでき、修正を行
え、且つ、修正されたものが品質面でも充分実用に対応
できるものとなる、修正方法を提供使用とするものであ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の、すくなくとも
クロムを主成分とする遮光パターン上にシフター部を有
する、位相シフトフオトマスクのシフターの凸欠陥修正
方法は、Ｇａ、Ａｒ等の集束イオンビーム（ＦＩＢ）を
用い、ミリングでシフターを修正する方法あるいは所定
のガスをイオンビームにより励起し、シフターをエッチ
ング修正するガスアシストエッチング法により、シフタ
ー材が不要な部分に遮光層をその下にもたないでシフタ
ー材が配されたシフター材の凸欠陥部を修正する際、遮
光パターン部上のシフター材と欠陥部シフター材との除
去を同時に行い、シフター材下層の遮光パターン部が露
出した時点を、修正のエンドポイントと検出し、前記欠
陥部のシフター材層を転写時にほとんど影響がない程度
まで薄膜化した状態で残し、該凸欠陥部のシフターの除
去を終えるものである。本発明のシフターの凸欠陥修正
方法は、図１に記載のように、遮光パターン上の不要な
シフター材と、シフター材が不要な部分に遮光層をその
下にもたないでシフター材が配されたシフター材の凸欠
陥部の欠陥部シフター材との除去を同時に行い、シフタ
ー材下層の遮光パターン部が露出した時点を、クロムイ
オンの増減または二次電子量をモニターすることによっ
て判断し、修正のエンドポイントとするものである。遮
光パターン部が露出した時点において、欠陥部シフター
材は完全には除去されておらず、遮光パターン層の厚さ
分、１００ｎｍ程度の厚さのシフター材が残っている
が、この厚さのシフター材が残っていても、位相差にし
て約４５°で、マスクとして用い、デバイスパターンへ
と転写された場合には、ほとんど影響がないものであ
る。本発明の修正方法は、シフターの凸欠陥部を、転写
時にほとんど影響がない程度まで薄膜化するにとどめ、
それにより、シフターの凸欠陥部修正における、エンド
ポイントを確実に設定できるものとするシフターの凸欠
陥部修正方法である。
クロムを主成分とする遮光パターン上にシフター部を有
する、位相シフトフオトマスクのシフターの凸欠陥修正
方法は、Ｇａ、Ａｒ等の集束イオンビーム（ＦＩＢ）を
用い、ミリングでシフターを修正する方法あるいは所定
のガスをイオンビームにより励起し、シフターをエッチ
ング修正するガスアシストエッチング法により、シフタ
ー材が不要な部分に遮光層をその下にもたないでシフタ
ー材が配されたシフター材の凸欠陥部を修正する際、遮
光パターン部上のシフター材と欠陥部シフター材との除
去を同時に行い、シフター材下層の遮光パターン部が露
出した時点を、修正のエンドポイントと検出し、前記欠
陥部のシフター材層を転写時にほとんど影響がない程度
まで薄膜化した状態で残し、該凸欠陥部のシフターの除
去を終えるものである。本発明のシフターの凸欠陥修正
方法は、図１に記載のように、遮光パターン上の不要な
シフター材と、シフター材が不要な部分に遮光層をその
下にもたないでシフター材が配されたシフター材の凸欠
陥部の欠陥部シフター材との除去を同時に行い、シフタ
ー材下層の遮光パターン部が露出した時点を、クロムイ
オンの増減または二次電子量をモニターすることによっ
て判断し、修正のエンドポイントとするものである。遮
光パターン部が露出した時点において、欠陥部シフター
材は完全には除去されておらず、遮光パターン層の厚さ
分、１００ｎｍ程度の厚さのシフター材が残っている
が、この厚さのシフター材が残っていても、位相差にし
て約４５°で、マスクとして用い、デバイスパターンへ
と転写された場合には、ほとんど影響がないものであ
る。本発明の修正方法は、シフターの凸欠陥部を、転写
時にほとんど影響がない程度まで薄膜化するにとどめ、
それにより、シフターの凸欠陥部修正における、エンド
ポイントを確実に設定できるものとするシフターの凸欠
陥部修正方法である。
【０００６】クロムイオンの増減によりエンドポイント
の検出は、クロムイオン検出器によりモニタリングする
が、シフター材の除去を開始した時点では、シフター材
膜厚も厚く、クロムを主成分とする遮光パターンからの
クロムイオン放出は少なく、遮光パターン上のシフター
