JPS60207335A - パタ−ン修正方法 - Google Patents
パタ−ン修正方法Info
- Publication number
- JPS60207335A JPS60207335A JP59063485A JP6348584A JPS60207335A JP S60207335 A JPS60207335 A JP S60207335A JP 59063485 A JP59063485 A JP 59063485A JP 6348584 A JP6348584 A JP 6348584A JP S60207335 A JPS60207335 A JP S60207335A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- defective part
- emulsion
- black spot
- laser beam
- slit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はパターン修正方法に係り、更に詳しくは半導体
素子製造を始めとするフォトエツチング製品及びフォト
エレクトロフォーミング製品の製造過程のりソゲラフイ
エ程に用いるフォトマスクの一種であるエマルジョンマ
スクの黒点欠陥部を除去する方法に関する。
素子製造を始めとするフォトエツチング製品及びフォト
エレクトロフォーミング製品の製造過程のりソゲラフイ
エ程に用いるフォトマスクの一種であるエマルジョンマ
スクの黒点欠陥部を除去する方法に関する。
近年ＩＯおよびＬ８Ｔの高集積化に伴なうパターンの微
細化が進み、半導体素子用のパターンはますます高精度
化、高品質化する傾向にあるが半導体素子以外にも例え
ばカラーテレビ用シャドウマスク、プリント配線板、各
種表示管用電極、光学測定機の標線等のフォトエツチン
グ製品と撮像管用メツシュ、電子顕微鏡メツシュ、ふる
い分は用メツシュ等のフォトエレクトロフォーミング製
品も父、高品質、高精度が要求される。従来の機械的加
工法では到達不可能であった微細・精密加工がフオトフ
ァブリケーンヨン技術により可能となったが、この技術
で使用されるフォトマスクは高い画像精度が要求される
ものである。
細化が進み、半導体素子用のパターンはますます高精度
化、高品質化する傾向にあるが半導体素子以外にも例え
ばカラーテレビ用シャドウマスク、プリント配線板、各
種表示管用電極、光学測定機の標線等のフォトエツチン
グ製品と撮像管用メツシュ、電子顕微鏡メツシュ、ふる
い分は用メツシュ等のフォトエレクトロフォーミング製
品も父、高品質、高精度が要求される。従来の機械的加
工法では到達不可能であった微細・精密加工がフオトフ
ァブリケーンヨン技術により可能となったが、この技術
で使用されるフォトマスクは高い画像精度が要求される
ものである。
このような高い画像精度が要求されるフォトマスクにお
いて、マスク製造工程で発生する微小欠陥部の修正が必
要である。
いて、マスク製造工程で発生する微小欠陥部の修正が必
要である。
現在、フォトマスクはその材料によってエマルジョンマ
スクと八−ドマスクの二種類に分けられ、エマルジョン
マスクはガラス板の表面に高解像力写真乳剤が塗布され
ているものである。
スクと八−ドマスクの二種類に分けられ、エマルジョン
マスクはガラス板の表面に高解像力写真乳剤が塗布され
ているものである。
通常エマルジョンマスクの感材として銀塩材料と非銀塩
材料があり、その膜厚は通常２Ｎ６ｐｆｌ＆である。−
４−八−Ｖマス々Ｌ者ゼ丹−２妬小表面に蒸着またはス
パッタリングの方法により遮光性金−薄膜、例えばクロ
ム、酸化鉄、タンタル等を厚み０．１μ程度に成膜させ
てなるものである。
材料があり、その膜厚は通常２Ｎ６ｐｆｌ＆である。−
４−八−Ｖマス々Ｌ者ゼ丹−２妬小表面に蒸着またはス
パッタリングの方法により遮光性金−薄膜、例えばクロ
ム、酸化鉄、タンタル等を厚み０．１μ程度に成膜させ
てなるものである。
次にフォトマスク製造において発生する欠陥にはピンホ
ール、黒点キズ等があり、ピンホール及び黒点に関する
修正方法はフォトマスクの種類により異なるが、黒点欠
陥１′一ついて具体例をあげ説明すると八−ドマスクの
場合は欠陥部以外８オドレジスト又は金嘱薄膜が腐食さ
れない物質でマスキングした後、エツチング液で除去す
る方法が一般的であるが、１μ程度の微細黒点欠陥部を
除去したい場合は、ポジ型レジスト例えば東京応化製０
ＦＰＲレジストを塗布した後、欠陥部上のレジストに水
銀ランプ光源を１μ程度に集光させ露光し、現像処理に
よって露光部のレジストを除去した後、エツチング液で
露光金属薄膜を除去する方法がある。
ール、黒点キズ等があり、ピンホール及び黒点に関する
修正方法はフォトマスクの種類により異なるが、黒点欠
陥１′一ついて具体例をあげ説明すると八−ドマスクの
場合は欠陥部以外８オドレジスト又は金嘱薄膜が腐食さ
れない物質でマスキングした後、エツチング液で除去す
