JPH039354A - エマルジョンマスク等の欠陥修正方法 - Google Patents
エマルジョンマスク等の欠陥修正方法Info
- Publication number
- JPH039354A JPH039354A JP1143248A JP14324889A JPH039354A JP H039354 A JPH039354 A JP H039354A JP 1143248 A JP1143248 A JP 1143248A JP 14324889 A JP14324889 A JP 14324889A JP H039354 A JPH039354 A JP H039354A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emulsion
- defect
- layer
- defects
- defective
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims abstract description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims abstract description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims abstract description 6
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 8
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000005871 repellent Substances 0.000 claims description 2
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 claims 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 abstract description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 4
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 abstract 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 13
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 5
- GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N sodium;9,10-dioxoanthracene-2-sulfonic acid Chemical compound [Na+].C1=CC=C2C(=O)C3=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C3C(=O)C2=C1 GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010027146 Melanoderma Diseases 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBECDWUDYQOTSW-UHFFFAOYSA-N 2-ethylbut-3-enal Chemical compound CCC(C=C)C=O CBECDWUDYQOTSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000298 Cellophane Polymers 0.000 description 1
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- 206010064127 Solar lentigo Diseases 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZBCVRCTAYKYHR-UHFFFAOYSA-N acetic acid;chloroethene Chemical compound ClC=C.CC(O)=O LZBCVRCTAYKYHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 1
