JP2003185593A - ウェーハ外観検査装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】繰り返しパターンを持たないダイ中のパターン
コーナ等からの反射光の所望の信号光への混入や、レー
ザを用いた結像光学系利用の検査装置ではリンギングノ
イズやスペックルノイズの発生を除き、非繰り返しパタ
ーンを持つウェーハ上の凹凸性欠陥を精度良く、また有
効に検査できるようにする。 【解決手段】インコヒーレント光を収束してウェーハ面
１に、優勢なパターンライン方向に対して４５度をなす
方位群からから斜方照射するインコヒーレント光源１２
を有し、このインコヒーレント光のパターンコーナーか
らの反射をブロックする光学的マスク１３を結像光学系
に設置する構成をとることにより、ウェーハ上の凹凸性
欠陥を精度良く、また有効に検査できるようにした。
コーナ等からの反射光の所望の信号光への混入や、レー
ザを用いた結像光学系利用の検査装置ではリンギングノ
イズやスペックルノイズの発生を除き、非繰り返しパタ
ーンを持つウェーハ上の凹凸性欠陥を精度良く、また有
効に検査できるようにする。 【解決手段】インコヒーレント光を収束してウェーハ面
１に、優勢なパターンライン方向に対して４５度をなす
方位群からから斜方照射するインコヒーレント光源１２
を有し、このインコヒーレント光のパターンコーナーか
らの反射をブロックする光学的マスク１３を結像光学系
に設置する構成をとることにより、ウェーハ上の凹凸性
欠陥を精度良く、また有効に検査できるようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、インコヒーレン
トの暗視野照明を用いたウェーハの外観検査に関する。
トの暗視野照明を用いたウェーハの外観検査に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体装置のウェーハ上のダイ
の外観欠陥を検出する外観検査装置として、インコヒー
レントの照明を用いた暗視野反射型の外観検査装置が用
いられている。
の外観欠陥を検出する外観検査装置として、インコヒー
レントの照明を用いた暗視野反射型の外観検査装置が用
いられている。
【０００３】この従来の暗視野照明を用いたウェーハ表
面の欠陥検査装置として、特開平１１−０５１６２２号
公報（従来例１）等に記載されたものがある。この場合
の検査装置は、異物検査装置図３の一部斜視図を含むブ
ロック図に示すように、検査光照射する光源装置１２ａ
でウエハ１を斜方照明し、暗視野下のウエハ１での検査
光による散乱光を散乱光検出器３４で検出して異物５の
座標位置を特定する異物検査装置１０に、白色光照明装
置４０および撮像装置４５を設けたものである。その散
乱光検出器３４の検出に基づき異物判定装置３５で特定
された異物５の座標位置を白色光照明装置４０による明
視野照明下で、ラインセンサからなる撮像装置４５によ
って撮像し、この撮像に基づいて異物画像を抽出し、抽
出した異物画像により異物のサイズ、形状、色、性状を
特定している。
面の欠陥検査装置として、特開平１１−０５１６２２号
公報（従来例１）等に記載されたものがある。この場合
の検査装置は、異物検査装置図３の一部斜視図を含むブ
ロック図に示すように、検査光照射する光源装置１２ａ
でウエハ１を斜方照明し、暗視野下のウエハ１での検査
光による散乱光を散乱光検出器３４で検出して異物５の
座標位置を特定する異物検査装置１０に、白色光照明装
置４０および撮像装置４５を設けたものである。その散
乱光検出器３４の検出に基づき異物判定装置３５で特定
された異物５の座標位置を白色光照明装置４０による明
視野照明下で、ラインセンサからなる撮像装置４５によ
って撮像し、この撮像に基づいて異物画像を抽出し、抽
