JP2877841B2 - エマルジョンマスク等の欠陥修正装置 - Google Patents

エマルジョンマスク等の欠陥修正装置

Info

Publication number
JP2877841B2
JP2877841B2 JP14925389A JP14925389A JP2877841B2 JP 2877841 B2 JP2877841 B2 JP 2877841B2 JP 14925389 A JP14925389 A JP 14925389A JP 14925389 A JP14925389 A JP 14925389A JP 2877841 B2 JP2877841 B2 JP 2877841B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
aperture
defect
ultraviolet light
image
emulsion mask
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP14925389A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0313946A (ja
Inventor
弘之 橋本
一生 渡辺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority to JP14925389A priority Critical patent/JP2877841B2/ja
Priority to KR1019900008244A priority patent/KR100190423B1/ko
Priority to DE4042695A priority patent/DE4042695B4/de
Priority to DE4018135A priority patent/DE4018135B4/de
Publication of JPH0313946A publication Critical patent/JPH0313946A/ja
Priority to US07/957,897 priority patent/US5347134A/en
Priority to US07/990,371 priority patent/US5318869A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2877841B2 publication Critical patent/JP2877841B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、エマルジョンマスク等の欠陥部の修正装置
に係わり、詳しくは、半導体素子製造を始めとするフォ
トエッチング製品及びフォトエレクトロフォーミング製
品の製造過程のリソグラフィ工程に用いるフォトマスク
の一種であるエマルジョンマスク、あるいはLCD、CCD用
カラーフィルターの有機被膜パターン(以下エマルジョ
ンマスク等という)の欠陥部を除去する装置に関するも
のである。
(従来の技術) 近年IC及びLSIの高集積化に伴うパターンの微細化が
進み、半導体素子用のパターンはますます高精度化、高
品質化する傾向にあるが、半導体素子以外にも、例えば
カラーテレビ用シャドウマスク、プリント配線板、各種
表示管用電極、光学測定機の標線等のフォトエッチング
製品と撮影管用メッシュ、電子顕微鏡メッシュ、篩い分
け用メッシュ等のフォトエレクトロフォーミング製品も
また高品質、高精度が要求される。
従来の機械的加工法では到達不可能であった微細な精
密加工がフォトファブリケーション技術により可能とな
ったが、この技術で使用されるフォトマスクは高い画像
精度が要求されるものである。
このように高い画像精度が要求されるフォトマスクに
おいては、マスク製造工程で発生する微小欠陥部の修正
が必要である。
現在、フォトマスクはその材料によってエマルジョン
マスクとハードマスクの2種類に分けられ、エマルジョ
ンマスクはガラス板の表面に高解像力写真乳剤が塗布さ
れているものである。
通常エマルジョンマスクの感材としては、銀塩材料と
非銀塩材料があり、その膜厚は通常2〜6μ程度であ
る。一方、ハードマスクはガラス板の表面に蒸着、また
はスパッタリングの方法により遮光性金属薄膜、例えば
クロム、酸化鉄、タンタル等を厚み0.1μ程度に成膜さ
せてなるものである。
次に、フォトマスク製造において発生する欠陥には、
