JPS6366556A - フオトマスクの修正方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［概要］ 透明基板のパターン欠陥部を除く部分をレジストで被覆
し、その上からスクリーンプリントによって欠陥部を遮
光性材料で埋めて、修正する。そうすると、一層修正が
容易になる。

［産業上の利用分野］ 本発明はフォトマスクの修正方法に関する。

半導体装置の製造工程において、最も重要な工程の一つ
として微細パターンを写真食刻法で形成する、所謂フォ
トプロセスがあり、このフォトプロセスではフォトマス
クが欠かせない材料である。

このフォトマスクとして、最近、微細パターンの形成に
優れたハードマスクが重用されており、更に、ハードマ
スクは縮小露光装置の汎用化に伴ってレチクルマスク（
５倍や１０倍の拡大パターンを設けたハードマスク）が
汎用されている。このようなハードマスク、レチクルマ
スクは、作成時にパターン残りができたり、パターン欠
陥やピンホールができたりする。且つ、使用時には、パ
ターンが薄い遮光膜で作成されているため、傷がつき易
くて、小さな欠陥ができやすい欠点がある。そのため、
従前より欠陥部を修正する方法が採られており、パター
ン残りの除去は比較的簡単におこなうことができるが、
パターン欠陥やピンホール。

傷の修正法は余り簡単ではなく、従前より色々の方法が
考案されている。しかし、この修正法もできるだけ簡単
な方法が望まれている。

［従来の技術］ レチクルマスク　（ハードマスク）は、遮光膜パターン
を金属膜、金属酸化膜などで形成しており、例えば、膜
厚５００〜１０００人程度のクロム（Ｃｒ）膜や酸化ク
ロム（Ｃｒ２０３）膜、あるいは両者の複合膜によって
パターンが形成されている。しかし、上記のように、ハ
ードマスクには僅かに一部のみにピンホールがあったり
、スリ傷ができたりして、遮光パターンに欠陥部が発生
することが多く、そのため、ハードマスクの修正が行な
われている。

第３図はその欠陥部のあるハードマスクの断面図を図示
しており、１は石英ガラス基板（透明基板）、２−１．
２−２はクロム膜パターン（遮光膜パターン）で、２−
２は欠陥あるクロム膜パターンを示し、２Ｓが欠陥部で
、１０はハードマスク全体を示す記号である。

従来、このような欠陥部２Ｓを修正するためには、例え
ば、第４図（ａ）〜（Ｃ）に示すような方法で修正を行
なっている。まず１．第４図（ａｌに示すように、欠陥
部２Ｓのあるハードマスク１０　（第３図参照）の上に
、ポジレジスト３を全面に塗布した後、欠陥パターンの
欠陥部２Ｓをスポット露光し現像して、欠陥部のみレジ
ストが除去されたレジスト膜パターン３を形成する。

次いで、第４図（′ｂ）に示すように、その上面からク
ロム膜４をスパッタ法で被着する。しかる後、レジスト
３を除去すると、レジスト上のクロム膜も同時にリフト
オフされ、同図（Ｃ）に示すように、欠陥部２Ｓにのみ
クロム膜４が残存して、欠陥部が解消する。

また、最近では、局部照射処理する修正法、例えば、フ
ォーカスト・イオンビーム法やＣＶＤ法（化学気相成長
法）が開発されている。そのうち、フォーカスト・イオ
ンビーム法は、第５図に示すように、欠陥部のあるハー
ドマスク１０をイオンビーム照射装置（図に示していな
い）に収容し、欠陥部２ＳにイオンビームＩＢを照射し
て、その欠陥部分の石英ガラス基板１を失透させる方法
（Ｇは失透部を示す）である。また、後者のＣＶＤ法は
、気相成長装置の内部に、欠陥部２Ｓのあるハードマス
ク１０を収容して、有機クロム化合物ガスを分解被着さ
セながら、欠陥部２Ｓにレーザビームを照射して、その
欠陥部分の石英ガラス基板１を失透させる方法（図示せ
ず）である。

［発明が解決しようとする問題点Ｊ このように、種々の修正方法が開発されているが、最初
の、クロムをスパッタ法で蒸着し、リフトオンして欠陥
部にのみクロムを残存させる方法は一般的な修正法とし
て汎用されているが、処理に多くの工数がかかるのが欠
点で、特にクロムの蒸着時に、スパッタ装置に収容し、
真空中においてクロム膜４をスパッタリングする真空処
理に時間がかかる。

また、最近に開発されたフォーカスト・イオンビーム法
やＣＶＤ法のような局部照射による修正法も特定の装置
中にハードマスク１０を収容し、真空中あるいは減圧中
にて処理する必要があり、その処理に時間がかかり、ま
た、取扱いが厄介な欠点がある。