出した異物画像により異物のサイズ、形状、色、性状を
特定している。
【０００４】この異物検査装置１０は、被検査物である
ウエハに斜方照明による暗視野下における散乱光を検出
して散乱光を検出した時点の座標により異物の有無や位
置座標および個数を認識するものである。ウエハ１を載
置したステージ６の斜め上方には検査光照射装置１２ａ
が設備され、この検査光照射装置１２ａはウエハ１に検
査光としてのレーザ光を照射するレーザ光源１２ｂと、
レーザ光を集光する集光レンズ１１とを備えており、集
光したレーザ光をステージ６上に保持された被検査物と
してのウエハ１に低角度で照射することにより、ウエハ
１を斜方照明するようになっている。
ウエハに斜方照明による暗視野下における散乱光を検出
して散乱光を検出した時点の座標により異物の有無や位
置座標および個数を認識するものである。ウエハ１を載
置したステージ６の斜め上方には検査光照射装置１２ａ
が設備され、この検査光照射装置１２ａはウエハ１に検
査光としてのレーザ光を照射するレーザ光源１２ｂと、
レーザ光を集光する集光レンズ１１とを備えており、集
光したレーザ光をステージ６上に保持された被検査物と
してのウエハ１に低角度で照射することにより、ウエハ
１を斜方照明するようになっている。
【０００５】また、ステージ６の真上には散乱光検出装
置３０が設備され、この散乱光検出装置３０は、レーザ
光がウエハ１の表面に斜めに照射されるのに伴ってウエ
ハ１の表面において乱反射された散乱光を集光する対物
レンズ１４ａと、対物レンズ１４ａで集光された散乱光
を散乱光検出器３４の受光面に結像させるリレーレンズ
３３とを備え、すなわち、散乱光検出装置３０は暗視野
下における散乱光を検出する。また、散乱光検出器３４
は固体撮像光電変換素子が細長く配列されたラインセン
サからなり、ステージ移動方向に直交するＹ方向に長く
なるように配置されている。
置３０が設備され、この散乱光検出装置３０は、レーザ
光がウエハ１の表面に斜めに照射されるのに伴ってウエ
ハ１の表面において乱反射された散乱光を集光する対物
レンズ１４ａと、対物レンズ１４ａで集光された散乱光
を散乱光検出器３４の受光面に結像させるリレーレンズ
３３とを備え、すなわち、散乱光検出装置３０は暗視野
下における散乱光を検出する。また、散乱光検出器３４
は固体撮像光電変換素子が細長く配列されたラインセン
サからなり、ステージ移動方向に直交するＹ方向に長く
なるように配置されている。
【０００６】この散乱光検出器３４には異物判定装置３
５が接続されており、この異物判定装置３５は散乱光検
出器３４からの散乱光の検出時点に基づいてウエハ１の
異物の有無を判定するとともに、この判定したデータ
と、ステージ６の座標位置データと照合することによ
り、異物の座標位置を特定するように構成され、散乱光
検出器３４は散乱光強度を異物判定装置３５に送るよう
になっている。
５が接続されており、この異物判定装置３５は散乱光検
出器３４からの散乱光の検出時点に基づいてウエハ１の
異物の有無を判定するとともに、この判定したデータ
と、ステージ６の座標位置データと照合することによ
り、異物の座標位置を特定するように構成され、散乱光
検出器３４は散乱光強度を異物判定装置３５に送るよう
になっている。
【０００７】ウエハ１上に検査光照射装置１２ａにより
検査光のレーザ光が低傾斜角度で照射されると、このレ
ーザ光の照射により、ウエハ１の表面に付着した異物５
および回路パターンから暗視野下の散乱光が発生する。
この散乱光は対物レンズ３２によって集光されるととも
に、リレーレンズ３３を通して散乱光検出器３４上に結
像される。
検査光のレーザ光が低傾斜角度で照射されると、このレ
ーザ光の照射により、ウエハ１の表面に付着した異物５
