KR20040022882A

KR20040022882A - 위상 반전 마스크의 리페어 방법

Info

Publication number: KR20040022882A
Application number: KR1020020054469A
Authority: KR
Inventors: 김상철
Original assignee: 주식회사 하이닉스반도체
Priority date: 2002-09-10
Filing date: 2002-09-10
Publication date: 2004-03-18

Abstract

본 발명은 위상반전 마스크 제조 공정에 있어서, 패턴에 불량이 발생할 경우 기존의 사이즈보다 약간 크게 크롬을 증착하여 리페어 하여 웨이퍼 프린팅 결과 정상 패턴을 형성함으로써 위상반전 마스크의 불량률을 감소시킬 수 있는 이점이 있다.

Description

위상 반전 마스크의 리페어 방법{METHOD FOR REPAIR OF PHASE SHIFT MASK}

본 발명은 위상반전 마스크 제조시 패턴 불량 발생시 기존 사이즈보다 크게 크롬 패턴을 리페어 하여 웨이퍼 프린팅 결과 정상 패턴과 동일한 패턴을 형성하여 웨이퍼 불량률을 감소시키귀 위한 위상반전 마스크 리페어 방법에 관한 것이다.

포토마스크 리페어 공정의 문제점은 리페어에 사용되는 레이저 빔에 의한 리페어 오류가 많았었다. 포토마스크 제조에 있어서 다양한 종류의 디펙트 ( defect ) 가 존재하며, 이러한 디펙트를 리페어하기 위해서는 리페어 장비의 레이저 빔이다양한 형태로 변형될 수 있어야 하며, 레이저 빔이 필요한 방향대로 정확하게 수직입사(垂直入射)가 되어야 한다.

만약, 사선 입사 ( 斜線入射 ) 가 되거나 빔의 모양이 변형될 경우 원하는 패턴을 리페어하기는 어렵다.

포토마스크 공정에서 레이저 빔이 원하는 방향과 다르게 쉬프트 ( shift ) 되거나, 빔 사이즈가 작아지거나 커져서 원하는 모양으로 패턴을 절단 ( cutting ) 하는 도중 문제가 발생하여 제조 수율을 감소시키는 주요 원인이 되고 있다.

도1은 종래의 바이너리 마스크의 리페어 공정을 나타낸 도면이다.

도1의 (가)는 석영 기판(10)에 크롬 마스크(11)를 형성하는데, 크롬 마스크(11)의 패턴이 단선되어 패턴 불량이 발생하면 (나)에 도시된 바와 같이 패턴 불량이 일어난 A 부분에 크롬 마스크와 동일 사이즈로 크롬을 증착한다.

도1의 (다)는 웨이퍼 프린팅 결과를 나타낸 것으로 패턴이 정상으로 나타나는 것을 알 수 있다.

도2는 종래의 바이너리 마스크에 의한 콘택홀 리페어를 나타낸 도면이다.

여기에 도시된 바와 같이 콘택홀을 형성하기 위해 바이너리 마스크를 적용한 경우 도2의 (가)와 같이 패턴 에러가 발생한 부분(B)에 동일 사이즈로 크롬을 증착하여 웨이퍼 프린팅을 하면 (나)와 같이 패턴이 정상으로 나타남을 알 수 있다.

도3은 종래 기술에 의한 위상 반전 마스크의 리페어 공정을 나타낸 도면이다.

도3의 (가)는 석영 기판(10)에 크롬 마스크(11)를 형성하는데, 크롬 마스크(11)의 패턴이 단선되어 패턴 불량이 발생하면 (나)에 도시된 바와 같이 패턴 불량이 일어난 C 부분에 크롬 마스크와 동일 사이즈로 크롬을 증착한다.

도4는 종래의 위상반전 마스크에 의한 콘택홀 리페어를 나타낸 도면이다.

여기에 도시된 바와 같이 콘택홀을 형성하기 위해 바이너리 마스크를 적용한 경우 도4의 (가)와 같이 패턴 에러가 발생한 부분(D)에 동일 사이즈로 크롬을 증착하여 웨이퍼 프린팅을 하면 (나)와 같이 패턴 불량이 발생하여 CD가 커지는 것을 알 수 있다.