る方法が一般的であるが、１μ程度の微細黒点欠陥部を
除去したい場合は、ポジ型レジスト例えば東京応化製０
ＦＰＲレジストを塗布した後、欠陥部上のレジストに水
銀ランプ光源を１μ程度に集光させ露光し、現像処理に
よって露光部のレジストを除去した後、エツチング液で
露光金属薄膜を除去する方法がある。
一方、エマルジョンマスクの場合、乳剤−が厚く金属の
ような適性腐食液が存在しないことから、ハードマスク
の修正方法と異なる。例えば黒点部の修正方法の一つと
してカッターナイフのような鋭利な先端部分で削り取る
方法があり、実施されているが精度の要求されないもの
又は欠陥部が非欠陥部に接続又は隣接しないものに限ら
れ、半導体製造用又は微細加工用に使用されるフォトマ
スクの場合の修正は不可能となる。
ような適性腐食液が存在しないことから、ハードマスク
の修正方法と異なる。例えば黒点部の修正方法の一つと
してカッターナイフのような鋭利な先端部分で削り取る
方法があり、実施されているが精度の要求されないもの
又は欠陥部が非欠陥部に接続又は隣接しないものに限ら
れ、半導体製造用又は微細加工用に使用されるフォトマ
スクの場合の修正は不可能となる。
本発明者はエマルジョンマスクの黒点欠陥部の除去方法
について研究の結果、黒点欠陥部にスリット及び集光レ
ンズを通してＹＡＧレーザ−ビームを照射することによ
り、厚み２Ｓ１０μの乳剤鳴をガラス表面より除去し、
黒点欠陥部を精度よく除去することができるのみならず
、黒点欠陥部が非欠陥部に連続又は隣接していても非欠
陥部を損なうことなく欠陥部を除去することができるこ
とを見いだし、かかる知見にもとづいて本発明を完成し
たものである。
について研究の結果、黒点欠陥部にスリット及び集光レ
ンズを通してＹＡＧレーザ−ビームを照射することによ
り、厚み２Ｓ１０μの乳剤鳴をガラス表面より除去し、
黒点欠陥部を精度よく除去することができるのみならず
、黒点欠陥部が非欠陥部に連続又は隣接していても非欠
陥部を損なうことなく欠陥部を除去することができるこ
とを見いだし、かかる知見にもとづいて本発明を完成し
たものである。
即ち、本発明の要旨はガラス板の表面に高解像力写真乳
剤が塗布された写真乾板に画像が焼付けられたエマルジ
ョンマスクの黒点欠陥部の除去方法において、除去すべ
き黒点欠陥部にスリット及び集光レンズを通してＹＡＧ
レーザ−ビームを照射することにより黒点欠陥部を除去
することを特徴とするパターン修正方法である。
剤が塗布された写真乾板に画像が焼付けられたエマルジ
ョンマスクの黒点欠陥部の除去方法において、除去すべ
き黒点欠陥部にスリット及び集光レンズを通してＹＡＧ
レーザ−ビームを照射することにより黒点欠陥部を除去
することを特徴とするパターン修正方法である。
以下、本発明につき図面を参照しながら詳細に説明する
。
。
第１図はレーザー光源からのレーザー光を集束用レンズ
でエマルジぢンマスクに集束照射する様子を示す図であ
る。
でエマルジぢンマスクに集束照射する様子を示す図であ
る。
Ｎ ｘ ： Ｙ Ａ Ｇレーザー発振器（１）から取り
出した波長０．５３μｍのレーザービーム（２）はビー
ムエキスパンダー（３）で拡大され、反射用ミラー（４
）で反射され、スリット（５）を通った後、集光レンズ
（６）で集束され、エマルジョンマスク（７）の銀乳剤
面の黒点欠陥部に相当する領域に照射される。
出した波長０．５３μｍのレーザービーム（２）はビー
ムエキスパンダー（３）で拡大され、反射用ミラー（４
）で反射され、スリット（５）を通った後、集光レンズ
（６）で集束され、エマルジョンマスク（７）の銀乳剤
面の黒点欠陥部に相当する領域に照射される。
上記の方法により第２図図示のような画像部（９）につ
ながって黒点欠陥部０Ｉの存在する修正を要するエマル
ジョンマスクから、第６図示の如く、黒点欠陥部σＧを
除去することができν尚、閣において（８）はエマルジ
ョン透明部、αＧはガラス基板を示す。
ながって黒点欠陥部０Ｉの存在する修正を要するエマル
ジョンマスクから、第６図示の如く、黒点欠陥部σＧを
除去することができν尚、閣において（８）はエマルジ
ョン透明部、αＧはガラス基板を示す。
而して本発明においてレーザー加工法のうち、特にＹＡ
Ｇレーザー加工法を採用したのは（１）厚み２〜１０μ
の乳剤１をガラス表面より除去できること、（２）集光
スポット径が小さい（直径にして０．０１〜０．１ Ｉ
ＩＢ ）ので微小パダーンの修正が可能であること、（
３）パルス幅が数ｎ８と短く１パルス当りの照射エネル
ギーが小さいので、非照射部への影響が少なく、欠陥部
が非欠陥部に連続又は隣接していても非欠陥部を損なう
ことなく欠陥部を除去しうろことによるものであり、又
、ＹＡＧレーザー加工法は高発振数で平均出力が高く、
発振のＯＮ、ＯＦＦが高速制御できて微細加工に適して
いること、及びパルス発振のレーザーで穴あけする場合
１回の照射で加工される量が少ない為高発振数の装置が
望まれるが、ＹＡ（）レーザーはかかる要望に合致した
