JPH07503793A - パターニングされた基板の光学検査用装置 - Google Patents

パターニングされた基板の光学検査用装置

Info

Publication number
JPH07503793A
JPH07503793A JP5514153A JP51415393A JPH07503793A JP H07503793 A JPH07503793 A JP H07503793A JP 5514153 A JP5514153 A JP 5514153A JP 51415393 A JP51415393 A JP 51415393A JP H07503793 A JPH07503793 A JP H07503793A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
filter
image
spatial filter
plane
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP5514153A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3458139B2 (ja
Inventor
ボート,ジョーン・エル
フェイン,マイケル・イー
ニューカーマンス,アルマンド・ピィ
Original Assignee
テンコール・インストゥルメンツ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by テンコール・インストゥルメンツ filed Critical テンコール・インストゥルメンツ
Publication of JPH07503793A publication Critical patent/JPH07503793A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3458139B2 publication Critical patent/JP3458139B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/94Investigating contamination, e.g. dust
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956Inspecting patterns on the surface of objects
    • G01N21/95623Inspecting patterns on the surface of objects using a spatial filtering method
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N33/00Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N33/00Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
    • G01N33/22Fuels, explosives
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/42Diffraction optics, i.e. systems including a diffractive element being designed for providing a diffractive effect
    • G02B27/46Systems using spatial filters
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501Semiconductor wafers