および回路パターンから暗視野下の散乱光が発生する。
この散乱光は対物レンズ３２によって集光されるととも
に、リレーレンズ３３を通して散乱光検出器３４上に結
像される。
【０００８】このとき回路パターンからの散乱光は規則
性があるため、ウエハ１におけるパターン面のフーリエ
変換面に設けられた空間フィルタあるいは検光子から成
る遮光素子により、回路パターンからの散乱光は遮光さ
れることになり、他方、異物５からの散乱光は不規則性
であるため、空間フィルタあるいは検光子を通過して散
乱光検出器３４上に結像されることになり、異物５のみ
が検出される。
性があるため、ウエハ１におけるパターン面のフーリエ
変換面に設けられた空間フィルタあるいは検光子から成
る遮光素子により、回路パターンからの散乱光は遮光さ
れることになり、他方、異物５からの散乱光は不規則性
であるため、空間フィルタあるいは検光子を通過して散
乱光検出器３４上に結像されることになり、異物５のみ
が検出される。
【０００９】そして散乱光検出器３４によって検出され
た異物５からの暗視野下の散乱光による検出信号は、異
物判定装置３５に入力される。異物判定装置３５はこの
検出信号に基づいて異物５の有無を判定するとともに、
この判定データと、ステージ６の座標位置データとを照
合することにより、異物５の座標位置を特定する。この
ようにして特定された異物５の座標位置は異物判定装置
３５から、例えば、異物検査装置１０を統括的に実行す
るホストコンピュータ１８ａに出力されるとともに、撮
像装置４５に電気的に連なる比較部４７および検証部４
８に送信される。
た異物５からの暗視野下の散乱光による検出信号は、異
物判定装置３５に入力される。異物判定装置３５はこの
検出信号に基づいて異物５の有無を判定するとともに、
この判定データと、ステージ６の座標位置データとを照
合することにより、異物５の座標位置を特定する。この
ようにして特定された異物５の座標位置は異物判定装置
３５から、例えば、異物検査装置１０を統括的に実行す
るホストコンピュータ１８ａに出力されるとともに、撮
像装置４５に電気的に連なる比較部４７および検証部４
８に送信される。
【００１０】このウェーハ表面の欠陥検査装置では、ダ
イ中の多数を占めるパターンの方位に対してウェーハ表
面内で概略０度あるいは概略９０度、概略１８０度、概
略２７０度の方位の中の一方向から照明を行っていた。
イ中の多数を占めるパターンの方位に対してウェーハ表
面内で概略０度あるいは概略９０度、概略１８０度、概
略２７０度の方位の中の一方向から照明を行っていた。
【００１１】また、特開昭６０−２５３８２２号公報
（従来例２）では、ダイ中の多数を占めるパターンの方
位に対して概略４５度、概略１３５度、概略２２５度、
概略３１５度以外の方位からの暗視野照明を用いてい
た。
（従来例２）では、ダイ中の多数を占めるパターンの方
位に対して概略４５度、概略１３５度、概略２２５度、
概略３１５度以外の方位からの暗視野照明を用いてい
た。
【００１２】さらに、特開平５−１１８９９４号公報
（従来例３）では、繰り返しパターンを持つ表面を照明
するために、繰り返される矩形ラインに関して表面内で
４５度の角度で平行照射となっていた。
（従来例３）では、繰り返しパターンを持つ表面を照明
するために、繰り返される矩形ラインに関して表面内で
４５度の角度で平行照射となっていた。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の暗視野
照明法では、繰り返しパターンを持たないダイ中のパタ
ーンコーナからの反射光が所望の信号光に混入すること
により、高速検査を目的とする光学的低倍率検査時に、
カメラが受光飽和点に達しやすくなり、従って、欠陥の
検出を難しくする問題点を持っていた。