ものであることＣ：、もよるものである。
Ｇレーザー加工法を採用したのは（１）厚み２〜１０μ
の乳剤１をガラス表面より除去できること、（２）集光
スポット径が小さい（直径にして０．０１〜０．１ Ｉ
ＩＢ ）ので微小パダーンの修正が可能であること、（
３）パルス幅が数ｎ８と短く１パルス当りの照射エネル
ギーが小さいので、非照射部への影響が少なく、欠陥部
が非欠陥部に連続又は隣接していても非欠陥部を損なう
ことなく欠陥部を除去しうろことによるものであり、又
、ＹＡＧレーザー加工法は高発振数で平均出力が高く、
発振のＯＮ、ＯＦＦが高速制御できて微細加工に適して
いること、及びパルス発振のレーザーで穴あけする場合
１回の照射で加工される量が少ない為高発振数の装置が
望まれるが、ＹＡ（）レーザーはかかる要望に合致した
ものであることＣ：、もよるものである。
次に本発明の方法は銀塩乳剤乾板を用いてなる銅塩系の
エマルジョンマスクのみならず、例えばガラス板の表面
にジアソ系感光液（ゼラチンなどのコロイド性物質にジ
アゾ化合物を混合した感光液）を塗布してなる非銀塩乳
剤乾板を用い、画像を焼付けて、有機高分子膜からなる
画像部を形成し該画像部を染色してなる非銀塩系のエマ
ルジョンマスクの修正にも適用できるものである。
エマルジョンマスクのみならず、例えばガラス板の表面
にジアソ系感光液（ゼラチンなどのコロイド性物質にジ
アゾ化合物を混合した感光液）を塗布してなる非銀塩乳
剤乾板を用い、画像を焼付けて、有機高分子膜からなる
画像部を形成し該画像部を染色してなる非銀塩系のエマ
ルジョンマスクの修正にも適用できるものである。
次に実施例をあげて本発明につき具体的に説明する。
実施例
バ／Ｉ／ス励起Ｎａ：ＹＡ（）レーザー（ＮＥ０８Ｌ１
２８）からポッケルスＱスイッチ（ＮＥＯ８Ｌ２５４
）を用いて、レーザービームなパルス幅約１０ｎｅのパ
ルスとして取り出し、第二高調波発生ユニット（ＮＥＯ
８Ｌ２４１ｇ）を用いて波長０．５５μｍの第二高調波
光に変換した。
２８）からポッケルスＱスイッチ（ＮＥＯ８Ｌ２５４
）を用いて、レーザービームなパルス幅約１０ｎｅのパ
ルスとして取り出し、第二高調波発生ユニット（ＮＥＯ
８Ｌ２４１ｇ）を用いて波長０．５５μｍの第二高調波
光に変換した。
このようにして取り出したレーザービームをエマルジョ
ン乾板サクラＨＲＰ（膜厚約６μｍ）にスリット及び集
光レンズを通して照射したところ、３パルスの照射で黒
点欠陥部を除去することができた。
ン乾板サクラＨＲＰ（膜厚約６μｍ）にスリット及び集
光レンズを通して照射したところ、３パルスの照射で黒
点欠陥部を除去することができた。
又、上記の方法により２μｍ口〜２５μ扉口の大きさの
黒点欠陥部を除去することができた。
黒点欠陥部を除去することができた。
７−
０９・・・・・・・・・・・・・・・・・・ガラス基板
以上、詳記した通り、本発明の方法によればエマルジョ
ンマスクの黒点欠陥部を精変良く除去することができ、
黒点欠陥部が非欠陥部に連続又は隣接していても非欠陥
部を損なうことなく黒点欠陥部の除去が可能である利点
を有するものである。
以上、詳記した通り、本発明の方法によればエマルジョ
ンマスクの黒点欠陥部を精変良く除去することができ、
黒点欠陥部が非欠陥部に連続又は隣接していても非欠陥
部を損なうことなく黒点欠陥部の除去が可能である利点
を有するものである。
第１図は本発明の方法によりパターン修正を行なってい
る状態を示す模式図、第２図は黒点欠陥部を有するマス
クの平面図、第３図は黒点欠陥部を除去したマスクの平
面図である。 Ｃ１）・・・・・・・・・・・・・・・・・・レーザー
発振器（２）・・・・・・・・・・・・・・・・・レー
ザービーム（３）・・・・・・・・・・・・・・・・・
・ビームエキスパンダー（４）・・・・・・・・・・・
・・・・・・・反射用ミラー（５）・・・・・・・・・
・・・・・・・・スリット（６）・・・・・・・・・・
・・・・・・・・集光レンズ（７）・・・・噂゛・°・
…・・・パ會エマルジョンマスク（８）・・・・・・・
・・・・・・・・・・・エマルジョン透明部（９）・・
・・・・・・・・・・・・・・・・画像部ＯＱ・・・・
・・・・・・・・甲・・・黒点欠陥部８− 特許出願人 大日本印刷株式会社 代理人 弁理士 小 西 淳 美 第１図 第２図 第３図
る状態を示す模式図、第２図は黒点欠陥部を有するマス
クの平面図、第３図は黒点欠陥部を除去したマスクの平
面図である。 Ｃ１）・・・・・・・・・・・・・・・・・・レーザー
発振器（２）・・・・・・・・・・・・・・・・・レー
ザービーム（３）・・・・・・・・・・・・・・・・・
・ビームエキスパンダー（４）・・・・・・・・・・・
・・・・・・・反射用ミラー（５）・・・・・・・・・
・・・・・・・・スリット（６）・・・・・・・・・・
・・・・・・・・集光レンズ（７）・・・・噂゛・°・
…・・・パ會エマルジョンマスク（８）・・・・・・・
・・・・・・・・・・・エマルジョン透明部（９）・・