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 パターニングされた基板の光学検査用装置技術分野 本発明は、光回折基板、特にパターニングされた半導体ウェハ上の微細な汚染物 質の光学的検出に関する。
背景技術 半導体ウェハ上の汚染物質の検出の分野では、そのままのまたはパターニングさ れないウェハの検出用の様々な器具が存在する。これらの器具は、そのままのウ ェハ上の粒子の存在を検出するために走査レーザビームから1エレメントまたは 複数エレメントから作られた集光部へ散乱する光を用いる。ビームの位置および 隣接したスキャンにおける粒子または欠陥から散乱する光の量がわかっているあ る装置では、光を散乱する粒子の画像が推定される。
一旦つエバがパターニングされると、汚染物質を検出するための単純な光散乱ア プローチを行なうことは困難となる。もしウェハ上に回路を製造することにより 固有の位相的特徴が形成されたなら、非汚染物質特徴からの散乱があまりにも多 いため汚染物質からのいかなる散乱信号も通常失われてしまう。先行技術のアプ ローチのいくつかは、−望ましくない散乱信号を所望の信号から分離するために パターンの冗長性または周期性を用いる。
回路パターンの冗長性はエル・リン(L、Lin)らへの米国特許第4.806 .774号の集積回路の欠陥および汚染物質の画像化で用いられる。この検査シ ステムは、光学軸に沿って位置決めされたフーリエ変換レンズおよび逆フーリエ 変換レンズを用いて、パターニングされた標本ウェハの照射された領域から空間 周波数標本を生成し、その周波数成分は選択的に濾波されてウェハの照射された 領域中の欠陥の画像パターンを生成することができる。濾波された画像は照射さ れた軸上ウェハダイの中だけの欠陥に対応する光の存在を検出する二次元光検出 器アレイの表面に照射される。
マルダリ(Maldari )らの米国特許第4.895.446号は、特に図 3において、パターニングされたウェハから回折された光をフィルタするために マスクを使用することを開示している。ウェハ上方のレンズはマスク上の表面の フーリエ変換を行なう。このマスクはパターニングされた表面のフーリエ変換に 対応するパターンを含む。粒子から散乱した光量外のすべての光はマスクによっ て遮断される。レンズはこの光をカメラ上へ結像する。
ミナミ(Minami)らへの米国特許第3.972.616号は、2つの光源 と組合わせて空間フィルタを使用することを開示しており、光源のうちの一方は レーザであり他方は広帯域のインコヒーレント光源である。このシステムは2つ の重畳された画像、つまり欠陥場所における明るいスポット以外のほとんどの情 報を空間フィルタが取去ったレーザ光画像および検査されている全パターンの形 状を示すインコヒーレント光画像を生成し、この結果、欠陥の位置を特定するこ とができる。インコヒーレント光画像がその機能を完遂するためには、空間フィ ルタがこの画像中の大半の情報をブロックしないことが必要である。
冗長な回路特徴を有するパターニングされたウェハ中の粒子および欠陥を検出す る上で空間のフィルタリングの価値が既に認められているということがこれらの 例から理解される。空間フィルタを用いることの利点は、欠点を識別するために コンピュータが調べなければならない情報量を低減することである。空間フィル タの欠点は、通常はレーザ源である単色およびコリメートされた光源の使用が必 要であると一般に考えられていることであり、このためシステムがスペックルノ イズを受けやすくなる。単色光の他の欠点は、共振効果のために単色粒子検出シ ステムが照明の波長に関係したあるサイズの粒子に対して相対的に感応しなくな ることである。
周知のことであるが、表面を照射するために、レーザまたは実質的に空間的およ び時間的にコヒーレンスを有する他のソースが使用される場合であって、その表 面のパターニングまたは粗さが波長またはそれ以上のオーダの深さを有し、かつ その表面中でパターニングまたは粗さが観察光学系の光解像度よりも小さい横空 間周波数における重要な成分を有する場合、画像はスペックルと呼ばれる表面の ランダムな斑点を含み、これはごみの粒子などの関心のある特徴と見分けること が非常に困難なものである。
スペックルは粗い表面の異なる高領域および低領域から反射された光のコヒーレ ントな加算、つまり干渉によって引起こされ、それらのすべては表面の光学的に 分解可能な副領域内にある。スペックルの存在は検出可能な欠陥または粒子の最 小サイズを実質的に引上げる。スペックルは様々な公知の方法によって低減した り排除することができ、これらの方法には照明をスペクトル的に変化させること と照射角を変化させることとの2つの方法が含まれる。
今日まで広帯域光源からの光へ効果的に空間的フィルタを与える検査機械を構築 することは不可能と思われているが、これはなぜなら広帯域光源はフーリエ面中 の情報を広げさせ、有用な空間フィルタの構築を不可能にしているように思われ るためである(普通の空間フィルタが多彩色光に対して効果がないという事実は 、先に引用した米国特許第3.972.616号の装置の動作の基礎に実際なっ ている)。
空間フィルタを角度が多様な光源と組合わせる装置が作られたが、角度が多様な ことによるフーリエ平面の画像のスミアを克服するために、これらの装置は典型 的には複雑な移動メカニズムを用いている。かかる装置の1つでは、空間フィル タはコリメートされた光源の回転と同期してフーリエ面中で回転し、その結果フ ィルタ上の暗いスポットの位置は検査されているパターンからの回折されたれス ポットの位置をたどる。初期の頃のかかる装置の説明はシー・イー・トーマス( C,E、 Thomas) r応用光学(Allplicd op!1cs)  J vol、 7、no、3、p、51711(1968年3月)に見られる。
本発明の目的は、空間フィルタを用いて、冗長な特徴を有するパターニングされ たウェハのための、反スペックル特性を有する検査装置を考案することであった 。
発明の概要 上記の目的は、パターニングされたウェハの検査装置のフーリエ平面中で用いら れる新しい種類の空間フィルタを考案することによって達成されている。このフ ィルタは広帯域の光、角度の多様な光、またはその両方のいずれかと組合わせて 用いられる。
先行技術と同じく、本発明は、ダイパターン内の冗長な特徴から光を回折するタ イプのパターニングされた半導体ウェハなどの、周期的な特徴を有する基板を検 査するために用いられる。回折を引起こすのはダイパターン全体である。本発明 で用いられる光源は1つ以上のビームを有し、これらのビームはピンホール開口 絞りを有する光学系を通って周期的特徴上へ焦められ、各次数が長い帯を形成す る状態で複数個のスペクトル分散次数の形の複数個のスペクトル線を回折によっ て生成する。これらの長い帯は他の態様では透過性であるフィルタ上で不透明な トラックによってブロックされる。フィルタを通過可能な光は基板上の欠陥また は粒子からの光である。
非レーザ光源から十分な光強度を得るために、光源は、特定の中心方向のまわり に実質的に角度が拡大した拡大光源であってもよい。この場合は、ピンホール開 口は矩形の長いスリットに拡大される。スリット状の開口はフーリエ平面画像を 上述のような長い帯状の像に広げる。拡大光源の代替としては、光源の角度が異 なる複数個の様々な光源が用いられてもよい。かかるすべての光源は開口を通過 するビームを発生し、これらの光源の波長は同一であるかまたは異なっていても よい。その結果化じる回折パターンは上述のような種類の帯状の像である。
スリット状の開口絞りを用いることはいくつかの利点を有するということが理解 されるべきである。光源にレーザのような顕著な明るさが欠けている場合は、開 口の形をピンホールからスリットへと拡大すると光源からより多くの光を使用す ることが可能となり、このことは実際の検査器具において有用な動作速度を達成 するためには重要なことであり得る。また、光源が、ピンホール開口を通って本 来非常に高い光パワーを送ることが可能なレーザである場合、(開口の異なる部 分から入来する光の空間的コヒーレンスを低減する公知の手段と結合されて)様 々な角度を与えると、スペックルを低減する助けとなる。