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 150000008049 diazo compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000000664 diazo group Chemical group [N-]=[N+]=[*] 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- JTHNLKXLWOXOQK-UHFFFAOYSA-N n-propyl vinyl ketone Natural products CCCC(=O)C=C JTHNLKXLWOXOQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000003223 protective agent Substances 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 238000007873 sieving Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/30—Organic material
- B23K2103/42—Plastics
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、エマルジョンマスク等の欠陥部の修正方法に
係わり、詳しくは、半導体素子製造を始めとするフォト
エレクトロフォーミング製品の製造過程のリングラフィ
工程に用いるフォトマスクの一種であるエマルジョンマ
スク、あるいはLCD、CCD用カラーフィルターの有
機被膜パターン(以下エマルジョンマスク等という)の
ピンホール、欠損等の白欠陥を修正する方法に関するも
のである。
係わり、詳しくは、半導体素子製造を始めとするフォト
エレクトロフォーミング製品の製造過程のリングラフィ
工程に用いるフォトマスクの一種であるエマルジョンマ
スク、あるいはLCD、CCD用カラーフィルターの有
機被膜パターン(以下エマルジョンマスク等という)の
ピンホール、欠損等の白欠陥を修正する方法に関するも
のである。
(従来の技術)
近年、IC及びLSIの高集積化に伴うパターンの微細
化が進み、半導体素子用のパターンはますます高精度化
、高品質化する傾向にあるが、半導体素子以外にも、例
えばカラーテレビ用シャドウマスク、プリント配線板、
各種表示管用電極、光学測定機の標線等のフォ1−エツ
チング製品と撮像管用メツシュ、電子顕微鏡メツシュ、
篩い分は用メツシュ等のフォトエレクトロフォーミング
製品もまた高品質、高精度が要求される。
化が進み、半導体素子用のパターンはますます高精度化
、高品質化する傾向にあるが、半導体素子以外にも、例
えばカラーテレビ用シャドウマスク、プリント配線板、
各種表示管用電極、光学測定機の標線等のフォ1−エツ
チング製品と撮像管用メツシュ、電子顕微鏡メツシュ、
篩い分は用メツシュ等のフォトエレクトロフォーミング
製品もまた高品質、高精度が要求される。
従来の機械的加工法では到達不可能であった微細、精密
加工がフォ1フアプリケーション技術により可能となっ
たが、この技術で使用されるフォトマスクは高い画像精
度が要求されるものである。
加工がフォ1フアプリケーション技術により可能となっ
たが、この技術で使用されるフォトマスクは高い画像精
度が要求されるものである。
このような高い画像精度が要求されるフォトマスクにお
いては、マスク製造工程で発生ずる微小欠陥部の修正が
必要である。
いては、マスク製造工程で発生ずる微小欠陥部の修正が
必要である。
現在、フォトマスクはその材料によってエマルジョンマ
スクと、ハードマスクの2種類に分けられ、エマルジョ
ンマスクは、ガラス板の表面に高解像力写真乳剤が塗布
されているものである。
スクと、ハードマスクの2種類に分けられ、エマルジョ
ンマスクは、ガラス板の表面に高解像力写真乳剤が塗布
されているものである。
通常エマルジョンマスクの感光材としては、銀塩材料と
非銀塩材料があり、その膜厚は通常2〜6μ程度である
。
非銀塩材料があり、その膜厚は通常2〜6μ程度である
。
一方、ハードマスクはガラス板の表面に蒸着、またはス
パッタリングの方法により遮光性金属薄膜、例えばクロ
ム、酸化鉄、タンタル等を厚み0.1μ程度に成膜させ
てなるものである。
パッタリングの方法により遮光性金属薄膜、例えばクロ
ム、酸化鉄、タンタル等を厚み0.1μ程度に成膜させ
てなるものである。
次に、フォトマスク製造において発生ずる欠陥には、ピ
ンホール、欠損等の白欠陥と黒点等の黒欠陥とがあり、
ピンフォール及び黒点に関する修正方法は、フォトマス
クの種類により異なるが、黒点欠陥については、黒点欠
陥部に合わせてレーザーを照射し、除去する方法が知ら
れており、白欠陥については、ハードマスクの場合は、
全面にフォトレジストを塗布し、欠陥部のフォトレジス
トを部分露光し、現像後、欠陥部のみのレジストが除去
された状態で、全面に蒸着又はスパッタリングの方法に
より、クロム等の遮光性金属薄膜を成膜し、その後フォ
トレジストを剥離することにより、欠陥部のみが成膜の
状態となって、ピンホール等の白欠陥部が遮光される。
ンホール、欠損等の白欠陥と黒点等の黒欠陥とがあり、
ピンフォール及び黒点に関する修正方法は、フォトマス
クの種類により異なるが、黒点欠陥については、黒点欠
陥部に合わせてレーザーを照射し、除去する方法が知ら
れており、白欠陥については、ハードマスクの場合は、
全面にフォトレジストを塗布し、欠陥部のフォトレジス
