CN115685663A - 带sraf的opc修正方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种带SRAF的OPC修正方法，该方法包括：设计试验，获得添加SRAF图形的最优规则；使用原有的OPC模型；对目标图形添加SRAF图形，形成预设图形；使用原有的OPC模型对预设图形进行运算修正，在运算修正过程中SRAF图形作为目标图形的一部分一起参与OPC运算，并保持SRAF图形不动。通过在对带SRAF的目标图形进行修正过程中，将SRAF图形与目标图形作为一个整体一起参与OPC运算，并将SRAF图形保持不动，即SRAF图形不参与OPC模型对目标图形边缘修正的动作，只考虑SRAF图形对目标图形光学环境的影响，确保了OPC修正的精确性；同时在修正过程中不需要额外制作带SRAF的建模光刻版，节省了光刻版的制版费用；另外利用现有的OPC模型，有效节省了大量OPC建模所需时间，提高修正效率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体光刻技术领域，特别是涉及一种带SRAF的OPC修正方法。
背景技术
随着超大规模集成电路(ULSI，Ultra Large Scale Integration)的飞速发展，集成电路制造工艺变得越来越复杂和精细，其中光刻技术是集成电路制造工艺发展的驱动力，也是最为复杂的技术之一。光刻即通过光刻机将掩模版上的集成电路的设计图形转移到硅片上的重要手段。由于半导体器件尺寸的缩小，例如在0.18μm及以下技术节点的关键层次比如TO(有源区层次)，GT(栅氧层次)，An(金属连线层次)的CD(关键尺寸)越来越小，曝光所用的波长大于物理版图设计的理想图形的尺寸和图形之间的间距，光波的干涉和衍射效应使得实际硅片上得到的光刻图形与掩模版图形之间存在一定的变形和偏差，光刻中的这种误差直接影响电路性能和生产成品率。产生这种差异的一个重要原因是光刻所用光束波长大于物理版图设计的理想图形的尺寸和图形之间的间距时产生光学临近效应(OPE，Optical Proximity Effect)。因此，为了解决所述问题可以对所述掩模版进行光学临近修正(OPC，Optical Proximity Correction)。OPC指的是对掩模版的图形做适当的修改以补偿光学临近效应造成的缺陷，从而在晶圆表面上得到和原始的掩模版上图形设计相同的图案。
与此同时，为了获得更高的光刻工艺窗口，除了对版图目标图形进行修正，还需在目标图形周围添加亚分辨率辅助图形(SRAF，sub resolution assist feature)，SRAF技术通过在版图的主图形附近添加亚分辨率辅助图形，使得孤立图形和稀疏图形在光学的角度具有密集图形的特性，从而改善光强分布，提高成像质量。
通常利用基于模型的方法(model-based)或基于规则的方法(rule-based)添加亚分辨率辅助图形。目前，对于较大尺寸技术节点(例如45nm以上工艺节点)，一般使用添加rule-based SRAF的model-based OPC，需要重新制作带SRAF的OPC建模光刻版及重新建立带SRAF的OPC模型，此过程需要额外制作建模光刻版及耗费大量时间收集数据及建模，导致修正成本提高且效率降低。
发明内容
鉴于以上缺点，本发明的目的在于提供一种带SRAF的OPC修正方法，用于解决带SRAF的OPC修正方法，需要额外制作建模光刻版及耗费大量时间收集数据及建模，导致修正成本提高且效率降低等的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种带SRAF的OPC修正方法，所述修正方法包括：
设计试验，获得添加SRAF图形的最优规则；
使用原有的OPC模型；
对目标图形添加所述SRAF图形，形成预设图形；使用所述原有的OPC模型对所述预设图形进行运算修正，其中，在运算修正过程中所述SRAF图形作为所述目标图形的一部分一起参与OPC运算，并保持所述SRAF图形不动。
可选地，所述修正方法用于45nm以上的工艺节点。
进一步地，所述SRAF图形为基于规则的SRAF图形，所述OPC为基于模型的OPC。
可选地，所述原有的OPC模型为当前工艺节点下的原有OPC模型，或使用原有OPC建模光刻版新建的OPC模型。
可选地，所述SRAF图形的所述最优规则包括所述SRAF图形的宽度、所述SRAF图形与所述目标图形之间的间距及所述SRAF图形之间的间距中的一个或多个。
可选地，所述SRAF图形的宽度、所述SRAF图形与所述目标图形之间的间距及所述SRAF图形之间的间距型由光学临近效应校正模型逆向仿真得出。
可选地，所述SRAF图形的数量至少为一个。
可选地，所述目标图形包括线条和/或间隔。
进一步地，所述目标图形为间隔时，在所述目标图形上去掉所述SRAF图形，生成所述预设图形。
可选地，在运算修正过程中所述SRAF图形不参与OPC模型对所述目标图形边缘的修正。