材が薄くなるに従い、その量が増える、遮光パターンが
露出した時点で急激に増加するため、遮光パターンが露
出した時点を判断できるものである。又、二次電子量モ
ニターリングによるエンドポイントの検出は、二次電子
検出器により行うが、クロムイオンの場合と同じで、遮
光膜パターン上のシフター材を除去するに従い徐々に増
加し、遮光パターンが露出した時点で急激に増加するた
め、遮光パターンが露出した時点を判断できるものであ
る。本発明のシフターの凸欠陥修正方法は、遮光パター
ン形成面上に直接、シフターのパターンを形成するタイ
プの上シフタ型位相シフトマスクに有効で、遮光パター
ン形成面の下にシフターのエッチングストッパー層を有
する場合にも適用できる方法である。本発明のシフター
の凸欠陥修正方法は、特に、シフター材がＳｉＯ2 系の
物質からなる場合に有効なもので、シフターのエッチン
グストッパー層がないマスクにおいては、従来のシフタ
ーの凸欠陥部のみを完全に除去しようとした場合、凸欠
陥部シフターの下にはガラス基板で、Ｓｉイオンによる
検出では、凸欠陥部とガス基板との境界を検出すること
は難しいためである。
の検出は、クロムイオン検出器によりモニタリングする
が、シフター材の除去を開始した時点では、シフター材
膜厚も厚く、クロムを主成分とする遮光パターンからの
クロムイオン放出は少なく、遮光パターン上のシフター
材が薄くなるに従い、その量が増える、遮光パターンが
露出した時点で急激に増加するため、遮光パターンが露
出した時点を判断できるものである。又、二次電子量モ
ニターリングによるエンドポイントの検出は、二次電子
検出器により行うが、クロムイオンの場合と同じで、遮
光膜パターン上のシフター材を除去するに従い徐々に増
加し、遮光パターンが露出した時点で急激に増加するた
め、遮光パターンが露出した時点を判断できるものであ
る。本発明のシフターの凸欠陥修正方法は、遮光パター
ン形成面上に直接、シフターのパターンを形成するタイ
プの上シフタ型位相シフトマスクに有効で、遮光パター
ン形成面の下にシフターのエッチングストッパー層を有
する場合にも適用できる方法である。本発明のシフター
の凸欠陥修正方法は、特に、シフター材がＳｉＯ2 系の
物質からなる場合に有効なもので、シフターのエッチン
グストッパー層がないマスクにおいては、従来のシフタ
ーの凸欠陥部のみを完全に除去しようとした場合、凸欠
陥部シフターの下にはガラス基板で、Ｓｉイオンによる
検出では、凸欠陥部とガス基板との境界を検出すること
は難しいためである。
【０００７】
【作用】本発明のシフターの凸欠陥修正方法において
は、シフターの凸欠陥部を修正する際、遮光パターン部
上のシフター材と欠陥部シフター材との除去を同時に行
つていることにより、遮光パターン部上のシフター材と
欠陥部シフター材との除去を略同じスピードで行え、遮
光パターン上のシフター材の除去度合からクロムイオン
の増減または二次電子量の増減を検出を可能とし、シフ
ター材除去による遮光パターンの露出時をエッチングの
エンドポイントと設定することを可能としている。クロ
ムを主成分とする遮光パターン上にシフター材を有す
る、上シフター型の位相シフトフオトマスクにおいて
は、シフター材除去による遮光パターンの露出時には、
欠陥部のシフター膜厚を遮光パターン厚さ約１００ｎｍ
に制御することを可能としている。又、このような構成
にすることにより、シフターの凸欠陥部を修正されたマ
スクを用いて、ウエハー上にデバイスパターンを転写し
た場合には、凸欠陥部の影響は、殆んどでない程度に小
さくできる。
は、シフターの凸欠陥部を修正する際、遮光パターン部
上のシフター材と欠陥部シフター材との除去を同時に行
つていることにより、遮光パターン部上のシフター材と
欠陥部シフター材との除去を略同じスピードで行え、遮
光パターン上のシフター材の除去度合からクロムイオン
の増減または二次電子量の増減を検出を可能とし、シフ
ター材除去による遮光パターンの露出時をエッチングの
エンドポイントと設定することを可能としている。クロ
ムを主成分とする遮光パターン上にシフター材を有す
る、上シフター型の位相シフトフオトマスクにおいて
は、シフター材除去による遮光パターンの露出時には、