トを部分露光し、現像後、欠陥部のみのレジストが除去
された状態で、全面に蒸着又はスパッタリングの方法に
より、クロム等の遮光性金属薄膜を成膜し、その後フォ
トレジストを剥離することにより、欠陥部のみが成膜の
状態となって、ピンホール等の白欠陥部が遮光される。
一方、エマルジョンマスクの場合は、ハードマスクが数
インチ角程度のサイズであるのに対して、20〜40イ
ンチ等と大きなサイズとなるため、上記のような蒸着、
スパッタリングの一連の方法が、大型コーティング装置
、大型真空装置等が必要となり、設備上困難であるとこ
ろから一般的には、微細な毛先を有する筆等を用いて、
硯ですった墨を人手で欠陥部に塗布する方法等が行われ
ている。
インチ角程度のサイズであるのに対して、20〜40イ
ンチ等と大きなサイズとなるため、上記のような蒸着、
スパッタリングの一連の方法が、大型コーティング装置
、大型真空装置等が必要となり、設備上困難であるとこ
ろから一般的には、微細な毛先を有する筆等を用いて、
硯ですった墨を人手で欠陥部に塗布する方法等が行われ
ている。
(発明が解決しようとする課題)
上記の修正方法にあっては、精度が要求されるもの、又
は欠陥部が非欠陥部に接続、又は隣接しないものに限ら
れ、半導体製造用、又は微細加工用に使用されるフォト
マスクの場合の修正は不可能となる。
は欠陥部が非欠陥部に接続、又は隣接しないものに限ら
れ、半導体製造用、又は微細加工用に使用されるフォト
マスクの場合の修正は不可能となる。
本発明は、以上のような点に鑑みて示されたたちので、
ハードマスクで用いられるコーター蒸着、あるいはスパ
ッタリング等の一連の設備を大型化することなく、簡易
な方法によって高精度の白欠陥の修正を行うことを目的
とするものである。
ハードマスクで用いられるコーター蒸着、あるいはスパ
ッタリング等の一連の設備を大型化することなく、簡易
な方法によって高精度の白欠陥の修正を行うことを目的
とするものである。
(課題を解決するための手段)
上記の目的を達成するために、本発明にあっては、ガラ
ス板の表面に高解像力写真乳剤が塗布された写真乾板に
画像が焼付けられたエマルジョンマスク等の欠陥部の修
正方法において、エマルジヨン層の欠陥部に対して、欠
陥部を含めてその周辺に、除去可能な樹脂の付着防止層
を形成し、その上より修正すべき欠陥部の形状に合わせ
て紫外光レーザビームを照射し、欠陥部の付着防止層を
除去し、除去した部分に遮光性物質を塗布した後、付着
防止層を剥離除去することによって欠陥部を修正する方
法をとっている。
ス板の表面に高解像力写真乳剤が塗布された写真乾板に
画像が焼付けられたエマルジョンマスク等の欠陥部の修
正方法において、エマルジヨン層の欠陥部に対して、欠
陥部を含めてその周辺に、除去可能な樹脂の付着防止層
を形成し、その上より修正すべき欠陥部の形状に合わせ
て紫外光レーザビームを照射し、欠陥部の付着防止層を
除去し、除去した部分に遮光性物質を塗布した後、付着
防止層を剥離除去することによって欠陥部を修正する方
法をとっている。
(実施例)
以下、本発明の方法を図面を参照しながら説明する。
第1図は、本発明の方法による修正作業の手順を示すフ
ローチャートであり、第2図は、この第1図に示す手順
に対応するエマルジョンマスクの模式斜視図である。
ローチャートであり、第2図は、この第1図に示す手順
に対応するエマルジョンマスクの模式斜視図である。
第3図はエマルジョンマスクの修正前の模式斜視図であ
る。
る。
エマルジョンマスク(A)は、ガラス基材(a)に対し
エマルジョン層(b)を形成したもので、このエマルジ
ョンN (b)には、露光により画像(C)が焼付けら
れている。(1)はこの画像(C)におけるピンホール
、欠損等の欠陥部である。この欠陥部(1)の大きさは
、1m単位から数10μm、数μ糊程度のものである。
エマルジョン層(b)を形成したもので、このエマルジ
ョンN (b)には、露光により画像(C)が焼付けら
れている。(1)はこの画像(C)におけるピンホール
、欠損等の欠陥部である。この欠陥部(1)の大きさは
、1m単位から数10μm、数μ糊程度のものである。
このような欠陥部(1)を有するエマルジョンマスク(
A)に対して、その修正作業を順を追って説明する。
A)に対して、その修正作業を順を追って説明する。
第1ステツプにおいては、エマルジョンマスク(A)の
エマルジョン層(b)に焼付けられた画像(C)の欠陥
部(1)を中心に、その周辺に除去可能な弱粘着性の樹
脂の付着防止層(d)を塗布形成する。
エマルジョン層(b)に焼付けられた画像(C)の欠陥
部(1)を中心に、その周辺に除去可能な弱粘着性の樹
脂の付着防止層(d)を塗布形成する。
この付着防止層(d)としては、塩ビ、酢ビ、ビニルブ
チラール等のビニル系樹脂、あるいは塩酢ビ等のそれら
の重合体、あるいはポリエステル、ポリウレタン、ポリ
エポキシ等の熱可塑性高分子材を有機溶剤に溶かしたも
のであって、これをスポンジ等の先端に含ませて塗布す
るが、その塗布幅は1〜2m+程度であれば充分である
。
チラール等のビニル系樹脂、あるいは塩酢ビ等のそれら