如上所述，本发明的带SRAF的OPC修正方法，通过在对带SRAF的目标图形进行修正过程中，将SRAF图形与目标图形作为一个整体一起参与OPC运算，并将SRAF图形保持不动，即SRAF图形不参与OPC模型对目标图形边缘修正的动作，只考虑SRAF图形对目标图形光学环境的影响，确保了OPC修正的精确性；同时在修正过程中不需要额外制作带SRAF的建模光刻版，节省了光刻版的制版费用；另外，利用现有的OPC模型或使用现有的OPC建模光刻版新建的OPC模型，有效节省了大量OPC建模所需时间，提高修正效率。
附图说明
图1显示为一示例性的带SRAF的OPC修正方法的流程示意图。
图2显示为一示例性的带SRAF的OPC修正方法中未修正前，目标图形线宽为135nm的示意图，其中目标图形为线条。
图3显示为一示例性的带SRAF的OPC修正方法中修正后，目标图形的修正图形的线宽为145nm的示意图，其中目标图形为线条。
图4显示为本申请一实施例中带SRAF的OPC修正方法的流程示意图。
图5显示为本申请一实施例中带SRAF的OPC修正方法中未修正前，目标图形线宽为135nm的示意图，其中目标图形为线条。
图6显示为本申请一实施例中带SRAF的OPC修正方法中修正后，目标图形的修正图形的线宽为146nm的示意图，其中目标图形为线条。
图7显示为本申请另一实施例中带SRAF的OPC修正方法中未修正前，目标图形为间隔的示意图。
图8显示为本申请另一实施例中带SRAF的OPC修正方法中修正后，目标图形的修正图形的示意图。
元件标号说明
11 SRAF图形
12 目标图形
13 目标图形的修正图形
W1 目标图形的线宽
W2 目标图形的修正图形的线宽
S11～S15 步骤
S21～S24 步骤
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1至图8。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
如图1所示，为一示例性的带SRAF的OPC修正方法，包括如下步骤：
S11，设计试验，获得添加SRAF图形的最优规则；
S12，使用SRAF图形的最优规则制定新的OPC建模光刻版，即将符合上述最优规则的SRAF图形添加至用于OPC建模的测试图形中并制备新的OPC建模的光刻板；
S13，使用上述光刻版收集光刻数据，建立带SRAF图形的OPC模型并验证该OPC模型；
S14，对目标图形添加上述SRAF图形，并使用带SRAF图形的OPC模型对目标图形进行修正；
S15，得到最终修正图形，该修正图形中包括上述目标图形的修正图形。
如图2及图3所示，为采用一示例性的带SRAF的OPC修正方法对目标图形的线宽W1为135nm的条形目标图形12进行修正的示意图，修正后目标图形的修正图形的线宽W2为145nm。其中图2为未修正前，对目标图形12添加SRAF图形11形成的预设图形14；图3为修正后，得到的最终修正图形，其中包括SRAF图形11及目标图形的修正图形13。
采用一示例性的的带SRAF的OPC修正方法虽然可以对目标图形进行精确的修正，但在修正过程中需要额外制作建模光刻版，并耗费大量时间收集数据用于OPC建模，导致修正成本高且修正效率低的问题。
发明人对带SRAF的OPC修正方法进行研究及分析，提出了一种新的带SRAF的OPC修正方法，如图4所示，所述修正方法包括：
首先进行步骤S21，设计试验，获得添加SRAF图形的最优规则。
作为示例，所述SRAF图形的所述最优规则包括所述SRAF图形的宽度、所述SRAF图形与所述目标图形之间的间距及所述SRAF图形之间的间距中的一个或多个等参数。较佳地，所述SRAF图形的宽度、所述SRAF图形与所述目标图形之间的间距及所述SRAF图形之间的间距型由光学临近效应校正模型逆向仿真得出。一般地，所述SRAF图形的数量至少为一个，具体地，可以根据实际情况进行选择，在此不作限制。
然后进行步骤S22，使用原有的OPC模型。
作为示例，所述原有的OPC模型为当前工艺节点下的原有OPC模型，或使用原有OPC建模光刻版新建的OPC模型。
接着进行步骤S23，对目标图形添加所述SRAF图形，形成预设图形；使用所述原有的OPC模型对所述预设图形进行运算修正，其中，在运算修正过程中所述SRAF图形作为所述目标图形的一部分一起参与OPC运算，并保持所述SRAF图形不动(freeze)。
最后进行步骤S24，得到最终修正图形，该修正图形中包括所述SRAF图形及目标图形的修正图形。
作为示例，本示例的带SRAF的OPC修正方法较佳地适用于45nm以上的工艺节点的目标图形的修正。
较佳地，所述SRAF图形适于选择基于规则的SRAF图形，所述OPC适于选择基于模型的OPC。
作为示例，在运算修正过程中所述SRAF图形不参与OPC模型对所述目标图形边缘的修正。
如图5及图6所示，为采用本实施例的带SRAF的OPC修正方法对目标图形的线宽W1为135nm的条形目标图形12进行修正的示意图，修正后目标图形的修正图形的线宽W2为146nm。其中图5为未修正前，对目标图形12添加SRAF图形11形成的预设图形14；图6为修正后，得到的最终修正图形，其中包括SRAF图形11及目标图形的修正图形13。该修正结构与前述示例性的的修正结构图形十分接近，即本实施例的带SRAF的OPC修正方法可以保证修正结果的精确性。这是因为通过在对带SRAF的目标图形进行修正过程中，将SRAF图形与目标图形作为一个整体一起参与OPC运算，并将SRAF图形保持不动，即SRAF图形不参与OPC模型对目标图形边缘修正的动作，只考虑SRAF图形对目标图形光学环境的影响，确保了OPC修正的精确性；同时本实施例的修正方法在修正过程中不需要额外制作带SRAF的建模光刻版，节省了光刻版的制版费用；另外，本实施例的修正方法利用现有的OPC模型或使用现有的OPC建模光刻版新建的OPC模型，有效节省了大量OPC建模所需时间。