欠陥部のシフター膜厚を遮光パターン厚さ約１００ｎｍ
に制御することを可能としている。又、このような構成
にすることにより、シフターの凸欠陥部を修正されたマ
スクを用いて、ウエハー上にデバイスパターンを転写し
た場合には、凸欠陥部の影響は、殆んどでない程度に小
さくできる。
【０００８】
【実施例】本発明の実施例を以下、図にそって説明す
る。図１は本発明のシフターの凸欠陥修正工程を示した
ものである。凸欠陥の除去方法は、Ｇａイオン集束イオ
ンビーム（ＦＩＢ）により、弗化キセノンガスを用いた
ガスアシストエッチング法を用いた。Ｇａイオンは加速
電圧２０ＫＶ、電流値１４０ＰＡで、０．２μｍφ径と
して用いた。図２は、ＦＩＢ装置を用いた欠陥修正装置
概略図ク１をＸＹステージ上に固定、位置制御しながら
であり、位相シフトフオトマス、真空排気しながら行う
ものである。１３はイオンビーム、１４はそのイオン
源、１５はイオン検出器、８はクロムイオン、１６はＸ
Ｙステージ、１７はエッチング用ガスを供給するガス銃
を表す。先ず、図１（ａ）のように、シフター部の凸欠
陥部Ａと、クロム膜からなる遮光パターン上にシフター
材を有する上シフター型の位相シフトマスクを用意す
る。図１（ａ）の（イ）は平面図、図１（ａ）の（ロ）
は図１（ａ）の（イ）のＬ、Ｌ, における断面図であ
る。遮光パターン２は、屈折率１．４７のシリカガラス
からなる透明な基板４の主面にクロムを主成分とするク
ロム遮光層をスパッタにして成膜し、電子線露光装置を
用いこれをパターニングしたものである。シフター３
は、ＳｉＯ2 系のＳＯＧ（ＳｐｉｎＯｎ Ｇｌａｓｓ）
を上記クロム遮光パターニン２上に回転塗布し、焼結し
た後、電子線露光装置を用いて、パターニングしたもの
である。次いで、図２のように、ＦＩＢ装置を用い、シ
フターの凸欠陥部Ａと、遮光パターン上のシフター材Ｃ
を含む領域に対し、エッチング用ガスをガス銃１７から
あて、イオンビームにて励起し、シフターＡ部、Ｃ部に
対し、同時に除去を開始した。（図１（ｂ））シフター
の除去開始に伴い、図２のイオン検出器１５を動作さ
せ、クロムイオン８の量をモニターリングした。モニタ
ーリングされるクロムイオン８は、当初、略一定の量
で、除去がすすむにしたがい、増加の傾向にあるが、遮
光パターン２上のシフター材Ｃがなくなり、遮光パター
ンが露出する時点で、急激に増加した。この時点をエッ
チングエンドポイントとして、エッチング用ガスを止
め、シフターのエッチング修正を終了した。（図１
（ｃ））凸欠陥Ａの修正後のＡ, の膜厚さは、略１００
ｎｍで、クロム遮光パターンの膜厚とほぼ同じであり、
この凸欠陥Ａを修正したＡ, を有するマスクを用い、ウ
エハー上にパターンをステッパを用い縮小転写したが、
Ａ, 部は転写されなかったこれは、凸欠陥ＡをＡ, とす
ることにより、シフターの凸欠陥Ａを完全に除去したの
と、同じ効果であり、位相シフトマスクにおけるシフタ
ーの凸欠陥を修正したと判断された。尚、ここでは、遮
光層下にシフターのエッチングストッパー層を用いない
場合であり、エッチングストッパー層を有する場合も、
上記の方法は可能であるが、図３に記載のようにシフタ
ーのエッチングストッパー層がクロム下にある場合に
は、上記のようなクロムイオン８の検出と伴行してＳｉ
イオン９の検出を行い、両方の検出により判断すれば、
より精度よくエッチングエンドポイントを設定すること
ができる。
る。図１は本発明のシフターの凸欠陥修正工程を示した
ものである。凸欠陥の除去方法は、Ｇａイオン集束イオ
ンビーム（ＦＩＢ）により、弗化キセノンガスを用いた
ガスアシストエッチング法を用いた。Ｇａイオンは加速
電圧２０ＫＶ、電流値１４０ＰＡで、０．２μｍφ径と
して用いた。図２は、ＦＩＢ装置を用いた欠陥修正装置
概略図ク１をＸＹステージ上に固定、位置制御しながら
であり、位相シフトフオトマス、真空排気しながら行う
ものである。１３はイオンビーム、１４はそのイオン
源、１５はイオン検出器、８はクロムイオン、１６はＸ
Ｙステージ、１７はエッチング用ガスを供給するガス銃
を表す。先ず、図１（ａ）のように、シフター部の凸欠
陥部Ａと、クロム膜からなる遮光パターン上にシフター
材を有する上シフター型の位相シフトマスクを用意す
る。図１（ａ）の（イ）は平面図、図１（ａ）の（ロ）
