JPH02115842A - ホトマスク欠陥の修正方法 - Google Patents
ホトマスク欠陥の修正方法Info
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- JPH02115842A JPH02115842A JP63268035A JP26803588A JPH02115842A JP H02115842 A JPH02115842 A JP H02115842A JP 63268035 A JP63268035 A JP 63268035A JP 26803588 A JP26803588 A JP 26803588A JP H02115842 A JPH02115842 A JP H02115842A
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- photomask
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はホトマスク欠陥の修正方法に関し、特に黒点欠
陥の修正を基板を損傷せずに行うことができる修正技術
に関する。
陥の修正を基板を損傷せずに行うことができる修正技術
に関する。
一般的なホトマスクはガラス基板上にクロム（Ｃｒ ）
金属を蒸着し、ホトレジストを塗布後、電子線描画装置
にて露光を行な（・パターン形成を行って（・る。
金属を蒸着し、ホトレジストを塗布後、電子線描画装置
にて露光を行な（・パターン形成を行って（・る。
かかるホトマスク製造プロセスにてホトレジスト膜上の
異物の付着により、エツチング処理後パターン以外の余
分なりロム膜が残り黒点欠陥が発生することがある。
異物の付着により、エツチング処理後パターン以外の余
分なりロム膜が残り黒点欠陥が発生することがある。
かかる欠陥の修正技術には、（１）リフトオフ法すなわ
ち被修正ホトマスクにレジスト膜を形成し、欠陥部のみ
スポット露光し、現像処理し、露出させ、エツチング除
去する法、（２）レザー照射による欠陥除去、（３）集
束イオンビームによるスパッタリング修正方法がある。
ち被修正ホトマスクにレジスト膜を形成し、欠陥部のみ
スポット露光し、現像処理し、露出させ、エツチング除
去する法、（２）レザー照射による欠陥除去、（３）集
束イオンビームによるスパッタリング修正方法がある。
最近は、半導体デバイスの回路パターンの微細化に伴な
い、ホトマスク上の黒点欠陥修正には集束イオンビーム
による修正技術が主に行われている。
い、ホトマスク上の黒点欠陥修正には集束イオンビーム
による修正技術が主に行われている。
なお、当該マスク欠陥の修正技術について述べた文献の
例としては、［月刊Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒＷｏｒ
ｌｄＪ １９８６年１月号９８９〜１０３があげられる
。
例としては、［月刊Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒＷｏｒ
ｌｄＪ １９８６年１月号９８９〜１０３があげられる
。
しかし、当該欠陥ｔイオンビームスパッタで処理すると
、クロムとガラス基板（主に石英よりなる）のエツチン
グレートがほぼ同じであることから、欠陥周辺部のガラ
ス基板もエツチングされ、クロム膜除去後欠陥形状に相
応してガラス基板面に凹部が発生するという事態が起こ
った。
、クロムとガラス基板（主に石英よりなる）のエツチン
グレートがほぼ同じであることから、欠陥周辺部のガラ
ス基板もエツチングされ、クロム膜除去後欠陥形状に相
応してガラス基板面に凹部が発生するという事態が起こ
った。
そして、これらの修正ホトマスクを用（・てウェハ上に
露光転写すると、欠陥修正部周辺のガラス凹部は元を連
光することから被露光ウェハに転写し、パターン形状不
良となり半導体デバイスの歩留低下特性不良となる。
露光転写すると、欠陥修正部周辺のガラス凹部は元を連
光することから被露光ウェハに転写し、パターン形状不
良となり半導体デバイスの歩留低下特性不良となる。
そこで、本発明は上記イオンビームスパッタリング法に
よる黒点欠陥修正に際して生起されるガラス基板の損傷
（ダメージ）を回避することのできる修正技術を提供す
ることを目的とする。
よる黒点欠陥修正に際して生起されるガラス基板の損傷
（ダメージ）を回避することのできる修正技術を提供す
ることを目的とする。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は１
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
丁なわち１本発明ではホトマスク上の黒点欠陥をイオン
ビームスパッタにて修正するに、ホトマスクガラス基板
へのダメージな防止するため、保護膜を形成後スパッタ
修正するようにした。
ビームスパッタにて修正するに、ホトマスクガラス基板
へのダメージな防止するため、保護膜を形成後スパッタ
修正するようにした。