照明法では、繰り返しパターンを持たないダイ中のパタ
ーンコーナからの反射光が所望の信号光に混入すること
により、高速検査を目的とする光学的低倍率検査時に、
カメラが受光飽和点に達しやすくなり、従って、欠陥の
検出を難しくする問題点を持っていた。
【００１４】また、繰り返しパターンを持たないダイ中
のスクラッチなどの線状の欠陥は、光学的散乱が等方的
でないことが、片岡らが、精密工学会誌Ｖｏｌ．６６，
Ｎｏ．１１，２０００；ｐｐ．１７１６「シリコンウエ
ハ表面上の微粒子・微小欠陥による光散乱」で紹介して
いるように、分かっている。そのため、少なくとも1方
向からの平行照明では、必ずしも、欠陥が検出できない
問題点を持っていた。
のスクラッチなどの線状の欠陥は、光学的散乱が等方的
でないことが、片岡らが、精密工学会誌Ｖｏｌ．６６，
Ｎｏ．１１，２０００；ｐｐ．１７１６「シリコンウエ
ハ表面上の微粒子・微小欠陥による光散乱」で紹介して
いるように、分かっている。そのため、少なくとも1方
向からの平行照明では、必ずしも、欠陥が検出できない
問題点を持っていた。
【００１５】また、従来のレーザ使用の結像光学系で
は、レーザのコヒーレンシ（干渉性）により、パターン
コーナから、いわゆるリンギングノイズが発生したり、
全面に渡って、いわゆるスペックルノイズが発生しやす
く、これらは疑似エラーの発生を招きやすい問題点を持
っている。
は、レーザのコヒーレンシ（干渉性）により、パターン
コーナから、いわゆるリンギングノイズが発生したり、
全面に渡って、いわゆるスペックルノイズが発生しやす
く、これらは疑似エラーの発生を招きやすい問題点を持
っている。
【００１６】本発明の目的は、このような問題を解決
し、ウェーハ上のダイの外観欠陥の検出を容易にし、ま
た可能にすると共に、疑似エラーの発生を防止した外観
検査装置を提供することにある。
し、ウェーハ上のダイの外観欠陥の検出を容易にし、ま
た可能にすると共に、疑似エラーの発生を防止した外観
検査装置を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明の構成は、繰り返
しパターンを持たないウェーハ表面の４５度群方位から
の照明により、ウェーハ上のダイの外観欠陥を検出する
インコヒーレントの照明を用いた暗視野反射型のウェー
ハ外観検査装置において、少なくとも１つのインコヒー
レント照明の方位角が、ダイ中の多数を占めるパターン
の方位に対してウェーハ表面内で概略４５度、概略１３
５度、概略２２５度、概略３１５度を持つことを特徴と
する。
しパターンを持たないウェーハ表面の４５度群方位から
の照明により、ウェーハ上のダイの外観欠陥を検出する
インコヒーレントの照明を用いた暗視野反射型のウェー
ハ外観検査装置において、少なくとも１つのインコヒー
レント照明の方位角が、ダイ中の多数を占めるパターン
の方位に対してウェーハ表面内で概略４５度、概略１３
５度、概略２２５度、概略３１５度を持つことを特徴と
する。
【００１８】本発明の構成は、半導体装置のウェーハ上
のダイの表面の外観欠陥をインコヒーレントの照明を照
射して、１次元カメラにより撮影された画像から検出す
る暗視野反射型のウェーハ外観検査装置において、少な
くとも１つのインコヒーレント照明の方位角が、前記ダ
イ中の多数を占めるパターンの方位に対して前記ウェー
ハ表面内で概略４５度、概略１３５度、概略２２５度、
概略３１５度の４５度群方位となるようにできる照明手
段を持つことを特徴とする本発明において、照明手段
は、概略４５度、概略１３５度、概略２２５度、概略３
１５度の４５度群方位に固定され、または回転されて配
設されるようにでき、また、照明手段は 、概略４５
度、概略１３５度、概略２２５度、概略３１５度の４５
度群方位のうち少なくとも１８０度のずれとならない２
個の方位から同時に照明できるものからなることが出来
る。
のダイの表面の外観欠陥をインコヒーレントの照明を照
射して、１次元カメラにより撮影された画像から検出す
る暗視野反射型のウェーハ外観検査装置において、少な
くとも１つのインコヒーレント照明の方位角が、前記ダ
イ中の多数を占めるパターンの方位に対して前記ウェー
ハ表面内で概略４５度、概略１３５度、概略２２５度、
概略３１５度の４５度群方位となるようにできる照明手
段を持つことを特徴とする本発明において、照明手段
は、概略４５度、概略１３５度、概略２２５度、概略３
１５度の４５度群方位に固定され、または回転されて配
設されるようにでき、また、照明手段は 、概略４５
度、概略１３５度、概略２２５度、概略３１５度の４５
度群方位のうち少なくとも１８０度のずれとならない２
個の方位から同時に照明できるものからなることが出来
る。
【００１９】また、本発明において、各インコヒーレン
ト照明は、その照明軸方位のウェーハ表面上に投影した
方位と同方向の方位をその長軸をウェーハ表面上に投影
した方位と同じ方向に持つ矩形の光学的マスクを結像光
学系中に設置するようでき、また、各インコヒーレント
照明は、その仰角が、概略０度から概略８５度の範囲に
存するものにでき、また、１次元カメラを用いて、欠陥
を検査する際、そのカメラの主走査方向がダイ中の多数
を占めるパターンの方位とでき、さらに、照明光は、収
束レンズを通過し、ウェーハ面上に収束されることが出
来る。
ト照明は、その照明軸方位のウェーハ表面上に投影した
方位と同方向の方位をその長軸をウェーハ表面上に投影
した方位と同じ方向に持つ矩形の光学的マスクを結像光
学系中に設置するようでき、また、各インコヒーレント
照明は、その仰角が、概略０度から概略８５度の範囲に
存するものにでき、また、１次元カメラを用いて、欠陥
を検査する際、そのカメラの主走査方向がダイ中の多数
を占めるパターンの方位とでき、さらに、照明光は、収
束レンズを通過し、ウェーハ面上に収束されることが出
来る。
【００２０】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施形態を図により
詳細に説明する。図１は本発明の一実施形態の構成図を
示している。 この図１では、ウェーハ１からの散乱光
を点線で示し、一方、ウェーハ１上にある凹凸性の不定
形をした欠陥からの散乱光は細線で示してある。
詳細に説明する。図１は本発明の一実施形態の構成図を
示している。 この図１では、ウェーハ１からの散乱光
を点線で示し、一方、ウェーハ１上にある凹凸性の不定
形をした欠陥からの散乱光は細線で示してある。
【００２１】ウェーハ１の表面にインコヒーレント光源
１２、例えばハロゲンランプを光源として、収束レンズ
１１を介して集光された光線が照射される。この光の光
軸はウェーハのパターンで優勢であるパターンエッジの
方位に関して、ウェーハ表面上で概略４５度（φ）を持
つ。また、その照射光の仰角（θ）は、パターンエッジ
のライン部分からの散乱光がフーリエ変換機能を付加し
た対物レンズ１４からウェーハを見込む範囲に散乱され
ない角度を選択しており、おおよそ８５度よりも小さい
必要がある。
１２、例えばハロゲンランプを光源として、収束レンズ
１１を介して集光された光線が照射される。この光の光
軸はウェーハのパターンで優勢であるパターンエッジの
方位に関して、ウェーハ表面上で概略４５度（φ）を持
つ。また、その照射光の仰角（θ）は、パターンエッジ
のライン部分からの散乱光がフーリエ変換機能を付加し
た対物レンズ１４からウェーハを見込む範囲に散乱され
ない角度を選択しており、おおよそ８５度よりも小さい
必要がある。
【００２２】このような照明条件で、対物レンズ１４を
用いて散乱光を捕捉した場合、パターンのライン部から
の散乱はほとんど捕捉されないが、パターンが折れ曲が
った角（コーナー）部や、パターンのエッジが照射光の
光軸と直交する向きを向いている場合などは大きな散乱
光を捕捉する。
用いて散乱光を捕捉した場合、パターンのライン部から
の散乱はほとんど捕捉されないが、パターンが折れ曲が
った角（コーナー）部や、パターンのエッジが照射光の
光軸と直交する向きを向いている場合などは大きな散乱
光を捕捉する。
【００２３】このコーナー部などからの散乱光の主な部
分は、対物レンズ１４を経由したのち、いわゆるフーリ
エ変換面に集光される。この集光された跡は照射光の光
軸をウェーハに投影した向きに沿っている。そこで、そ
のフーリエ変換面において、その長軸をウェーハ１表面
上に投影した方位と同じ方向に持つ矩形の光学的マスク
１３を設置すると、前記のコーナー部などからの散乱光
をブロックすることが可能である。
分は、対物レンズ１４を経由したのち、いわゆるフーリ
エ変換面に集光される。この集光された跡は照射光の光
軸をウェーハに投影した向きに沿っている。そこで、そ
のフーリエ変換面において、その長軸をウェーハ１表面
上に投影した方位と同じ方向に持つ矩形の光学的マスク
１３を設置すると、前記のコーナー部などからの散乱光
をブロックすることが可能である。
【００２４】一方、ウェーハ表面上の不定形をした凹凸
欠陥からの主な散乱光は光学的マスク１３によってブロ
ックされず、結像レンズ１５によって、有効に結像面１
６に結像される。ビデオカメラ１７は、それを撮像し、
コンピュータ１８に取り込んで、撮像された画像から欠
陥を検出する。
欠陥からの主な散乱光は光学的マスク１３によってブロ
ックされず、結像レンズ１５によって、有効に結像面１
６に結像される。ビデオカメラ１７は、それを撮像し、
コンピュータ１８に取り込んで、撮像された画像から欠
陥を検出する。
【００２５】図２は本発明の第２の実施形態の平面図で
ある。この図には、光源を４つ用いた場合のインコヒー
レント光源２１〜２４と、図１の光学的マスク１３に相
当する十字型の光学的マスク１３ａを示している。この
場合は、光源を複数個用いているので、スクラッチ等の
散乱光に異方性を持つ欠陥の検査をより精度よく検査す
ることが出来る。ここでは十字型の光学的マスク１３ａ
を用いたので、４方向からの４個の光源２１〜２４を示
しているが、異なる方向からの光源であれば２個あれ
ば、異なる視野を見ることが出来るので、その効果があ
ることは明らかである。
ある。この図には、光源を４つ用いた場合のインコヒー
レント光源２１〜２４と、図１の光学的マスク１３に相
当する十字型の光学的マスク１３ａを示している。この
場合は、光源を複数個用いているので、スクラッチ等の
散乱光に異方性を持つ欠陥の検査をより精度よく検査す
ることが出来る。ここでは十字型の光学的マスク１３ａ
を用いたので、４方向からの４個の光源２１〜２４を示
しているが、異なる方向からの光源であれば２個あれ
ば、異なる視野を見ることが出来るので、その効果があ
ることは明らかである。
【００２６】なお、この実施形態では、固定され４個の
光源２１〜２４を示しているが、１個の光源２１に回転
できるアームを取り付けて、概略４５度、概略１３５
度、概略２２５度、概略３１５度の４５度群方位となる
ようにしてもよいことは明らかである。
光源２１〜２４を示しているが、１個の光源２１に回転
できるアームを取り付けて、概略４５度、概略１３５
度、概略２２５度、概略３１５度の４５度群方位となる
ようにしてもよいことは明らかである。
【００２７】ここまでの実施形態では、照射光として収
束光を用いていたが、平行光であっても、同様な効果を
得ることができる。また、平行光の場合で、平行光のビ
ーム断面の面積を対物レンズの断面積に比較して小さく
した場合、光学的マスク１３を対物レンズ１４とウェー
ハ１との間に設置しても同様な遮光効果を得ることがで
きる。
束光を用いていたが、平行光であっても、同様な効果を
得ることができる。また、平行光の場合で、平行光のビ
ーム断面の面積を対物レンズの断面積に比較して小さく
した場合、光学的マスク１３を対物レンズ１４とウェー
ハ１との間に設置しても同様な遮光効果を得ることがで
きる。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように本発明の構成によれ
ば、非繰り返しパターンのコーナーやいわゆる斜配線パ
ターンからの背景散乱を有効に遮光することにより、非
繰り返しパターンを持つウェーハ上の凹凸性欠陥を精度
良く、また有効に検査できるという効果がある。
ば、非繰り返しパターンのコーナーやいわゆる斜配線パ
ターンからの背景散乱を有効に遮光することにより、非
繰り返しパターンを持つウェーハ上の凹凸性欠陥を精度
良く、また有効に検査できるという効果がある。
【図１】本発明の一実施形態によるウェーハ検査システ
ムの構成図。
ムの構成図。
【図２】本発明の第２の実施の形態による照射系と光学
マスクの平面図。
マスクの平面図。
【図３】従来例のウェーハ検査システムの斜視図。
１ ウェーハ
５ 異物
６ ステージ
１０ 異物検査装置
１１ 収束レンズ
１２，２１〜２４ インコヒーレント光源
１２ａ 光源装置
１２ｂ レーザ光源
１３，１３ａ 光学マスク
１４，１４ａ 対物レンズ
１５ 結像レンズ
１６ 結像面
１７ ビデオカメラ
１８ コンピュータ
１８ａ ホストコンピュータ
３０ 散乱光検出装置
３４ 散乱光検出器
３５ 異物判定装置
４０ 白色光照射装置
４５ 撮像装置
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体装置のウェーハ上のダイの表面の
外観欠陥をインコヒーレントの照明を照射して、１次元
カメラにより撮影された画像から検出する暗視野反射型
のウェーハ外観検査装置において、少なくとも１つのイ
ンコヒーレント照明の方位角が、前記ダイ中の多数を占
めるパターンの方位に対して前記ウェーハ表面内で概略
４５度、概略１３５度、概略２２５度、概略３１５度の
４５度群方位となるようにできる照明手段を持つことを
特徴とするウェーハ外観検査装置。 - 【請求項２】 照明手段は、概略４５度、概略１３５
度、概略２２５度、概略３１５度の４５度群方位に固定
され、または回転されて配設されるようにした請求項１
記載のウェーハ外観検査装置。 - 【請求項３】 照明手段は、概略４５度、概略１３５
度、概略２２５度、概略３１５度の４５度群方位のうち
少なくとも１８０度のずれとならない２個の方位から同
時に照明できるものからなる請求項１記載のウェーハ外
観検査装置。 - 【請求項４】 各インコヒーレント照明は、その照明軸
方位のウェーハ表面上に投影した方位と同方向の方位を
その長軸をウェーハ表面上に投影した方位と同じ方向に
持つ矩形の光学的マスクを結像光学系中に設置するよう
にした請求項１記載のウェーハ外観検査装置。 - 【請求項５】 各インコヒーレント照明は、その仰角
が、概略０度から概略８５度の範囲に存するものである
請求項４記載のウェーハ外観検査装置。 - 【請求項６】 １次元カメラを用いて、欠陥を検査する
際、そのカメラの主走査方向がダイ中の多数を占めるパ
ターンの方位である請求項１記載のウェーハ外観検査装
置。 - 【請求項７】 照明光は、収束レンズを通過し、ウェー
ハ面上に収束されるようにした請求項１記載のウェーハ
外観検査装置。
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