は図１（ａ）の（イ）のＬ、Ｌ, における断面図であ
る。遮光パターン２は、屈折率１．４７のシリカガラス
からなる透明な基板４の主面にクロムを主成分とするク
ロム遮光層をスパッタにして成膜し、電子線露光装置を
用いこれをパターニングしたものである。シフター３
は、ＳｉＯ2 系のＳＯＧ（ＳｐｉｎＯｎ Ｇｌａｓｓ）
を上記クロム遮光パターニン２上に回転塗布し、焼結し
た後、電子線露光装置を用いて、パターニングしたもの
である。次いで、図２のように、ＦＩＢ装置を用い、シ
フターの凸欠陥部Ａと、遮光パターン上のシフター材Ｃ
を含む領域に対し、エッチング用ガスをガス銃１７から
あて、イオンビームにて励起し、シフターＡ部、Ｃ部に
対し、同時に除去を開始した。（図１（ｂ））シフター
の除去開始に伴い、図２のイオン検出器１５を動作さ
せ、クロムイオン８の量をモニターリングした。モニタ
ーリングされるクロムイオン８は、当初、略一定の量
で、除去がすすむにしたがい、増加の傾向にあるが、遮
光パターン２上のシフター材Ｃがなくなり、遮光パター
ンが露出する時点で、急激に増加した。この時点をエッ
チングエンドポイントとして、エッチング用ガスを止
め、シフターのエッチング修正を終了した。（図１
（ｃ））凸欠陥Ａの修正後のＡ, の膜厚さは、略１００
ｎｍで、クロム遮光パターンの膜厚とほぼ同じであり、
この凸欠陥Ａを修正したＡ, を有するマスクを用い、ウ
エハー上にパターンをステッパを用い縮小転写したが、
Ａ, 部は転写されなかったこれは、凸欠陥ＡをＡ, とす
ることにより、シフターの凸欠陥Ａを完全に除去したの
と、同じ効果であり、位相シフトマスクにおけるシフタ
ーの凸欠陥を修正したと判断された。尚、ここでは、遮
光層下にシフターのエッチングストッパー層を用いない
場合であり、エッチングストッパー層を有する場合も、
上記の方法は可能であるが、図３に記載のようにシフタ
ーのエッチングストッパー層がクロム下にある場合に
は、上記のようなクロムイオン８の検出と伴行してＳｉ
イオン９の検出を行い、両方の検出により判断すれば、
より精度よくエッチングエンドポイントを設定すること
ができる。
【０００９】
【発明の効果】本発明は、上記のような構成にすること
により、従来、難しいとされていた、すくなくとも、ク
ロムを主とする遮光パターン上にシフター材を有する、
上シフタ型位相シフトフオトマスクにおけるシフターの
凸欠陥修正において、従来から、使用のＦＩＢ装置を用
い、シフターの凸欠陥を品質的保証できる範囲で安定的
に作業できる修正方法の提供を可能にしている。特に、
シフターのエッチングストッパー層を設けない場合には
有効な修正方法を提供するものである。
により、従来、難しいとされていた、すくなくとも、ク
ロムを主とする遮光パターン上にシフター材を有する、
上シフタ型位相シフトフオトマスクにおけるシフターの
凸欠陥修正において、従来から、使用のＦＩＢ装置を用
い、シフターの凸欠陥を品質的保証できる範囲で安定的
に作業できる修正方法の提供を可能にしている。特に、
シフターのエッチングストッパー層を設けない場合には
有効な修正方法を提供するものである。
【図１】本発明のシフターの凸欠陥修正方法工程図
【図２】シフターの凸欠陥修正ＦＩＢ装置概略図
【図３】エッチングストッパー付の上シフタ型位相シフ
トフオトマスク概略図
トフオトマスク概略図
１ 上シフタ型位相シフトフオトマ
スク ２ クロム遮光膜パターン ３ シフター材 ４ ガラス基板 ５ 凸欠陥Ａ ６ 凸欠陥Ｂ ７ 修正後の凸欠陥部Ａ, ８ クロムイオン ９ Ｓｉイオン １０ エッチングストッパー層 １１ エッチング用ガス １２ 集束イオンビーム装置（ＦＩ
Ｂ） １３ イオンビーム １４ イオン源 １５ イオン検出器 １６ ＸＹステージ １７ ガス銃
スク ２ クロム遮光膜パターン ３ シフター材 ４ ガラス基板 ５ 凸欠陥Ａ ６ 凸欠陥Ｂ ７ 修正後の凸欠陥部Ａ, ８ クロムイオン ９ Ｓｉイオン １０ エッチングストッパー層 １１ エッチング用ガス １２ 集束イオンビーム装置（ＦＩ
Ｂ） １３ イオンビーム １４ イオン源 １５ イオン検出器 １６ ＸＹステージ １７ ガス銃
