JPH0313946A - エマルジョンマスク等の欠陥修正装置 - Google Patents

エマルジョンマスク等の欠陥修正装置

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JPH0313946A
JPH0313946A JP1149253A JP14925389A JPH0313946A JP H0313946 A JPH0313946 A JP H0313946A JP 1149253 A JP1149253 A JP 1149253A JP 14925389 A JP14925389 A JP 14925389A JP H0313946 A JPH0313946 A JP H0313946A
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aperture
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mask
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弘之 橋本
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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、エマルジョンマスク等の欠陥部の修正装置に
係わり、詳しくは、半導体素子製造を始めとするフォト
エツチング製品及びフォトエレクトロフォーミング製品
の製造過程のりソゲラフイエ程に用いるフォトマスクの
一種であるエマルジョンマスク、あるいはLCD、CC
D用カラーフィルターの有機被膜パターン(以下エマル
ジョンマスク等という)の欠陥部を除去する装置に関す
るものである。
(従来の技術) 近年tC及びLSIの高集積化に伴うパターンの微細化
が進み、半導体素子用のパターンはますます高精度化、
高品質化する傾向にあるが、半導体素子以外にも、例え
ばカラーテレビ用シャドウマスク、プリント配線板、各
種表示管用電極、光学測定機の標線等のフォトエツチン
グ製品と撮影管用メツシュ、電子顕微鏡メツシュ、篩い
分は用メツシュ等のフォトエレクトロフォーミング製品
もまた高品質、高精度が要求される。
従来の機械的加工法では到達不可能であった微細な精密
加工がフォトファブリケーション技術により可能となっ
たが、この技術で使用されるフォトマスクは高い画像精
度が要求されるものである。
このように高い画像精度が要求されるフォトマスクにお
いては、マスク製造工程で発生する微小欠陥部の修正が
必要である。
現在、フォトマスクはその材料によってエマルジョンマ
スクとハードマスクの2種類に分けられ、エマルジョン
マスクはガラス板の表面に高解像力写真乳剤が塗布され
ているものである。
通常エマルジョンマスクの感材としては、銀塩材料と非
銀塩材料があり、その膜厚は通常2〜6μ程度である。
一方、ハードマスクはガラス板の表面に蒸着、またはス
パッタリングの方法により遮光性金属薄膜、例えばクロ
ム、酸化鉄、タンタル等を厚み0.1μ程度に成膜させ
てなるものである。
次に、フォトマスク製造において発生する欠陥には、ピ
ンホール、黒点傷等があり、ピンホール及び黒点傷に関
する修正方法には、フォトマスクの種類により異なるが
、黒点欠陥について具体例をあげて説明すると、ハード
マスクの場合は、欠陥部以外をフォトレジスト、又は金
属薄膜が腐食されない物質でマスキングした後、エツチ
ング液で除去する方法が一般的である。
1μ程度の微細な黒点欠陥部を除去したい場合は、ポジ
型レジスト、例えば東京応化製0FPRレジストを塗布
した後、欠陥部上のレジストに水銀ランプ光源を1μ程
度に集光させ露光し、現像処理によって露光部のレジス
トを除去した後、エツチング液で露光金属薄膜を除去す
る方法がある。
一方、エマルジョンマスクの場合、乳剤層が厚く金属の
ような適性腐食液が存在しないことから、ハードマスク
の修正方法と異なる。、例えば黒点傷の修正方法の1つ
として、カッターナイフのような鋭利な先端部分で削り
取る方法が実施されているが、精度の要求されないもの
、又は欠陥部が非欠陥部に接続、又は隣接しないものに
限られ、半導体製造用、又は微細加工用に使用されるフ
ォトマスクの場合の修正は不可能となる。
この欠点を解消するため、本出願人は紫外光レーザは用
いたエマルジョンマスク等の修正方法として、特願平1
−13446号の出願をしている。
(発明が解決しようとする課題) 上記の修正方法にあっては、紫外光レーザとしてエキシ
マレーザ源を使用し、エマルジョンマスクの欠陥を除去
するものであるが、除去した際に、その周辺部への盛り