作为示例，对所述目标图形12进行修正时，所述目标图形12可以为如图5及图6所述的条形图形，也可以为如图7及图8所示的间隔图形，即在目标图形12上去掉negative的SRAF图形，形成如图7所示的预设图形14，然后对预设图形14进行OPC修正，同时将预设图形14上与SRAF图形共边的边缘(coincident edge)固定(freeze)。所述目标图形12也可以是条形图形与间隔图形的结合图形，还可以是其他图形，在此不作限制。
综上所述，本发明提供一种带SRAF的OPC修正方法，该修正方法通过在对带SRAF的目标图形进行修正过程中，将SRAF图形与目标图形作为一个整体一起参与OPC运算，并将SRAF图形保持不动，即SRAF图形不参与OPC模型对目标图形边缘修正的动作，只考虑SRAF图形对目标图形光学环境的影响，确保了OPC修正的精确性；同时在修正过程中不需要额外制作带SRAF的建模光刻版，节省了光刻版的制版费用；另外，利用现有的OPC模型或使用现有的OPC建模光刻版新建的OPC模型，有效节省了大量OPC建模所需时间，提高修正效率。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (10)
1.一种带SRAF的OPC修正方法，其特征在于，所述修正方法包括：
设计试验，获得添加SRAF图形的最优规则；
使用原有的OPC模型；
对目标图形添加所述SRAF图形，形成预设图形；使用所述原有的OPC模型对所述预设图形进行运算修正，其中，在运算修正过程中所述SRAF图形作为所述目标图形的一部分一起参与OPC运算，并保持所述SRAF图形不动。
2.根据权利要求1所述的带SRAF的OPC修正方法，其特征在于，所述修正方法用于45nm以上的工艺节点。
3.根据权利要求2所述的带SRAF的OPC修正方法，其特征在于：所述SRAF图形为基于规则的SRAF图形，所述OPC为基于模型的OPC。
4.根据权利要求1所述的带SRAF的OPC修正方法，其特征在于：所述原有的OPC模型为当前工艺节点下的原有OPC模型，或使用原有OPC建模光刻版新建的OPC模型。
5.根据权利要求1所述的带SRAF的OPC修正方法，其特征在于：所述SRAF图形的所述最优规则包括所述SRAF图形的宽度、所述SRAF图形与所述目标图形之间的间距及所述SRAF图形之间的间距中的一个或多个。
6.根据权利要求5所述的带SRAF的OPC修正方法，其特征在于：所述SRAF图形的宽度、所述SRAF图形与所述目标图形之间的间距及所述SRAF图形之间的间距由光学临近效应校正模型逆向仿真得出。
7.根据权利要求1所述的带SRAF的OPC修正方法，其特征在于：所述SRAF图形的数量至少为一个。
8.根据权利要求1所述的带SRAF的OPC修正方法，其特征在于：所述目标图形包括线条和/或间隔。
9.根据权利要求8所述的带SRAF的OPC修正方法，其特征在于：所述目标图形为间隔时，在所述目标图形上去掉所述SRAF图形，生成所述预设图形。
10.根据权利要求1所述的带SRAF的OPC修正方法，其特征在于：在运算修正过程中所述SRAF图形不参与OPC模型对所述目标图形边缘的修正。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202110852015.0A CN115685663A (zh) | 2021-07-27 | 2021-07-27 | 带sraf的opc修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110852015.0A CN115685663A (zh) | 2021-07-27 | 2021-07-27 | 带sraf的opc修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115685663A true CN115685663A (zh) | 2023-02-03 |
Family
ID=85059099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110852015.0A Pending CN115685663A (zh) | 2021-07-27 | 2021-07-27 | 带sraf的opc修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| CN (1) | CN115685663A (zh) |
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