・・・・・・・・・・・・・・・・画像部ＯＱ・・・・
・・・・・・・・甲・・・黒点欠陥部８− 特許出願人 大日本印刷株式会社 代理人 弁理士 小 西 淳 美 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- ガラス板の表面に高解像力写真乳剤が塗布された写真乾
板に画像が焼付けられたエマルジョンマスクの黒点欠陥
部の除去方法において、除去すべき黒点欠陥部にスリッ
ト及び集光レンズを通してＹＡＧレーザ−ビームな照射
することにより黒点欠陥部を除去することを特徴とする
パターン修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59063485A JPS60207335A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | パタ−ン修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59063485A JPS60207335A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | パタ−ン修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60207335A true JPS60207335A (ja) | 1985-10-18 |
Family
ID=13230588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59063485A Pending JPS60207335A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | パタ−ン修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60207335A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02193149A (ja) * | 1989-01-23 | 1990-07-30 | Dainippon Printing Co Ltd | エマルジョンマスク等の欠陥部修正方法 |
| US5318869A (en) * | 1989-06-06 | 1994-06-07 | Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for repairing defects in emulsion masks and the like |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5323570A (en) * | 1976-08-18 | 1978-03-04 | Mitsubishi Electric Corp | Forming method of minute conductive regions to semicond uctor element chip surface |
| JPS54105968A (en) * | 1978-02-08 | 1979-08-20 | Toshiba Corp | Defect corrector for pattern |
-
1984
- 1984-03-31 JP JP59063485A patent/JPS60207335A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5323570A (en) * | 1976-08-18 | 1978-03-04 | Mitsubishi Electric Corp | Forming method of minute conductive regions to semicond uctor element chip surface |
| JPS54105968A (en) * | 1978-02-08 | 1979-08-20 | Toshiba Corp | Defect corrector for pattern |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02193149A (ja) * | 1989-01-23 | 1990-07-30 | Dainippon Printing Co Ltd | エマルジョンマスク等の欠陥部修正方法 |
| US5318869A (en) * | 1989-06-06 | 1994-06-07 | Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for repairing defects in emulsion masks and the like |
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