ピンホール、黒点傷等があり、ピンホール及び黒点傷に
関する修正方法には、フォトマスクの種類により異なる
が、黒点欠陥について具体例をあげて説明すると、ハー
ドマスクの場合は、欠陥部以外をフォトレジスト、又は
金属薄膜が腐食されない物質でマスキングした後、エッ
チング液で除去する方法が一般的である。
1μ程度の微細な黒点欠陥部を除去したい場合は、ポ
ジ型レジスト、例えば東京応化製OFPRレジストを塗布し
た後、欠陥部上のレジストに水銀ランプ光源を1μ程度
に集光させ露光し、現像処理によって露光部のレジスト
を除去した後、エッチング液で露光金属薄膜を除去する
方法がある。
一方、エマルジョンマスクの場合、乳剤層が厚く金属
のような適性腐食液が存在しないことから、ハードマス
クの修正方法と異なる。例えば黒点傷の修正方法の1つ
として、カッターナイフのような鋭利な先端部分で削り
取る方法が実施されているが、精度の要求されないも
の、又は欠陥部が非欠陥部に接続、又は隣接しないもの
に限られ、半導体製造用、又は微細加工用に使用される
フォトマスクの場合の修正は不可能となる。
この欠点を解消するため、本出願人は紫外光レーザを
用いたエマルジョンマスク等の修正方法として、特願平
1−13446号の出願をしている。
(発明が解決しようとする課題) 上記の修正方法にあっては、紫外光レーザとしてエキ
シマレーザ源を使用し、エマルジョンマスクの欠陥を除
去するものであるが、除去した際に、その周辺部への盛
り上がりが生じる等の不都合はないものの、紫外光レー
ザの照射スピード等の条件によっては、レーザにより昇
華したエマルジョン層のガスが除去部周辺に付着して汚
れを生じ、あるいは紫外光レーザを使用するためのレー
ザ光の集光に使用する結像レンズと、除去部の形状の観
察に使用する観察レンズとを共用することが困難であ
り、また矩形パターンの修正は容易なものの、曲線状パ
ターンの修正は欠陥部にアパーチャー像形状を合わせる
ことが困難である等の不都合があった。
本発明は、以上の点に鑑みてなされたもので、その目
的とするところは、エマルジョンマスク等のエマルジョ
ン層上の画像等の曲線状パターンの欠陥も曲率の小さな
円弧状の切欠きと曲率の大きな円弧状の突起を有するブ
レードを利用することにより容易に除去するとともに、
レーザ用の結像レンズと観察用の観察レンズの共用化を
モニタテレビ上において解決したエマルジョンマスク等
の欠陥修正装置を提供するにある。
(課題を解決するための手段) 上記の目的を達成するために、本発明にあっては、エ
マルジョンマスク等の修正対象物の欠陥部に、紫外光レ
ーザを照射するに当って、直線状ブレードを有する可変
アパーチャー以外に、大小異なる曲率の突起、あるいは
切欠きを有する少なくとも2枚のブレードからなる可変
アパーチャーを使用することにより、直線状はもちろん
曲線状パターンの欠陥をも容易に除去するように構成
し、またレーザ用結像レンズに対し、修正対象物のエマ
ルジョンマスク等を挟んで対称の位置に観察用レンズを
同一光軸上に設け、エマルジョンマスク等の裏面より欠
陥除去部を観察するような構成となっている。
(実施例) 以下、本発明の装置の実施例を図面に基づいて説明す
る。
第1図は、本発明に係る装置の構成を示したものであ
る。
レーザ発振器(1)から取り出した紫外光レーザビー
ム(2)はビームエキスパンダー(3)で拡大され、選
択反射ミラー(4)で紫外光のみが反射され、アパーチ
ャー(5)で欠陥部の形状に応じたビーム像に整形され
た後、結像レンズ(6)で縮小投影され、エマルジョン
マスク(7)の銀乳剤層面の黒点欠陥部に相当する領域
に照射される。
また参照光ランプ(8)からの白色光は、色フィルタ
ー(9)で有色化され、アパーチャー(5)を照射し、
アパーチャー(5)の開口形状が結像レンズ(6)によ
りエマルジョンマスク(7)上に有色像として投影され
る。
なお、参照光ランプ(8)の前にコンデンサレンズ
(図示されていない)を設けて照明の均一化を行っても
よい。
エマルジョンマスク(7)上に投影されたアパーチャ
ー(5)の開口形状の有色像は、レーザビーム像を結像
する結像レンズ(6)とエマルジョンマスク(7)に対
して対称の位置に配置した観察レンズ(10)を介してテ
レビカメラ(11)により観察するようになっている。
また、結像レンズ(6)によってレーザ光が照射され
るエマルジョンマスク(7)の照射部の近傍には、その
一方よりエアーノズル(12)が、また場合によっては、
エアーノズル(12)とレーザ光の照射部に対する対称の
位置に吸引ノズル(13)が配置され、エマルジョンマス
ク(7)上のレーザ光の照射部へエアーノズル(12)か
らエアーを送風し、場合によっては、このエアーを吸引
ノズル(13)によって吸引するようになっている。
結像レンズ(6)として、可視光から使用するレーザ
の紫外光まで収差なく解像するレンズを使用すること
は、レンズの光学的設計上非常にむづかしく、又高価な
ものとなるため、レーザ紫外光での解像が良好となるよ
う設計されたものを使用している。
また、アパーチャー(5)の開口形状による像を、結
像レンズ(6)により参照光ランプ(8)からの光でエ
マルジョンマスク(7)上に結像させるが、結像レンズ
(6)を紫外域向きのレンズを使用していることから、
有色光フィルター(9)は、ブルーフィルターとして参
照光ランプ(8)の紫外光側の光を参照光として使用す
るようにしている。
観察レンズ(10)は、結像レンズ(6)と光軸を合わ
せて、エマルジョンマスク(7)のガラス基板(14)の
裏面よりエマルジョン層(15)のレーザ照射部を観察す
るように配置されており、独自の落射照明系(16)、
(17)を有している。
観察レンズ(10)には、結像レンズ(6)に対して、
可視光域での解像が良好なレンズを使用し、レーザ照射
部のエマルジョンマスク(7)の状態及び参照光ランプ
(8)により照明されたアパーチャー像を、落射照明系
(16)、(17)及び参照光ランプ(8)を調整して、テ
レビカメラ(11)により観察する。
エアーノズル(12)は、エマルジョンマスク(7)上
の結像レンズ(6)の光軸付近にエアーを吹き付けるよ
うに配置され、常時あるいはレーザ光照射期間中、レー
ザ照射により飛散したエマルジョン層(15)からの除去
飛散物を除去するようエアー等を吹き出している。
レーザ光を照射する範囲が、数10μm〜数100μmと
微小な範囲であることから、吹き出すエアーは微量でよ
く、高圧でなくても十分使用することができる。
また、エアーノズル(12)の代りに、第2図(イ)に
示すように吸引ノズル(13)を設けてもよく、さらに除
去飛散物のエマルジョン層(15)面に対する付着防止の
効果を高めるために(ロ)に示すようにエアーノズル
(12)とレーザ照射部に対する反対側の位置に吸引ノズ
ル(13)を設けることによって、レーザ光による除去飛
散物を吹き飛ばすと同時に吸引する構成にしてもよい。
結像レンズ(6)は、アパーチャー(5)により整形
されたビーム像を縮小投影するものである。欠陥部は、
1mm単位の寸法から数10μm、数μm程度の微小な寸法
であり、アパーチャー(5)を拡大寸法で製作し、これ
で整形されたビーム像を縮小投影する形式が装置上有利
である。また結像レンズ(6)は、アパーチャー(5)
に照射されるレーザビームのエネルギー密度をアパーチ
ャー(5)に損傷をあたえない程度に弱くし、欠陥部除
去に必要なエネルギー密度まで結像レンズ(6)による
縮小投影で上げるという目的も有している。
通常、レーザ発振器(1)から出力されるレーザビー
ム(2)は、その強度がビーム内において、ビーム
(2)の中央部で強度が大で、周辺になるにしたがって
小さくなっている。
この状態のままでは、レーザ照射による加工速度が中
央と外周で異なり、均一な加工が困難となる。このた
め、ビーム(2)の中央の強度が均一な部分が選択的に
使えるようビームエキスパンダー(3)による光学系で
ビームを拡大している。また拡大アパーチャーを使用す
ることから、比較的大きな面積にビームを照射すること
からもビームエキスパンダー(3)は使われる。
なお、レーザ発振器(1)から得られるビーム(2)
が比較的大きく、強度分布も極端に悪くなければ、ビー
ムエキスパンダー(3)をもちいなくとも十分な結果が
得られる。
レーザ発振器(1)は、紫外光を発振するレーザとし
てエキシマレーザをもちいる。エキシマレーザは、使用
するハロゲンガスの種類により、数種の紫外光発振が可
能である。
代表的な発振波長は、308nm(XeCl)、248nm(Kr
F)、198nm(ArF)の3種であり、ガス交換により発振
波長の変更ができる。欠陥部除去に使用するレーザ波長
は、これら3種いずれも使用可能であるが、レンズ等光
学系の透過率が、200nm程度から悪くなるため、248nmが
最適である。
欠陥部除去に必要なレーザエネルギーは、照射位置
で、エネルギー密度5〜50J/cm2程度が最適であり、レ
ーザ発振器(1)のパルスエネルギーは100〜400mJ/パ
ルス程度となる。
第3図はアパーチャー(5)と結像レンズ(6)とエ
マルジョンマスク(7)との関係を示すもので、アパー
チャー(5)を構成するブレード(5a)、(5b)、(5
c)、(5d)は基本をなすものである。
各ブレードは出し入れ及び回転が可能であって、ブレ
ードの位置を制御することにより、欠陥部の形状に対応
したレーザビームの形状が作られるようになっている。
また、ブレード(5a)〜(5d)の回転は、第4図の矢
印(イ)に示すように、全体を回転させる以外に、矢印
(ロ)に示すように、各ブレードが単独で回転すること
により各種の形状の開口が得られる。すなわち、矩形以
外の台形、三角形等の形状も作成可能でなり、光軸に対
して任意の方向に回転できる。
エマルジョンマスク(7)上のパターンが直線成分の
みで構成されている矩形形状の組合せのような場合は、
このような直線状のアパーチャー(5a)〜(5d)のみで
十分に対応することができるが、円形等の曲線成分を含
むような場合は、例えば第6図に示すような欠陥部
(w)が円形パターンから外部に突出しているような場
合、直線状ブレードのみのアパーチャーでは、1回のレ
ーザ光照射で欠陥部(w)のすべてを除去することが困
難である。
このような場合、円弧状部を有する欠陥部(w)を除
去するには、第3図に示すような矩形状の開口を形成す
るアパーチャーの直線状ブレード(5a)〜(5d)におい
て、この直線状部の端側に、第5図(イ)に示すような
曲率の異なる半円切欠きと半円突起とを有するブレード
(5a′)、(5b′)を使用し、これらをスライドさせて
重ねることにより、三日月形状の開口(w′)を形成す
る。
このブレード(5a′)、(5b′)をスライドして開閉
間隔を調整することにより、任意の三日月形状の開口を
得ることができる。
また、曲率の異なる各種サイズの半円形切欠きと、半
円形突起を有するブレード(5a′)、(5b′)を直線状
のブレード(5a)〜(5d)とは別体にして準備し、これ
を交換して使用するようにしてもよく、これらのブレー
ド(5a′)、(5b′)を回転して任意の向きの欠陥部に
対応できるようにしてもよい。
第7図(イ)に示すものは、直線状ブレード(5a)、
(5b)に対し、これと直角方向に、曲率の異なる半円形
切欠きと半円突起を有するブレード(5a′)、(5b′)
を組合せたものであり、また(ロ)に示すものは、直線
状ブレード(5a)、(5b)に対し、これと直角方向に、
半円形突起のブレード(5b′)、直線状ブレード(5d)
を組合せたもので、これらによって形成される開口は、
2つの曲線と2つの直線とで囲まれたものであり、また
1つの曲線と3つの直線とで囲まれたものである。
第8図(イ)に示すものは、曲率の異なる複数の半円
形突起と直線部とを有する1枚のブレード(5e)であ
り、(ロ)に示すものは、曲率の異なる複数の半円形切
欠きと直線部とを有するブレード(5f)であって、これ
らのものは、(ハ)に示すように互いに離れた点(2
0)、(21)を中心に対抗して回転できるように設けら
れ、これに直角方向から直線状ブレード(5c)、(5d)
が加わることにより、これらのブレード(5e)、(5
f)、(5c)、(5d)の互いのスライド、回転によるか
かわり合いで種々の形状の欠陥部に対応できる開口が形
成されるようになっている。
上記した各種のブレードは、金属板を機械加工、放電
加工、あるいはエッチング加工等によって形成される
が、石英ガラス上に金属薄膜を蒸着、あるいはスパッタ
リング等によって形成してもよく、また金属箔を接着し
て形成してもよい。
以上説明したような構成からなる装置を使用して実際
のエマルジョンマスク等の欠陥部の除去作業をその手順
にしたがって説明する。
先ず、観察レンズ(10)によりエマルジョンマスク
(7)のガラス基板(14)を透して透明なエマルジョン
層(15)を観察し、エマルジョン層(15)上の欠陥部が
視野中央に位置するようにエマルジョンマスク(7)を
位置決定する。
次に、参照光ランプ(8)からの有色フィルター
(9)を透した有色光によって投影されているアパーチ
ャー(5)の開孔形状を、アパーチャー(5)のブレー
ド(5a)〜(5b)の出し入れ及び角度を調整することに
よって、欠陥部の形状に合わせる。
この状態でレーザ光発振器(1)よりレーザビーム
(2)を出力させると、レーザビームを(2)はビーム
エキスパンダー(3)で拡大され、選択反射ミラー
(4)を経て紫外線のみが反射されてアパチャー(5)
に照射され、アパーチャー(5)のブレード(5a)〜
(5b)による開孔形状に応じたレーザビームが結像レン
ズ(6)で縮小され、エマルジョンマスク(7)上の欠
陥部に照射され、欠陥部が飛散除去される。
例えば、第9図に示すようなエマルジョンマスク
(7)のエマルジョン層(15)上の画像部(18)につな
がって存在する黒点欠陥部(19)は、第10図に示すよう
に除去される。
また、紫外光レーザの使用により、可視光では透明に
見える突起状の欠陥部(膜厚が局部的に高い)の除去も
可能である。
レーザビームによって飛散された欠陥部は、第1図に
示すようなエアーノズル(12)で吹き飛ばされるか、第
2図(イ)に示すような吸引ノズル(13)で吸引される
か、さらには(ロ)に示すようにエアーノズル(12)で
吹き、吸引ノズル(13)で吸引されるかして除去され
る。
第11図に示すものは、本発明の装置の他の実施例であ
る。
第1図においては、アパーチャー像は参照光ランプ
(8)からの光を結像レンズ(6)でエマルジョンマス
ク(7)上に投影し、これを観察レンズ(10)で観察す
るように構成しているが、第11図に示すものにおいて
は、観察レンズ(10)の光軸上にあるテレビカメラ(1
1)での観察画像をモニタするモニタテレビ(22)上に
アパーチャーブレード(5a)〜(5d)の開口度に同期し
たアパーチャー像を、観察レンズ(10)からの画像に重
ね合わせて表示するようになっている。
すなわち、ブレード(5a)〜(5d)の各々の位置を検
知する位置検知器(23a)〜(23d)と、この位置検知器
(23a)〜(23d)からのブレードの位置検知信号に対応
してヘアライン画像を発生するヘアライン画像発生器
(24)とヘアライン画像の映像信号と、テレビカメラ
(11)からの映像信号を合成するスーパーインポーザ
(25)とからなっている。
ブレード(5a)〜(5d)を調整した場合、位置検出器
(23a)〜(23d)は各々のブレードの位置を読み取り、
この読み取ったブレードの開口側エッジに対応する位置
を、ヘアライン画像発生器(24)にヘアライン画像とし
て発生し、モニタテレビ(22)上にアパーチャーの開孔
状態をヘアライン画像(22a)として表示するものであ
る。
また、第1図及び第11図の実施例において、エマルジ
ョンマスク等の膜面を下向きに置き、下面よりレーザ光
を照射し、上面より観察する配置として、レーザ光照射
時にエマルジョン層からの除去飛散物が、重力により再
び膜面に付着するのを防止する形式であってもよい。
なお、エキシマレーザは、前記した発振波長以外に、
351nm(XeF)、222nm(KrCL)、157nm(F2)があり、こ
れらもレーザ源として使用が可能であり、200nm付近以
下の波長については、ガラスレンズに変えて反射光学系
を使用すれば実現が可能である。
(発明の効果) 本発明の装置は、銀塩乳剤乾板を用いた銀塩系のエマ
ルジョンマスクのみならず、例えばガラス板の表面にジ
アゾ系感光液(ゼラチンなどのコロイド性物質にジアゾ
化合物を混合した感光液)を塗布してなる非銀塩乳剤乾
板を用い、これに画像を焼付けて、有機高分子膜からな
る画像部を形成し、該画像部を染色してなる非銀塩系の
エマルジョンマスクの修正にも適用でき、LCDあるいはC
CD用カラーフィルターの有機被膜パターンの修正にも有
用である。
上記のようなエマルジョンマスク等の欠陥部の修正に
おいて、本発明の装置にあっては、レーザビームを整形
するアパーチャーとして、直線状のブレード、曲率の異
なる円弧状の突起、あるいは切欠きを有するブレードを
用い、これらを互いに組合わせてできる各種開口にてレ
ーザビームを整形するようにするとともに、このような
整形を、参照光ランプよりの有色光を観察レンズにて観
察することによって行うようにしたから、欠陥部の種々
の形状にレーザビームに形状をよく対応させることがで
き、これによって黒点欠陥、半透明状欠陥、あるいは透
明状突起欠陥部を精度よく除去することができ、欠陥部
が非欠陥部に連続、又は隣接しているような場合であっ
ても、非欠陥部を損なうことなく欠陥部を除去すること
ができる。
さらに、エマルジョンマスク等の欠陥部の形状に対
し、レーザビームをアパーチャーで整形して対応させる
のにテレビカメラによりモニタテレビに表示するように
したから、その作業が適確にして迅速に行うことができ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のレーザビームにより欠陥部の修正を行
っている状態の模式図、 第2図(イ)、(ロ)はレーザビームのエマルジョンマ
スク面に対する照射部の模式図、 第3図はアパーチャーと結像レンズとエマルジョンマス
クとの関係を示す拡大斜視図、 第4図はアパーチャーのブレードによって形成される各
種開口の形状を示す図面、 第5図(イ)は曲率の異なる円弧状の突起及び切欠きを
有するブレードの部分拡大平面図、(ロ)は上記2つの
ブレードの重なり状態を示す拡大平面図、 第6図はエマルジョン層における正常パターンと欠陥部
との拡大図、 第7図(イ)は直線状ブレードと、曲率の異なる円弧状
の突起と切欠きを有するブレードとの組合せ状態を示す
拡大平面図、(ロ)は直線状ブレードと円弧状突起を有
するブレードとの組合せ状態を示す拡大平面図、 第8図(イ)は曲率を異にする複数の突起と直線状部と
を有するブレードの拡大平面図、 (ロ)は曲率の異なる複数の切欠きを直線状部とを有す
るブレードの拡大平面図、(ハ)上記の2つのブレード
を絵合わせた状態の拡大平面図、 第9図は黒点欠陥部を有するエマルジョンマスクの平面
図、 第10図は黒点欠陥部を除去したエマルジョンマスクの平
面図、 第11図は本発明の装置の別の実施例の模式図である。 符号 1……レーザ発振器 2……レーザビーム 3……ビームエキスパンダ 4……選択反射ミラー 5……アパーチャー 6……結像レンズ 7……エマルジョンマスク 8……参照光ランプ 9……有色フィルタ 10……観察レンズ 11……テレビカメラ 12……エアーノズル 13……吸引ノズル 14……ガラス基板 15……エマルジョン層 22……モニタテレビ 23a〜23d……位置検出器 24……エアライン画像発生器 25……スーパーインポーザ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−75524(JP,A) 特開 昭53−135629(JP,A) 特開 昭54−56370(JP,A) 特開 平2−79851(JP,A) 特開 平2−193149(JP,A) 実開 平1−151990(JP,U) 実開 昭62−14727(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G03F 1/08 - 1/16

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】紫外光を発生する紫外光発生部と、欠陥部
    の形状に合わせて紫外光を整形するアパーチャーと、ア
    パーチャー像をエマルジョンマスク等の修正対象物の欠
    陥部に投影する結像レンズとからなる装置において、紫
    外光を整形するアパーチャーが、曲線状のパターンの欠
    陥形状に合わせるための曲率の小さな円弧状の切欠き
    と、曲率の大きな円弧状の突起とを有するブレードから
    なることを特徴とするエマルジョンマスク等の欠陥修正
    装置。
  2. 【請求項2】上記のアパーチャーを構成するブレードの
    1枚が、曲率の異なる円弧状の切欠きを複数具有するも
    のであり、曲率の異なる円弧状の切欠きを切換えて使用
    できるようにした請求項1に記載のエマルジョンマスク
    等の欠陥修正装置。
  3. 【請求項3】上記のアパーチャーを構成するブレードの
    1枚が、曲率の異なる円弧状の突起を複数具有するもの
    であり、曲率の異なる円弧状の突起を切換えて使用でき
    るようにした請求項1に記載のエマルジョンマスク等の
    欠陥修正装置。
  4. 【請求項4】紫外光を発生する紫外光発生部と、欠陥部
    の形状に合わせて紫外光を整形するアパーチャーと、ア
    パーチャー像をエマルジョンマスク等の修正対象物の欠
    陥部に投影する結像レンズとからなる装置において、エ
    マルジョンマスク等の修正対象物の欠陥部にアパーチャ
    ーの開口を合わせるためのアパーチャーの位置を検出す
    る位置検出器と、この位置検出器からの信号に応じて、
    アパーチャーのブレード開口端に相当する位置にヘアラ
    インを発生するヘアライン発生器と、ヘアライン発生器
    からのヘアライン画像と欠陥部観察用のテレビカメラか
    らの映像信号とを合成するスーパーインポーザとからな
    り、アパーチャーの開口状態をヘアライン画像としてモ
    ニタテレビ上に欠陥画像を合成して表示することを特徴
    とするエマルジョンマスク等の欠陥修正装置。
  5. 【請求項5】紫外光を発生する紫外光発生部と、欠陥部
    の形状に合わせて紫外光を整形するアパーチャーと、ア
    パーチャー像をエマルジョンマスク等の修正対象物の欠
    陥部に投影する結像レンズとからなる装置において、紫
    外光の照射による修正対象物の表面層の欠陥除去の飛散
    物を除去するために、エアーノズル、又は吸引ノズルを
    結像レンズの近傍に配設したことを特徴とする請求項1
    乃至4記載のエマルジョンマスク等の欠陥修正装置。
  6. 【請求項6】紫外光を発生する紫外光発生部と、欠陥部
    の形状に合わせて紫外光を整形するアパーチャーと、ア
    パーチャー像をエマルジョンマスク等の修正対象物の欠
    陥部に投影する結像レンズとからなる装置において、エ
    アーノズルと吸引ノズルとをエマルジョンマスク等に対
    する紫外線の照射位置に対して対称の位置に配設したこ
    とを特徴とする請求項1乃至4記載のエマルジョンマス
    ク等の欠陥修正装置。
JP14925389A 1989-06-06 1989-06-12 エマルジョンマスク等の欠陥修正装置 Expired - Fee Related JP2877841B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14925389A JP2877841B2 (ja) 1989-06-12 1989-06-12 エマルジョンマスク等の欠陥修正装置
KR1019900008244A KR100190423B1 (ko) 1989-06-06 1990-06-05 에멀젼마스크 등의결함 수정방법 및 장치
DE4042695A DE4042695B4 (de) 1989-06-06 1990-06-06 Vorrichtung zur Reparatur von Fehlern in Emulsionsmasken
DE4018135A DE4018135B4 (de) 1989-06-06 1990-06-06 Verfahren und Vorrichtung zur Reparatur von Fehlern in Emulsionsmasken
US07/957,897 US5347134A (en) 1989-06-06 1992-10-08 Apparatus for repairing defects in emulsion masks by passing laser light through a variable shaped aperture
US07/990,371 US5318869A (en) 1989-06-06 1992-12-15 Method and apparatus for repairing defects in emulsion masks and the like

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14925389A JP2877841B2 (ja) 1989-06-12 1989-06-12 エマルジョンマスク等の欠陥修正装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0313946A JPH0313946A (ja) 1991-01-22
JP2877841B2 true JP2877841B2 (ja) 1999-04-05

Family

ID=15471219

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14925389A Expired - Fee Related JP2877841B2 (ja) 1989-06-06 1989-06-12 エマルジョンマスク等の欠陥修正装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2877841B2 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2804309B2 (ja) * 1989-09-14 1998-09-24 大日本印刷株式会社 エマルジョンマスク等の欠陥修正装置
JP2795682B2 (ja) * 1989-06-26 1998-09-10 株式会社ニデック 薄膜修正加工装置