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−26846（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−289861（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−11827（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 1/00 - 1/16
Claims (4)
- 【請求項１】 すくなくともクロムを主成分とする遮光
パターン上にシフター材を有する、上シフター型の位相
シフトフオトマスクにおける、シフター材が不要な部分
に遮光層をその下にもたないでシフター材が配された、
シフター材の凸欠陥部を、集束イオンビーム（ＦＩＢ）
を用いた、ミリングまたはガスアシストエッチングによ
り、修正する方法であって、修正の際、遮光パターン部
上のシフター材と欠陥部シフター材との除去を同時に行
い、シフター材下層の遮光パターン部が露出した時点
を、修正のエンドポイントと検出し、前記欠陥部のシフ
ター材層を転写時にほとんど影響がない程度まで薄膜化
した状態で残し、該凸欠陥部のシフターの除去を終える
ことを特徴とするシフター凸欠陥修正方法。 - 【請求項２】 請求項１における修正のエンドポイント
の検出方法が、クロムイオンの増減または二次電子量を
モニターすることによっていることを特徴とするシフタ
ー凸欠陥修正方法。 - 【請求項３】 請求項１における位相シフトフオトマス
クは、遮光パターン形成面上に直接、シフターのパター
ンを形成することを特徴とするシフターの凸欠陥修正方
法。 - 【請求項４】 請求項１におけるシフター材がＳｉＯ2
系の物質からなることを特徴とするシフターの凸欠陥修
正方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19381293A JP3353121B2 (ja) | 1993-07-12 | 1993-07-12 | シフター凸欠陥修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19381293A JP3353121B2 (ja) | 1993-07-12 | 1993-07-12 | シフター凸欠陥修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0728227A JPH0728227A (ja) | 1995-01-31 |
| JP3353121B2 true JP3353121B2 (ja) | 2002-12-03 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19381293A Expired - Fee Related JP3353121B2 (ja) | 1993-07-12 | 1993-07-12 | シフター凸欠陥修正方法 |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP3353121B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US7618672B2 (en) | 2003-11-05 | 2009-11-17 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Selective removal of oligosaccharides from aqueous mixtures using zeolites |
| JP4543840B2 (ja) * | 2004-09-08 | 2010-09-15 | 凸版印刷株式会社 | ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法 |
-
1993
- 1993-07-12 JP JP19381293A patent/JP3353121B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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