もし用いられる光源自体の空間的コヒーレンスが低ければ、スリット開口の空間 的にインコヒーレントな光を得るためには特別な手段を必要としない場合が多い 。空間的コヒーレンスの高い光源を用いる場合、空間的コヒーレンスを低減する 周知の手段の1つは、光源とスリットとの間の光経路に回転グラウンドガラスプ レートを設置することである。プレート中の厚さの摂動によってスリットの異な る部分の間にランダムな位相関係が導入され得る。このプレートは、データの1 つのピクセルが集められている間に位相関係が360度のオーダの量だけ変化す るのに十分な速さで回転する必要がある。空間的コヒーレンスを低減する手段は 周知であるため、かかる方法についてはここでは詳述しない。
本発明のフィルタは写真フィルムをフーリエ平面に載置し、ネガ画像が現像され るときに適切な不透明性が得られるのに十分な露出で帯を記録することによって 製造され得る。このネガ画像はフィルタまたは同様のフィルタを作るためのマス クとして作用し得る。フィルタは透過性フィールド中に上述のバンドに対応する 複数個の不透明なトラックを有する。
フィルタを通過する光は粒子および基板欠陥などの非周期的特徴に対応する。こ の光は二次元直線アレイまたはカメラ上へ照射される。ウェハまたはビームは基 板の様々な領域を検査するために動かされてもよい。
図面の簡単な説明 図1は本発明に従う光学検出システムの第1の実施例の立面図である。
図2は本発明に従う光学検査システムの第2の実施例の立面図である。
図3は図1の装置を用いるテスト表面からの回折を示す詳細な図である。
図4は図1の装置とともに用いるための本発明に従う空間フィルタの頂部平面図 である。
図5は観察用対物レンズを介して光が供給される、本発明の従う光学検査システ ムの代替の実施例の立面図である。
図6は図5の装置とともに用いるための本発明に従う空間フィルタの平面図であ る。
発明を実施するためのベストモード 図1を参照して、パターニングされたウェハ10はウェハチャック12によって 支持されて示される。パターニングされたウェハは垂直な通路によって分離され た複数個の集積回路ダイを含む。各ダイは集積回路チップである。これらのダイ は各ダイ上にレイアウトされた回路パターンに従った谷で分離されたメイズなど の位相的特徴を有する。
通常は、回路パターンの一部を形成するワイヤまたはメタライゼーションは多く の場合同一方向に走り、顕微鏡で見ると平行なうインまたは区画として見られる 。1つのメモリチップは何千もの、またはおそらくは100万以上もの、すべて チップ上のラインパターンで形成されたトランジスタを有するかもしれない。1 つのチップ上のライン間の間隔、または隣接するチップ上のラインもしくは隣接 するチップを分離している通路間の間隔により、ウェハを照射している光ビーム の回折パターンが生じる。ウェハは、ラインを互いに平行に走らせる一方でライ ン間の間隔を可能なところではすべて均一に保つことによってなどのように、ラ インパターンが強力な回折を促進するように設計され得る。この態様では最適化 されないウェハはなお通路および他の通常の特徴から光を回折するが、それほど 強力にではない。光を回折する能力を有するウェハがパターニングされたウェハ 10である。
水銀、キセノンまたは炭素アーク灯などのアーク光源14は広帯域ビーム源16 を形成する。焦点レンズ18はビームをピンホール開口絞り20を通るように配 向し、ここではパターニングされたウェハ10に当たる光の中に狭い角度範囲の 光線のみが存在するような程度にビームが制限される。この光はコリメートレン ズ22によってウェハ上へ送られる。
ウェハ10上の間隔の密な光回折特徴に当たる光は、いくつかの回折次数に対応 して様々な方向に配向される。これらの回折次数のうちのいくつかは対物レンズ 24によって集められてフーリエ平面に配置される空間フィルタ26上で焦点を 合わされる。以下に説明するように、周期的特徴からの光は空間フィルタ26に よって濾波され、一方欠陥からの光はフィルタを透過して逆変換レンズ28へ入 り、このレンズ28は光をたとえばCODビデオカメラであり得る二次元撮像装 置30の画像面上へ配向する。もし周期的特徴が空間フィルタ26によって濾波 されていれば、粒子および欠陥のみが撮像装置30へ通過する。フィルタ理論は 次のように理解され得る。
今、狭い波長範囲のみの光を与えるようにビーム16もまたスペクトル的に濾波 されていると仮定する。これは実際には起こり得ないが、このフィルタの仮定は 本発明の理解を容易にするためである。もしウェハ10上に微細な周期的パター ンが存在すれば、典型的にはフーリエ平面にはいくつかのディスクリートな光の スポットが存在し、各スポットは異なる回折次数(つまり周期的パターンによっ て光が回折される異なる角度)に対応している。ここでもしスペクトルフィルタ の波長が徐々に変化するとすれば、各スポットは波長に伴って単−的に移動する 。これはなぜなら回折角は典型的には次の公式で表わされるためである。
ここで1は入射角、mは回折次数、dは回折を引起こす格子の間隔、5in(θ )は表面を離れる回折された光線の角度の正弦、かつλは波長を示す。
ジエンキンスおよびホワイト(Jenkins and White)「光学の 基礎(Fundamentals of 0ptics) J第4版、p。
360からの上記の公式は一次元の格子による回折に当てはまるが、同じ公式は 複雑な二次元の周期的構造による回折にも当てはまる。回折の角度の正弦は常に 波長に比例して変化する。特定の角度でウェハ10を離れる光線はフーリエ平面 の対応する位置に集まり、そのため角度θが変化するとフーリエ平面のスポット も移動する。もし仮想スペクトルフィルタが、検査装置が動作する場合に使用す るつもりである全スペクトル範囲にわたって波長に対して変化するとすれば、各 スポットはフーリエ平面中で直線または曲線のトラックをたどることになる。も しスペクトルフィルタを取除いて全波長を同時に存在させれば、前述の各スポッ トは帯として現われるであろう。
一般的には、光源のスペクトル帯域幅が増大するにつれてスペックルの低減はよ り効果的となり、かつ達成され得るいかなる量の帯域幅の増大も望ましいという ことが言えるだろう。有用な実用的な目標は、400nmから600nmの波長 の範囲などの極値の波長においては約比率1゜5である。かかる範囲では、極長 波長での深さが0.5波長である基板上の2つのポイントの間の高低差は極短波 長においては0.75波長深さである。干渉は最長端では建設的であるが最短端 では有害である。このことはスペックルを抑制する助けとなる。
システム中にピンホール開口20が存在する場合は、非レーザ源から十分な光強 度を得るのは困難である。照明器が特定の方向に実質的に角度を広げるようにす ることによって本出願人らは基本的な発明に対して改良を行なう。ピンホール開 口20は好ましくはスリットへと拡張される。
スリット状の開口絞りは複数の色を使用する場合とちょうど同じように各フーリ エ平面スポットをストリ・ツブに広げさせる。光をスペクトル分散帯と実質的に 同じ方向に広げるようにスリットを配向することによって、クリアなまたは透過 性のフィールド上に複数の暗いまたは不透明な縞からなる空間フィルタを作るこ とはなお可能であり、このフィルタは周期的パターンによって回折された光の大 半をブロックする一方で、粒子によって散乱した光の大部分を通過させる。スリ ット状の開口絞りを効果的にするためには、スリットが光源14からの光で確実 に満たされるようにレンズ18をおそらくは複数レンズ系に発展させなければな らないということが光学設計分野の当業者には理解されるであろう。かかるレン ズまたはレンズ系の設計方法は周知である。
図1では、ウェハ10に送られた照明光は、アーク源14が異なる波長範囲の光 を発し、このため広帯域の光源を形成するのでスペクトル的な多様性を持ってい る。この光はまた、ウェハ10を打つ光の角度範囲が開口絞り20によって制御 されるので、ある量の角度の多様性を有し、この開口絞り20はピンホールから 一方向に実質的に延びるスリットへと発展している。この角度の多様性は前述の ようにスペックルの低減に寄与している。
スペクトルの多様性を達成することは可能であるが、これはほぼ継続的な広いス ペクトル出力を有するアーク灯などの光源を用いることによってだけではなく、 実質的なスペクトル間隔にわたっていくつかのディスクリートなスペクトル線を 発する光源を代替的に用いることによって、または複数個の別個の単一線光源か らの光を組合わせることによっても達成される。たとえば、ニコラス・ジョージ およびアトウール・、シャイン(Nicholas Geotge and A jul Jain )は、r応用光学J vat、 6、pp、120211( 1973年6月)に、スペックルを低減するために複数線アルゴンレーザの使用 を記載している。この同じ論文において、著者は150nmのスペクトル帯域幅 全体にわたって広がる6つの異なるレーザ線を使用することによってスペックル の低減をシミュレートしたことを報告している。彼らの作業は直接の実証という よりはむしろシミュレーションであった。なぜなら彼らは本物のレーザを使用す る代わりにアーク灯からの光を濾波することによって6つの十分に離れたスペク トル線を作成したからである。
図2は光源の角度の多様性がさらに進み得ることを示す図である。この図はまた 、実質的な角度の多様性を有する光を生成するためにレーザ源を用いることがで きる方法の一例を示している。2つの別個の照明通路が設けられている。第1の 照明通路201はレーザ205、ディフューザ204、レンズ203、開口絞り 20およびコリメートレンズ22を含む。第2のほぼ同じ照明器202はレーザ 210、ディフューザ209、レンズ208、開口絞り207およびコリメート レンズ206を含む。両方の照明器からの光はウェハチャック12に支持された ウェハ10上に当たる。パターニングされたウェハからの光は対物レンズ24を 通過した後空間フィルタ26へ向かって回折される。
ここで再び、ウェハ上の欠陥からの光または粒子から散乱した光は空間フィルタ 26を通過してレンズ28によって集められ、その後、光は焦点を合わされた画 像として画像装置30へ送られる。照明器201からの光は概してほぼ仰角al に配置される。照明器202からの光は概してほぼ角度a2に配置され、これは 角度a1とは異なってもよい。便宜上、2つの照明光は180度離社友方位角か ら届くように示されるが、一般にはこれらの照明光はいかなる2つの方位角から 届いてもよく、実際は方位角は同じだが仰角が異なってもよい。典型的な仰角は 正常な入射に対して50°−80°の間であり得る。
ディフューザ204の目的はレーザ205によって発せられた光の角度の多様性 を増大することであり、このためこの光は開口絞り20を満たすようにレンズ2 03によって像形成されることができる。ディフューザがない場合は、レーザ2 05によって発せられた光の優れたコリメート効果のために絞り20が十分に照 射されないかもしれない。
ディフューザ209はディフューザ204と同じ機能を有する。
2つの照明器の各々はレンズ24によって作られたフーリエ変換面中に別個の光 のパターンを作り出す。写真手段または他の手段によって対物レンズのフーリエ 平面中に載置されるべき空間フィルタ26を作り出すことができる。
空間フィルタ26はいずれかの照明器で発生するパターン回折−された光の大半 をブロックする一方で、粒子またはパターン欠陥などのウェハ10上の非周期的 特徴によって散乱した光の有用な部分をなお透過する。不透明でなければならな いフィルタ26の領域の部分は単一光源を用いる場合に必要な不透明領域のほぼ 2倍であり得るが、これは非周期的特徴によって散乱した光の有用な部分を透過 する十分な空き領域が残っている限りは受容可能である。空き領域は好ましくは フィルタの全領域の約50%以上必要である。
第1の照明器201と第2の照明器202との間の角度の分離は1つの照明器を 用いて容易に得られるよりも大きな角度の多様性をスペックルの低減のために生 じる。2つのレーザの波長は同一であってもまたは異なっていてもよいが、波長 が異なると幾分スペクトルの多様性を与える。
ここで再び、開口絞り20は開口を通る光の量を増大すると同時に光の角度の多 様性を増大するために、好ましくは矩形のスリットである。
図3には相対的に浅い角度でウェハ10に当たるコリメートされた照射ビーム4 0が示される。突起物などの多数の冗長な特徴42.44および46がウェハ上 方に突出しているのがわかる。これらのウェハ特徴は光を回折できるという点で 格子の谷と尾根と同様である。かかる回折された光は光線48で示され、これら は対物レンズ24によってフィルタ26に集められる。様々な波長または角度の 成分が、概矩形であることを特徴とするバンドB1を形成する。他の回折次数は バンドB2、B3およびB4を作り出し、これらはすベフーリエ平面中にある。
上述のように、写真フィルムがフーリエ平面に載置され、その後、露光されかつ 現像される。露光、現像またはその両方により、様々な光のバンドが暗くなるか または不透明にされる。これはクリアなまたは光学的に透過性のフィールド中に トラックを形成する。図3では粒子50が光線52および54を散乱しているの が示される。この光は空間フィルタ26を通過し、その後レンズ28上に当たり 、そこで光線が撮像装置30へ向かって屈折する。光線52および54は大抵の 場合フィルタ26の不透明なトラックの間を通過する。
不透明なトラックによってブロックされたフィルタの領域は好ましくは2分の1 未満であり、好ましいフィルタ形状では普通は20%のオーダである。撮像装置 30はCCDアレイ(これはたとえば水平に768ピクセル垂直に494ピクセ ルを含み得る)、またはビジコンカメラであってもよい。高速多重出力時間遅延 集積(TDI)センサなどの多くの他の形式のセンサもまた本発明とともに使用 可能である。ウェハ10を支持するウェハチャック12はウェハの様々な領域が 観察できるようにx−y平面中で移動可能である。観察される各パターンは全ウ ェハの複合画像が得られるようにメモリに記憶され得る。
図4には不透明なトラック56を有する空間フィルタ26が示される。各トラッ クの頭部の点58は光源およびスリット状の開口絞り20の一方端部からの最短 の波長を表わす。もし開口絞りがピンホールで、かつこの1つの波長だけが存在 するとすれば、フィルタ上のパターンは複数mのスポットから作られるであろう 。しかしながら、これはスペックルについての補償をしない先行技術のフィルタ 設計である。本発明では、空間フィルタ26上に複数個のトラックを形成するこ とによって1つの光源または複数の光源からのスペクトルおよび/または角度の 多様性を用いてスペックルが低減される。スポット58の位置はウエノ1上の冗 長な特徴の周期に関係する。フィルタは上述のような写真ネガかまたはコピーの どちらであってもよい。高品質のネガおよびコピーは、半導体業界で使用される ようなタイプの高解像度フォトプレートを露光し現像することによって、または コダックテクニカルパン(Kodxk TechnicalPan )フィルム などの高コントラストラインアートフィルムを用いることによって作られ得る。
不透明な領域のサイズをパターンによって回折された光が当たる領域よりも幾分 大きくすることによって空間フィルタを修正することがよく所望され、このため アライメントがわずかに不完全な場合でもフィルタは効果的に作用する。この1 つの方法は、フィルムがフーリエ平面かられずかに離れた軸方向の位置にある状 態でフィルタを写真的に記録することである。その結果生じるぼかしにより暗い スポットがわずかに大きくなり、もし高コントラストフィルムを用いれば、太き (なったスポットはその端部までずっと不透明である。適切に作られた空間フィ ルタは、典型的な量のアライメント誤差が存在する場合でも基板からのパターン 回折された光の大半を確実にブロックするのに十分な幅だが、観察システムの全 ての光間口の約50%以上はブロックしないような幅の縞を有する。
図4に示される空間フィルタの外観は典型的なものであり、ここでは照射ビーム の仰角が垂直面に対して約45゜であるかどうか、かつ照射ビームの方位角が概 直線(「マンハッタンJ)形状を有するパターニングされたウェハのストリート およびアベニューに対して約45°であるがどうかがわかる。本発明の方法はウ ェハ形状に対して角度の配向が上述のようである光かまたは他の任意のものであ る光を用いても使用することができるという点を強調すべきである。仰角および 方位角の両方とも変化し得る。
図5はウェハに対する照射が通常どおりである本発明の一実施例を示す。この図 はまた、本発明の空間フィルタ設計を用いることが可能な多数の代替の光学系の 1つを示す。
ウェハ501は複数のエレメントからなる顕微鏡対物レンズ502によって観察 される。この顕微鏡対物レンズは市場で入手可能な他の多くのレンズと同じく、 空間フィルタの設置のためにアクセスできない対物レンズ中の内部レベルにフー リエ平面503を有する。レンズ504および505、はりレーレンズ系514 を構成し、これは空間フィルタ506の位置にフーリエ平面503の画像を生成 する。
この単純な例では、レンズ504および505の各々の焦点距離はfであると仮 定する。図に示されるようにこれらのレンズは倍率1のアフォーカルリレー系を 構成するように間隔をあけられる。この特定の配列は本発明に必要ではない。必 要なことは、フーリエ平面またはその画像が何らかの手段によって空間フィルタ の設置のためにアクセス可能にされることである。
リレー系514がない場合は、対物レンズはウェハ表面の画像を平面513に形 成する。リレーの効果はこの画像を画像検出器507の入射面に再形成すること である。
このシステム中の光はビームスプリッタ508によって与えられる。照明器51 5はレンズ509および511、光源512(たとえば白熱電球、アーク灯、ま たは複数線レーザ)、フィールド絞り516ならびに開口絞り510からなる。
開口絞り510はピンホールであることが最も有用である。この照明器の配列の 効果は一般に正常な光をウェハに送ることである。
図6は図5の装置において有用であり得る空間フィルタ506を示す。このフィ ルタは概透過性のフィールド中に放射状に配向された不透明なトラック656を 有する。各トラックの頭部の点は光源512によって与えられる最短波長を表わ す。不透明なスポット602は対物レンズ502がウェハから反射された光を集 める場所を表わす。この光(時によって「ゼロ次の回折」と称される)は、トラ ック656が他の回折された次数の光をブロックするのと同じようにブロックさ れなければならない。
図5のシステムの示す要点は、フーリエ変換および最終画像を形成するために別 個のレンズを設置する必要はないということである。無限遠訂正された対物レン ズを用いるシステムの典型的なものである図1の例では、変換はレンズ24によ って形成され最終画像はレンズ28によって形成された。有限管長顕微鏡対物レ ンズを用いるシステムの典型的なものである図5のシステムでは、フーリエ変換 および画像の両方が対物レンズ502によって(それぞれ平面503および51 3において)形成される。本発明を実行する上で不可欠なことは、アクセス可能 なフーリエ平面およびアクセス可能な画像平面を生成するように配置された1つ 以上のレンズが存在することである。この目的を完遂するためには多くの異なる 配列があるが、それらは光学システム設計の分野の当業者には公知である。
本発明に従って作られた光学フィルタの特徴は、不透明な縞が仮想上のポイント から放射状にのびて直線または曲線のほぼセグメントとして現われることであり 、このポイントはフィルタ自体の領域の内側であっても外側であってもよい。た とえば、図6ではこのポイントはフィルタの中心に位置する。図4ではこのポイ ントはフィルタの左上に位置する。この現象を理解するには、周知のように、フ ーリエ平面の各ボイーントは検査されている基板から光が回折される特定の角度 を表わしているということを認識する必要がある。縞がそこから放射しているよ うに見える見かけ上の中心は反射されたビームが基板を離れる角度に対応する。
可能性のある本発明の有用な変形の例は、広帯域の光源およびピンホール開口を 有する図1の単純な装置に戻ることによって説明され得る。空間フィルタ26は 図4のものとほぼ同じ外観を有する。開口絞り20はピンホールであるため、フ ーリエ平面の各回折次数は、波長の短い光がスペクトルの一方端部にありかつ波 長の長い光が他方端部にある単純な分散スペクトルとなる。単純な不透明な縞の 代わりに可変波長(色)ブロックフィルタを構築するように染料または薄い膜の 技術を用いることが実用的であるかもしれず、これにより空間フィルタ上の縞の 小領域の各々は、検査されている基板上の正常なパターンによってその場所へ回 折された1つの特定の色に対応する光のみをブロックする。これにより空間フィ ルタを通過可能な他の光(典型的には識別されるべき欠陥を表わす)の量を最大 にする。
今日の技術を用いれば、これまでのところ最も経済的なアプローチは単純な不透 明な縞を用いてパターン回折された光のすべてをブロックすることである。関心 のある多数の基板について、空き領域が50%を超えるため小さな周期的欠陥に よって散乱した光の減衰率が50%を超えない本発明に従う不透明な縞フィルタ を構築することが実用的であると証明されている。
上述の議論の何カ所かでウェハ上のパターンのフーリエ変換について言及してい るが、これは平面の「フーリエ面」として説明されている。多くの実際の光学系 においてはフーリエ変換のある表面は曲面を有しているということが周知である 。したがって、本明細書中のフーリエ平面に対する言及は他の2つの場合を含む と考えられるべきである。
第1に、空間フィルタをカーブした基板上に作ることによってカーブした変換面 に対処することが望ましいかもしれず、このカーブした基板はその変換面近くに 存在する(このアプローチは技術的に困難なために一般的ではない)。
第2に、変換面の曲面に対処するより一般的な方法として、フィルタを平面基板 上に作り、それを真の変換面の近くに置(方法がある。フィルタの不透明領域の サイズをわずかに大きくすることによって、フィルタが変換面中に正確にない場 合でも周期的なパターンによって回折した光のほとんどをブロックすることが可 能となる。
補正書の写しく翻訳力提出書(特許法第184条の7第1)JD平成 6年 8 月 4日 1、国際出願番号ニー PCT/US931009352、発明の名称 パターニングされた基板の光学検査用装置3、特許出願人 住 所 アメリカ合衆国、94043 カリフォルニア州、マウンテン・ビュー 、チャールストン・ロード、2400名 称 テンコール中インストウルメンツ 代表者 不詳 国 籍 アメリカ合衆国 4、代理人 住 所 大阪市北区南森町2丁目1番29号 住友銀行南森町ビル請求の範囲 1. 光をフーリエ平面または表面中へ回折するタイプの周期的特徴を有する、 パターニングされた半導体ウェハ等の基板のための検査装置であって、 基板の光学軸に沿って配向されたビームを発生する広帯域の光源を含み、基板は 非周期的な汚染物質および欠陥とともに反復的な周期的特徴のパターンを有し、 前記周期的特徴は複数個のスペクトル分散次数の形の複数個のスペクトル線に前 記ビームからの光を回折する間隔を有し、スペクトル線の各次数は長いバンドを 形成し、さらに前記ビームがそこを通過しかつ基板の前記周期的特徴上へ集めら れる状態で前記光学軸に沿って配置された開口絞りと、 基板から回折された光のフーリエ平面中に配置されたほぼ透過性の空間フィルタ とを含み、フィルタは前記広帯域の光源からの光のバンドをブロックするが前記 非周期的な特徴から散乱した光は透過する複数個の間隔を空けられた不透明なト ラックを有し、さらに 前記空間フィルタを透過した光を受ける位置に前記空間フィルタから間隔をあけ て設置された二次元撮像センサと、空間フィルタを通過する光を前記撮像センサ へ送るための手段とを含む、装置。
2、前記空間フィルタはフーリエ変換フィルタである、請求項1に記載の装置。
3、前記フーリエ変換フィルタは、高コントラストフィ補正書の写しく翻fl提 出書(特許法第184条の8)平成 6年 8月 4日

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.光をフーリエ平面または表面中へ回折するタイプの周期的特徴を有する、パ ターニングされた半導体ウエハ等の基板のための検査装置であって、 基板の光学軸に沿って配向されたビームを発生する広帯域の光源を含み、基板は 非周期的な汚染物質および欠陥とともに反復的な周期的特徴のパターンを有し、 前記周期的特徴は複数個のスペクトル分散次数の形の複数個のスペクトル線に前 記ビームからの光を回折する間隔を有し、スペクトル線の各次数は長いバンドを 形成し、さらに前記ビームがそこを通過しかつ基板の前記周期的特徴上へ集めら れる状態で前記光学軸に沿って配置された開口絞りと、 基板から回折された光のフーリエ平面中に配置されたほぼ透過性の空間フィルタ とを含み、フィルタは前記光のバンドをブロックするが前記非周期的な特徴から 散乱した光は透過する複数個の不透明なトラックを有し、さらに前記空間フィル タを透過した光を受ける位置に前記空間フィルタから間隔をあけて設置された二 次元撮像センサと、空間フィルタを通過する光を前記撮像センサへ送るための手 段とを含む、装置。
  2. 2.前記空間フィルタはフーリエ変換フィルタである、請求項1に記載の装置。
  3. 3.前記フーリエ変換フィルタは、高コントラストフィルムが前記フーリエ平面 からわずかに離れた焦点の合っていない位置に載置された状態で写真で形成され ており、これにより前記フィルタは完全なフーリエ変換フィルタよりもわずかに 大きな不透明なトラックを有する、請求項2に記載の装置。
  4. 4.前記空間フィルタは、任意の所与の場所で、前記周期的特徴によってそこに 回折される光の色に対して不透明であるトラックを有する可変波長(色)ブロッ クフィルタである、請求項1に記載の装置。
  5. 5.前記空間フィルタの前記不透明なトラックは見かけ上の中心から外向きに放 射状にのびる、請求項1に記載の装置。
  6. 6.前記光学軸は基板に対して垂直であり、前記光源からの前記ビームは前記光 学軸に沿ってビームスプリッタによって導かれて前記基板上に通常どおり入射す る、請求項1に記載の装置。
  7. 7.前記フーリエ平面の画像を前記空間フィルタの位置にアクセス可能な画像平 面中に生成するためのリレー光学系手段をさらに含み、前記光学フィルタは前記 画像平面中に配置される、請求項1に記載の装置。
  8. 8.前記撮像センサはCCDアレイである、請求項1に記載の装置。
  9. 9.前記撮像センサはビジコンカメラである、請求項1に記載の装置。
  10. 10.前記撮像センサはTDIセンサである、請求項1に記載の装置。
JP51415393A 1992-02-07 1993-02-02 パターニングされた基板の光学検査用装置 Expired - Lifetime JP3458139B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US832,379 1992-02-07
US07/832,379 US5264912A (en) 1992-02-07 1992-02-07 Speckle reduction track filter apparatus for optical inspection of patterned substrates
PCT/US1993/000935 WO1993016373A1 (en) 1992-02-07 1993-02-02 Apparatus for optical inspection of patterned substrates

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07503793A true JPH07503793A (ja) 1995-04-20
JP3458139B2 JP3458139B2 (ja) 2003-10-20

Family

ID=25261477

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP51415393A Expired - Lifetime JP3458139B2 (ja) 1992-02-07 1993-02-02 パターニングされた基板の光学検査用装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5264912A (ja)
JP (1) JP3458139B2 (ja)
KR (1) KR100246268B1 (ja)
TW (1) TW243555B (ja)
WO (1) WO1993016373A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10325711A (ja) * 1997-05-23 1998-12-08 Hitachi Ltd 検査方法およびその装置並びに半導体基板の製造方法
JP2007333729A (ja) * 2006-05-05 2007-12-27 Asml Netherlands Bv 検査方法およびそれを使用する装置

Families Citing this family (95)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5798831A (en) * 1991-12-19 1998-08-25 Nikon Corporation Defect inspecting apparatus and defect inspecting method
EP0562133B1 (en) * 1992-03-23 1998-02-25 Erland Torbjörn Sandström Method and apparatus for forming an image
US5719405A (en) * 1992-09-01 1998-02-17 Nikon Corporation Particle inspecting apparatus and method using fourier transform
US5471066A (en) * 1993-08-26 1995-11-28 Nikon Corporation Defect inspection apparatus of rotary type
US5428442A (en) * 1993-09-30 1995-06-27 Optical Specialties, Inc. Inspection system with in-lens, off-axis illuminator
US5428452A (en) * 1994-01-31 1995-06-27 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Optical fourier transform method for detecting irregularities upon two-dimensional sheet material such as film or tape
US5493123A (en) * 1994-04-28 1996-02-20 Particle Measuring Systems, Inc. Surface defect inspection system and method
US5883710A (en) 1994-12-08 1999-03-16 Kla-Tencor Corporation Scanning system for inspecting anomalies on surfaces
AU2644095A (en) * 1994-08-26 1996-03-22 Pressco Technology, Inc. Integral field lens illumination for video inspection
US5774222A (en) * 1994-10-07 1998-06-30 Hitachi, Ltd. Manufacturing method of semiconductor substrative and method and apparatus for inspecting defects of patterns on an object to be inspected
US5506676A (en) * 1994-10-25 1996-04-09 Pixel Systems, Inc. Defect detection using fourier optics and a spatial separator for simultaneous optical computing of separated fourier transform components
US20040057044A1 (en) * 1994-12-08 2004-03-25 Mehrdad Nikoonahad Scanning system for inspecting anamolies on surfaces
US5631733A (en) * 1995-01-20 1997-05-20 Photon Dynamics, Inc. Large area defect monitor tool for manufacture of clean surfaces
AU3376597A (en) * 1996-06-04 1998-01-05 Tencor Instruments Optical scanning system for surface inspection
US5701174A (en) * 1996-07-15 1997-12-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Template mask for assisting in optical inspection of oxidation induced stacking fault (OISF)
US5801824A (en) * 1996-11-25 1998-09-01 Photon Dynamics, Inc. Large area defect monitor tool for manufacture of clean surfaces
EP0853243A3 (en) * 1997-01-13 1999-07-28 Schlumberger Technologies, Inc. Method and apparatus for detecting defects in wafers
JPH10300447A (ja) * 1997-04-23 1998-11-13 K L Ee Akurotetsuku:Kk 表面パターンむら検出方法及び装置
US5854674A (en) * 1997-05-29 1998-12-29 Optical Specialties, Inc. Method of high speed, high detection sensitivity inspection of repetitive and random specimen patterns
US7673803B2 (en) 1998-03-24 2010-03-09 Metrologic Instruments, Inc. Planar laser illumination and imaging (PLIIM) based engine
US6020957A (en) * 1998-04-30 2000-02-01 Kla-Tencor Corporation System and method for inspecting semiconductor wafers
IL127720A0 (en) 1998-12-24 1999-10-28 Oramir Semiconductor Ltd Local particle cleaning
US6800859B1 (en) * 1998-12-28 2004-10-05 Hitachi, Ltd. Method and equipment for detecting pattern defect
US6867406B1 (en) * 1999-03-23 2005-03-15 Kla-Tencor Corporation Confocal wafer inspection method and apparatus using fly lens arrangement
US6774991B1 (en) * 1999-05-27 2004-08-10 Inspex Incorporated Method and apparatus for inspecting a patterned semiconductor wafer
US6466315B1 (en) * 1999-09-03 2002-10-15 Applied Materials, Inc. Method and system for reticle inspection by photolithography simulation
US6369888B1 (en) 1999-11-17 2002-04-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for article inspection including speckle reduction
US7103223B2 (en) * 2000-03-27 2006-09-05 Look Dynamics, Inc. Apparatus and method for radial and angular or rotational analysis or images for shape content and matching
US7136159B2 (en) * 2000-09-12 2006-11-14 Kla-Tencor Technologies Corporation Excimer laser inspection system
US6891610B2 (en) 2000-09-20 2005-05-10 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining an implant characteristic and a presence of defects on a specimen
US6919957B2 (en) 2000-09-20 2005-07-19 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension, a presence of defects, and a thin film characteristic of a specimen
US7349090B2 (en) 2000-09-20 2008-03-25 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a property of a specimen prior to, during, or subsequent to lithography
US6782337B2 (en) 2000-09-20 2004-08-24 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension an a presence of defects on a specimen
US6694284B1 (en) 2000-09-20 2004-02-17 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining at least four properties of a specimen
US7106425B1 (en) 2000-09-20 2006-09-12 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a presence of defects and a thin film characteristic of a specimen
US6673637B2 (en) 2000-09-20 2004-01-06 Kla-Tencor Technologies Methods and systems for determining a presence of macro defects and overlay of a specimen
US6891627B1 (en) 2000-09-20 2005-05-10 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension and overlay of a specimen
US7130029B2 (en) 2000-09-20 2006-10-31 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining an adhesion characteristic and a thickness of a specimen
US6812045B1 (en) 2000-09-20 2004-11-02 Kla-Tencor, Inc. Methods and systems for determining a characteristic of a specimen prior to, during, or subsequent to ion implantation
US8042740B2 (en) 2000-11-24 2011-10-25 Metrologic Instruments, Inc. Method of reading bar code symbols on objects at a point-of-sale station by passing said objects through a complex of stationary coplanar illumination and imaging planes projected into a 3D imaging volume
US6693930B1 (en) * 2000-12-12 2004-02-17 Kla-Tencor Technologies Corporation Peak power and speckle contrast reduction for a single laser pulse
US6611326B1 (en) * 2000-12-27 2003-08-26 Lam Research Corporation System and apparatus for evaluating the effectiveness of wafer drying operations
US7072034B2 (en) * 2001-06-08 2006-07-04 Kla-Tencor Corporation Systems and methods for inspection of specimen surfaces
US6864971B2 (en) * 2001-03-27 2005-03-08 Isoa, Inc. System and method for performing optical inspection utilizing diffracted light
US7009163B2 (en) 2001-06-22 2006-03-07 Orbotech Ltd. High-sensitivity optical scanning using memory integration
US6678046B2 (en) * 2001-08-28 2004-01-13 Therma-Wave, Inc. Detector configurations for optical metrology
JP3728495B2 (ja) * 2001-10-05 2005-12-21 独立行政法人産業技術総合研究所 多層膜マスク欠陥検査方法及び装置
JP2003185593A (ja) * 2001-12-21 2003-07-03 Nec Electronics Corp ウェーハ外観検査装置
US20040032581A1 (en) * 2002-01-15 2004-02-19 Mehrdad Nikoonahad Systems and methods for inspection of specimen surfaces
US7236847B2 (en) * 2002-01-16 2007-06-26 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems and methods for closed loop defect reduction
US6813034B2 (en) * 2002-02-05 2004-11-02 Therma-Wave, Inc. Analysis of isolated and aperiodic structures with simultaneous multiple angle of incidence measurements
US7061627B2 (en) * 2002-03-13 2006-06-13 Therma-Wave, Inc. Optical scatterometry of asymmetric lines and structures
DE10232781B4 (de) * 2002-07-18 2013-03-28 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Vorrichtung zur Wafer-Inspektion
US20050122509A1 (en) * 2002-07-18 2005-06-09 Leica Microsystems Semiconductor Gmbh Apparatus for wafer inspection
US7339661B2 (en) * 2002-09-30 2008-03-04 Doron Korngut Dark field inspection system
GB2395289A (en) * 2002-11-11 2004-05-19 Qinetiq Ltd Structured light generator
US6829035B2 (en) * 2002-11-12 2004-12-07 Applied Materials Israel, Ltd. Advanced mask cleaning and handling
US6892013B2 (en) * 2003-01-15 2005-05-10 Negevtech Ltd. Fiber optical illumination system
US7525659B2 (en) * 2003-01-15 2009-04-28 Negevtech Ltd. System for detection of water defects
US7486861B2 (en) * 2003-01-15 2009-02-03 Negevtech Ltd. Fiber optical illumination system
US6864458B2 (en) * 2003-01-21 2005-03-08 Applied Materials, Inc. Iced film substrate cleaning
US7672043B2 (en) 2003-02-21 2010-03-02 Kla-Tencor Technologies Corporation Catadioptric imaging system exhibiting enhanced deep ultraviolet spectral bandwidth
US7646533B2 (en) * 2003-02-21 2010-01-12 Kla-Tencor Technologies Corporation Small ultra-high NA catadioptric objective
US7639419B2 (en) * 2003-02-21 2009-12-29 Kla-Tencor Technologies, Inc. Inspection system using small catadioptric objective
US7884998B2 (en) 2003-02-21 2011-02-08 Kla - Tencor Corporation Catadioptric microscope objective employing immersion liquid for use in broad band microscopy
US7869121B2 (en) 2003-02-21 2011-01-11 Kla-Tencor Technologies Corporation Small ultra-high NA catadioptric objective using aspheric surfaces
US8715614B2 (en) * 2003-07-21 2014-05-06 Beijing University Of Chemical Technology High-gravity reactive precipitation process for the preparation of barium titanate powders
US7227628B1 (en) * 2003-10-10 2007-06-05 Kla-Tencor Technologies Corp. Wafer inspection systems and methods for analyzing inspection data
WO2006006148A2 (en) * 2004-07-12 2006-01-19 Negevtech Ltd. Multi mode inspection method and apparatus
US20060012781A1 (en) * 2004-07-14 2006-01-19 Negevtech Ltd. Programmable spatial filter for wafer inspection
US20060026431A1 (en) * 2004-07-30 2006-02-02 Hitachi Global Storage Technologies B.V. Cryptographic letterheads
US7292393B2 (en) * 2005-01-12 2007-11-06 Kla-Tencor Technologies Corporation Variable illuminator and speckle buster apparatus
US7804993B2 (en) 2005-02-28 2010-09-28 Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. Method and apparatus for detecting defects in wafers including alignment of the wafer images so as to induce the same smear in all images
US7813541B2 (en) 2005-02-28 2010-10-12 Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. Method and apparatus for detecting defects in wafers
JP4988223B2 (ja) * 2005-06-22 2012-08-01 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査装置およびその方法
US7345754B1 (en) 2005-09-16 2008-03-18 Kla-Tencor Technologies Corp. Fourier filters and wafer inspection systems
US7440094B2 (en) * 2005-11-30 2008-10-21 Wafermasters Incorporated Optical sample characterization system
US8031931B2 (en) 2006-04-24 2011-10-04 Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. Printed fourier filtering in optical inspection tools
US7659973B2 (en) * 2006-05-26 2010-02-09 Applied Materials Southeast Asia, Pte Ltd. Wafer inspection using short-pulsed continuous broadband illumination
FR2906898B1 (fr) * 2006-10-05 2009-01-23 Commissariat Energie Atomique Dispositif de compensation ajustable de retard pupillaire.
US7714998B2 (en) 2006-11-28 2010-05-11 Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. Image splitting in optical inspection systems
US7719674B2 (en) 2006-11-28 2010-05-18 Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. Image splitting in optical inspection systems
US8665536B2 (en) * 2007-06-19 2014-03-04 Kla-Tencor Corporation External beam delivery system for laser dark-field illumination in a catadioptric optical system
JP4902456B2 (ja) * 2007-07-31 2012-03-21 シャープ株式会社 スジムラ評価装置、スジムラ評価方法、スジムラ評価プログラム、記録媒体及びカラーフィルタの製造方法
US7988297B2 (en) 2007-10-19 2011-08-02 Look Dynamics, Inc. Non-rigidly coupled, overlapping, non-feedback, optical systems for spatial filtering of fourier transform optical patterns and image shape content characterization
KR101133653B1 (ko) * 2010-01-06 2012-04-19 주식회사 고영테크놀러지 기판 검사장치 및 이를 이용한 기판 검사방법
JP5222820B2 (ja) * 2009-09-30 2013-06-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ 異物検査方法および異物検査装置
KR101919901B1 (ko) 2012-05-10 2018-11-19 삼성전자 주식회사 웨이퍼 검사 방법
US8860937B1 (en) 2012-10-24 2014-10-14 Kla-Tencor Corp. Metrology systems and methods for high aspect ratio and large lateral dimension structures
US8912495B2 (en) * 2012-11-21 2014-12-16 Kla-Tencor Corp. Multi-spectral defect inspection for 3D wafers
JP5686394B1 (ja) * 2014-04-11 2015-03-18 レーザーテック株式会社 ペリクル検査装置
KR102368587B1 (ko) * 2015-10-21 2022-03-02 삼성전자주식회사 검사 장치, 그를 포함하는 반도체 소자의 제조 시스템, 및 반도체 소자의 제조 방법
CN117236400A (zh) 2017-09-20 2023-12-15 视觉动力公司 数据处理阵列
CN107796837B (zh) * 2017-10-09 2019-10-29 南京大学 一种成像装置、成像方法及成像系统
CN113325006B (zh) * 2021-08-02 2021-10-29 中科慧远视觉技术(北京)有限公司 一种超微缺陷检测装置及其检测方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3658420A (en) * 1969-12-10 1972-04-25 Bell Telephone Labor Inc Photomask inspection by spatial filtering
US3729252A (en) * 1970-06-05 1973-04-24 Eastman Kodak Co Optical spatial filtering with multiple light sources
US3790280A (en) * 1972-05-03 1974-02-05 Western Electric Co Spatial filtering system utilizing compensating elements
JPS5324301B2 (ja) * 1974-09-09 1978-07-20
US3981562A (en) * 1974-09-09 1976-09-21 Optical Coating Laboratory, Inc. Spatial filtering for error detection
US4895446A (en) * 1986-10-23 1990-01-23 Inspex Incorporated Particle detection method and apparatus
US4806774A (en) * 1987-06-08 1989-02-21 Insystems, Inc. Inspection system for array of microcircuit dies having redundant circuit patterns
US5172000A (en) * 1990-11-02 1992-12-15 Insystems, Inc. Spatial filter for optically based defect inspection system
US5177559A (en) * 1991-05-17 1993-01-05 International Business Machines Corporation Dark field imaging defect inspection system for repetitive pattern integrated circuits

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10325711A (ja) * 1997-05-23 1998-12-08 Hitachi Ltd 検査方法およびその装置並びに半導体基板の製造方法
JP2007333729A (ja) * 2006-05-05 2007-12-27 Asml Netherlands Bv 検査方法およびそれを使用する装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW243555B (ja) 1995-03-21
JP3458139B2 (ja) 2003-10-20
US5264912A (en) 1993-11-23
KR100246268B1 (ko) 2000-04-01
WO1993016373A1 (en) 1993-08-19
KR950700534A (ko) 1995-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH07503793A (ja) パターニングされた基板の光学検査用装置
JP2796316B2 (ja) 欠陥または異物の検査方法およびその装置
JP4988224B2 (ja) 欠陥検査方法及びその装置
JP3817427B2 (ja) 半導体の構成
JP2910956B2 (ja) 繰返しパターンをもつ表面の欠陥検査方法及び装置
US5805278A (en) Particle detection method and apparatus
JP6522604B2 (ja) 簡略化された光学素子を備えた極端紫外線(euv)基板検査システム及びその製造方法
JP3483948B2 (ja) 欠陥検出装置
JP2004264287A (ja) サンプリング不足の画像を再構築するためにディザリングを用いることによって基板表面内の欠陥を識別する方法および装置
JPS59170876A (ja) 高性能光学空間フイルタ−の製造
US5973771A (en) Pupil imaging reticle for photo steppers
JPH06109647A (ja) 欠陥検査装置
JP3346032B2 (ja) パターン検査装置及び方法
US5170063A (en) Inspection device for detecting defects in a periodic pattern on a semiconductor wafer
JPH08247957A (ja) 液晶基板又はicウエハの外観検査用の欠陥検出方法及び欠陥検出装置
JPS63200042A (ja) パタ−ン欠陥検査方法及び装置
JP2002287327A (ja) 位相シフトマスクの欠陥検査装置
JP2506725B2 (ja) パタ−ン欠陥検査装置
JP3410013B2 (ja) 欠陥または異物の検査方法及びその装置
JP2705764B2 (ja) 透明ガラス基板の欠陥検出装置
JPS6313446Y2 (ja)
JP3070748B2 (ja) レチクル上の欠陥検出方法及びその装置
JPH0334577B2 (ja)
JP2550979B2 (ja) アライメント方法
JPH04165641A (ja) ウェーハ外観検査装置

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080808

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090808

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090808

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100808

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110808

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110808

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120808

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120808

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130808

Year of fee payment: 10

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130808

Year of fee payment: 10