上がりが生じる等の不都合はないものの、紫外光レーザ
の照射スピード等の条件によっては、レーザにより昇華
したエマルジョン層のガスが除去部周辺に付着して汚れ
を生じ、あるいは紫外光レーザを使用するためのレーザ
光の集光に使用する結像レンズと、除去部の形状の観察
に使用する観察レンズとを共用することが困難であり、
また矩形パターンの修正は容易なものの、曲線状パター
ンの修正は欠陥部にアパーチャー像形状を合わせること
が困難である等の不都合があった。
本発明は、以上の点に鑑みてなされたもので、その目的
とするところは、エマルジョンマスク等のエマルジョン
層上の画像等の曲線状パターンの欠陥も容易に除去する
ことができ、その除去時に発生したエマルジョン層の除
去飛散物による汚れを回避し、レーザ用の結像レンズと
観察用の観察レンズの共用化を解決したエマルジョンマ
スク等の欠陥修正装置を提供するにある。
(課題を解決するための手段) 上記の目的を達成するために、本発明にあっては、エマ
ルジョンマスク等の修正対象物の欠陥部に、紫外光レー
ザを照射すると同時に、レーザ照射部に対し、エアーを
送風するか、あるいはエアーを送風しつつその近傍でエ
アーを吸収することにより、エマルジョン層からの除去
飛散物の除去部周辺への付着を防止し、また直線状ブレ
ードを有する可変アパーチャー以外に、大小異なる曲率
の突起、あるいは切欠きを有する少なくとも2枚のブレ
ードからなる可変アパーチャーを使用することにより、
直線状はもちろん曲線状パターンの欠陥をも容易に除去
するように構成し、またレーザ用結像レンズに対し、修
正対象物のエマルジョンマスク等を挟んで対称の位置に
観察用レンズを同一光軸上に設け、エマルジョンマスク
等の裏面より欠陥除去部を観察するような構成となって
いる。
(実施例) 以下、本発明の装置の実施例を図面について説明する。
第1図は、本発明に係る装置の構成を示したものである
レーザ発振器(1)から取り出した紫外光レーザビーム
(2)はビームエキスパンダー(3)で拡大され、選択
反射ミラー(4)゛で紫外光のみが反射され、アパーチ
ャー(5)で欠陥部の形状に応じたビーム像に整形され
た後、結像レンズ(6)で縮小投影され、エマルジョン
マスク(7)の銀乳剤層面の黒点欠陥部に相当する領域
に照射される。
また参照光ランプ(8)からの白色光は、色フイルタ−
(9)で有色化され、アパーチャー(5)を照射し、ア
パーチャー(5)の開口形状が結像レンズ(6)により
エマルジョンマスク(7)上に有色像として投影される
なお、参照光ランプ(8)の前にコンデンサレンズ(図
示されていない)を設けて照明の均一化を行ってもよい
エマルジョンマスク(7)上に投影されたアパーチャー
(5)の開口形状の有色像は、レーザビーム像を結像す
る結像レンズ(6)とエマルジョンマスク(7)に対し
て対称の位置に配置した観察レンズ(10)を介してテ
レビカメラ(11)により観察するようになっている。
また、結像レンズ(6)によってレーザ光が照射される
エマルジョンマスク(7)の照射部の近傍には、その一
方よりエアーノズル(12)が、また場合によっては、
エアーノズル(12)とレーザ光の照射部に対する対称
の位置に吸引ノズル(13)が配置され、エマルジョン
マスク(7)上のレーザ光の照射部へエアーノズル(1
2)からエアーを送風し、場合によっては、このエアー
を吸引ノズル(13)によって吸引するようになってい
る。
結像ノズル(6)として、可視光から使用するレーザの
紫外光まで収差なく解像するレンズを使用することは、
レンズの光学的設計上非常にむづかしく、又高価なもの
となるため、レーザ紫外光での解像が良好となるよう設
計されたものを使用している。
また、アパーチャー(5)の開口形状による像を、結像
レンズ(6)により参照光ランプ(8)からの光でエマ
ルジョンマスク(7)上に結像させるが、結像レンズ(
6)を紫外域向きのレンズを使用していることから、有
色光フィルター(9)は、ブルーフイルターとして参照
光ランプ(8)の紫外光側の光を参照光として使用する
ようにしている。
観察レンズ(10)は、結像レンズ(6)と光軸を合わ
せて、エマルジョンマスク(7)のガラス基板(14)
の裏面よりエマルジョン! (15)のレーザ照射部を
観察するように配置されており、独自の落射照明系(1
6)、(17)を有している。
観察レンズ(10)には、結像レンズ(6)に対して、
可視光域での解像が良好なレンズを使用し、レーザ照射
部のエマルジョンマスク(7)の状態及び参照光ランプ
(8)により照明されたアパーチャー像を、落射照明系
(16)、(17)及び参照光ランプ(8)を調整して
、テレビカメラ(11)により観察する。
