JPS60262422A - マスクパタ−ン修正方法 - Google Patents
マスクパタ−ン修正方法Info
- Publication number
- JPS60262422A JPS60262422A JP59119423A JP11942384A JPS60262422A JP S60262422 A JPS60262422 A JP S60262422A JP 59119423 A JP59119423 A JP 59119423A JP 11942384 A JP11942384 A JP 11942384A JP S60262422 A JPS60262422 A JP S60262422A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- mask
- mask pattern
- photoresist
- portions
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イｌ 産業上の利用分野
本発明は超ＬＳＩ等の半導体製造に利用する光学マスク
上に形成場れているマスクパターンの形状修正ｔ−施こ
すパターン修正方法に関するものでるる。
上に形成場れているマスクパターンの形状修正ｔ−施こ
すパターン修正方法に関するものでるる。
（ロ）従来技術
半導体製造に用いる光学マスクは高い解像性を示す、ガ
ラス基板上にマスクパターンを形成してなるハードマス
クが近年艮〈利用されている。この光学マスクはガラス
基板上の金属（例えばＯｒ）膜に電子線描−などを施こ
しマスクパターンを形成するようにしているが描画条件
などの設定誤差などによって目標通りのパターンが成形
されない場合がある。即ち隣接するパターン間の間隔が
目標値よりも広くなる場合と狭くなる場合とがある。こ
れら目標値から外れた光学マスクは全て不良品として扱
われていたため光学マスクの製造歩留ま９を低下させて
いた。
ラス基板上にマスクパターンを形成してなるハードマス
クが近年艮〈利用されている。この光学マスクはガラス
基板上の金属（例えばＯｒ）膜に電子線描−などを施こ
しマスクパターンを形成するようにしているが描画条件
などの設定誤差などによって目標通りのパターンが成形
されない場合がある。即ち隣接するパターン間の間隔が
目標値よりも広くなる場合と狭くなる場合とがある。こ
れら目標値から外れた光学マスクは全て不良品として扱
われていたため光学マスクの製造歩留ま９を低下させて
いた。
また、バターニングされた光学マスク上に本来マスクが
存在しないところにフォトマスクが残存してしまう残留
欠陥が生ずる場合がある。この残留欠陥を除去する方法
として特公昭５２−９５０８″＠公報にはこの残留欠陥
にレーザビームｔ−ｉ中的に照射して該残留欠陥を飛散
させるものが示されているが、この方法では飛散された
ものが別の個所で新たに残留欠陥を発生させてしまうお
それがある。
存在しないところにフォトマスクが残存してしまう残留
欠陥が生ずる場合がある。この残留欠陥を除去する方法
として特公昭５２−９５０８″＠公報にはこの残留欠陥
にレーザビームｔ−ｉ中的に照射して該残留欠陥を飛散
させるものが示されているが、この方法では飛散された
ものが別の個所で新たに残留欠陥を発生させてしまうお
それがある。
し罎 発明の目的
本発明は光学マスクの製造歩留りｔ同上させるマスクパ
ターン１１正方法を提供しようとＴるものである。
ターン１１正方法を提供しようとＴるものである。
に）発明の構成
本発明はマスクパターンが形成されている光学マスクの
該マスクツ（ターンに部分的に形状修正を施こすパター
ン修正力法におｈ″ｃ１前記光学マスクの前記マスクパ
ターンの形成面側に７ｔ）レジストを塗布し、被Ｉした
フォトレジスト膜の全面又は所定個所に前記形成面側と
は反対側の表面から所定ｌ！元量の露光を行ない、次い
で前記フォトレジスト膜の現像食付なって所望の７オト
レジスト膜パターン會形成し１次いでこのフォトレジス
トパターン膜によって保護されていないマスクパターン
部分を除去するようにしてなるマスクパターン修正方法
である。
該マスクツ（ターンに部分的に形状修正を施こすパター
ン修正力法におｈ″ｃ１前記光学マスクの前記マスクパ
ターンの形成面側に７ｔ）レジストを塗布し、被Ｉした
フォトレジスト膜の全面又は所定個所に前記形成面側と
は反対側の表面から所定ｌ！元量の露光を行ない、次い
で前記フォトレジスト膜の現像食付なって所望の７オト
レジスト膜パターン會形成し１次いでこのフォトレジス
トパターン膜によって保護されていないマスクパターン
部分を除去するようにしてなるマスクパターン修正方法
である。
この修正方法は光学マスク製造後、成形された隣接する
２つのパターン間の間隔が狭いという欠陥、換ｄＴれば
成形された各パターンの幅が目標値よりも広いという欠
陥が発見された場合に適用できる。また、上記残留欠陥
を完全に除去させるために１用できる。よって、光学マ
スクの製造歩留ｂｔ改善することができ、半導体製造技
内の進歩に寄与できる。
２つのパターン間の間隔が狭いという欠陥、換ｄＴれば
成形された各パターンの幅が目標値よりも広いという欠
陥が発見された場合に適用できる。また、上記残留欠陥
を完全に除去させるために１用できる。よって、光学マ