の重合体、あるいはポリエステル、ポリウレタン、ポリ
エポキシ等の熱可塑性高分子材を有機溶剤に溶かしたも
のであって、これをスポンジ等の先端に含ませて塗布す
るが、その塗布幅は1〜2m+程度であれば充分である
。
第2ステツプにおいては、付着防止(保護膜)層(d)
が塗布形成されたエマルジョンマスク(A)の修正を必
要とする欠陥部に合わせて保護膜層(d)上より紫外レ
ーザビームを照射して、保護膜層(d)及びエマルジョ
ン層(b)を除去(2)する。
が塗布形成されたエマルジョンマスク(A)の修正を必
要とする欠陥部に合わせて保護膜層(d)上より紫外レ
ーザビームを照射して、保護膜層(d)及びエマルジョ
ン層(b)を除去(2)する。
この除去部(2)は、欠陥部(1)を含めた例えば長方
体のような割られた部分である。
体のような割られた部分である。
なお、この除去はエマルジョン層(2)を除去できなく
とも実際問題としては差支えない。
とも実際問題としては差支えない。
この除去に使用する紫外レーザビームの照射袋f (B
)は、第4図に示す次のようなものである。
)は、第4図に示す次のようなものである。
レーザ発振器(10)はエキシマレーザであって、これ
より発振される紫外レーザビーム(11)はビームエキ
スパンダー(12)で拡大され、選択反射ミラー(13
)で紫外レーザビームのみが反射され、アパーチャー(
14)によって除去すべき欠陥部(1)を含めて必要形
状に応じたビーム像とされた後、結像レンズ(15)で
縮小投影され、エマルジョンマスク(A)の欠陥部(1
)に相当する領域に照射されるものである。
より発振される紫外レーザビーム(11)はビームエキ
スパンダー(12)で拡大され、選択反射ミラー(13
)で紫外レーザビームのみが反射され、アパーチャー(
14)によって除去すべき欠陥部(1)を含めて必要形
状に応じたビーム像とされた後、結像レンズ(15)で
縮小投影され、エマルジョンマスク(A)の欠陥部(1
)に相当する領域に照射されるものである。
なお、図中(16)は参照光ランプ、(17)は色フイ
ルタ−(18)はハーフミラ−(19)は観察レンズで
ある。
ルタ−(18)はハーフミラ−(19)は観察レンズで
ある。
使用波長はKrFをガス源として24B+m++であり
、レーザーパワーは1パルス当り100〜40抛J程度
である。
、レーザーパワーは1パルス当り100〜40抛J程度
である。
第3ステツプにおいては、保護膜層(d)及びエマルジ
ョン層(b)を除去した除去部(2)に対して、遮断性
顔料(e)を、除去部(2)を含む保護膜層(d)に塗
布する。
ョン層(b)を除去した除去部(2)に対して、遮断性
顔料(e)を、除去部(2)を含む保護膜層(d)に塗
布する。
遮光性顔料層(e)としては、カーボンブラック等の黒
色顔料をを水に溶かしたものを用いる。
色顔料をを水に溶かしたものを用いる。
除去部(2)によって露出するガラス基材(a)面に顔
料が接着し易いように接着剤成分を混合してもよく、ま
た従来から使われている硯ですった墨を用いてもよい。
料が接着し易いように接着剤成分を混合してもよく、ま
た従来から使われている硯ですった墨を用いてもよい。
さらに、カーボンブラックの黒色顔料以外でも、遮光が
必要とする光の波長の成分を遮断するものであればよい
。
必要とする光の波長の成分を遮断するものであればよい
。
また、顔料の塗布は、レーザビームで除去された除去部
(2)を中心に制限はなく、精密な位置決めの機構や、
熟練工の微細な手先を必要とせず、大まかな塗布で充分
である。
(2)を中心に制限はなく、精密な位置決めの機構や、
熟練工の微細な手先を必要とせず、大まかな塗布で充分
である。
第4ステツプにおいては、欠陥部(1)を含む周辺に塗
布した除去可能な保護膜層(d)を剥離するのであるが
、この剥離には、「セロハンテープ」等の粘着テープが
用いられ、この粘着テープを剥がすことにより、保護膜
層(d)は粘着テープに貼付けられて、エマルジョン層
(b)から剥離される。この場合、保護膜層(d)には
弱粘着性の合成樹脂のものを用いているから、その剥離
時にエマルジョンN (b)の表面を傷イ1Uることは
ない。
布した除去可能な保護膜層(d)を剥離するのであるが
、この剥離には、「セロハンテープ」等の粘着テープが
用いられ、この粘着テープを剥がすことにより、保護膜
層(d)は粘着テープに貼付けられて、エマルジョン層
(b)から剥離される。この場合、保護膜層(d)には
弱粘着性の合成樹脂のものを用いているから、その剥離
時にエマルジョンN (b)の表面を傷イ1Uることは
ない。
保護膜層(d)の表面に塗布された遮光性顔料(e)は
、保護膜層(d)と同時に剥離されるが、欠陥部(2)
に塗布された遮光性顔料(e)はそのまま残り、除去部
(2)は遮光性顔料(e)で埋められて、欠陥部(1)
の白欠陥の修正が行われる。
、保護膜層(d)と同時に剥離されるが、欠陥部(2)
に塗布された遮光性顔料(e)はそのまま残り、除去部
(2)は遮光性顔料(e)で埋められて、欠陥部(1)
の白欠陥の修正が行われる。
なお、第1ステ・ンブにおける合成樹脂の保護膜J!!