도5는 종래 기술에 의한 위상 반전 마스크의 리페어 공정의 문제점을 나타낸 도면이다.

여기에 도시된 바와 같이 석영 기판(10)에 증착된 크롬 패턴(11)의 에러가발생한 부분(E)에 리페어를 위해 동일 사이즈의 크롬을 증착할 경우 위상 쉬프트 효과가 적어 CD가 작아지는 문제점이 있었다.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 위상반전 마스크 제조 공정에 있어서, 패턴에 불량이 발생할 경우 기존의 사이즈보다 약간 크게 크롬을 증착하여 리페어 하여 웨이퍼 프린팅 결과 정상 패턴을 형성함으로써 위상반전 마스크의 불량률을 감소시키기 위한 위상반전 마스크의 리페어 방법을 제공하는 것이다.

도6은 본 발명에 의한 위상 반전 마스크의 라인&스페이서 패턴의 리페어 공정을 나타낸 도면이다.

도7은 본 발명에 의한 위상 반전 마스크의 홀 패턴의 리페어 공정을 나타낸 도면이다.

- 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 -

10 : 석영 기판 11 : 크롬

상기와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명은 위상반전 마스크 제조시 불량 패턴이 발생하여 위상 반전 마스크를 리페어 하는 방법에 있어서, 라인& 스페이서 패턴에 불량이 발생할 경우 불량이 발생한 부분에 0.10㎛ 정도 크게 크롬을 증착하여 리페어하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조 방법에 관한 것이다.

상기와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명은 위상반전 마스크 제조시 불량 패턴이 발생하여 위상 반전 마스크를 리페어 하는 방법에 있어서, 홀 패턴에 불량이 발생할 경우 불량이 발생한 부분에 0.10㎛ 정도 작게 크롬을 증착하여 리페어 하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조 방법에 관한 것이다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 또한본 실시예는 본 발명의 권리범위를 한정하는 것은 아니고, 단지 예시로 제시된 것이며 종래 구성과 동일한 부분은 동일한 부호 및 명칭을 사용한다.

도6의 (가)에 도시된 바와 같이 라인&스페이서 패턴에 불량이 발생하면 (나)에 도시된 바와 같이 실제 라인 사이즈보다 0.1㎛ 크게 크롬을 증착한다.

도6의 (다)는 상기(나)에 도시된 바와 같이 실제 사이즈보다 0.1㎛ 크게 크롬을 증착하여 프린팅한 웨이퍼를 나타낸 것으로 패터닝이 정상으로 나타남을 알 수 있다.

도7의 (가)에 도시된 바와 같이 홀 패턴에 불량이 발생하면 (나)에 도시된 바와 같이 실제 라인 사이즈보다 0.1㎛ 작게 크롬을 증착한다.

도7의 (다)는 상기(나)에 도시된 바와 같이 실제 사이즈보다 0.1㎛ 작게 크롬을 증착하여 프린팅한 웨이퍼를 나타낸 것으로 패터닝이 정상으로 나타남을 알 수 있다.

상기한 바와 같이 본 발명은 위상반전 마스크 제조 공정에 있어서, 패턴에 불량이 발생할 경우 기존의 사이즈보다 약간 크게 크롬을 증착하여 리페어 하여 웨이퍼 프린팅 결과 정상 패턴을 형성함으로써 위상반전 마스크의 불량률을 감소시켜 수율을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.

Claims

위상반전 마스크 제조시 불량 패턴이 발생하여 위상 반전 마스크를 리페어 하는 방법에 있어서,

라인& 스페이서 패턴에 불량이 발생할 경우 불량이 발생한 부분에 0.10㎛ 정도 크게 크롬을 증착하여 리페어하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조 방법.
위상반전 마스크 제조시 불량 패턴이 발생하여 위상 반전 마스크를 리페어 하는 방법에 있어서,

홀 패턴에 불량이 발생할 경우 불량이 발생한 부분에 0.10㎛ 정도 작게 크롬을 증착하여 리페어 하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조 방법.