エアーノズル(12)は、エマルジョンマスク(7)上
の結像レンズ(6)の光軸付近にエアーを吹き付けるよ
うに配置され、常時あるいはレーザ光照射期間中、レー
ザ照射により飛散したエマルジョン層(15)からの除
去飛散物を除去するようエアー等を吹き出している。
レーザ光を照射する範囲が、数10μm〜数100μm
と微小な範囲であることから、吹き出すエアーは微量で
よく、高圧でなくても十分使用することができる。
また、エアーノズル(12)の代りに、第2図(イ)に
示すように吸引ノズル(13)を設けてもよく、さらに
除去飛散物のエマルジョン層(15)面に対する付着防
止の効果を高めるために(o)に示すようにエアーノズ
ル(12)とレーザ照射部に対する反対側の位置に吸引
ノズル(13)を設けることによって、−レーザ光によ
る除去飛散物を吹き飛ばすと同時に吸引する構成にして
もよい。
結像レンズ(6)は、アパーチャー(5)により整形さ
れたビーム像を縮小投影するものである。欠陥部は、1
mm単位の寸法から数lOμm、数μm程度の微小な寸
法であり、アパーチャー(5)を拡大寸法で製作し、こ
れで整形されたビーム像を縮小投影する形式が装置上有
利である。また結像レンズ(6)は、アパーチャー(5
)に照射されるレーザビームのエネルギー密度をアパー
チャー(5)に損傷をあたえない程度に弱くし、欠陥部
除去に必要なエネルギー密度まで結像レンズ(6)によ
る縮小投影で上げるという目的も有している。
通常、レーザ発振器(1)から出力されるレーザビーム
(2)は、その強度がビーム内において、ビーム(2)
の中央部で強度が大で、周辺になるにしたがって小さく
なっている。
この状態のままでは、レード照射による加工速度が中央
と外周で異なり、均一な加工が困難となる。このため、
ビーム(2)の中央の強度が均一な部分が選択的に使え
るようビームエキスパンダー(3)による光学系でビー
ムを拡大している。また拡大アパーチャーを使用するこ
とから、比較的大きな面積にビームを照射することから
もビームエキスパンダー(3)は使われる。
なお、レーザ発振器(1)から得られるビーム(2)が
比較的大きく、強度分布も極端に悪くなければ、ビーム
エキスパンダー(3)をもちいなくとも十分な結果が得
られる。
レーザ発振器(1)は、紫外光を発振するレーザとして
エキシマレーザをもちいる。エキシマレーザは、使用す
るハロゲンガスのf1類により、数種の紫外光発振が可
能である。
代表的な発振波長は、30Bnm (Xecl)、24
8nm(にrf)、198nm (ArF)の3種であ
り、ガス交換により発振波長の変更ができる。欠陥部除
去に使用するレニザ波長は、これら3種いずれも使用可
能であるが、レンズ等光学系の透過率が、200nm程
度から悪くなるため、248nmが最適である。
欠陥部除去に必要なレーザエネルギーは、照射位置で、
エネルギー密度5〜50J/cd程度が最適であり、レ
ーザ発振器(1)のパルスエネルギーは100〜400
m J /パルス程度となる。
第3図はアパーチャー(5)と結像レンズ(6)とエマ
ルジョンマスク(7)との関係を示すもので、アパーチ
ャー(5)を構成するブレード(5a)、 (5b)、
 (5C)、 (5d)は基本をなすものである。
各ブレードは出し入れ及び回転が可能であって、ブレー
ドの位置を制御することにより、欠陥部の形状に対応し
たレーザビームのけいしようが作られるようになってい
る。
また、ブレード(5a)〜(5d)の回転は、第4図の
矢印(イ)に示すように、全体を回転させる以外に、矢
印(ロ)に示すように、各ブレードが単独で回転するこ
とにより各種の形状の開口が得られる。すなわち、矩形
以外の台形、三角形等の形状も作成可能でなり、光軸に
対して任意の方向に回転できる。
エマルジョンマスク(7)上のパターンが直線成分のみ
で構成されている矩形形状の組合せのような場合は、こ
のような直線状のアパーチャー(5a)〜(5d)のみ
で十分に対応することができるが、円形等の曲線成分を
含むような場合は、例えば第6図に示すような欠陥部(
W)が円形パターンから外部に突出しているような場合
、直線状ブレードのみのアパーチャーでは、1回のレー
ザ光照射で欠陥部(W)のすべてを除去することが困難
である。
このような場合、円弧状部を有する欠陥部(W)を除去
するには、第3図に示すような矩形状の開口を形成する
アパーチャーの直線状ブレード(5a)〜(5d)にお
いて、この直線状部の端側に、第5図(イ)に示すよう
な曲率の異なる半円切欠きと半円突起とを有するブレー
ド(5a’)、(5b’)  を使用し、これらをスラ
イドさせて重ねることにより、三日月形状の開口(W゛
)を形成する。
このブレード(5a’)、(5b’)をスライドして開