(d)及び第3ステ・ンブにおける遮光性顔料(e)の
塗布には、第5図に示すようなマイクロデイスペンサー
(液体定量吐出器)(C)を用いてもよい。このものは
、タイマー(20)にて制御される電磁弁(21)を介
して送られる圧縮空気(22)によりタンク(23)内
の塗布剤をノズル(24)から吐出するようにな、って
いる。
(d)及び第3ステ・ンブにおける遮光性顔料(e)の
塗布には、第5図に示すようなマイクロデイスペンサー
(液体定量吐出器)(C)を用いてもよい。このものは
、タイマー(20)にて制御される電磁弁(21)を介
して送られる圧縮空気(22)によりタンク(23)内
の塗布剤をノズル(24)から吐出するようにな、って
いる。
また、第1ステツプにおいて、付着防止層(ci)の形
成りこ、液体保護剤を塗布乾燥させる以外に、数μm厚
さのPET等のフィルムに弱粘着剤をその片面にコー1
− L、たものを使用し5.4これを、エマルジョン層
(1))に焼イ」けた画像(C)の欠陥部(1)にある
いは全面に貼イ4ける方法であってもよい。
成りこ、液体保護剤を塗布乾燥させる以外に、数μm厚
さのPET等のフィルムに弱粘着剤をその片面にコー1
− L、たものを使用し5.4これを、エマルジョン層
(1))に焼イ」けた画像(C)の欠陥部(1)にある
いは全面に貼イ4ける方法であってもよい。
さらにまた、エマルシコン層(b)面に塗−41形成し
7た付着防止層(d)に撥水性をもたせ、この付着防止
層(d)とエマルジョン層(b)とを除去L7た除去部
(2)に塗布する遮光性物質として、親水性の物質、例
えば水溶性インキ、顔料を用いることにより、これの塗
布時Q:除去部(2)以外への付着を防止し、付着防止
層(d)の剥離後の欠陥部(1)の修正を安定させるよ
うにしてもよい。
7た付着防止層(d)に撥水性をもたせ、この付着防止
層(d)とエマルジョン層(b)とを除去L7た除去部
(2)に塗布する遮光性物質として、親水性の物質、例
えば水溶性インキ、顔料を用いることにより、これの塗
布時Q:除去部(2)以外への付着を防止し、付着防止
層(d)の剥離後の欠陥部(1)の修正を安定させるよ
うにしてもよい。
(発明の効果)
本発明の方法によれば、エマルジョンマスク等のピンホ
ールや欠損等の白欠陥を精度良<イ1正することができ
、欠陥部が非欠陥部に連続、。
ールや欠損等の白欠陥を精度良<イ1正することができ
、欠陥部が非欠陥部に連続、。
又は隣接していても、非欠陥部を損なうことなく欠陥部
の修正が可能であり、またピンホールや欠損等以外に完
全に脱落したパターンを新規に再成することも可能であ
る。
の修正が可能であり、またピンホールや欠損等以外に完
全に脱落したパターンを新規に再成することも可能であ
る。
また、本発明の方法は、銀塩乳剤乾板を用いた銀塩系の
エマルジョンマスクのみならず、例えばガラス板の表面
にジアゾ系感光液(ゼラチンなどのコロイド性物質にジ
アゾ化合物を混合した感光液)を塗布してなる非銀塩乳
剤乾板を用い、これに画像を焼付けて有機高分子膜から
なる非銀塩系のエマルジョンマスクの修正にも適用でき
、LCD、あるいはCCD用カラーフィルターの有a被
膜パターンの修正にも有用である。
エマルジョンマスクのみならず、例えばガラス板の表面
にジアゾ系感光液(ゼラチンなどのコロイド性物質にジ
アゾ化合物を混合した感光液)を塗布してなる非銀塩乳
剤乾板を用い、これに画像を焼付けて有機高分子膜から
なる非銀塩系のエマルジョンマスクの修正にも適用でき
、LCD、あるいはCCD用カラーフィルターの有a被
膜パターンの修正にも有用である。
第1図は本発明の方法による修正作業の手順を示すフロ
ーヂャート、 第2図は第1図の手順に対応するエマルジョンマスクの
模式斜視図、 第3図は修正前のエマルジョンマスクの模式第4図は紫
外レーザビームの照射装置による修正作業の模式図、 第5図はマイクロディスベンザ−の4!l略図゛ごある
。 (A) (B) (C) (a) (b) (C) (d) (e) (1) (2) エマルジョンマスク 紫外レーザビーム マイクロデイスペンサー ガラス基材 エマルジョン層 焼付は画像 保護膜層 遮光性顔料層 欠陥部 除去部
ーヂャート、 第2図は第1図の手順に対応するエマルジョンマスクの
模式斜視図、 第3図は修正前のエマルジョンマスクの模式第4図は紫
外レーザビームの照射装置による修正作業の模式図、 第5図はマイクロディスベンザ−の4!l略図゛ごある
。 (A) (B) (C) (a) (b) (C) (d) (e) (1) (2) エマルジョンマスク 紫外レーザビーム マイクロデイスペンサー ガラス基材 エマルジョン層 焼付は画像 保護膜層 遮光性顔料層 欠陥部 除去部
Claims (3)
- (1)エマルジョンマスク等のエマルジョン層に焼付け
られた画像等におけるピンホール、欠損等の白欠陥の欠
陥部に対し、欠陥部を含めた周辺に、除去可能な合成樹
脂の付着防止層を形成し、この欠陥部に合わせてレーザ
ビームを照射し、これにより欠陥部から付着防止層を除
去し、この除去した部分の欠陥部に遮光性物質を塗布し
た後、この欠陥部の遮光物質を残して付着防止層を剥離
除去することにより、エマルジョン層の白欠陥を修正す
ることを特徴とするエマルジョンマスク等の欠陥修正方
法。 - (2)除去可能な合成樹脂の付着防止層として弱粘着性
フィルムを貼り付けることによりて行う請求項(1)記
載のエマルジョンマスク等の欠陥修正方法。 - (3)除去可能な合成樹脂の付着防止層を撥水性物質で
形成し、これに塗布する遮光性物質に親水性物質を用い
る請求項(1)記載のエマルジョンマスク等の修正方法