本発明は、これらの修正法に代わる、蒲単に処理ができ
る修正方法を提案するものである。

［問題点を解決するための手段］ その目的は、透明基板上に設けられた遮光膜パターンの
欠陥部以外の部分をレジストで被覆し、スクリーンプリ
ントによって該欠陥部に遮光性材料を刷り込んで埋め、
その後、レジストを除去するようにした修正方法によっ
て達成される。

し作用］ 即ち、本発明は、スクリーンプリントによって遮光性材
料（例えば、遮光性インクや遮光性樹脂）を欠陥部に埋
める修正方法で、従来の汎用法（第４図参照）に類似し
、且つ、それより一層簡華な修正法である。

［実施例］ 以下、図面を参照して実施例によって詳細に説明する。

第１図（ａ）〜（Ｃ１は本発明にかかるフォトマスクの
修正方法を示しており、まず、同図（ａｌに示すように
、欠陥部２Ｓのあるハードマスク１０の上に、ポジレジ
スト１３を塗布した後、欠陥部２Ｓをスポット露光し現
像して、欠陥部のみレジストが除去されたレジスト膜パ
ターン１３を形成する。

次いで、第１図（ｂｌに示すように、ハードマスク１０
の上にスクリーンプリント治具２０を配置し、その治具
２０の上に遮光性樹脂３０の液を滴下して、回転ローラ
２ＯＲでハードマスク１０に刷り込む。スクリーンプリ
ント治具２０は欠陥部の近傍のみアパーチャ（開口）を
有するもので、回転ローラ２ＯＲで樹脂液を刷り込むと
、そのアパーチャから欠陥部２Ｓの部分に樹脂３０が刷
り込まれて、欠陥部２Ｓが埋没される。

次いで、第１図（Ｃ）に示すように、スクリーンプリン
ト治具２０を取り除いて、欠陥部２Ｓの樹脂３０を乾燥
して固化させる。なお、スクリーンプリント治具２０に
ついては第２図に斜視図を示しているが、詳細は後記す
る。次いで、同図（ｄｌに示すように、アルカリ水溶液
にハードマスク１０を浸漬して、レジスト１３を除去す
る。そうすると、レジスト１３上に被着した樹脂３０は
リフトオフにより同時に除去され、遮光パターン２−２
の欠陥部２Ｓは遮光性樹脂３０によって被覆された状態
となって、欠陥部が解消する。

この遮光性樹脂３０は、そのために、アルカリ水溶液に
簡単に溶解しない遮光性材料、例えば、マシューズイン
ク（米国マシューズ社製のインク）を使用する。また、
遮光性のインクを用いても良い。

第２図は前記したスクリーンプリント治具２０の斜視図
を示している。このスクリーンプリント治具２０は欠陥
部に位置合わせして、その部分のみメツシュ（網目）を
露出させたアパーチャ２１を有し、他の部分は遮蔽マス
クで被覆した構造のものである。従って、治具２０は治
具枠２２の四方から遮蔽マスク板ａ、ｂ、ｃ、ｄが左右
にスライドして、所要部にのみアパーチャ２１を設ける
ことができる構造で、全体の大きさはハードマスク１０
とほぼ同等のものである。

このような、本発明にかかる修正法は、真空容器中に収
容する必要がなく、従来の処理法に比べて修正が簡単に
なる。従って、修理コストを低減させることができて、
且つ、何回でも容易におこなうことができる。

［発明の効果］ 以上の説明から明らかなように、本発明によればレチク
ルマスク（ハードマスク）を簡単に修正することができ
、その製作費のコストダウンに役立つものである。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａｌ〜（ｄ）は本発明にかかる修正方法の工程
順潤筆２図はスクリーンプリント治具の斜視図、第３図
は欠陥部のあるハードマスクの断面図、第４図＜Ｂ）〜
（Ｃｌおよび第５図は従来の修正方法のコー程図である
。 図において、 １は石英ガラス基板、 ２−１．２−２はクロム膜パターン、 ３．１３はポジレジスト、 ２Ｓは欠陥部、 １０はハードマスク（レチクルマスク）、２０はスクリ
ーンプリント治具、 ２１は回転ローラ、 ３０は遮光性樹脂 を示している。 序発朗酵ｔ−杏脩丑オ琢の工科１・ＩｔｌＺ７第１図 ｆ、ｔ＋６）４１Ｆ　Ｅ　；）ｉｓｌ　／ｌ　Ｉ　ｊｉ
　Ｃ第４図 第５図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 透明基板上に設けた遮光膜パターンの欠陥部以外の部分
   をレジストで被覆し、スクリーンプリントによつて該欠
   陥部に遮光性材料を刷り込んで埋め、その後、レジスト
   を除去するようにしたことを特徴とするフォトマスクの
   修正方法。