閉間隔を調整することにより、任意の三日月形状の開口
を得ることができる。
また、曲率の異なる各種サイズの半円形切欠きと、半円
形突起を有するブレード(5a’)、(5b’)を直線
状のブレード(5a) 〜(5d)とは別体にして準備
し、これを交換して使用するようにしてもよく、これら
のブレード(5a’)、(5b’)を回転して任意の向
きの欠陥部に対応できるようにしてもよい。
第7図(イ)に示すものは、直線状ブレード(5a)、
(5b)に対し、これと直角方向に、曲率の異なる半円
形切欠きと半円突起を有するブレード(5a’)、(5
b’)を組合せたものであり、また(口)に示すものは
、直線状ブレード(5a)、(5b)に対し、これと直
角方向に、半円形突起のブレード(5b’)、直線状ブ
レード(5d)を組合せたもので、これらによって形成
される開口は、2つの曲線と2つの直線とで囲まれたも
のであり、また1つの曲線と3つの直線とで囲まれても
のである。
第8図(イ)に示すものは、曲率の異なる複数の半円形
突起と直線部とを有する1枚のブレード(5e)であり
、(ロ)に示すものは、曲率の異なる複数の半円形切欠
きと直線部とを有するブレード(5f)であって、これ
らのものは、(ハ)に示すように互いに離れた点(20
)、(21)を中心に対抗して回転できるように設けら
れ、これに直角方向から直線状ブレード(5C)、(5
d)が加わることにより、これらのブレード(5e)、
(5f)、(5c)、(5d)の互いのスライド、回転
によるかかわり合いで種々の形状の欠陥部に対応できる
開口が形成されるようになっている。
上記した各種のブレードは、金属板を機械加工、放電加
工、あるいはエツチング加工等によって形成されるが、
石英ガラス上に金属薄膜を蒸着、あるし)はスパッタリ
ング等によって形成してもよく、また金属箔を接着して
形成してもよい。
以上説明したような構成からなる装置を使用して実際の
エマルジョンマスク等の欠陥部の除去作業をその手順に
したがって説明する。
先ず、観察レンズ(10)によりエマルジョンマスク(
7)のガラス基板(14)を透して透明なエマルジョン
層(15)を観察し、エマルジョン層(15)上の欠陥
部が視野中央に位置するようにエマルジョンマスク(7
)を位置決定する。
次に、参照光ランプ(8)からの有色フィルター(9)
を透した有色光によって投影されているアパーチャー(
5)の開孔形状を、アパーチャー(5)のブレード(5
a)〜(5b)の出し入れ及び角度を調整することによ
って、欠陥部の形状に合わせる。
この状態でレーザ光発振器(1)よりレーザビーム(2
)を出力させると、レーザビームを(2)はビームエキ
スパンダー(3)で拡大され、選択反射ミラー(4)を
経てアパチャー(5)に照射され、アパーチャー(5)
のブレード(5a)〜(5b)による開孔形状に応じた
レーザビームが結像レンズ(6)で縮小され、エマルジ
ョンマスク(7)上の欠陥部に照射され、欠陥部が飛散
除去される。
例えば、第9図に示すようなエマルジョンマスク(7)
のエマルジョン層(15)上の画像部(18)につなが
って存在する黒点欠陥部(19)は、第10図に示すよ
うに除去される。
また、紫外光レーザの使用により、可視光では透明に見
える突起状の欠陥部(膜厚が局部的に高い)の除去も可
能である。
レーザビームによって飛散された欠陥部は、第1図に示
すようなエアーノズル(12)で吹き飛ばされるか、第
2図(イ)に示すような吸弓ノズル(13)で吸引され
るか、さらには(ロ)に示すようにエアーノズル(12
)で吹き、吸引ノズル(13)で吸引されるかして除去
される。
第11図に示すものは、本発明の装置の他の実施例であ
る。
第1図においては、アパーチャー像は参照光ランプ(8
)からの光を結像レンズ(6)でエマルジョンマスク(
7)上に投影し、これを観察レンズ(10)で観察する
ように構成しているが、第11図に示すものにおいては
、観察レンズ(10)の光軸上にあるテレビカメラ(1
1)での観察画像をモニタするモニタテレビ(22)上
にアパーチャーブレード(5a)〜(5d)の開口度に
同期したアパーチャー像を、観察レンズ(10)からの
画像に重ね合わせて表示するようになっている。
すなわち、ブレード(5a)〜(5d)の各々の位置を
検知する位置検地器(23a)〜(23d)と、この位
置検知器(23a)〜(23d)からのブレードの位置
検知信号に対応してヘアライン画像を発生するヘアライ
ン画像発生器(24)とヘアライン画像の映像信号と、
テレビカメラ(11)からの映像信号を合成するスーパ
ーインポーザ(25)とからなっている。
ブレード(5a)〜(5d)を調整した場合、位置検出