。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14324889A JP2877838B2 (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | エマルジョンマスク等の欠陥修正方法 |
KR1019900008244A KR100190423B1 (ko) | 1989-06-06 | 1990-06-05 | 에멀젼마스크 등의결함 수정방법 및 장치 |
DE4042695A DE4042695B4 (de) | 1989-06-06 | 1990-06-06 | Vorrichtung zur Reparatur von Fehlern in Emulsionsmasken |
DE4018135A DE4018135B4 (de) | 1989-06-06 | 1990-06-06 | Verfahren und Vorrichtung zur Reparatur von Fehlern in Emulsionsmasken |
US07/957,897 US5347134A (en) | 1989-06-06 | 1992-10-08 | Apparatus for repairing defects in emulsion masks by passing laser light through a variable shaped aperture |
US07/990,371 US5318869A (en) | 1989-06-06 | 1992-12-15 | Method and apparatus for repairing defects in emulsion masks and the like |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14324889A JP2877838B2 (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | エマルジョンマスク等の欠陥修正方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22172598A Division JP2989809B2 (ja) | 1998-08-05 | 1998-08-05 | エマルジョンマスク等の欠陥修正方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH039354A true JPH039354A (ja) | 1991-01-17 |
JP2877838B2 JP2877838B2 (ja) | 1999-04-05 |
Family
ID=15334335
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14324889A Expired - Fee Related JP2877838B2 (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | エマルジョンマスク等の欠陥修正方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2877838B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007067251A (ja) * | 2005-09-01 | 2007-03-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその不良マーク形成方法 |
CN1320407C (zh) * | 2003-12-30 | 2007-06-06 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种修复掩膜上的铬污染点的方法及其所采用的定位版 |
US8408088B2 (en) | 2009-12-04 | 2013-04-02 | Hyundai Motor Company | Apparatus for removing parking state of shift-by-wire shifting device |
CN114309620A (zh) * | 2021-12-14 | 2022-04-12 | 国营芜湖机械厂 | 一种飞机0Cr14Ni5Mo2Cu钢锥裙锁损伤增材修复粉体设计及制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5254502A (en) * | 1975-10-28 | 1977-05-04 | Kenseido Kagaku Kogyo Kk | Method of correcting etching proof resist |
JPS5483377A (en) * | 1977-12-16 | 1979-07-03 | Fujitsu Ltd | Correction method of pattern of photo mask |
JPS57207337A (en) * | 1981-06-16 | 1982-12-20 | Fujitsu Ltd | Pattern machining method |
JPS57210629A (en) * | 1981-06-19 | 1982-12-24 | Fujitsu Ltd | Correcting method for photo-mask pattern |
JPS60120521A (ja) * | 1983-12-03 | 1985-06-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | マスク欠陥修正方法 |
-
1989