スクの製造歩留ｂｔ改善することができ、半導体製造技
内の進歩に寄与できる。
（Ｉｔ％ｌ実施例
本発明方法の１実施例′に：第１図（ａｌ（ｂ）（ｏ）
に示す工程図に従い説明する。ガラス板１１１の一面上
にクロム（Ｏｒ）のパターン（２Ｈ３１が形成され、各
パターン１２１１３１は目標のパターン縁（２Ｂ）（３
ａ）に比べてそれぞれ幅広に描画形成さｎている。隣接
バヤ ターン（２１（３１の本来の間隔が（４）であるべきと
ころ、露光条件等の誤差によって間隔（５）に狭められ
てお如、上記各パターン（２）（３１の部分（６１１７
１（クロス八ツチングで示す）が不要であるにも拘らず
残されている場合を示している。
に示す工程図に従い説明する。ガラス板１１１の一面上
にクロム（Ｏｒ）のパターン（２Ｈ３１が形成され、各
パターン１２１１３１は目標のパターン縁（２Ｂ）（３
ａ）に比べてそれぞれ幅広に描画形成さｎている。隣接
バヤ ターン（２１（３１の本来の間隔が（４）であるべきと
ころ、露光条件等の誤差によって間隔（５）に狭められ
てお如、上記各パターン（２）（３１の部分（６１１７
１（クロス八ツチングで示す）が不要であるにも拘らず
残されている場合を示している。
上記部分子６１［７１ｉｅ除去Ｔるという・経正食付な
うために、先ず光学マスクのマスクパターン１２＋１；
（ｌが形成されている側からホトポジレジスト（ｋＺ−
１３５０Ｊなど）（８１１＜自重し、一定の温度でベー
キング食性なう。次いで、この光学マスクのマスクパタ
ーン形成面とは反対側から上記除去部分＋６１ｉ７１に
対応する所定の露光量のビーム（９）にて、未修正のパ
ターン（２１１３） ｔマスクとしてレジスト（８）を
露光する（第１図（ａｌ ）、その後、露光した＠ｔレ
ジスト現像液（レジストがＡＺ系でおればアルカリ溶液
）にて一定の現−＠を行ない、除去予定部分子６１（７
）を露出するような所望するフォトレジストｌ貢パター
ン（８謄得る（第１図（ｂ） ） ｅ尚、このパターン
は上記露光１１を適当に設定することによ環サイドエッ
チ効果にて傅らｎる。そして、このパターン（８ｆｔ−
得た後、ドライエツチングであｎは００Ｅ４などのプラ
ズマガスにて、またツェットエッチングならば硝酸Ｍ２
セリ９ムアンモニクム溶液などのエッチャントにて不用
部分（６１＋７１を除去して本来の間隔（４）を呈する
ようにする（第１図ｉｃ） ）、次いで、フォトレジス
ト膜パターン（８１ｋ除去して、目標通りの光学マスク
を得る。
うために、先ず光学マスクのマスクパターン１２＋１；
（ｌが形成されている側からホトポジレジスト（ｋＺ−
１３５０Ｊなど）（８１１＜自重し、一定の温度でベー
キング食性なう。次いで、この光学マスクのマスクパタ
ーン形成面とは反対側から上記除去部分＋６１ｉ７１に
対応する所定の露光量のビーム（９）にて、未修正のパ
ターン（２１１３） ｔマスクとしてレジスト（８）を
露光する（第１図（ａｌ ）、その後、露光した＠ｔレ
ジスト現像液（レジストがＡＺ系でおればアルカリ溶液
）にて一定の現−＠を行ない、除去予定部分子６１（７
）を露出するような所望するフォトレジストｌ貢パター
ン（８謄得る（第１図（ｂ） ） ｅ尚、このパターン
は上記露光１１を適当に設定することによ環サイドエッ
チ効果にて傅らｎる。そして、このパターン（８ｆｔ−
得た後、ドライエツチングであｎは００Ｅ４などのプラ
ズマガスにて、またツェットエッチングならば硝酸Ｍ２
セリ９ムアンモニクム溶液などのエッチャントにて不用
部分（６１＋７１を除去して本来の間隔（４）を呈する
ようにする（第１図ｉｃ） ）、次いで、フォトレジス
ト膜パターン（８１ｋ除去して、目標通りの光学マスク
を得る。
第２図（ａ）開（ｏ）は本発明方法の第２実施例の作業
工程図を示すものである。光学マスク上には適正なマス
クパターン（２１ｉ３１の間に残存欠陥に相当する不用
なパターンｌｌＩ・が形成されている。この不用パター
ン′ｆ：ｆｊＩうようにホトポジレジスト膜（８）ｔ″
付殴その後この不用パターン帥を含む領域αＢに対して
ガラス板（１１０反対側からこの領域（１１１に制限さ
れているスポットビーム（９）を付与する（ｉ＠２図（
ａ） ） ＊このビームの露光量は不用パターン止後方
のレジスト膜を露光することができる程度に選定されて
いる・この露光動作の終了後、第１実施例と同様に現像
処理されその結果、不用バメーｙａＩｓ分のレジスト膜
を除去しく第２図（ｂ目、エツチングにて不用パターン
（１１Ｑ第２図（ｃｌに示す如く除去する。
工程図を示すものである。光学マスク上には適正なマス
クパターン（２１ｉ３１の間に残存欠陥に相当する不用
なパターンｌｌＩ・が形成されている。この不用パター
ン′ｆ：ｆｊＩうようにホトポジレジスト膜（８）ｔ″
付殴その後この不用パターン帥を含む領域αＢに対して
ガラス板（１１０反対側からこの領域（１１１に制限さ
れているスポットビーム（９）を付与する（ｉ＠２図（
ａ） ） ＊このビームの露光量は不用パターン止後方
のレジスト膜を露光することができる程度に選定されて
いる・この露光動作の終了後、第１実施例と同様に現像
処理されその結果、不用バメーｙａＩｓ分のレジスト膜
を除去しく第２図（ｂ目、エツチングにて不用パターン
（１１Ｑ第２図（ｃｌに示す如く除去する。