器(23a)〜(23d)は各々のブレードの位置を読
み取り、この読み取ったブレードの開口側エツジに対応
する位置を、ヘアライン画像発生器(24)にヘアライ
ン画像として発生し、モニタテレビ(22)上にアパー
チャーの開孔状態をヘアライン画像(22a)として表
示するものである。
また、第1図及び第11図の実施例において、エマルジ
ョンマスク等の膜面を下向きに置き、下面よりレーザ光
を照射し、上面より観察する配置として、レーザ光照射
時にエマルジョン層からの除去飛散物が、重力により再
び膜面に付着するのを防止する形式であってもよい。
なお、エキシマレーザは、前記した発振波長以外に、3
51nm (XeF)、222nm (KrCL)、1
57nm(Fz)があり、これらもレーザ源として使用
が可能であり、20Onm付近以下の波長については、
ガラスレンズに変えて反射光学系を使用すれば実現が可
能である。
(発明の効果) 本発明の装置は、銀塩乳剤乾板を用いた銀塩系のエマル
ジョンマスクのみならず、例えばガラス板の表面にジア
ソ系感光液(ゼラチンなどのコロイド性物質にジアソ化
合物を混合した感光液)を塗布してなる非銀塩乳剤乾板
を用い、これに画像を焼付けて、有機高分子膜からなる
画像部を形成し、該画像部を染色してなる非銀塩素のエ
マルジョンマスクの修正にも適用でき、LCDあるいは
CCD用カラーフィルターの有機被膜パターンの修正に
も有用である。
上記のようなエマルジョンマスク等の欠陥部の修正にお
いて、本発明の装置にあっては、レーザビームを整形す
るアパーチャーとして、直線状のブレード、曲率の異な
る円弧状の突起、あるいは切欠きを有するブレードを用
い、これらを互いに組合わせてできる各種開口にてレー
ザビームを整形するようにするとともに、このような整
形を、参照光ランプよりの有色光を観察レンズにて観察
することによって行うようにしたから、欠陥部の種々の
形状にレーザビームの形状をよく対応させることができ
、これによって黒点欠陥、半透明状欠陥、あるいは透明
状突起欠陥部を精度よく除去することができ、欠陥部が
非欠陥部に連続、又は隣接しているような場合であって
も、非欠陥部を損なうことなく欠陥部を除去することが
できる。
このような欠陥部の除去の際、整形されたレーサヒーム
ヲ結像レンズをもってエマルジョンマスク等の欠陥部に
照射する近傍には、エアーノズル、吸引ノズルの除去飛
散物を排除する手段を設けであるから、エマルジョンマ
スク等の面を除去飛散物で汚すことはない。
さらに、エマルジョンマスク等の欠陥部の形状に対し、
レーザビームをアパーチャーで整形して対応させるのに
テレビカメラによりモニタテレビに表示するようにした
から、その作業が適確にして迅速に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のレーザビームにより欠陥部の修正を行
っている状態の模式図、 第2図(イ)、(ロ)はレーザビームのエマルジョンマ
スク面に対する照射部の模式図、第3図はアパーチャー
と結像レンズとエマルジョンマスクとの関係を示す拡大
斜視図、第4図はアパーチャーのブレードによって形成
される各種開口の形状を示す図面、 第5図(イ)は曲率の異なる円弧状の突起及び切欠きを
有するブレードの部分拡大平面図、(ロ)は上記2つの
ブレードの重なり状態を示す拡大平面図、 第6図はエマルジョン層における正常パターンと欠陥部
との拡大図、 第7図(イ)は直線状ブレードと、曲率の異なる円弧状
の突起と切欠きを有するブレードとの組合せ状態を示す
拡大平面図、(ロ)は直線状ブレードと円弧状突起を有
するブレードとの組合せ状態を示す拡大平面図、 第8図(イ)は曲率を異にする複数の突起と直線状部と
を有するブレードの拡大平面図、(ロ)は曲率の異なる
複数の切欠きを直線状部とを有するブレードの拡大平面
図、(ハ)上記の2つのブレードを絵合わせた状態の拡
大平面図、 第9図は黒点欠陥部を有するシャドウマスクの平面図、 第10図は黒点欠陥部を除去したシャドウマスクの平面
図、 第11図は本発明の装置の別の実施例の模式図である。 符号 l・・・・・レーザ発振器 2・・・・・レーザビーム 3・・・・・ビームエキスパンダ 4・・・・・選択反射ミラー 5・・・・・アパーチャー 6・・・・・結像レンズ 7・・・・・エマルジョンマスク 8・・・・・参照光ランプ 9・・・・・有色フィルタ lO・・・・・観察レンズ 11・・・・・テレビカメラ 12・・・・・エアーノズル 13・・・・・吸引ノズル 14・・・・・ガラス基板 15・・・・・エマルジョン層 22・・・・・モニタテレビ 23a〜23d  ・・位置検出器 24・・・・・ヘアライン画像発生器 25・・・・・スーパーインポーザ