- 1989-06-06 JP JP14324889A patent/JP2877838B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5254502A (en) * | 1975-10-28 | 1977-05-04 | Kenseido Kagaku Kogyo Kk | Method of correcting etching proof resist |
JPS5483377A (en) * | 1977-12-16 | 1979-07-03 | Fujitsu Ltd | Correction method of pattern of photo mask |
JPS57207337A (en) * | 1981-06-16 | 1982-12-20 | Fujitsu Ltd | Pattern machining method |
JPS57210629A (en) * | 1981-06-19 | 1982-12-24 | Fujitsu Ltd | Correcting method for photo-mask pattern |
JPS60120521A (ja) * | 1983-12-03 | 1985-06-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | マスク欠陥修正方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1320407C (zh) * | 2003-12-30 | 2007-06-06 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种修复掩膜上的铬污染点的方法及其所采用的定位版 |
JP2007067251A (ja) * | 2005-09-01 | 2007-03-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその不良マーク形成方法 |
US8408088B2 (en) | 2009-12-04 | 2013-04-02 | Hyundai Motor Company | Apparatus for removing parking state of shift-by-wire shifting device |
CN114309620A (zh) * | 2021-12-14 | 2022-04-12 | 国营芜湖机械厂 | 一种飞机0Cr14Ni5Mo2Cu钢锥裙锁损伤增材修复粉体设计及制备方法 |
CN114309620B (zh) * | 2021-12-14 | 2023-04-14 | 国营芜湖机械厂 | 一种飞机0Cr14Ni5Mo2Cu钢锥裙锁损伤增材修复粉体设计制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2877838B2 (ja) | 1999-04-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5318869A (en) | Method and apparatus for repairing defects in emulsion masks and the like | |
DE102006052015B4 (de) | Positionsmessvorrichtung und Positionsabweichungsmessverfahren | |
US8067132B2 (en) | Photomask and exposure method | |
JP2008529079A (ja) | 露光方法および装置 | |
JPS61281241A (ja) | 透過用マスクの補修方法 | |
JP2877838B2 (ja) | エマルジョンマスク等の欠陥修正方法 | |
JPH06102410A (ja) | パターン形成方法 | |
JP2005317802A (ja) | パターン基板の欠陥修正方法及び欠陥修正装置並びにパターン基板製造方法 | |
JP2877841B2 (ja) | エマルジョンマスク等の欠陥修正装置 | |
JP2804309B2 (ja) | エマルジョンマスク等の欠陥修正装置 | |
JP2989809B2 (ja) | エマルジョンマスク等の欠陥修正方法 | |
JP4231670B2 (ja) | カラーフィルタの欠陥修正装置 | |
JPS6344824Y2 (ja) | ||
JP3050556B2 (ja) | エマルジョンマスク等の欠陥部修正方法 | |
JP2804308B2 (ja) | エマルジョンマスク等の欠陥修正方法 | |
JPH06308317A (ja) | 薄膜パターンの不良箇所修正方法および薄膜パターンの形成方法 | |
JP3758887B2 (ja) | パターン修正装置 | |
JPH05303014A (ja) | カラーフィルターの修正法 | |
JPS63241927A (ja) | マスク検査方法 | |
JP2004022241A (ja) | エマルジョンマスクパターン欠陥修正方法及び装置 | |
JPS60235422A (ja) | マスクパタ−ンの欠陥修正方法 | |
JPS6042827A (ja) | 露光方法 | |
JPS60207335A (ja) | パタ−ン修正方法 | |
JPH01109717A (ja) | レジストパターン検査方法 | |
JP2005107327A (ja) | カラーフィルタの製造方法およびその製造装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |