KR100866499B1 - 폴리머 마스크의 수리 방법 - Google Patents

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Abstract

개시된 패턴 폴리 기판의 수리 방법은 제1 표면 및 제2 표면을 갖고, 상기 제1 표면 상에는 패턴층이 형성된 투명 폴리머 기판을 공급한다. 이어서, 상기 폴리머 기판의 패턴층 및 제1 표면에서 얼룩(spot) 결점 및 보이드 결점을 포함하는 결점들을 찾아낸다. 그리고, 레이저 조사에 의해 상기 얼룩 결점을 제거하고, 상기 보이드 결점을 치유한다. 이에, 보다 정확하게 신속하게 상기 결점들의 수리가 가능하다.

Description

폴리머 마스크의 수리 방법{Method for repairing polymer mask}
도 1A는 폴리머 마스크에서의 결점들의 모양을 설명하기 위한 평면도이다.
도 1B는 폴리머 마스크에서의 결점들의 모양을 설명하기 위한 단면도이다.
도 2A 내지 도 2F는 본 발명의 일 실시예에 따른 얼룩 결점을 수리하기 위한 공정 단계들을 나타내는 도면들이다.
도 3A 내지 도 3E는 본 발명의 다른 실시예에 따른 레이저 조사에 의해 이루어지는 잉크 주입을 이용하여 보이드 결점을 수리하기 위한 공정 단계들을 개략적으로 나타내는 도면들이다.
도 4A 내지 도 4E는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 레이저 조사에 의해 이루어지는 회절성 구조물을 이용하여 보이드 결점을 수리하기 위한 공정 단계들을 개략적으로 나타내는 도면들이다.
도 5A 내지 도 5C는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 레이저 조사에 의해 이루어지는 포토-프린팅을 이용하여 보이드 결점을 수리하기 위한 공정 단계들을 개략적으로 나타내는 도면들이다.
도 6A 내지 도 6C는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 레이저 조사에 의해 이루어지는 탄화를 이용하여 보이드 결점을 수리하기 위한 공정 단계들을 개략적으로 나타내는 도면들이다.
도 7A 내지 도 7D는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 레이저 조사에 의해 이루어지는 국부적인 잉크 도포를 이용하여 보이드 결점을 수리하기 위한 공정 단계들을 개략적으로 나타내는 도면들이다.
도 8A 내지 도 8D는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 자외선-큐어링 잉크의 국부적인 노출에 의해 이루어지는 보이드 결점을 수리하기 위한 공정 단계들을 개략적으로 나타내는 도면들이다.
도 9A 내지 도 9D는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 레이저 조사에 의해 이루어지는 잉크 전사를 이용하여 보이드 결점을 수리하기 위한 공정 단계들을 개략적으로 나타내는 도면들이다.
본 발명은 폴리머 마스크의 수리 방법에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 얼룩들(spots) 및 보이드들(voids) 등과 같은 폴리머 마스크의 공정 결점들을 레이저를 사용하여 수리하는 방법에 관한 것이다.
폴리머 마스크는 접촉 노광(contact exposure) 또는 근거리 필드 이미징(near field imaging)에 사용하는 포토리소그라피용 마스크로써 투명하고, 플렉시블한 폴리머 기판 상에 불투명 패턴을 갖는다. 상기 폴리머 마스크는 주로 플렉시블한 기판의 전체 영역에 불투명층(non-transparent layer)을 코팅하고, 이어서 일반적인 포토리소그리피(photolithography) 공정에 의해 상기 불투명층을 패터닝 함으로써 제조된다. 상기 폴리머 마스크는 적당한 해상도의 리소그라피에 용이한 적용이 가능한 빠르고, 경제적인 해결책이다. 예를 들면, 상기 폴리머 마스크는 큰 영역에서 빠르고, 경제적인 노광을 요구하는 고밀도의 인쇄회로기판(PCB)의 제조에 우수한 해결책이다. 상기 폴리머 마스크의 전형적인 예로서는 PET(polyethylene terephthalate) 기판 상에 자외선-큐어링 잉크(UV-curing ink)를 패터닝한 것을 들 수 있다. 언급한 폴리머 마스크는 큰 PET 기판 상에 자외선-큐어링 잉크를 스프레이-코팅한 후, 포토리소그라피 노광에 의해 기판으로 자외선-광(UV light)을 노출시킴에 따라 상기 자외선-큐어링 잉크를 선택적으로 제거하여 패턴을 형성함으로써 제조한다.
그리고, 큰 영역의 리소그라피 노광 이후에 현상 공정이 이루어지기 때문에 상기 PET 기판의 마스크를 결점들의 발생없이 제조하는 것은 힘들다. 전형적인 결점들에는 잘못된 노광에 의해 패터닝되는 잉크 영역에서 발생하는 보이드들 및 잘못된 현상에 의해 투명 영역에서 발생하는 잉크 얼룩들이 있다. 이러한 결점들의 크기는 대략 수 마이크로미터 내지 수 밀리미터에 이른다. 상기 결점들은 리소그라피에 사용하기 위한 폴리머 마스크로 제조하기 이전에 반드시 수리되어야 한다. 그러나, 상기 결점들의 수리는 어렵고, 많은 시간이 소요된다. 특히, 마이크론 크기(micron scale)의 보이드들을 수작업으로 수리하는 것은 매우 어렵다. 또한, 폴리싱(polishing) 및 그라인딩(grinding)과 같은 기계적 방법들로 상기 얼룩 결점을 수리하는 것은 실질적인 해결책이 더욱 아니다. 아울러, 폴리머-근거 잉크(polymer-based ink) 및 상기 폴리머 기판의 흡수(absorption)가 거의 매 칭(matching)되기 때문에 레이저를 조사하는 제거(ablation)를 수행하여 잉크를 선택적으로 제거하는 것도 용이하지 않다. 이에, 폴리머 마스크에서의 결점들을 수리하는 효과적인 방법에 대한 필요성이 대두되고 있다.
본 발명의 목적은 폴리머 마스크에서의 결점들을 용이하게 수리할 수 있는 방법을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 관점에 따른 패턴 폴리 기판의 수리 방법은 제1 표면 및 제2 표면을 갖고, 상기 제1 표면 상에는 패턴층이 형성된 투명 폴리머 기판을 공급한다. 이어서, 상기 폴리머 기판의 패턴층 및 제1 표면에서 얼룩(spot) 결점 및 보이드 결점을 포함하는 결점들을 찾아낸다. 그리고, 레이저 조사에 의해 상기 얼룩 결점을 제거하고, 상기 보이드 결점을 치유한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 관점에 따른 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 수리 방법은 제1 표면 및 제2 표면을 갖고, 상기 제1 표면 상에는 불투명 패턴층이 형성된 투명 폴리머 기판을 공급한다. 이이서, 상기 폴리머 기판의 패턴층 및 제1 표면에서 얼룩 결점 및 보이드 결점을 포함하는 결점들을 찾아낸다. 그리고, 상기 폴리머 기판의 투명도 유지가 가능한 레이저 조사에 의해 상기 얼룩 결점을 제거하고, 치유가 가능한 레이저 조사에 의해 상기 보이드 결점을 원상태로 복원시킨다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 관점에 따른 포토리소그라피 용 패턴 폴리머 마스크의 수리 방법은 제1 표면 및 제2 표면을 갖고, 상기 제1 표면 상에는 불투명 패턴층이 형성된 투명 폴리머 기판을 공급한다. 이어서, 상기 폴리머 기판의 제1 표면에서 얼룩 결점을 찾아낸다. 그리고, 상기 폴리머 기판의 투명도 유지가 실질적으로 가능한 유효 제거(effective ablation)를 유도하기에 충분한 레이저 조사에 의해 상기 얼룩 결점을 제거한다.
특히, 상기 유효 제거를 위한 레이저 조사는 106 내지 1015W/cm2의 방사조도(irradiance)를 갖는 펄스-레이저(pulsed laser)를 사용하여 수행하거나 또는 150 내지 400nm의 파장을 갖는 펄스-자외선 레이저(pulsed UV laser)를 사용하여 수행할 수 있다. 또한, 상기 레이저 조사는 상기 얼룩 결점에 조사가 가능한 빔 스팟(beam spot) 모양을 구현할 수 있는 마스크로 만드는 근거리 필드 이미징(near field imaging)을 사용하여 수행하거나, 그 빔 프로파일이 가우스 분포의 TEM00 모드를 갖는 원거리 필드 이미징(far field imaging)을 사용하여 수행할 수도 있다.
그리고, 상기 레이저 조사에 의해 0.1 내지 50μm의 깊이를 갖는 크레이터(crater)의 생성이 가능하고, 이때 상기 크레이터는 오목한 모양을 갖고, 상기 폴리머 기판과 매칭되는 굴절율을 갖는 폴리머 유제(emulsion)가 코팅되어 덮여져 있는 것이 바람직하다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 관점에 따른 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 수리 방법은 제1 표면 및 제2 표면을 갖고, 상기 제1 표면 상에는 불투명 패턴층이 형성된 투명 폴리머 기판을 공급한다. 이어서, 상기 패 턴층에서 보이드 결점을 찾아낸다. 그리고, 상기 보이드 결점이 있는 부분으로 레이저를 조사하여 미세-홀(blind hole)을 형성한 후, 상기 미세-홀에 불투명 충전용 잉크(filler-ink)를 매립시킨다.
아울러, 상기 미세-홀 내에만 충전용 잉크가 매립되게 상기 미세-홀 주변에 잔류하는 충전용 잉크를 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.
특히, 상기 레이저 조사는 106 내지 1015W/cm2의 방사조도를 갖는 펄스-레이저를 사용하여 수행하거나 또는 150 내지 400nm의 파장을 갖는 펄스-자외선 레이저를 사용하여 수행할 수 있다. 또한, 상기 레이저 조사는 상기 보이드 결점에 조사가 가능한 빔 스팟 모양을 구현할 수 있는 마스크를 통해 형성되는 근거리 필드 이미징을 사용하여 수행하거나 또는 그 빔 프로파일이 가우스 분포의 TEM00 모드를 갖는 원거리 필드 이미징을 사용하여 수행할 수도 있다.
그리고, 상기 미세-홀은 0.1 내지 50μm의 깊이를 갖는 것이 바람직하다.
또한, 상기 충전용 잉크를 채우는 단계는 분사 노즐(injection nozzle)을 사용하여 수행할 수 있는데, 이때 상기 분사 노즐은 상기 미세-홀에 충전용 잉크를 미세 방울들(droplets)로 뿜어낼 수 있는 잉크젯 노즐 카트리지이거나 또는 상기 미세-홀 상에 인접하는 니들 튜브를 통하여 충전용 잉크를 소량(dots)으로 뿜어낼 수 있는 니들-타입의 도트 마커(dot marker)인 것이 바람직하다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 관점에 따른 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 수리 방법은 제1 표면 및 제2 표면을 갖고, 상기 제1 표 면 상에는 불투명 패턴층이 형성된 투명 폴리머 기판을 공급한다. 이어서, 상기 패턴층에서 보이드 결점을 찾아낸다. 그리고, 상기 보이드 결점이 있는 부분으로 제1 레이저를 조사하여 상기 폴리머 기판의 제1 표면을 노출시킨 후, 상기 노출된 제1 표면으로 제2 레이저를 조사하여 입사광(incident light)의 트랩이 가능한 회절성 구조물(diffractive structure)을 생성한다.
여기서, 상기 제1 레이저 조사는 106 내지 1015W/cm2의 방사조도를 갖는 펄스-레이저를 사용하여 수행할 수 있고, 상기 제1 레이저 조사 및 상기 제2 레이저 조사는 150 내지 400nm의 파장을 갖는 펄스-자외선 레이저를 사용하여 수행할 수 있다. 아울러, 상기 제1 레이저 조사는 0.1 내지 100J/cm2의 레이저 에너지 밀도를 갖는 193nm의 ArF 엑시머 레이저를 사용할 수도 있고, 상기 제2 레이저 조사는 0.01 내지 0.5J/cm2의 레이저 에너지 밀도를 갖는 193nm의 ArF 엑시머 레이저를 사용하여 수행할 수도 있다.
또한, 상기 제1 레이저 조사 및 상기 제2 레이저 조사는 상기 보이드 결점에 조사가 가능한 빔 스팟 모양을 구현할 수 있는 마스크를 통해 형성되는 근거리 필드 이미징을 사용하여 수행하거나 또는 그 빔 프로파일이 가우스 분포의 TEM00 모드를 갖는 원거리 필드 이미징을 사용하여 수행할 수도 있다.
그리고, 상기 회절성 구조물은 다수개의 미세한 크기의 콘들(micro-scaled cones)을 갖는 것이 바람직하다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 관점에 따른 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 수리 방법은 제1 표면 및 제2 표면을 갖고, 상기 제1 표면 상에는 불투명 패턴층이 형성된 투명 폴리머 기판을 공급한다. 이어서, 상기 패턴층에서 보이드 결점을 찾아낸다. 그리고, 상기 보이드 결점 상부에 적어도 한 종류의 광-민감성 입자들(photo-sensitive particles)을 포함하는 투명 광-민감성 코팅물(photo-sensitive coating)을 바른 후, 상기 보이드 결점 상부에 발라진(도포된) 광-민감성 코팅물로 레이저를 조사하여 상기 광-민감성 코팅물의 색을 광화학적으로 변화시킨다.
여기서, 상기 광-민감성 코팅물은 폴리머 유제에 티타늄 이산화물 입자들(titanium dioxide particles)이 혼합된 혼합물이고, 상기 티타늄 이산화물 입자들의 평균 크기는 1 내지 1,000nm인 것이 바람직하다.
그리고, 상기 레이저 조사는 106 내지 1015W/cm2의 방사조도를 갖는 펄스-레이저를 사용하여 수행하거나 또는 150 내지 400nm의 파장을 갖는 펄스-자외선 레이저를 사용하여 수행할 수도 있다. 아울러, 상기 레이저 조사는 상기 광-민감성 코팅물에 조사가 가능한 빔 스팟 모양을 구현할 수 있는 마스크를 통해 형성되는 근거리 필드 이미징을 사용하여 수행하거나 또는 그 빔 프로파일이 가우스 분포의 TEM00 모드를 갖는 원거리 필드 이미징을 사용하여 수행할 수도 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 관점에 따른 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 수리 방법은 제1 표면 및 제2 표면을 갖고, 상기 제1 표 면 상에는 불투명 패턴층이 형성된 투명 폴리머 기판을 공급한다. 이어서, 상기 패턴층에서 보이드 결점을 찾아낸다. 그리고, 상기 보이드 결점 상부에 적어도 한 종류의 광-반응성 입자들(photo-reactive particles)을 포함하는 투명 광-반응성 코팅물(photo-reactive coating)을 바른 후, 상기 보이드 결점 상부에 발라진 광-반응성 코팅물로 레이저를 조사함에 따라 상기 광-반응성 코팅물이 상기 레이저에 반응하여 탄화 더미(carbonization debris)를 생성한다.
여기서, 상기 광-반응성 코팅물은 폴리머 유제에 폴리이미드 입자들(polyimide particles)이 혼합된 혼합물인 것이 바람직하다.
그리고, 상기 레이저 조사는 106 내지 1015W/cm2의 방사조도를 갖는 레이저를 사용하여 수행하거나 또는 150 내지 400nm의 파장을 갖는 펄스-자외선 레이저를 사용하여 수행할 수 있다. 아울러, 상기 레이저 조사는 상기 광-반응성 코팅물에 조사가 가능한 빔 스팟 모양을 구현할 수 있는 마스크를 통해 형성되는 근거리 필드 이미징을 사용하여 수행하거나 또는 그 빔 프로파일이 가우스 분포의 TEM00 모드를 갖는 원거리 필드 이미징을 사용하여 수행할 수도 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 관점에 따른 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 수리 방법은 제1 표면 및 제2 표면을 갖고, 상기 제1 표면 상에는 불투명 패턴층이 형성된 투명 폴리머 기판을 공급한다. 이어서, 상기 패턴층에서 보이드 결점을 찾아낸다. 그리고, 상기 보이드 결점 상부에 자외선-광(UV light)이 투과되는 것을 저지할 수 있는 불투명 잉크를 바른 후, 상기 불투명 잉크 로 레이저를 조사하여 상기 불투명 잉크가 패턴층이 형성된 영역의 바깥쪽으로 오버플로우되는 것을 정리한다.
특히, 상기 불투명 잉크를 바르는 것(도포하는 것)은 분사 노즐을 사용하여 수행하는데, 이때 상기 분사 노즐은 상기 보이드 결점에 불투명 잉크를 미세 방울들로 뿜어낼 수 있는 잉크젯 노즐 카트리지이거나 또는 상기 보이드 결점 상에 인접하는 니들 튜브를 통하여 불투명 잉크를 소량으로 뿜어낼 수 있는 니들-타입의 도트 마커인 것이 바람직하다.
또한, 상기 불투명 잉크는 폴리머 유제에 적어도 하나의 착색제(colorant)가 혼합된 혼합물로써, 상기 레이저를 조사하기 이전에 자외선 램프 및 펄스-자외선 레이저를 포함하는 자외선-광에 노출됨에 의해 큐어링이 가능한 자외선-큐어링 잉크(UV-curing ink)인 것이 바람직하다.
그리고, 상기 레이저 조사는 106 내지 1015W/cm2의 방사조도를 갖는 펄스-레이저를 사용하여 수행하거나 또는 150 내지 400nm의 파장을 갖는 펄스-자외선 레이저를 사용하여 수행할 수 있다. 아울러, 상기 레이저 조사는 상기 오버플로우되는 불투명 잉크에 조사가 가능한 빔 스팟 모양을 구현할 수 있는 마스크를 통해 형성되는 근거리 필드 이미징을 사용하여 수행하거나 또는 그 빔 프로파일이 가우스 분포의 TEM00 모드를 갖는 원거리 필드 이미징을 사용하여 수행할 수도 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 관점에 따른 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 수리 방법은 제1 표면 및 제2 표면을 갖고, 상기 제1 표 면 상에는 불투명 패턴층이 형성된 투명 폴리머 기판을 공급한다. 이어서, 상기 패턴층에서 보이드 결점을 찾아낸다. 그리고, 상기 보이드 결점 상부에 자외선-큐어링 잉크를 바른 후, 상기 보이드 결점 상부의 자외선-큐어링 잉크로 국부적으로 자외선 레이저를 조사하여 상기 국부적인 영역에서의 자외선-큐어링 잉크를 불용해성(insoluble)으로 만든 다음 상기 레이저에 조사되지 않은 영역의 자외선-큐어링 잉크를 제거한다.
특히, 상기 자외선-큐어링 잉크를 바르는 것은 분사 노즐을 사용하여 수행하는데, 이때 상기 분사 노즐은 상기 보이드 결점에 자외선-큐어링 잉크를 미세 방울들로 뿜어낼 수 있는 잉크젯 노즐 카트리지이거나 또는 상기 보이드 결점 상에 인접하는 니들 튜브를 통하여 자외선-큐어링 잉크를 소량으로 뿜어낼 수 있는 니들-타입의 도트 마커인 것이 바람직하다.
그리고, 상기 자외선 레이저 조사는 150 내지 400nm의 파장을 갖는 펄스-자외선 레이저를 사용하여 수행할 수 있다. 아울러, 상기 자외선 레이저 조사는 상기 자외선-큐어링 잉크에 조사가 가능한 빔 스팟 모양을 구현할 수 있는 마스크를 통해 형성되는 근거리 필드 이미징을 사용하여 수행하거나 또는 그 빔 프로파일이 가우스 분포의 TEM00 모드를 갖는 원거리 필드 이미징을 사용하여 수행할 수도 있다. 또한, 상기 자외선 레이저 조사는 0.001 내지 0.05J/cm2의 레이저 에너지 밀도를 갖는 펄스-자외선 레이저를 사용하여 수행할 수도 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 관점에 따른 포토리소그라피 용 패턴 폴리머 마스크의 수리 방법은 제1 표면 및 제2 표면을 갖고, 상기 제1 표면 상에는 불투명 패턴층이 형성된 투명 폴리머 기판과 그리고 제1 표면 및 제2 표면을 갖고, 상기 제2 표면 상에는 상기 제2 표면에서 계면(interface) 형성이 가능한 잉크층이 코팅된 투명 오버레이를 공급한다. 이어서, 상기 패턴층에서 보이드 결점을 찾아낸다. 그리고, 상기 폴리머 기판의 패턴층 상에 상기 투명 오버레이를 겹치게 하여 상기 잉크층과 상기 보이드 결점을 접촉시킨 후, 상기 투명 오버레이의 제1 표면으로 국부적으로 상기 투명 오버레이를 실질적으로 투과할 수 있고, 상기 계면에 실질적으로 흡수될 수 있는 레이저를 조사하여 상기 투명 오버레이의 제2 표면으로부터 상기 잉크층을 분리시킨 다음 상기 투명 오버레이로부터 상기 보이드 결점으로 상기 잉크층을 전사시킨다.
여기서, 상기 잉크층은 폴리머 유제에 적어도 하나의 착색제가 혼합된 혼합물로써, 유색-포토레지스트(colored photoresist)인 것이 바람직하다.
그리고, 상기 레이저 조사는 150 내지 400nm의 파장을 갖는 펄스-자외선 레이저를 사용하여 수행할 수 있다. 또한, 상기 레이저 조사는 상기 계면에 조사가 가능한 빔 스팟 모양을 구현할 수 있는 마스크를 통해 형성되는 근거리 필드 이미징을 사용하여 수행하거나 또는 그 빔 프로파일이 가우스 분포의 TEM00 모드를 갖는 원거리 필드 이미징을 사용하여 수행할 수도 있다. 아울러, 상기 레이저 조사는 0.01 내지 10J/cm2의 레이저 에너지 밀도를 갖는 펄스-자외선 레이저를 사용하여 수행할 수도 있다.
이와 같이, 본 발명의 방법들에 의하면 투명 폴리머 마스크에서의 얼룩 결점 및 보이드 결점 등과 같은 결점들을 용이하게 수리할 수 있다. 특히, 본 발명의 방법들은 마이크론 크기(micron scale)의 보이드들을 보다 용이하게 수리할 수 있다. 그러므로, 본 발명의 방법들은 최근의 포토리소그라피 노광에 적용되는 폴리머 마스크에서의 결점들의 보다 적극적인 수리가 가능하게 한다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 아울러, 도면들에 있어서, 각 부재들은 그 명확성을 기하기 위하여 다소 과장되어진 것이다.
그리고, 이하의 실시예들에서는 비록 193nm의 ArF 엑시머 레이저에 의해 수리되는 PET 기판의 불투명 잉크에 대하여 언급하지만, 다양한 형태의 자외선-불투명층들(non-UV-transparent layers), 폴리머 기판들 그리고 레이저들의 적용도 가능하고, 이는 당업자에게 있어서는 자명하다. 또한, 포토리소그라피 노광용 폴리머 마스크는 투명 폴리머 기판 상에 형성된 잉크 패턴을 포함하고, 패턴 영역과 투명 영역으로 구분하거나 또는 불투명 영역과 투명 영역으로 구분할 수 있다. 아울러, 자외선 램프 또는 자외선 레이저를 사용하는 포토리소그라피 노광에서 상기 패턴 영역은 광의 투과를 차단하고, 상기 투명 영역은 광을 투과시킨다.
도 1A는 폴리머 마스크에서의 결점들의 모양을 설명하기 위한 평면도이고, 도 1B는 폴리머 마스크에서의 결점들의 모양을 설명하기 위한 단면도이다.
도 1A를 참조하면, 폴리머 마스크(10)에서는 주로 서로 다른 형태의 두 가지 결점들이 발생한다. 상기 두 가지 결점들 중에서 하나는 투명 폴리머 기판(14)에 발생하는 잉크 얼룩(spot) 형태의 결점(16)이고, 나머지 하나는 패턴 영역(12)에 발생하는 잉크 보이드 형태의 결점(18)이다. 그리고, 상기 얼룩 결점(16) 및 보이드 결점(18)을 포함하는 결점들은 약 수 마이크로미터 내지 수 밀리미터의 크기를 갖는다. 전자 소자 또는 인쇄회로기판 등의 리소그라피 노광에 사용되는 폴리머 마스크(10)에서, 투명 폴리머 기판(14)에 발생하는 원하지 않는 얼룩 결점(16)은 회로의 쇼트(short)를 유발하고, 패턴 영역(12)에 발생하는 원하지 않는 보이드 결점(18)은 회로의 오픈(open)을 초래한다. 그리고, 도 1B를 참조하면, 도 1A의 단면도로써 잉크 얼룩 결점(16) 및 잉크 보이드 결점(18)을 보여주고 있다.
도 2A 내지 도 2F는 본 발명의 일 실시예에 따른 얼룩 결점을 수리하기 위한 공정 단계들을 나타내는 도면들이다.
도 2A를 참조하면, 잉크 얼룩 결점(16)에 레이저 조사(20)를 수행한다. 여기서, 상기 레이저 조사(20)는 주로 펄스-자외선 레이저(pulsed UV laser)를 사용하는 것이 적절하다. 그리고, 상기 펄스-자외선 레이저는 157nm의 F2 엑시머(excimer) 레이저, 193nm의 ArF 엑시머 레이저, 222nm의 KrCl 엑시머 레이저, 248nm의 KrF 엑시머 레이저, 308nm의 XeCl 엑시머 레이저, 351nm의 XeF 엑시머 레 이저 및 355nm(3배수-주파수 : frequency-tripled) 또는 266nm(4배수-주파수 : frequency-quadrupled)의 엔디:야그(Nd:YAG)(또는 Nd:YVO4) 레이저들을 포함한다. 아울러, 언급한 레이저들의 펄스 지속 시간(duration)은 펨토초(femtoseconds : 10-15초) 내지 나노초(nanoseconds : 10-9초)인 것이 바람직하다. 상기 레이저 조사(20)는 조사를 위한 얼룩 결점(16)에 빔 스팟(spot) 모양을 구현할 수 있는 마스크를 통해 형성되는 근거리 필드 이미징(near field imaging)을 이용할 수 있고, 아울러 그 빔 프로파일이 가우스 분포의 TEM00과 같이 충분한 균일도를 갖는 원거리 필드 이미징(far field imaging)을 이용할 수도 있다.
얼룩 결점(16)에서의 폴리머 제거(ablation)를 위한 레이저 빔의 환경은 상기 폴리머의 흡수 특성(absorption property)과 레이저 빔의 특성에 의존한다. 상기 폴리머의 흡수 특성은 흡수 계수(absorption coefficient : cm-1)에 의해 표시될 수 있고, 폴리머 재질 내에 흡수되는 포톤들(photons)의 깊이에 의해 결정될 수 있다. 상기 폴리머 재질 내에 흡수되는 포톤들은 상기 폴리머를 순간적으로 증발시킬 수 있는 여기 상태를 유도하기 위하여 폴리머의 원자들 및 분자들과 반응한다. 이에, 흡수가 강한 폴리머는 보다 큰 흡수 계수를 갖는다.
그리고, 상기 레이저 빔의 특성은 주로 파장과 펄스 지속 시간을 포함하는 두 가지 특성에 의존한다. 특히, 상기 레이저 빔의 특성의 경우에는 I = E/(A·t)로 표현할 수 있다. 여기서, I는 방사조도(irradiance : J/cm2·sec)이고, E는 레이 저의 펄스 에너지(J : Joule)이고, A는 레이저가 조사되는 영역의 면적(cm2)이고, t는 펄스 지속 시간(sec)이다. 그리고, 레이저의 형태에 따라 펄스 지속 시간이 결정될 경우, 언급한 레이저 빔의 특성은 D = E/A로 표현할 수 있다. 여기서, D는 레이저 에너지 밀도(J/cm2)이다. 상기 레이저의 펄스 에너지는 플랭크 방정식(Plank's equation)인 E = h·(c/λ)로 나타낼 수 있다. 여기서, h는 플랭크 상수(6.62618 × 10-34J·sec)이고, c는 광속(m/sec)이고, λ는 파장(nm)이다. 언급한 관계들에 근거할 때, 상기 레이저의 조사에서 펄스 지속 시간이 짧으면 보다 높은 방사조도를 갖고, 빠른 흡수에 의해 열이 전달되는 것을 줄일 수 있다. 그리고, 상기 레이저 조사에서 파장이 짧을 경우에는 향상된 광학적 흡수에 기여하는 포토닉 에너지(photonic energy)를 향상시킬 수 있고, 또한 흡수 깊이(absorption depth)를 줄일 수 있다. 상기 레이저 조사에서 펄스 지속 시간이 결정되면 레이저 에너지 밀도의 증가를 통하여 보다 집중된 레이점 빔을 유도하여 상기 레이저 빔을 보다 좁은 영역에 조사할 수 있다. 그러나, 언급한 레이저 에너지 밀도가 다소 과도할 경우에는 과도한 에너지로 인한 열 이동에 의해 목적물(결점들)에 열적 손상을 초래할 수도 있다. 이에, 광학적, 열적 관게를 모두 고려할 때 효율적인 유효 제거(effective ablation)는 보다 짧은 파장과 펄스 지속 시간을 갖는 레이저의 조사에 의해 달성할 수 있다. 즉, 상기 레이저 조사에서 짧은 펄스 지속 시간과 높은 포토닉 에너지를 작은 흡수 깊이와 폴리머 재질의 특성에 따른 낮은 열적 이동을 함께 결부시킬 경우, 열적 손상을 가할 수 있는 열적 이동은 미세한 영역에서의 폴 리머 제거라는 상기 유효 제거에 의해 최소화될 수 있다.
예를 들면, 폴리메틸메타크릴(polymethyl methacrylate : PMMA)의 경우에는 248nm에서 대략 수 백 cm-1 이내의 낮은 흡수 계수를 갖고, 침투 깊이(penetration depth)가 길게 나타난다. 이에, 상기 폴리메틸메타크릴에 248nm의 레이저를 조사하면 낮은 흡수 계수를 갖고, 그 결과 유효 제거를 용이하게 수행할 수 없다. 반면에, 폴리이미드(polyimide : PI)는 248nm에서 대략 105cm-1 이상의 높은 흡수 계수를 갖는다. 그러므로, 상기 폴리이미드는 248nm에서 상대적으로 짧은 침투 깊이를 나타내고, 이에 레이저를 조사할 경우 양호한 흡수를 보인다. 최적의 레이저 에너지 밀도를 가질 경우, 248nm의 파장에서 상기 폴리이미드는 양호한 유효 제거가 가능하다.
도 2B를 참조하면, 투명 기판으로 사용되는 PET(polyethylene terephthalate)에 발생한 약 100nm의 직경을 갖는 원형의 얼룩에 약 25nm의 펄스 지속 시간 및 약 2J/cm2의 레이저 에너지 밀도를 갖는 248nm의 엑시머 레이저를 조사하였다. 그러나, 상기 PET가 248nm의 파장에서 약 1.6 × 105cm-1의 상대적으로 높은 흡수 계수를 가짐에도 불구하고, 레이저가 조사된 영역(21a)의 주변에 용해 물질들(molten materials)(23)이 생성되기 때문에 언급한 유효 제거를 기대하기 어렵다. 또한, 상기 레이저가 조사된 영역(21a)의 저부에는 탄화 물질들(carbonized materials)을 포함하는 박막이 적층된다. 이에, 상기 유효 제거를 위하여 레이저 에너지 밀도를 감소시키면 상기 레이저가 조사된 영역(21a)에 탄화 물질들의 적층이 증가되고, 레이저 에너지 밀도를 증가시키면 상기 레이저가 조사된 영역(21a) 주변에 용해 물질들(23)의 생성과 열적 손상이 발생한다. 그러므로, 상기 PET 기판에서의 잉크 얼룩 결점을 수리하기 위하여 248nm의 엑시머 레이저를 사용하는 것은 유효 제거의 관점에서 바람직하지 않다.
이에 반해, 도 2C를 참조하면, 언급한 것과 동일한 PET 기판에 발생한 얼룩에 도 2B에서와 동일한 펄스 지속 시간과 레이저 에너지 밀도를 갖는 193nm의 엑시머 레이저를 조사하였다. 그 결과, 레이저가 조사된 영역(21b) 주변에 용해 물질들이 생성되지 않고, 더불어 레이저가 조사된 영역(21b)의 저부에 탄화 물질의 박막이 적층되지 않는 상기 얼룩의 유효 제거가 이루어짐을 확인할 수 있다. 이에, PET 기판에서의 잉크 얼룩 결점의 수리는 193nm의 엑시머 레이저를 사용하는 것이 유효 제거의 관점에서 바람직하다.
도 2D를 참조하면, 상기 레이저 조사(20)를 수행한 이후에, 투명 폴리머 기판(14)의 수리된 영역(22a)에서 포토리소그라피 노광(25)을 수행할 때 광이 양호하게 투과되는 것이 중요하다. 이에, 상기 투명 폴리머 기판(14)에서 광이 양호하게 투과하는 것을 유지할 수 있도록 매우 작은 열적 손상을 가지면서도 최소화된 탄화 영역을 수득해야 하는 유효 제거가 필요하다. 그러므로, 수리된 영역(22a)은 폴리머 기판 표면(26)을 향하는 부분으로 평탄한 에지부(smooth edge)(24a)를 갖는 것이 바람직하다. 예를 들면, 상기 수리된 영역(22a)은 오목한 모양(concave shape)을 갖도록 형성될 수 있다. 상기 오목한 모양의 크레이터(crater)는 다소 얕은 깊 이를 갖는 것이 바람직하다. 이에, 상기 오목한 모양의 크레이터는 약 0.1μm를 초과하고, 약 50μm 미만의 깊이를 갖는 것이 보다 바람직하다. 그리고, 포토리소그라피 노광(25)을 수행할 때, 상기 평탄한 에지부(24a)는 상기 수리된 영역(22a)의 평탄한 에지부(24a) 아래에 직접적으로 위치하는 노광 목적물(27) 상에 에지 그림자(edge shadow)가 형성되는 것을 최소화할 수 있다.
이에 반해, 도 2E에와 같이 수리된 영역(22b)이 폴리머 기판 표면(26)을 향하는 부분으로 수직한 에지부(24b)를 가질 경우에는 포토리소그라피 노광(25)을 위하여 투사되는 자외선-광(UV light)이 상기 수직한 에지부(24b)에 의해 반사되거나 또는 굴절되는 상황이 발생한다. 이에, 상기 수직한 에지부(24b) 아래에 위치하는 노광 목적물(27)에 그림자가 생성되고, 그 결과 포토리소그라피 노광의 수행에 따른 불량이 발생한다.
그러므로, 수리된 영역(22b)이 수직한 에지부(24b)를 가질 경우에는, 도 2F에서와 같이 상기 수리된 영역(22b) 상에 투명 코팅층(28)을 형성(바름)함으로써 상기 에지 그림자를 감소시킬 수 있다. 여기서, 상기 투명 코팅층(28)은 상기 폴리머 기판(14)과 매칭되는 굴절율을 갖는 폴리머 유제(emulsion)를 포함하는 것이 바람직하다. 특히, 상기 폴리머 유제는 액체 내에 폴리머 입자들이 부유하는 물질이다. 이에, 상기 액체가 증발할 때 상기 액체 내에 부유하는 폴리머 입자들은 보다 큰 체인들(chains)을 형성하기 위하여 결합되고, 그 결과 상기 투명 코팅층(28)으로 형성된다. 또한, 상기 투명 코팅층(28)은 상기 포토리소그라피 노광(25)에서 광의 투과를 증진시키기 위한 일환으로 도 2C에서와 같이 오목한 모양으로 수리된 영 역(22a) 상에도 형성할 수 있다.
언급한 바와 같이, 상기 얼룩 결점(16)의 수리에서 상기 유효 제거를 위한 레이저 조사(20)가 106W/cm2미만의 방사조도(irradiance)를 갖는 펄스-레이저를 사용할 경우에는 상기 얼룩 결점(16)의 유효 제거가 용이하게 이루어지지 않기 때문에 바람직하지 않고, 1015W/cm2을 초과하는 방사조도를 갖는 펄스-레이저를 사용할 경우에는 상기 얼룩 결점(16)의 유효 제거에서 손상이 가해지지기 때문에 바람직하지 않다. 따라서, 상기 유효 제거를 위한 레이저 조사(20)는 106 내지 1015W/cm2의 방사조도를 갖는 펄스-레이저를 사용하는 것이 바람직하다.
도 3A 내지 도 3E는 본 발명의 다른 실시예에 따른 레이저 조사에 의해 이루어지는 잉크 주입을 이용하여 보이드 결점을 수리하기 위한 공정 단계들을 개략적으로 나타내는 도면들이다.
도 3A를 참조하면, 잉크 보이드 결점(18)에 유효 제거를 위하여 레이저 조사(20)를 수행한한다. 그리고, 상기 레이저 조사(20)를 수행함에 따라 도 3B에서와 같이 미세-홀(blind hole)(30)이 형성된다. 이때, 상기 미세-홀(30)의 깊이는 상기 폴리머 기판(14)의 전체 두께보다는 깊지 않고, 약 1μm 보다는 깊은 것이 바람직하다. 또한, 상기 보이드 결점(18)을 포함하는 패턴 영역(12)의 모양을 고려할 때, 상기 미세-홀(30)은 원형, 타원형, 정사각형, 직사각형 및 삼각형 등을 포함하는 다양한 형태들을 가질 수 있다.
그리고, 도 3C는 상기 미세-홀(30) 상부에 충전용 잉크(filler-ink)(32)가 발라진(형성된/도포된) 구조를 나타낸다. 여기서, 상기 충전용 잉크(32)가 갖는 점성(viscosity)은 적절한 웨팅(wetting) 및 상기 미세-홀(30) 내에 매립되는 특성 등에 의해 고려되어 진다. 즉, 상기 충전용 잉크(32)가 높은 점성을 가질 경우에는 다소 협소한 미세-홀(30) 내에서의 웨팅 특성이 양호하지 않고, 미세-홀(30) 내에 충전용 잉크(32)의 매립이 용이하지 않다. 아울러, 상기 충전용 잉크(32)가 포토리소그라피 노광에서 자외선-광이 투과되는 것을 저지할 수 있을 경우에는 상기 충전용 잉크(32)는 솔벤트 또는 물 등과 같은 용액 내에 착색제들(colorants)이 혼합된 안료(pigment) 또는 염료(dye) 등을 포함하여도 무방하다. 그리고, 상기 충전용 잉크(32)는 수작업 또는 다소 작은 분사 노즐을 사용하여 상기 미세-홀(30) 상부에 바를 수 있다. 특히, 상기 분사 노즐은 상업적으로 사용 가능한 것으로써 국부적인 영역에 상기 충전용 잉크(32)를 뿜어낼 수 있다면 잉크젯 노즐 카트리지 및 니들-타입의 도트 마커(dot marker) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 잉크젯 노즐 카트리지는 상기 충전용 잉크(32)를 미세 방울들(droplets)로 분사하는 적어도 하나의 노즐들을 포함한다. 상기 잉크젯 노즐 카드리지에 대한 일 예는 엠.그리랜드(M.Gilliland)가 저술하고, 우드그랜 출판사(Woodglen Press)에서 2005년도에 출판한 "잉크젯 어플리케이션"에 기재된 상업적으로 이용 가능한 잉크젯 카트리지의 조작에서 살펴볼 수 있다. 상기 니들-타입의 도트 마커는 상기 마스크 표면 상에 인접한 상태에서 니들 튜브를 통하여 상기 충전용 잉크(32)를 소량(dots)으로 뿜어낼 수 있다. 상기 니들-타입의 도트 마커에 대한 일 예는 일본 동경 소재의 휴글 전자(Hugle Electronics)에서 제조한 상품명 "DIMARK"를 들 수 있다.
도 3D를 참조하면, 상기 미세-홀(30)의 주변에 잔류하는 충전용 잉크(32)를 제거하여 상기 미세-홀(30) 내에만 충전용 잉크(32)가 잔류, 즉 상기 미세-홀(30)의 저부에만 잉크(34)를 잔류시킨다.
보다 구체적인 예로서, 도 3E를 참조하면, 투명 기판(14)으로서 상기 PET 기판을 사용한다. 그리고, 상기 PET 기판으로 레이저 조사(20)를 수행하여 미세-홀(30)을 형성한다. 이때, 상기 레이저 조사(20)는 25ns의 펄스 지속 시간 및 2J/cm2의 레이저 에너지의 밀도를 갖는 193nm의 엑시머 레이저 그리고 100μm의 직경을 갖는 원형 스팟(circular spot)을 사용하여 수행하였다. 이와 같이, 상기 레이저 조사(20)에 의해 미세-홀(30)을 형성한 다음 상기 미세-홀(30)에 충전용 잉크(32)를 채우고, 상기 미세-홀(30)의 주변에 잔류하는 충전용 잉크(32)를 제거하여 상기 미세-홀(30)의 저부에만 잉크(34)를 잔류시킨다. 즉, 보이드 결점(18)을 수리하기 위하여 언급한 레이저 조사(20)와 충전용 잉크(32)의 매립 및 제거를 통하여 도 3E의 미세-홀(30)의 저부에만 잉크(34)를 잔류시키는 구조를 수득할 수 있다.
언급한 바와 같이, 상기 보이드 결점(18)의 수리를 위한 레이저 조사(20)가 106W/cm2미만의 방사조도를 갖는 펄스-레이저를 사용할 경우에는 상기 수리가 용이하게 이루어지지 않기 때문에 바람직하지 않고, 1015W/cm2을 초과하는 방사조도를 갖는 펄스-레이저를 사용할 경우에는 손상이 가해지지기 때문에 바람직하지 않다. 따라서, 상기 레이저 조사(20)는 106 내지 1015W/cm2의 방사조도를 갖는 펄스-레이저를 사용하는 것이 바람직하다.
도 4A 내지 도 4E는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 레이저 조사에 의해 이루어지는 회절성 구조물을 이용하여 보이드 결점을 수리하기 위한 공정 단계들을 개략적으로 나타내는 도면들이다.
특히, 도 4A 내지 도 4E에서의 공정들은 레이저 조사에 의한 마이크로-텍스튜어링(micro-texturing), 즉 회절성 구조물(diffractive structure)을 형성함에 의해 보이드 결점을 수리하는 방법이다. 언급하는 레이저 소자에 의해 적절하게 형성하는 마이크로-텍스튜어링은 포토리소그라피 노광에서 광의 투사를 트랩(trap) 즉, 광의 투사를 저지할 수 있는 회절 격자(diffraction grating)로서 기능할 수 있다. 여기서, 광 투사를 트랩하는 정도 및 트랩되는 스펙트럼(spectrum)의 범위는 상기 회절성 구조물의 기하학적 요소에 의존한다. 상기 회절 격자의 모델링에 대한 일 예는 2002년에 개최된 17차 유럽 광기전 태양 에너지 컨퍼런스(17th European Photovoltaic Solar Conference)의 학회지 페이지 284 내지 287에 기재되고, 엠.니그만 등(M.Niggemann et.al.,)에 의해 발표된 "Trapping Light in Organic Plastic Solar Cells with Integrated Diffraction Grating"에서 살펴볼 수 있다. 그리고, 원뿔들이 마이크로-구조의 산 형태로 형성되는 원뿔 형태의 텍스튜어링(conical texturing)의 경우에도 언급한 광의 투사를 효율적으로 트랩할 수 있다는 것은 잘 알려져 있다.
도 4A를 참조하면, 보이드 결점(18)으로 레이저 조사(20)를 수행한다. 그리고, 도 4B를 참조하면, 상기 레이저 조사(20)의 수행에 의해 유효 제거가 이루어짐에 따라 패턴 영역(12)의 바로 아래에 위치하는 폴리머 표면(40)이 노출된다. 여기서, 상기 유효 제거를 위한 레이저 조사(20)가 106W/cm2미만의 방사조도를 갖는 펄스-레이저를 사용할 경우에는 상기 유효 제거가 원만하게 이루어지지 않기 때문에 바람직하지 않고, 1015W/cm2을 초과하는 방사조도를 갖는 펄스-레이저를 사용할 경우에는 노출되는 폴리머 표면(40)에 손상이 가해지기 때문에 바람직하지 않다. 따라서, 상기 레이저 조사(20)는 106 내지 1015W/cm2의 방사조도를 갖는 펄스-레이저를 사용하는 것이 바람직하다.
이어서, 도 4C를 참조하면, 상기 레이저 조사에 의해 노출이 이루어진 폴리머 표면(40)으로 언급한 레이저 조사(20)와는 다르게 조정된 레이저 조사(20a)를 수행한다.
그리고, 도 4D를 참조하면, 상기 조정된 레이저 조사(20a)를 수행함에 따라 리소그라피 노광에서 광이 투과되는 것을 트랩하기 위한 회절 격자로서 기능할 수 있는 마이크로-텍스튜어링(42), 즉 회절성 구조물이 생성된다. 여기서, 상기 조정된 레이저 조사(20a)는 레이저 조사(20a)에 따른 요소들을 조정하는 것으로써, 레이저 에너지 밀도, 펄스수(number of pulses), 파장, 펄스 지속 시간 등을 포함한다. 예들 들면, PET 기판으로 193nm의 ArF 엑시머 레이저를 조사할 때, 상기 레이저 조사(20a)에 따른 레이저 에너지 밀도를 조절함으로써 상기 PET 기판의 표면에 회절성 구조물을 생성할 수 있다. 즉, 초기의 레이저 조사(약 20의 펄스수)(20)는 상기 패턴 영역(12)의 잉크를 효율적으로 제거하고, 상기 PET 기판의 표면(40)을 노출시키기 위하여 약 1J/cm2 이상의 레이저 에너지 밀도를 갖는 조건으로 수행한다. 그리고, 후속의 조정된 레이저 조사(20a)는 원뿔 형태의 격자, 즉 회절성 구조물(42)을 생성하기 위하여 약 0.01 내지 1J/cm2 사이의 레이저 에너지 밀도를 갖는 조건으로 수행한다. 상기 원쁠 형태의 격자인 회절성 구조물(42)을 생성하기 위한 조건으로 요구되는 펄스수는 상기 레이저 에너지 밀도에 의존한다. 이에, 예들 들면 약 20의 펄스수에서 0.05J/cm2의 레이저 에너지 밀도를 갖는 조건으로 레이저 조사(20a)를 수행하여 상기 회절성 구조물(42)을 형성한다. 상기 회절성 구조물인 격자에 대한 모폴로지(morphology)의 일 예는 1996년도 응용 표면 과학(Applied Surface Science)의 96-8, 페이지 611 내지 616에 비.호프 등(B.Hopp et. al.,)이 발표한 "Formation of the Surface structure of polyethylene-terephthalate(PFT) due to ArF excimer laser ablation"에서 살펴볼 수 있다.
도 4E를 참조하면, 3 개의 미세-홀들을 마련하고, 이들로부터 서로 다른 회절성 구조물들(42a, 42b, 42c) 각각을 생성하기 위하여 20의 펄스수와 193nm의 파장을 가지면서 0.05J/cm2, 0.1J/cm2, 1J/cm2의 서로 다른 레이저 에너지 밀도를 갖는 레이저 조사를 수행하였다. 먼저, 0.05J/cm2, 0.1J/cm2의 레이저 에너지 밀도들을 갖는 레이저 조사를 수행할 경우에는 광의 투사를 저지할 수 있는 효율적인 회 절 격자의 형태로써 어두운 미세-홀들(42a, 42b)을 수득할 수 있다. 이에 반해, 1J/cm2의 레이저 에너지 밀도를 갖는 레이저 조사를 수행할 경우에는 거의 투명한 미세-홀(42c)을 수득한다. 따라서, 상기 1J/cm2의 레이저 에너지 밀도를 갖는 레이저 조사를 수행할 경우에는 효율적인 회절 격자의 수득이 용이하지 않다는 것을 확인할 수 있다.
도 5A 내지 도 5C는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 레이저 조사에 의해 이루어지는 포토-프린팅을 이용하여 보이드 결점을 수리하기 위한 공정 단계들을 개략적으로 나타내는 도면들이다.
도 5A를 참조하면, 보이드 결점(18) 상부에 투명 광-민감성 코팅물(photo-sensitive coating)(50)을 국부적으로 바른다. 여기서, 상기 광-민감성 코팅물(50)은 코팅 용액 내에 한 종류 또는 다수 종류의 광-민감성 입자들(photo-sensitive particles)을 포함할 수 있다. 특히, 티타늄 산화물(titanium oxide), 카올린(kaolin) 및 마이커(mica) 등과 같은 광-민감성 입자들은 특정 파장의 광에 노출될 경우 광화학적 반응에 의해 그들의 색을 변화시킬 수 있다. 상기 광화학적 반응에 의해 광-민감성 입자들의 색을 변화시키는 것에 대한 예는 미국특허 6,924,077호에 개시되어 있다. 또한, 상기 광-민감성 입자들 대신에 레이저 조사(20)에 의한 열적 유도를 통하여 그들의 색을 변화시킬 수 있는 실버-나노 파우더(silver nano-powder) 등과 같은 열-민감성 입자들(heat sensitive particles)을 선택적으로 사용할 수도 있다.
언급한 광-민감성 코팅물(50)은 예를 들면, 폴리머 유제(emulsion) 내에 티타늄 이산화물(TiO2) 입자들(titanium dioxide particles)이 혼합된 혼합물일 수 있다. 그리고, 상기 티타늄 이산화물의 입자 크기는 작은 것이 바람직하고, 특히 수 내지 수백 나노미터의 평균 미립자 크기를 갖는 나노-파우더(nano-powder)인 것이 더욱 바람직하다. 상기 유제 내에 혼합된 나노 크기를 갖는 입자들은 포토리소그라피 노광에서 다소 큰 크기를 갖는 입자들에 비해 투사광을 보다 잘 투과시킨다. 아울러, 상기 유제는 상기 투명 폴리머 기판(14)과 매칭되는 굴절율(refractive index)을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 상기 용제에서 나노 크기를 갖는 티타늄 이산화물의 체적비(volume percentage)는 1 내지 50%로 다양하고, 상기 폴리머 마스크(10) 상부에 발라지는 혼합 용제의 두께는 약 1 내지 500μm이다. 여기서, 상기 티타늄 이산화물의 체적비는 상기 혼합 용제의 두께에 의존한다. 일반적으로, 다소 두꺼운 두께를 갖는 혼합 용제의 코팅물은 다소 낮은 체적비를 갖는 티타늄 이산화물에 의해 수득할 수 있다. 그리고, 상기 티타늄 이산화물에 펄스-자외선 레이저(pulsed UV laser)를 조사할 경우 무색에서 검은색으로 광화학적으로 변화하는 것은 당업자에게 잘 알려진 사실이다.
이어서, 도 5B를 참조하면, 상기 광-민감성 코팅물(50)에 레이저 조사를(20) 수행한다. 이때, 상기 레이저 조사(20)는 펄스-자외선 레이저를 사용하는 것이 바람직하다.
그리고, 도 5C를 참조하면, 상기 광-민감성 코팅물(50)에 레이저 조사(20)를 수행함에 따라 상기 레이저 조사가 이루어진 영역(52)의 광-민감성 코팅물(50)의 색이 변화하고, 그 결과 포토리소그라피 노광에서 투사되는 자외선-광(UV light)의 투과를 충분하게 저지할 수 있다.
도 6A 내지 도 6C는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 레이저 조사에 의해 이루어지는 탄화를 이용하여 보이드 결점을 수리하기 위한 공정 단계들을 개략적으로 나타내는 도면들이다.
도 6A를 참조하면, 보이드 결점(18) 상부에 투명 광-반응성 코팅물(photo-reactive coating)(60)을 국부적으로 바른다. 상기 광-반응성 코팅물(60)은 코팅 용액 내에 한 종류 또는 다수 종류의 광-반응성 입자들(photo-reactive particles)을 포함한다. 상기 광-반응성 입자들은 투사되는 레이저 빔에 반응하고, 이를 통하여 상기 레이저가 투사된 영역을 검게 만드는 탄화-더미들(carbonized-debris)을 형성한다. 상기 광-반응성 입자들은 폴리이미드(polyimide) 등과 같이 투명하고, 강한 흡수성(absorbing)을 갖는 것이 바람직하다. 예들 들어, 상기 폴리이미드는 펄스-자외선 레이저를 이용하여 레이저 조사를 수행하면 다결정 카본(polycrystalline carbon)을 생성하고, 이를 통하여 상기 레이저가 조사된 영역에 적층된다. 상기 레이저가 조사된 영역에 적층되는 다결정 카본은 투명한 폴리이미드를 검게 만들 수 있다. 그리고, 상기 폴리이미드 입자들은 폴리머 유제에 혼합되어질 수 있다. 상기 폴리이미드의 입자 크기는 작은 것이 바람직하고, 특히 수 나노미터 내지 수 마이크로미터인 것이 더욱 바람직하다. 아울러, 상기 유제는 상기 투명 폴리머 기판(14)과 매칭되는 굴절율을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 상기 용제에서 폴리이미드 입자들의 체적비는 1 내지 50%로 다양하고, 상기 폴리머 마스크(10) 상부에 발라지는 혼합 용제의 두께는 약 1 내지 500μm이다. 여기서, 상기 폴리이미드 입자들의 체적비는 상기 혼합 용제의 두께에 의존한다. 일반적으로, 다소 두꺼운 두께를 갖는 혼합 용제의 코팅물은 다소 낮은 체적비를 갖는 폴리이미드 입자들에 의해 수득할 수 있다. 그리고, 상기 폴리이미드에 펄스-자외선 레이저(pulsed UV laser)를 조사할 경우 탄화-더미를 생성한다는 것은 당업자에게 잘 알려진 사실이다. 상기 폴리이미드의 탄화-더미 생성에 대한 일 예는 2000년도 응용 물리 학회지(Journal of Applied Physics)의 vol.88 no.6의 페이지 3659 내지 3666에 에프.레이몽드 등(F.Raimondi et. al.,)이 발표한 "Quantification of Polyimide Carbonization after Laser Ablation"에서 살펴볼 수 있다.
이어서, 도 6B를 참조하면, 상기 광-반응성 코팅물(60)에 레이저 조사를(20) 수행한다. 이때, 상기 레이저 조사(20)는 펄스-자외선 레이저를 사용하는 것이 바람직하다.
그리고, 도 6C를 참조하면, 상기 광-반응성 코팅물(60)에 레이저 조사(20)를 수행함에 따라 상기 레이저 조사가 이루어진 영역에는 탄화-더미(62)가 생성된다. 이에, 상기 탄화 더미(62)를 갖는 포토리소그라피 노광에서 투사되는 자외선-광의 투과를 충분하게 저지할 수 있다.
여기서, 상기 레이저 조사(20)가 106W/cm2미만의 방사조도를 갖는 펄스-레이저를 사용할 경우에는 상기 탄화-더미(62)의 생성이 용이하게 이루어지지 않기 때 문에 바람직하지 않고, 1015W/cm2을 초과하는 방사조도를 갖는 펄스-레이저를 사용할 경우에는 상기 탄화-더미(62)가 생성되는 부위에 손상이 가해지기 때문에 바람직하지 않다. 따라서, 상기 레이저 조사(20)는 106 내지 1015W/cm2의 방사조도를 갖는 펄스-레이저를 사용하는 것이 바람직하다.
도 7A 내지 도 7D는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 레이저 조사에 의해 이루어지는 국부적인 잉크 도포를 이용하여 보이드 결점을 수리하기 위한 공정 단계들을 개략적으로 나타내는 도면들이다.
먼저, 도 7A는 보이드 결점(18)을 보여주고, 도 7B는 상기 보이드 결점(18) 상부에 불투명 잉크(70)가 국부적으로 발라진 것을 보여준다. 여기서, 상기 불투명 잉크(70)가 포토리소그라피 노광에서 자외선-광이 투과되는 것을 저지할 수 있다면 솔벤트 또는 물 등과 같은 용액 내에 착색제들(colorants)이 혼합된 안료(pigment) 또는 염료(dye) 등을 포함하여도 무방하다. 또한, 상기 불투명 잉크(70)는 자외선-광에 노출됨에 의해 큐어링이 가능한 자외선-큐어링 잉크(UV-curing ink)를 포함할 수도 있고, 이후에 불용해성(insoluble)으로 변화한다. 상기 불투명 잉크(70)의 바름, 즉 도포는 수작업 또는 언급한 분사 노즐에 의해 달성될 수 있다. 여기서, 상기 분사 노즐은 잉크젯 노즐 카트리지 및 니들-타입 도트 마커 등을 포함한다. 그리고, 상기 불투명 잉크(70)를 국부적으로 바른 후, 대기 처리 또는 공기/가스의 플로우 및 히팅 등을 포함하는 기타 처리 등을 수행하여 상기 불투명 잉크(70)를 건조, 큐어링시킨다. 여기서, 상기 자외선-큐어링 잉크의 경우에는 자외선 램프/엘 이디(LED)를 이용한 충분한 조사, 또는 언급한 펄스-자외선 레이저를 이용한 조절된 레이저 조사에 의해 큐어링될 수 있다.
도 7C를 참조하면, 언급한 바와 같이 상기 보이드 결점(18) 상부에 불투명 잉크(70)를 바름에 따라 오버플로우가 발생한다. 여기서, 상기 오버플로우는 상기 폴리머 기판(14)의 패턴 영역(12)의 바깥쪽으로 상기 불투명 잉크(70)가 플로우되는 것을 나타낸다. 따라서, 레이저 조사(20)를 수행하여 상기 오버플로우의 트리밍(trimming), 즉 정리(상태 변화)를 달성한다. 즉, 상기 레이저 조사(20)를 통하여 과도하게 발라진 부분을 트리밍하고, 상기 불투명 잉크(70)를 큐어링된 잉크(70a)로 수득할 수 있는 것이다.
여기서, 상기 레이저 조사(20)가 106W/cm2미만의 방사조도를 갖는 펄스-레이저를 사용할 경우에는 상기 트리밍이 용이하게 이루어지지 않기 때문에 바람직하지 않고, 1015W/cm2을 초과하는 방사조도를 갖는 펄스-레이저를 사용할 경우에는 손상이 가해지지기 때문에 바람직하지 않다. 따라서, 상기 레이저 조사(20)는 106 내지 1015W/cm2의 방사조도를 갖는 펄스-레이저를 사용하는 것이 바람직하다.
이어서, 도 7D를 참조하면, 큐어링된 잉크(70a)에서 오버플로우된 부분을 선택적으로 제거하여 투명 폴리머 표면(72)을 노출시킨다.
그러나, 언급한 큐어링된 잉크(70a)와 폴리머 표면(72)의 흡수 계수가 거의 차이가 없을 경우에는 상기 선택적 제거를 용이하게 수행할 수 없다. 이에, 상기 큐어링된 잉크(70a)와 폴리머 표면(72)의 흡수 계수가 거의 차이가 없을 경우에는 유효 제거에 의한 방법으로써 상기 폴리머 표면(72)으로부터 약 100μm보다는 얕은 특정 깊이까지 레이저를 조사하여 제거할 수 있다.
도 8A 내지 도 8D는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 자외선-큐어링 잉크의 국부적인 노출에 의해 이루어지는 보이드 결점을 수리하기 위한 공정 단계들을 개략적으로 나타내는 도면들이다.
먼저, 도 8A는 보이드 결점(18)을 보여주고, 도 8B는 상기 보이드 결점(18) 상부에 자외선-큐어링 잉크(80)가 국부적으로 발라진 것을 보여준다. 상기 자외선-큐어링 잉크(80)는 자외선-광에 노출됨에 의해 큐어링되고, 불용해성으로 변화한다. 상기 자외선-큐어링 잉크(80)의 바름, 즉 도포는 수작업 또는 언급한 분사 노즐에 의해 달성될 수 있다. 여기서, 상기 분사 노즐은 잉크젯 노즐 카트리지 및 니들-타입 도트 마커 등을 포함한다.
그리고, 도 8C를 참조하면, 상기 보이드 결점(18) 상부의 국부적인 영역에 발라진 자외선-큐어링 잉크(80)에 상기 자외선-큐어링 잉크(80)의 큐어링을 위하여 자외선 레이저를 이용하여 레이저 조사(20b)를 수행한다. 이때, 상기 레이저 조사(20b)는 펄스-자외선 레이저를 사용하는 것이 바람직하고, 특히 상기 레이저 조사(20b)가 이루어지는 영역에 빔 스팟 모양을 구현할 수 있는 마스크를 사용한 근거리 필드 이미징(near field imaging)에 의해 이루어지는 것이 보다 바람직하다. 또한, 상기 레이저 조사(20)는 그 빔 프로파일이 가우스 분포의 TEM00과 같이 충분 한 균일도를 갖는 원거리 필드 이미징(far field imaging)에 의해 이루질 수도 있다. 그리고, 상기 자외선 레이저를 이용한 레이저 조사(20b)에서는 언급한 유효 제거를 위한 레이저 조사에서의 레이저 에너지 밀도에 비하여 다소 낮은 레이저 에너지 밀도를 갖도록 조정하는 것이 바람직하고, 일 예로 50mJ/cm2 미만의 레이저 에너지 밀도를 갖도록 조정하는 것이 더욱 바람직하다.
이어서, 도 8D를 참조하면, 상기 레이저 조사(20b)를 수행한 이후에, 큐어링된 잉크(80a)를 제외한 나머지 영역에서의 자외선-큐어링 잉크(80)를 제거하여 상기 보이드 결점(18)을 수리한다.
도 9A 내지 도 9D는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 레이저 조사에 의해 이루어지는 잉크 전사를 이용하여 보이드 결점을 수리하기 위한 공정 단계들을 개략적으로 나타내는 도면들이다.
먼저, 도 9A는 보이드 결점(18)을 보여주고, 도 9B는 상기 보이드 결점(18) 상부에 계면(interface)(94)의 형성이 가능한 잉크층(92)을 갖는 투명 기판(90)이 위치한 상태를 보여준다. 여기서, 투명 기판(90)은 투명 오버레이(overlay)로도 표현할 수 있다.
그리고, 도 9C를 참조하면, 상기 잉크층(92)과 상기 패턴 영역(12)과 실질적으로 접촉하게 위치시킨다. 이어서, 상기 보이드 결점(18) 상부의 국부적인 영역에 레이저 조사(20)를 수행한다. 이때, 상기 레이저 조사(20)는 펄스-자외선 레이저들의 하나를 사용하는 것이 바람직하다. 아울러, 상기 국부적인 영역의 레이저 조 사(20)는 상기 레이저 조사(20)가 이루어지는 영역에 빔 스팟 모양을 구현할 수 있는 마스크를 사용한 근거리 필드 이미징(near field imaging)를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 레이저 조사(20)는 그 빔 프로파일이 가우스 분포의 TEM00과 같이 충분한 균일도를 갖는 원거리 필드 이미징(far field imaging)에 의해 이루어질 수도 있다. 그리고, 상기 투명 기판(90)은 조사가 이루어지는 레이저를 충분하게 투과시킬 수 있는 것이 바람직하다. 예를 들면, 퓨즈된 실리카(fused silica)는 193nm의 파장에서 약 90% 이상의 양호한 광학적 투과율을 유지할 수 있다. 이에 반해, 소다라임 글래스(sodalime glass)는 193nm의 파장에서 거의 0%에 가까운 광학적 투과율을 나타낸다. 이에, 193nm의 펄스된 ArF 엑시머 레이저를 사용한 레이저 조사(20)에서는 상기 투명 기판(90)으로서 퓨즈된 실리카를 사용하는 것이 적절하다. 그리고, 상기 잉크층(92)의 경우에는 포토리소그라피 노광에서 투사되는 자외선-광을 충분히 차단할 수 있다면 솔벤트 또는 물 등과 같은 용액 내에 착색제들이 혼합된 안료 또는 염료 등을 포함하는 어떤 종류도 그 사용이 가능하다. 또한, 상기 잉크층(92)은 유색-포토레지스트(colored-photoresist) 또는 폴리머 유제에 안료가 혼합된 혼합물 등을 포함할 수도 있다. 아울러, 상기 잉크층(92)은 수작업 또는 스핀 코팅에 의해 형성될 수 있다. 상기 레이저 조사(20)는 상기 투명 기판(90)을 통하여 투과되고, 상기 계면(94)에 흡수된다. 상기 펄스-자외선 레이저를 사용한 상기 계면에서의 조사는 자외선-광에 대한 상기 투명 기판(90)과 상기 잉크층(92)의 투과(또는 흡수)를 이용한다. 특히, 상기 레이저 조사(20)에서는 에너지 밀도를 상기 투명 기판(90)이 갖는 최대 흡수(absorption threshold) 이하로 조절하면 어떠한 손상도 없이 상기 투명 기판(90)으로 자외선-광을 용이하게 투과시킬 수 있다. 이에 반해, 상기 조절된 에너지 밀도는 충분히 높기 때문에 상기 계면(94)에서 잉크층(92)이 분해(decomposition)되는 것을 야기할 수 있고, 그 결과 상기 투명 기판(90)으로부터 상기 잉크층(92)의 분리가 일어난다. 여기서, 상기 투명 기판(90)으로부터 상기 잉크층(92)의 분리는 0.01 내지 10J/cm2의 레이저 에너지 밀도를 갖는 펄스-자외선 레이저를 사용한 레이저 조사(20)에 의해 달성될 수 있다.
이에, 도 9에서와 같이, 상기 투명 기판(90)으로부터 분리된 잉크층(96)이 상기 보이드 결점(18) 상부로 이동하고, 포토리소그라피 노광에서 투사가 이루어지는 자외선-광을 충분하게 차단시킬 수 있다.
본 발명에 의하면 얼룩들 및 보이드들 등과 같은 폴리머 마스크에서 발생하는 결점들을 레이저를 사용하여 용이하게 수행할 수 있다. 그러므로, 언급한 결점들의 수리를 보다 정확하고, 신속하게 수리를 수행할 수 있어 최근의 폴리머 마스크의 수리에 본 발명의 방법들을 보다 적극적으로 활용할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경 시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (66)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 제1 표면 및 제2 표면을 갖고, 상기 제1 표면 상에는 불투명 패턴층이 형성된 투명 폴리머 기판을 공급하는 단계;
    상기 폴리머 기판의 제1 표면에서 얼룩 결점을 찾아내는 단계; 및
    상기 폴리머 기판의 투명도 유지가 실질적으로 가능한 유효 제거(effective ablation)를 유도하기에 충분한 106 내지 1015W/㎠의 방사조도(irradiance)를 갖는 펄스-레이저(pulsed laser)를 사용한 레이저 조사에 의해 상기 얼룩 결점을 제거하는 단계를 포함하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  4. 삭제
  5. 제3 항에 있어서, 상기 펄스-레이저(pulsed laser)는 150 내지 400nm의 파장을 갖는 펄스-자외선 레이저(pulsed UV laser)를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  6. 제3 항에 있어서, 상기 레이저 조사에 의해 0.1 내지 50μm의 깊이를 갖는 크레이터(crater)의 생성이 가능한 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  7. 제6 항에 있어서, 상기 크레이터는 오목한 모양을 갖는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  8. 제6 항에 있어서, 상기 크레이터는 상기 폴리머 기판과 매칭되는 굴절율을 갖는 폴리머 유제(emulsion)가 코팅되어 덮여져 있는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  9. 제3 항에 있어서, 상기 레이저 조사는 상기 얼룩 결점에 조사가 가능한 빔 스팟(beam spot) 모양을 구현할 수 있는 마스크로 만드는 근거리 필드 이미징(near field imaging)을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  10. 제3 항에 있어서, 상기 레이저 조사는 그 빔 프로파일이 가우스 분포의 TEM00 모드를 갖는 원거리 필드 이미징(far field imaging)을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  11. 제1 표면 및 제2 표면을 갖고, 상기 제1 표면 상에는 불투명 패턴층이 형성된 투명 폴리머 기판을 공급하는 단계;
    상기 패턴층에서 보이드 결점을 찾아내는 단계;
    상기 보이드 결점이 있는 부분으로 레이저를 조사하여 미세-홀(blind hole) 을 형성하는 단계; 및
    상기 미세-홀에 불투명 충전용 잉크(filler-ink)를 매립시키는 단계를 포함하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  12. 제11 항에 있어서, 상기 미세-홀 내에만 충전용 잉크가 매립되게 상기 미세-홀 주변에 잔류하는 충전용 잉크를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  13. 제11 항에 있어서, 상기 레이저 조사는 106 내지 1015W/cm2의 방사조도를 갖는 펄스-레이저를 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  14. 제11 항에 있어서, 상기 레이저 조사는 150 내지 400nm의 파장을 갖는 펄스-자외선 레이저를 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  15. 제11 항에 있어서, 상기 미세-홀은 0.1 내지 50μm의 깊이를 갖는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  16. 제11 항에 있어서, 상기 레이저 조사는 상기 보이드 결점에 조사가 가능한 빔 스팟 모양을 구현할 수 있는 마스크를 통해 형성되는 근거리 필드 이미징을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  17. 제11 항에 있어서, 상기 레이저 조사는 그 빔 프로파일이 가우스 분포의 TEM00 모드를 갖는 원거리 필드 이미징을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  18. 제11 항에 있어서, 상기 충전용 잉크를 채우는 단계는 분사 노즐(injection nozzle)을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  19. 제18 항에 있어서, 상기 분사 노즐은 상기 미세-홀에 충전용 잉크를 미세 방울들(droplets)로 뿜어낼 수 있는 잉크젯 노즐 카트리지인 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  20. 제18 항에 있어서, 상기 분사 노즐은 상기 미세-홀 상에 인접하는 니들 튜브를 통하여 충전용 잉크를 소량(dots)으로 뿜어낼 수 있는 니들-타입의 도트 마 커(dot marker)인 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  21. 제1 표면 및 제2 표면을 갖고, 상기 제1 표면 상에는 불투명 패턴층이 형성된 투명 폴리머 기판을 공급하는 단계;
    상기 패턴층에서 보이드 결점을 찾아내는 단계;
    상기 보이드 결점이 있는 부분으로 제1 레이저를 조사하여 상기 폴리머 기판의 제1 표면을 노출시키는 단계; 및
    상기 노출된 제1 표면으로 제2 레이저를 조사하여 입사광(incident light)의 트랩이 가능한 회절성 구조물(diffractive structure)을 생성하는 단계를 포함하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  22. 제21 항에 있어서, 상기 제1 레이저 조사는 106 내지 1015W/cm2의 방사조도를 갖는 펄스-레이저를 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  23. 제21 항에 있어서, 상기 제1 레이저 조사 및 상기 제2 레이저 조사는 150 내지 400nm의 파장을 갖는 펄스-자외선 레이저를 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  24. 제21 항에 있어서, 상기 제1 레이저 조사는 0.1 내지 100J/cm2의 레이저 에너지 밀도를 갖는 193nm의 ArF 엑시머 레이저를 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  25. 제21 항에 있어서, 상기 제2 레이저 조사는 0.01 내지 0.5J/cm2의 레이저 에너지 밀도를 갖는 193nm의 ArF 엑시머 레이저를 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  26. 제21 항에 있어서, 상기 제1 레이저 조사 및 상기 제2 레이저 조사는 상기 보이드 결점에 조사가 가능한 빔 스팟 모양을 구현할 수 있는 마스크를 통해 형성되는 근거리 필드 이미징을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  27. 제21 항에 있어서, 상기 제1 레이저 조사 및 상기 제2 레이저 조사는 그 빔 프로파일이 가우스 분포의 TEM00 모드를 갖는 원거리 필드 이미징을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  28. 제21 항에 있어서, 상기 회절성 구조물은 다수개의 미세한 크기의 콘 들(micro-scaled cones)을 갖는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  29. 제1 표면 및 제2 표면을 갖고, 상기 제1 표면 상에는 불투명 패턴층이 형성된 투명 폴리머 기판을 공급하는 단계;
    상기 패턴층에서 보이드 결점을 찾아내는 단계;
    상기 보이드 결점 상부에 적어도 한 종류의 광-민감성 입자들(photo-sensitive particles)을 포함하는 투명 광-민감성 코팅물(photo-sensitive coating)을 바르는 단계; 및
    상기 보이드 결점 상부에 발라진 광-민감성 코팅물로 레이저를 조사하여 상기 광-민감성 코팅물의 색을 광화학적으로 변화시키는 단계를 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  30. 제29 항에 있어서, 상기 광-민감성 코팅물은 폴리머 유제에 티타늄 이산화물 입자들(titanium dioxide particles)이 혼합된 혼합물인 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  31. 제30 항에 있어서, 상기 티타늄 이산화물 입자들의 평균 크기는 1 내지 1,000nm인 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  32. 제29 항에 있어서, 상기 레이저 조사는 106 내지 1015W/cm2의 방사조도를 갖는 펄스-레이저를 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  33. 제29 항에 있어서, 상기 레이저 조사는 150 내지 400nm의 파장을 갖는 펄스-자외선 레이저를 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  34. 제29 항에 있어서, 상기 레이저 조사는 상기 광-민감성 코팅물에 조사가 가능한 빔 스팟 모양을 구현할 수 있는 마스크를 통해 형성되는 근거리 필드 이미징을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  35. 제29 항에 있어서, 상기 레이저 조사는 그 빔 프로파일이 가우스 분포의 TEM00 모드를 갖는 원거리 필드 이미징을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  36. 제1 표면 및 제2 표면을 갖고, 상기 제1 표면 상에는 불투명 패턴층이 형성 된 투명 폴리머 기판을 공급하는 단계;
    상기 패턴층에서 보이드 결점을 찾아내는 단계;
    상기 보이드 결점 상부에 적어도 한 종류의 광-반응성 입자들(photo-reactive particles)을 포함하는 투명 광-반응성 코팅물(photo-reactive coating)을 바르는 단계; 및
    상기 보이드 결점 상부에 발라진 광-반응성 코팅물로 레이저를 조사함에 따라 상기 광-반응성 코팅물이 상기 레이저에 반응하여 탄화 더미(carbonization debris)를 생성하는 단계를 포함하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  37. 제36 항에 있어서, 상기 광-반응성 코팅물은 폴리머 유제에 폴리이미드 입자들(polyimide particles)이 혼합된 혼합물인 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  38. 제36 항에 있어서, 상기 레이저 조사는 106 내지 1015W/cm2의 방사조도를 갖는 레이저를 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  39. 제36 항에 있어서, 상기 레이저 조사는 150 내지 400nm의 파장을 갖는 펄스- 자외선 레이저를 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  40. 제36 항에 있어서, 상기 레이저 조사는 상기 광-반응성 코팅물에 조사가 가능한 빔 스팟 모양을 구현할 수 있는 마스크를 통해 형성되는 근거리 필드 이미징을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  41. 제36 항에 있어서, 상기 레이저 조사는 그 빔 프로파일이 가우스 분포의 TEM00 모드를 갖는 원거리 필드 이미징을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  42. 제1 표면 및 제2 표면을 갖고, 상기 제1 표면 상에는 불투명 패턴층이 형성된 투명 폴리머 기판을 공급하는 단계;
    상기 패턴층에서 보이드 결점을 찾아내는 단계;
    상기 보이드 결점 상부에 자외선-광(UV light)이 투과되는 것을 저지할 수 있는 불투명 잉크를 바르는 단계; 및
    상기 불투명 잉크로 레이저를 조사하여 상기 불투명 잉크가 패턴층이 형성된 영역의 바깥쪽으로 오버플로우되는 것을 정리하는 단계를 포함하는 포토리소그라피 용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  43. 제42 항에 있어서, 상기 불투명 잉크를 바르는 것은 분사 노즐을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  44. 제43 항에 있어서, 상기 분사 노즐은 상기 보이드 결점에 불투명 잉크를 미세 방울들로 뿜어낼 수 있는 잉크젯 노즐 카트리지인 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  45. 제43 항에 있어서, 상기 분사 노즐은 상기 보이드 결점 상에 인접하는 니들 튜브를 통하여 불투명 잉크를 소량으로 뿜어낼 수 있는 니들-타입의 도트 마커인 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  46. 제42 항에 있어서, 상기 불투명 잉크는 폴리머 유제에 적어도 하나의 착색제(colorant)가 혼합된 혼합물인 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  47. 제42 항에 있어서, 상기 불투명 잉크는 상기 레이저를 조사하기 이전에 자외선 램프 및 펄스-자외선 레이저를 포함하는 자외선-광에 노출됨에 의해 큐어링이 가능한 자외선-큐어링 잉크(UV-curing ink)인 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  48. 제42 항에 있어서, 상기 레이저 조사는 106 내지 1015W/cm2의 방사조도를 갖는 펄스 레이저를 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  49. 제42 항에 있어서, 상기 레이저 조사는 150 내지 400nm의 파장을 갖는 펄스-자외선 레이저를 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  50. 제42 항에 있어서, 상기 레이저 조사는 상기 오버플로우되는 불투명 잉크에 조사가 가능한 빔 스팟 모양을 구현할 수 있는 마스크를 통해 형성되는 근거리 필드 이미징을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  51. 제42 항에 있어서, 상기 레이저 조사는 그 빔 프로파일이 가우스 분포의 TEM00 모드를 갖는 원거리 필드 이미징을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  52. 제1 표면 및 제2 표면을 갖고, 상기 제1 표면 상에는 불투명 패턴층이 형성된 투명 폴리머 기판을 공급하는 단계;
    상기 패턴층에서 보이드 결점을 찾아내는 단계;
    상기 보이드 결점 상부에 자외선-큐어링 잉크를 바르는 단계;
    상기 보이드 결점 상부의 자외선-큐어링 잉크로 국부적으로 자외선 레이저를 조사하여 상기 국부적인 영역에서의 자외선-큐어링 잉크를 불용해성(insoluble)으로 만드는 단계;
    상기 레이저에 조사되지 않은 영역의 자외선-큐어링 잉크를 제거하는 단계를 포함하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  53. 제52 항에 있어서, 상기 자외선-큐어링 잉크를 바르는 것은 분사 노즐을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  54. 제53 항에 있어서, 상기 분사 노즐은 상기 보이드 결점에 자외선-큐어링 잉크를 미세 방울들로 뿜어낼 수 있는 잉크젯 노즐 카트리지인 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  55. 제53 항에 있어서, 상기 분사 노즐은 상기 보이드 결점 상에 인접하는 니들 튜브를 통하여 자외선-큐어링 잉크를 소량으로 뿜어낼 수 있는 니들-타입의 도트 마커인 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  56. 제52 항에 있어서, 상기 자외선 레이저 조사는 150 내지 400nm의 파장을 갖는 펄스-자외선 레이저를 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  57. 제52 항에 있어서, 상기 자외선 레이저 조사는 상기 자외선-큐어링 잉크에 조사가 가능한 빔 스팟 모양을 구현할 수 있는 마스크를 통해 형성되는 근거리 필드 이미징을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  58. 제52 항에 있어서, 상기 자외선 레이저 조사는 그 빔 프로파일이 가우스 분포의 TEM00 모드를 갖는 원거리 필드 이미징을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  59. 제52 항에 있어서, 상기 자외선 레이저 조사는 0.001 내지 0.05J/cm2의 레이저 에너지 밀도를 갖는 펄스-자외선 레이저를 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하 는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  60. 제1 표면 및 제2 표면을 갖고, 상기 제1 표면 상에는 불투명 패턴층이 형성된 투명 폴리머 기판을 공급하는 단계;
    제1 표면 및 제2 표면을 갖고, 상기 제2 표면 상에는 상기 제2 표면에서 계면(interface) 형성이 가능한 잉크층이 코팅된 투명 오버레이를 공급하는 단계;
    상기 패턴층에서 보이드 결점을 찾아내는 단계;
    상기 폴리머 기판의 패턴층 상에 상기 투명 오버레이를 겹치게 하여 상기 잉크층과 상기 보이드 결점을 접촉시키는 단계;
    상기 투명 오버레이의 제1 표면으로 국부적으로 상기 투명 오버레이를 실질적으로 투과할 수 있고, 상기 계면에 실질적으로 흡수될 수 있는 레이저를 조사하여 상기 투명 오버레이의 제2 표면으로부터 상기 잉크층을 분리시키는 단계; 및
    상기 투명 오버레이로부터 상기 보이드 결점으로 상기 잉크층을 전사시키는 단계를 포함하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  61. 제60 항에 있어서, 상기 잉크층은 폴리머 유제에 적어도 하나의 착색제가 혼합된 혼합물인 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  62. 제60 항에 있어서, 상기 잉크층은 유색-포토레지스트(colored photoresist) 인 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  63. 제60 항에 있어서, 상기 레이저 조사는 150 내지 400nm의 파장을 갖는 펄스-자외선 레이저를 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  64. 제60 항에 있어서, 상기 레이저 조사는 상기 계면에 조사가 가능한 빔 스팟 모양을 구현할 수 있는 마스크를 통해 형성되는 근거리 필드 이미징을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  65. 제60 항에 있어서, 상기 레이저 조사는 그 빔 프로파일이 가우스 분포의 TEM00 모드를 갖는 원거리 필드 이미징을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
  66. 제60 항에 있어서, 상기 레이저 조사는 0.01 내지 10J/cm2의 레이저 에너지 밀도를 갖는 펄스-자외선 레이저를 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 포토리소그라피용 패턴 폴리머 마스크의 결점 수리 방법.
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006043874B4 (de) * 2006-09-15 2020-07-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Reparatur von Photolithographiemasken
JP5477003B2 (ja) * 2010-01-14 2014-04-23 大日本印刷株式会社 ガラス基板の欠陥部修正方法
KR101083320B1 (ko) * 2011-03-11 2011-11-14 한국기계연구원 경화 시스템 및 그 방법
FR3013241B1 (fr) * 2013-11-19 2015-12-04 Schneider Electric Ind Sas Procede de traitement de la surface d'une paroi dans un appareil de protection electrique et appareil comportant au moins une paroi traitee selon ce procede
US9427048B2 (en) * 2014-06-09 2016-08-30 Nike, Inc. Polymeric component with injected, embedded ink and apparatus and method for manufacturing same
US9763322B2 (en) 2016-01-19 2017-09-12 Industrial Technology Research Institute Flexible substrate repair structure, manufacturing method thereof, and inspection and repair method of flexible substrate
CN112987154B (zh) * 2019-12-12 2022-11-29 北京梦之墨科技有限公司 一种光栅板的制作工艺及双面光栅板
CN112987155A (zh) * 2019-12-12 2021-06-18 北京梦之墨科技有限公司 一种大幅面光栅板及其制备工艺
WO2021127368A1 (en) * 2019-12-20 2021-06-24 Coral Labs, Inc. Apparatus and methods for manicures
CN111199876A (zh) * 2019-12-30 2020-05-26 上海集成电路研发中心有限公司 光刻缺陷修复方法以及半导体器件的制作方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990085563A (ko) * 1998-05-19 1999-12-06 와그너 알프레드 마스크 결함 수정 방법

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100190423B1 (ko) * 1989-06-06 1999-06-01 기타지마 요시도시 에멀젼마스크 등의결함 수정방법 및 장치
JP2877841B2 (ja) * 1989-06-12 1999-04-05 大日本印刷株式会社 エマルジョンマスク等の欠陥修正装置
NL9000502A (nl) * 1990-03-05 1991-10-01 Philips Nv Werkwijze voor het herstellen van een defect in een lithografisch masker.
US6165649A (en) * 1997-01-21 2000-12-26 International Business Machines Corporation Methods for repair of photomasks
DE69840719D1 (de) * 1998-05-18 2009-05-20 Ibm Methode zum Reparieren von Photomasken
JP3878451B2 (ja) * 2001-10-22 2007-02-07 富士フイルムホールディングス株式会社 感光性樹脂転写材料、画像形成方法、カラーフィルターとその製造方法、フォトマスクとその製造方法
US7504182B2 (en) * 2002-09-18 2009-03-17 Fei Company Photolithography mask repair
EP1556737B1 (en) * 2002-10-21 2008-12-31 Nanoink, Inc. Methods for fabrication of nanometer-scale engineered structures for mask repair application
WO2005008333A2 (en) * 2003-07-18 2005-01-27 Uclt Ltd. Method for correcting critical dimension variations in photomasks

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990085563A (ko) * 1998-05-19 1999-12-06 와그너 알프레드 마스크 결함 수정 방법

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