上記した手段によれば、イオンビームスパッタ修正時余
分な遮光膜と、形成した保護膜の欠陥周辺部のみスパッ
タ除去されるので、ガラス基板へのダメージを防止する
ことができる。
分な遮光膜と、形成した保護膜の欠陥周辺部のみスパッ
タ除去されるので、ガラス基板へのダメージを防止する
ことができる。
修正後残った保護膜は酸系薬品などで除去すればよ（・
。
。
次に、本発明の実施例を図面に基づいて説明°する。
第３図は、ホトマスクの平面図で、当該ホトマスク１は
ガラス基板２とその上に形成された遮光膜よりなる回路
パターン３とを有してなる。
ガラス基板２とその上に形成された遮光膜よりなる回路
パターン３とを有してなる。
この第３図は正常なパターン形成例を示すが。
第２図ホトマスクの平面図に示すように、当該パターン
の外圧同じ遮光膜よりなる黒点欠陥４が同図に例示する
よう圧発生することがある。
の外圧同じ遮光膜よりなる黒点欠陥４が同図に例示する
よう圧発生することがある。
従来、かかる黒点欠陥をイオンビームスパッタリング法
にて修正する場合、当該黒点欠陥４のクロムと石英より
なるガラス基板２とのエツチングレートが略同じで、ま
た、当該黒点欠陥４とその周辺部との境界のＮ認が困難
な為に、図示左側のガラス基板２も部分的にエツチング
され凹部（図示せず）を生じて（・た。
にて修正する場合、当該黒点欠陥４のクロムと石英より
なるガラス基板２とのエツチングレートが略同じで、ま
た、当該黒点欠陥４とその周辺部との境界のＮ認が困難
な為に、図示左側のガラス基板２も部分的にエツチング
され凹部（図示せず）を生じて（・た。
これに対し、本発明実施例では第１Ａ図に示すように、
当該黒点欠陥４の周辺部に保護膜５を形成する。これは
、イオンビーム６を気相ガス７を吹付けしつつ照射する
ことにより形成することができる。当該保護膜５は、例
えばＭ ＯＳ ｒ Ｏｔ膜により構成される。
当該黒点欠陥４の周辺部に保護膜５を形成する。これは
、イオンビーム６を気相ガス７を吹付けしつつ照射する
ことにより形成することができる。当該保護膜５は、例
えばＭ ＯＳ ｒ Ｏｔ膜により構成される。
次いで、第１Ｂ図に示すようにイオンビーム６を照射し
、黒点欠陥４のみをスパッタ除去する。
、黒点欠陥４のみをスパッタ除去する。
最後に、第１Ｃ図に示すように、保護膜５を例えば酸系
薬品によりエツチング除去またはプラズマ処理にて除去
する。
薬品によりエツチング除去またはプラズマ処理にて除去
する。
これにより、第２図に示すような黒点欠陥４を修正して
第１図に示すような正常パターンを有するマスクとする
ことができる。
第１図に示すような正常パターンを有するマスクとする
ことができる。
本発明は同一集束イオンビーム修正システムにおいて黒
点欠陥（クロム残り）！修正でき、白点欠陥（クロム欠
け）も修正できることから、従来法より修正範囲を拡大
することができ、また、高精度で欠陥の修正をできるイ
オンビームスパッタリング法によるホトマスク修正技術
を生か丁ことかできる。
点欠陥（クロム残り）！修正でき、白点欠陥（クロム欠
け）も修正できることから、従来法より修正範囲を拡大
することができ、また、高精度で欠陥の修正をできるイ
オンビームスパッタリング法によるホトマスク修正技術
を生か丁ことかできる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
本発明の修正技術は、半導体デバイスの製造のみならず
、プリント配線基板のパターニングや液晶のパターニン
グ等の各種の分野において適用することができる。
、プリント配線基板のパターニングや液晶のパターニン
グ等の各種の分野において適用することができる。
本ｊｌｌにおいて開示される発明のうち代表的なものに
よって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおり
である。
よって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおり
である。
本発明によれば、イオンビームスパッタリングによる黒
点欠陥を修正する際の基板の損傷を防止し、ウェハのパ
ターン形成の歩留を向上させることができた。
点欠陥を修正する際の基板の損傷を防止し、ウェハのパ
ターン形成の歩留を向上させることができた。
第１Ａ図〜第１Ｃ図はそれぞれ本発明の実施例工程を示
し、これら図中図はそれぞれ平面図、これら図中ＣＢ）
はそれぞれ平面図囚のＩ、Ｉ線に沿う要部断面図である
。また、第２図は黒点欠陥の発生したホトマスクの平面
図、 第３図は正常なホトマスク（黒点欠陥修正ｆｆ１）の平
面図である。 １・・・ホトマスク、２・・・基板（ガラス基板）、３
・・・回路パターン、４・・・黒点欠陥、５・・・保護
膜、６・・・イオンビーム、７・・・気相ガス、８・・
・黒点欠陥除去部。 代理人 弁理士 小 川 勝 男
し、これら図中図はそれぞれ平面図、これら図中ＣＢ）
はそれぞれ平面図囚のＩ、Ｉ線に沿う要部断面図である
。また、第２図は黒点欠陥の発生したホトマスクの平面
図、 第３図は正常なホトマスク（黒点欠陥修正ｆｆ１）の平
面図である。 １・・・ホトマスク、２・・・基板（ガラス基板）、３
・・・回路パターン、４・・・黒点欠陥、５・・・保護
膜、６・・・イオンビーム、７・・・気相ガス、８・・
・黒点欠陥除去部。 代理人 弁理士 小 川 勝 男
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に遮光膜よりなる回路パターンが形成された
ホトマスク上の当該パターン外欠陥遮光膜（以下、欠陥
部という）をイオンビームスパッタリング法にて除去す
るに当り、最初に、当該欠陥部の周辺部に当該欠陥周辺
の基板の損傷を防止するための保護膜を形成し、次に、
当該欠陥部のみイオンビームスパッタリングして欠陥修
正し、最後に、前記保護膜を除去することを特徴とする
ホトマスク欠陥の修正方法。 ２、保護膜をイオンビーム気相反応によって成膜し、こ
の保護膜を酸処理またはプラズマ処理にて除去すること
を特徴とする請求項１に記載のホトマスク欠陥の修正方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63268035A JPH02115842A (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | ホトマスク欠陥の修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63268035A JPH02115842A (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | ホトマスク欠陥の修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02115842A true JPH02115842A (ja) | 1990-04-27 |
Family
ID=17452970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63268035A Pending JPH02115842A (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | ホトマスク欠陥の修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02115842A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0961168A1 (en) * | 1998-05-18 | 1999-12-01 | International Business Machines Corporation | Method for repair of photomasks |
| US6165649A (en) * | 1997-01-21 | 2000-12-26 | International Business Machines Corporation | Methods for repair of photomasks |
| JP2012078561A (ja) * | 2010-10-01 | 2012-04-19 | Toppan Printing Co Ltd | Ｅｕｖマスク白欠陥修正方法 |
| JP2014174552A (ja) * | 2013-03-08 | 2014-09-22 | Carl Zeiss Sms Gmbh | 粒子ビームを用いた処理中に基板を保護する方法及び装置 |
-
1988
- 1988-10-26 JP JP63268035A patent/JPH02115842A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6165649A (en) * | 1997-01-21 | 2000-12-26 | International Business Machines Corporation | Methods for repair of photomasks |
| EP0961168A1 (en) * | 1998-05-18 | 1999-12-01 | International Business Machines Corporation | Method for repair of photomasks |
| JP2012078561A (ja) * | 2010-10-01 | 2012-04-19 | Toppan Printing Co Ltd | Ｅｕｖマスク白欠陥修正方法 |
| JP2014174552A (ja) * | 2013-03-08 | 2014-09-22 | Carl Zeiss Sms Gmbh | 粒子ビームを用いた処理中に基板を保護する方法及び装置 |
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