その後、レジスト膜（８ｒ會除去して残存欠陥のない正
規の光学マスクｔ−得る。
規の光学マスクｔ−得る。
（へ）発明の効果
本発明は光学マスクの製造時にマスクパターンが目標値
よ如も広いという欠陥が発生してもこれｔ修正すること
ができるので光学マスク作製における歩留りの向上が図
れる。また、光学マスク上に残存欠陥が生じてもこれｔ
容易に除去でき光学マスクの精度向上に寄与できる。
よ如も広いという欠陥が発生してもこれｔ修正すること
ができるので光学マスク作製における歩留りの向上が図
れる。また、光学マスク上に残存欠陥が生じてもこれｔ
容易に除去でき光学マスクの精度向上に寄与できる。
第１図（ａ）（ｂ）（ｏｌは本発明方法の１実施例の工
程説明図、第２図（ａ）（ｂＨｃ）は他の実施例の工程
説明図である。 主な符号の説明 １２１１３１・・・マスクパターン、（８）・・・フォ
トレジスト１１％、１６１１７）・・・マスクパターン
部分（除去予定部分）、 ａα・・・不用パターン 出願人 三洋ｉｍａｉ株式会社 代理人 弁理士 佐 野 静 夫 区 ９ 派 ＝１２″。
程説明図、第２図（ａ）（ｂＨｃ）は他の実施例の工程
説明図である。 主な符号の説明 １２１１３１・・・マスクパターン、（８）・・・フォ
トレジスト１１％、１６１１７）・・・マスクパターン
部分（除去予定部分）、 ａα・・・不用パターン 出願人 三洋ｉｍａｉ株式会社 代理人 弁理士 佐 野 静 夫 区 ９ 派 ＝１２″。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １１＋ マスクパターンが形成されている光学マスクの
該マスクパターンに部分的に形状修正を施こすパターン
修正方法において、前記光学マスクの前記マスクパター
ンの形成面側に７オトレジストを塗布し、被着したフォ
トレジスト膜の全面又は所定個所に前記形成面側とは反
対側の表面から所定露光量の露光上行ない、次いで前記
フォトレジスト膜の現像上行なって所望の７オトレジス
ト膜パターンを形成し、次いでこのフォトレジストパタ
ーン膜によって保護されていないマスクパターン部分を
除去するようにしてなるマスクパターン修正方法。 （２）前記マスクパターン部分は必要なマスクパターン
の間に介在する残存欠陥である特許請求の範囲４０１項
記載のマスクパターン修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59119423A JPS60262422A (ja) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | マスクパタ−ン修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59119423A JPS60262422A (ja) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | マスクパタ−ン修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60262422A true JPS60262422A (ja) | 1985-12-25 |
Family
ID=14761084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59119423A Pending JPS60262422A (ja) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | マスクパタ−ン修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60262422A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07140633A (ja) * | 1992-11-13 | 1995-06-02 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | リム型の位相シフト・マスクの形成方法 |
| JP2002280290A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-27 | Nec Corp | 電子ビーム露光用及び該マスクを用いた電子ビーム露光方法 |
-
1984
- 1984-06-11 JP JP59119423A patent/JPS60262422A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07140633A (ja) * | 1992-11-13 | 1995-06-02 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | リム型の位相シフト・マスクの形成方法 |
| JP2002280290A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-27 | Nec Corp | 電子ビーム露光用及び該マスクを用いた電子ビーム露光方法 |
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