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)紫外光を発生する紫外光発生部と、欠陥部の形状
    に合わせて紫外光を整形するアパーチャーと、アパーチ
    ャー像をエマルジョンマスク等の修正対象物の欠陥部に
    投影する結像レンズとからなることを特徴とするエマル
    ジョンマスク等の欠陥修正装置。
  2. (2)紫外光照射による修正対象物表面層の欠陥除去の
    飛散物を除去するため、結像レンズ近傍にエアーノズル
    、あるいは吸引ノズルを配置したことを特徴とする請求
    項(1)記載のエマルジョンマスク等の欠陥修正装置。
  3. (3)エアーノズルと吸引ノズルとを、エマルジョンマ
    スク等に対する紫外光の照射位置に対して対抗した位置
    に配置したことを特徴とする請求項(1)記載のエマル
    ジョンマスク等の欠陥修正装置。
  4. (4)エマルジョンマスク等の修正対象物の欠陥部を観
    察するための観察レンズと、観察レンズでとらえた欠陥
    部の像をテレビモニタに表示するためのテレビカメラと
    を、結像レンズの光軸に合わせて修正対象物の裏面に配
    置したことを特徴とする請求項(1)記載のエマルジョ
    ンマスク等の欠陥修正装置。
  5. (5)欠陥部の形状に紫外光を整形するアパーチャーが
    、曲線状パターンの欠陥形状に合わせるため、曲率の小
    さな円弧状の切り欠きと、曲率の大きな円弧状の突起と
    からなるブレードを有していることを特徴とする請求項
    (1)記載のエマルジョンマスク等の欠陥修正装置。
  6. (6)曲率の異なる円弧状の突起が1枚のブレードに複
    数個設けられ、曲率を切換えて使用できるアパーチャー
    であることを特徴とする請求項(5)記載のエマルジョ
    ンマスク等の欠陥修正装置。
  7. (7)曲率の異なる円弧状の切り欠きが1枚のブレード
    に複数個設けられ、曲率を切換えて使用できるアパーチ
    ャーであることを特徴とする請求項(5)記載のエマル
    ジョンマスク等の欠陥修正装置。
  8. (8)エマルジョンマスク等の修正対象物の欠陥部にア
    パーチャーの開口を合わせるためのアパーチャーの位置
    を検出する位置検出器と、この位置検出器からの信号に
    応じて、アパーチャーのブレード開口端に相当する位置
    にヘアラインを発生するヘアライン発生器と、ヘアライ
    ン発生器からのヘアライン画像と欠陥部観察用のテレビ
    カメラからの映像信号とを合成するスーパーインポーザ
    とからなり、アパーチャーの開口状態をヘアライン画像
    としてモニタテレビ上に欠陥画像と合成して表示するこ
    とを特徴とする請求項(1)記載のエマルジョンマスク
    等の欠陥修正装置。
  9. (9)エマルジョンマスク等のエマルジョン層が下面に
    あるように設け、欠陥部の除去飛散物のエマルジョン層
    面に再付着することを防止するように構成することを特
    徴とする請求項(1)記載のエマルジョンマスク等の欠
    陥修正装置。
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DE4042695A DE4042695B4 (de) 1989-06-06 1990-06-06 Vorrichtung zur Reparatur von Fehlern in Emulsionsmasken
DE4018135A DE4018135B4 (de) 1989-06-06 1990-06-06 Verfahren und Vorrichtung zur Reparatur von Fehlern in Emulsionsmasken
US07/957,897 US5347134A (en) 1989-06-06 1992-10-08 Apparatus for repairing defects in emulsion masks by passing laser light through a variable shaped aperture
US07/990,371 US5318869A (en) 1989-06-06 1992-12-15 Method and apparatus for repairing defects in emulsion masks and the like

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0327042A (ja) * 1989-06-26 1991-02-05 Nidek Co Ltd 薄膜修正加工装置
JPH03100655A (ja) * 1989-09-14 1991-04-25 Dainippon Printing Co Ltd エマルジョンマスク等の欠陥修正装置
JPH03255444A (ja) * 1990-03-05 1991-11-14 Nec Corp パターン欠陥修正方法
WO2006100780A1 (ja) * 2005-03-24 2006-09-28 Olympus Corporation リペア方法及びその装置
JP2009537859A (ja) * 2006-05-18 2009-10-29 パイコム コーポレイション ポリマーマスクの修理方法
JP2013167795A (ja) * 2012-02-16 2013-08-29 Shin Etsu Chem Co Ltd ペリクルの製造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53135629A (en) * 1977-04-30 1978-11-27 Fujitsu Ltd Correcting device for emulsion photo-mask
JPS5456370A (en) * 1977-10-14 1979-05-07 Hitachi Ltd Mask pattern correcting method and mask pattern correcting device used for said method
JPS6175524A (ja) * 1985-08-23 1986-04-17 Hitachi Ltd 選択処理装置
JPS6214727U (ja) * 1985-07-10 1987-01-29
JPH01151990U (ja) * 1988-03-31 1989-10-19
JPH0279851A (ja) * 1988-09-17 1990-03-20 Nidek Co Ltd 薄膜修正用光加工装置
JPH02193149A (ja) * 1989-01-23 1990-07-30 Dainippon Printing Co Ltd エマルジョンマスク等の欠陥部修正方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53135629A (en) * 1977-04-30 1978-11-27 Fujitsu Ltd Correcting device for emulsion photo-mask
JPS5456370A (en) * 1977-10-14 1979-05-07 Hitachi Ltd Mask pattern correcting method and mask pattern correcting device used for said method
JPS6214727U (ja) * 1985-07-10 1987-01-29
JPS6175524A (ja) * 1985-08-23 1986-04-17 Hitachi Ltd 選択処理装置
JPH01151990U (ja) * 1988-03-31 1989-10-19
JPH0279851A (ja) * 1988-09-17 1990-03-20 Nidek Co Ltd 薄膜修正用光加工装置
JPH02193149A (ja) * 1989-01-23 1990-07-30 Dainippon Printing Co Ltd エマルジョンマスク等の欠陥部修正方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0327042A (ja) * 1989-06-26 1991-02-05 Nidek Co Ltd 薄膜修正加工装置
JPH03100655A (ja) * 1989-09-14 1991-04-25 Dainippon Printing Co Ltd エマルジョンマスク等の欠陥修正装置
JPH03255444A (ja) * 1990-03-05 1991-11-14 Nec Corp パターン欠陥修正方法
WO2006100780A1 (ja) * 2005-03-24 2006-09-28 Olympus Corporation リペア方法及びその装置
JP2009537859A (ja) * 2006-05-18 2009-10-29 パイコム コーポレイション ポリマーマスクの修理方法
JP2013167795A (ja) * 2012-02-16 2013-08-29 Shin Etsu Chem Co Ltd ペリクルの製造方法

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