JPH03255444A (ja) * 1990-03-05 1991-11-14 Nec Corp パターン欠陥修正方法
KR101120531B1 (ko) * 2005-03-24 2012-03-06 올림푸스 가부시키가이샤 리페어 방법 및 그 장치
KR100866499B1 (ko) * 2006-05-18 2008-11-03 주식회사 파이컴 폴리머 마스크의 수리 방법
JP5663507B2 (ja) * 2012-02-16 2015-02-04 信越化学工業株式会社 ペリクルの製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53135629A (en) * 1977-04-30 1978-11-27 Fujitsu Ltd Correcting device for emulsion photo-mask
JPS5456370A (en) * 1977-10-14 1979-05-07 Hitachi Ltd Mask pattern correcting method and mask pattern correcting device used for said method
JPS6214727U (ja) * 1985-07-10 1987-01-29
JPS6175524A (ja) * 1985-08-23 1986-04-17 Hitachi Ltd 選択処理装置
JPH01151990U (ja) * 1988-03-31 1989-10-19
JP2790638B2 (ja) * 1988-09-17 1998-08-27 株式会社ニデック 薄膜修正用光加工装置
JP3050556B2 (ja) * 1989-01-23 2000-06-12 大日本印刷株式会社 エマルジョンマスク等の欠陥部修正方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0313946A (ja) 1991-01-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100190423B1 (ko) 에멀젼마스크 등의결함 수정방법 및 장치
US20190144988A1 (en) Method for manufacturing deposition mask and deposition mask
JP3339149B2 (ja) 走査型露光装置ならびに露光方法
TWI442188B (zh) 平版裝置及物品製造方法
TWI489196B (zh) Flash measurement mask, flash measurement method, and exposure method
JP2008529079A (ja) 露光方法および装置
JPH08330220A (ja) 走査露光装置
TW200403549A (en) Pattern forming method
JP2002351055A (ja) フォトマスクの欠陥修正方法
JPH07240363A (ja) 反射型マスクの作製方法と製造装置およびこれを用いた反射型マスク、該反射型マスクを用いた露光装置と半導体デバイス
JP2877841B2 (ja) エマルジョンマスク等の欠陥修正装置
JPH03133119A (ja) 半導体ウェハー用写真製版装置および方法
JP2804309B2 (ja) エマルジョンマスク等の欠陥修正装置
JP3056206B1 (ja) ダミーパターン形成方法及び半導体製造方法
JP3050556B2 (ja) エマルジョンマスク等の欠陥部修正方法
JP2804308B2 (ja) エマルジョンマスク等の欠陥修正方法
JP3374993B2 (ja) 投影露光方法及び装置、露光装置、並びに素子製造方法
JP2877838B2 (ja) エマルジョンマスク等の欠陥修正方法
JP2989809B2 (ja) エマルジョンマスク等の欠陥修正方法
JP4083926B2 (ja) フォトマスク欠陥リペア装置
JPS6237388B2 (ja)
JPS586128A (ja) フォトマスクの欠落欠陥修正装置
JPH05259035A (ja) 投影露光装置及びパターン形成方法
JPS60207335A (ja) パタ−ン修正方法
JP2002279899A (ja) パターン欠陥修正装置

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees