JP2007192759A - 欠陥検査装置およびその方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】照射光学系20と、検出光学系30と、画像処理部40とを備え、前記照射光学系において、第1又は第2の光路に導かれたビーム光束を反射して下方に向けるミラー2603と、該ミラーで下方に向けられたビーム光束を平面上所定の傾き方向から傾斜角で被検査対象基板1上にスリット状ビーム90として集束させるシリンドリカルレンズ251及び傾斜ミラー2604とを備えた欠陥検査装置。
【選択図】図3
Description
前記照射光学系において、前記第1又は第2の光路に導かれたビーム光束を反射して下方に向けるミラーと、該ミラーで下方に向けられたビーム光束を前記平面上前記所定の傾き方向から前記傾斜角で前記被検査対象基板上に前記スリット状ビームとして集束させるシリンドリカルレンズ及び傾斜ミラーとを備えたことを特徴とする欠陥検査装置及びその方法である。
前記照射光学系において、前記第1の光路に導かれた前記第1のビーム光束を反射して下方に向ける第1のミラーと、該第1のミラーで下方に向けられたビーム光束を前記平面上時計方向に前記所定の傾きを有する方向から前記傾斜角で前記被検査対象基板上に前記第1のスリット状ビームとして集光させる第1のシリンドリカルレンズ及び第1の傾斜ミラーとを備え、前記第2の光路に導かれた前記第2のビーム光束を反射して下方に向ける第2のミラーと、該第2のミラーで下方に向けられたビーム光束を前記平面上反時計方向に前記所定の傾きを有する方向から前記傾斜角で前記被検査対象基板上に前記第1のスリット状ビームとして集光させる第2のシリンドリカルレンズ及び第2の傾斜ミラーとを備え、前記第3の光路に導かれた前記第3のビーム光束を反射して下方に向ける第3のミラーと、該第3のミラーで下方に向けられたビーム光束を前記平面上前記X軸方向から前記傾斜角で前記被検査対象基板上に前記第3のスリット状ビームとして集光させる第3のシリンドリカルレンズ及び第3の傾斜ミラーとを備えたことを特徴とする欠陥検査装置及びその方法である。
Th(Hm)=m×(μ+k×σ) 若しくは Th(Lm)=m×(μ−k×σ) (1)
このように、閾値算出部43kで算出された閾値画像{検出閾値(Th(H),Th(L))、検証閾値(Th(Hm),Th(Lm))}をデータ記憶部43lに記憶させ、データ記憶部43lから閾値画像データとして出力してもよい。また、検査領域処理部444a〜444nから設定された領域毎に閾値画像データを変更してもよい。要するに、データ記憶部43lには、閾値マップを作成して記憶することが可能である。また、ある領域において検出感度を低くするには、その領域における閾値を高めれば良い。
なお、比例係数εは、予め、サイズが既知の異物からの検出光量から求めておいて入力しておけば良い。
ては、第1の検査結果から得られる座標データをx1およびy1、第2の検査結果から得られる座標データをx2およびy2、比較半径をrとすると、次の(3)式に当てはまるデータを同一物と判断すれば良い。
ここで、rは0または、装置に付随する誤差分を考慮した値にすれば良い。測定方法としては、例えば、数点の異物の座標データで(3)式の左辺の値を計算し、その平均値と標準偏差値から、(4)式で算出した値をrに設定すれば良い。
なお、本実施例では、2回検査を行う例を説明したが、特徴量の種類(例えば検出画素数:欠陥の面積Qに相当する)を増やした方が分類性能の向上が図れる場合は、3回以上検査を行って異物の特徴量(検出画素数)を取得しても良い。
Claims (15)
- 回路パターンが形成された被検査対象基板を載置して走行させるステージと、
レーザ光源から出射されるビームを主光路から第1又は第2の光路に導き、該第1又は第2の光路に導かれたビーム光束を、前記被検査対象基板の面に対して所定の傾斜角度を有し、前記回路パターンの主要な直線群に対して平面上所定の傾きを有する方向から、長手方向にはほぼ平行光からなるスリット状ビームに集束させて前記長手方向が前記ステージの走行方向に対してほぼ直角になるように前記被検査対象基板上に照射する照射光学系と、
該照射光学系によってスリット状ビームが照射された被検査対象基板上に存在する異物等の欠陥から得られる反射散乱光を対物レンズで集光し、該集光された反射散乱光をイメージセンサで受光して信号に変換して検出する検出光学系と、
該検出光学系のイメージセンサから検出された信号に基づいて異物等の欠陥を示す信号を抽出する画像処理部とを備え、
前記照射光学系において、前記第1又は第2の光路に導かれたビーム光束を反射して下方に向けるミラーと、該ミラーで下方に向けられたビーム光束を前記平面上前記所定の傾き方向から前記傾斜角で前記被検査対象基板上に前記スリット状ビームとして集束させるシリンドリカルレンズ及び傾斜ミラーとを備えたことを特徴とする欠陥検査装置。 - 前記照射光学系における前記傾斜ミラーを、前記スリット状ビームを高傾斜角度照射と低傾斜角度照射とが可能なように切り替え可能に構成したことを特徴とする請求項1記載の欠陥検査装置。
- 回路パターンが形成された被検査対象基板を載置して走行させるステージと、
レーザ光源から出射されるビームを主光路から第1の光路、第2の光路、第3の光路の各々に導き、該第1の光路に導かれた第1のビーム光束を、前記被検査対象基板の面に対して所定の傾斜角度を有し、前記回路パターンの主要な直線群の内X軸方向に対して平面上時計方向に所定の傾きを有する方向から、長手方向にはほぼ平行光からなる第1のスリット状ビームに集束させて前記長手方向が前記ステージの走行方向に対してほぼ直角になるように前記被検査対象基板上に照射し、前記第2の光路に導かれた第2のビーム光束を、前記被検査対象基板の面に対して所定の傾斜角度を有し、前記X軸方向に対して平面上反時計方向に所定の傾きを有する方向から、長手方向にはほぼ平行光からなる第2のスリット状ビームに集束させて前記長手方向が前記ステージの走行方向に対してほぼ直角になるように前記被検査対象基板上に照射し、前記第3の光路に導かれた第3のビーム光束を、前記被検査対象基板の面に対して所定の傾斜角度を有し、平面上前記X軸方向から、長手方向にはほぼ平行光からなる第3のスリット状ビームに集束させて前記長手方向が前記ステージの走行方向に対してほぼ直角になるように前記被検査対象基板上に照射する照射光学系と、
該照射光学系によってスリット状ビームが照射された被検査対象基板上に存在する異物等の欠陥から得られる反射散乱光を対物レンズで集光し、該集光された反射散乱光をイメージセンサで受光して信号に変換して検出する検出光学系と、
該検出光学系のイメージセンサから検出された信号に基づいて異物等の欠陥を示す信号を抽出する画像処理部とを備え、
前記照射光学系において、前記第1の光路に導かれた前記第1のビーム光束を反射して下方に向ける第1のミラーと、該第1のミラーで下方に向けられたビーム光束を前記平面上時計方向に前記所定の傾きを有する方向から前記傾斜角で前記被検査対象基板上に前記第1のスリット状ビームとして集光させる第1のシリンドリカルレンズ及び第1の傾斜ミラーとを備え、前記第2の光路に導かれた前記第2のビーム光束を反射して下方に向ける第2のミラーと、該第2のミラーで下方に向けられたビーム光束を前記平面上反時計方向に前記所定の傾きを有する方向から前記傾斜角で前記被検査対象基板上に前記第1のスリット状ビームとして集光させる第2のシリンドリカルレンズ及び第2の傾斜ミラーとを備え、前記第3の光路に導かれた前記第3のビーム光束を反射して下方に向ける第3のミラーと、該第3のミラーで下方に向けられたビーム光束を前記平面上前記X軸方向から前記傾斜角で前記被検査対象基板上に前記第3のスリット状ビームとして集光させる第3のシリンドリカルレンズ及び第3の傾斜ミラーとを備えたことを特徴とする欠陥検査装置。 - 前記照射光学系において、前記主光路にはビーム径を拡大する主ビーム拡大光学系を有し、前記第3の光路には前記第3のビーム光束の径を更に拡大し、前記被検査対象基板上における第1、第2及び第3のスリット状ビームの長手方向の長さを合わせるビーム拡大光学系を有することを特徴とする請求項3記載の欠陥検査装置。
- 前記照射光学系において、前記第1の光路又は前記第2の光路又は第3の光路に、主光路から得られるコヒーレントの第2のビーム光束を入射して少なくとも前記第2のシリンドリカルレンズの集光方向に互に空間的にコヒーレンシーを低減させた複数の細帯状のビームを出射する前記少なくとも前記集光方向に互に光路長を変えた複数の板状の光学部材を積み重ねて構成した光学部材群を設けて構成したことを特徴とする請求項3記載の欠陥検査装置。
- 前記照射光学系において、前記光学部材群の入射側に、前記入射するビーム光束径の内少なくとも前記複数の板状の光学部材の積み重ね方向に拡大するビーム拡大光学系を設けて構成したことを特徴とする請求項5記載の欠陥検査装置。
- 前記照射光学系において、前記主光路に、前記レーザ光源から得られるコヒーレントのビーム光束を入射して少なくとも使用する光路に設けられたシリンドリカルレンズの集光方向に互に空間的にコヒーレンシーを低減させた複数の細帯状のビームを出射するように前記少なくとも集光方向に互に光路長を変えた複数の板状の光学部材を積み重ねて構成した光学部材群を出し入れ可能に設けて構成したことを特徴とする請求項3記載の欠陥検査装置。
- 前記照射光学系における前記第1、第2及び第3の傾斜ミラーを、前記スリット状ビームを高傾斜角度照射と低傾斜角度照射とが可能なように切り替え可能に構成したことを特徴とする請求項3記載の欠陥検査装置。
- 前記検出光学系において、前記被検査対象基板上に存在する繰り返し回路パターンからの干渉パターンを遮光する空間フィルタを前記対物レンズの瞳と共役な位置に設けて構成したことを特徴とする請求項1又は3記載の欠陥検査装置。
- 前記照射光学系において、前記主光路に、光量を調整する光量調整用フィルタを設けて構成したことを特徴とする請求項1又は3記載の欠陥検査装置。
- 前記照射光学系において、前記主光路に、偏光を制御する偏光板を設け、
前記検出光学系において、偏光を制御して検出する検光子を設けて構成したことを特徴とする請求項1又は3記載の欠陥検査装置。 - 前記レーザ光源において、UV又はDUVレーザ光を出射するように構成したことを特徴とする請求項1又は3記載の欠陥検査装置。
- 前記検出光学系において、検出結像倍率を可変に構成したことを特徴とする請求項1又は3記載の欠陥検査装置。
- 回路パターンが形成された被検査対象基板を載置したステージを走行させる走行過程と、
レーザ光源から出射されるビームを主光路から第1又は第2の光路に導き、該第1又は第2の光路に導かれたビーム光束を、前記被検査対象基板の面に対して所定の傾斜角度を有し、前記回路パターンの主要な直線群に対して平面上所定の傾きを有する方向から、長手方向にはほぼ平行光からなるスリット状ビームに集束させて前記長手方向が前記ステージの走行方向に対してほぼ直角になるように前記被検査対象基板上に照射する照射過程と、
該照射過程によってスリット状ビームが照射された被検査対象基板上に存在する異物等の欠陥から得られる反射散乱光を対物レンズで集光し、該集光された反射散乱光をイメージセンサで受光して信号に変換して検出する検出過程と、
該検出過程においてイメージセンサから検出された信号に基づいて異物等の欠陥を示す信号を抽出する画像処理過程とを有し、
前記照射過程において、前記第1又は第2の光路に導かれたビーム光束をミラーによって反射して下方に向け、該下方に向けられたビーム光束をシリンドリカルレンズ及び傾斜ミラーを用いて前記平面上前記所定の傾き方向から前記傾斜角で前記被検査対象基板上に前記スリット状ビームとして集束させることを特徴とする欠陥検査方法。 - 回路パターンが形成された被検査対象基板を載置したステージを走行させる走行過程と、
レーザ光源から出射されるビームを主光路から第1の光路、第2の光路、第3の光路の各々に導く第1のステップと、該第1の光路に導かれた第1のビーム光束を、前記被検査対象基板の面に対して所定の傾斜角度を有し、前記回路パターンの主要な直線群の内X軸方向に対して平面上時計方向に所定の傾きを有する方向から、長手方向にはほぼ平行光からなる第1のスリット状ビームに集束させて前記長手方向が前記ステージの走行方向に対してほぼ直角になるように前記被検査対象基板上に照射する第2のステップと、前記第2の光路に導かれた第2のビーム光束を、前記被検査対象基板の面に対して所定の傾斜角度を有し、前記X軸方向に対して平面上反時計方向に所定の傾きを有する方向から、長手方向にはほぼ平行光からなる第2のスリット状ビームに集束させて前記長手方向が前記ステージの走行方向に対してほぼ直角になるように前記被検査対象基板上に照射する第3のステップと、前記第3の光路に導かれた第3のビーム光束を、前記被検査対象基板の面に対して所定の傾斜角度を有し、平面上前記X軸方向から、長手方向にはほぼ平行光からなる第3のスリット状ビームに集束させて前記長手方向が前記ステージの走行方向に対してほぼ直角になるように前記被検査対象基板上に照射する第4のステップとを有する照射過程と、
該照射過程によってスリット状ビームが照射された被検査対象基板上に存在する異物等の欠陥から得られる反射散乱光を対物レンズで集光し、該集光された反射散乱光をイメージセンサで受光して信号に変換して検出する検出過程と、
該検出過程においてイメージセンサから検出された信号に基づいて異物等の欠陥を示す信号を抽出する画像処理過程とを有し、
前記照射過程において、前記第2のステップは、前記第1の光路に導かれた前記第1のビーム光束を第1のミラーで反射して下方に向け、該下方に向けられたビーム光束を第1のシリンドリカルレンズ及び第1の傾斜ミラーを用いて前記平面上時計方向に前記所定の傾きを有する方向から前記傾斜角で前記被検査対象基板上に前記第1のスリット状ビームとして集光させ、前記第3のステップは、前記第2の光路に導かれた前記第2のビーム光束を第2のミラーで反射して下方に向け、該下方に向けられたビーム光束を第2のシリンドリカルレンズ及び第2の傾斜ミラーを用いて前記平面上反時計方向に前記所定の傾きを有する方向から前記傾斜角で前記被検査対象基板上に前記第1のスリット状ビームとして集光させ、前記第4のステップは、前記第3の光路に導かれた前記第3のビーム光束を第3のミラーで反射して下方に向け、該下方に向けられたビーム光束を第3のシリンドリカルレンズ及び第3の傾斜ミラーを用いて前記平面上前記X軸方向から前記傾斜角で前記被検査対象基板上に前記第3のスリット状ビームとして集光させることを特徴とする欠陥検査方法。
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---|---|---|---|
JP2006013285A JP4996856B2 (ja) | 2006-01-23 | 2006-01-23 | 欠陥検査装置およびその方法 |
US11/653,322 US7333192B2 (en) | 2006-01-23 | 2007-01-16 | Apparatus and method for inspecting defects |
US12/029,660 US20080144024A1 (en) | 2006-01-23 | 2008-02-12 | Apparatus And Method For Inspecting Defects |
US12/328,357 US7768635B2 (en) | 2006-01-23 | 2008-12-04 | Apparatus and method for inspecting defects |
US12/827,470 US20100265496A1 (en) | 2006-01-23 | 2010-06-30 | Apparatus and method for inspecting defects |
US12/950,243 US7973920B2 (en) | 2006-01-23 | 2010-11-19 | Apparatus and method for inspecting defects |
US13/172,233 US8218138B2 (en) | 2006-01-23 | 2011-06-29 | Apparatus and method for inspecting defects |
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---|---|---|---|
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---|---|
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---|---|---|---|
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---|---|
US (6) | US7333192B2 (ja) |
JP (1) | JP4996856B2 (ja) |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009162563A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Canon It Solutions Inc | デバイス外観検査装置及び方法、プログラム |
WO2009125805A1 (ja) * | 2008-04-09 | 2009-10-15 | 株式会社ニコン | 表面検査方法および表面検査装置 |
KR100997884B1 (ko) | 2008-09-08 | 2010-12-02 | 김주환 | 웨이퍼 검사장치 |
JP2011012966A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Hitachi High-Technologies Corp | パターン付き基板検査装置およびパターン付き基板検査方法 |
KR101030637B1 (ko) * | 2009-02-02 | 2011-04-20 | 포항공과대학교 산학협력단 | 표면 결함 검사장치 |
JP2011112449A (ja) * | 2009-11-25 | 2011-06-09 | Hitachi High-Technologies Corp | 表面欠陥検査方法及び検査装置 |
WO2011089829A1 (ja) * | 2010-01-22 | 2011-07-28 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置およびその方法 |
JP2012047654A (ja) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査装置および欠陥検査方法 |
WO2012043039A1 (ja) * | 2010-09-27 | 2012-04-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
JP2012533756A (ja) * | 2009-07-22 | 2012-12-27 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーション | リング状照射を備える暗視野検査システム |
WO2013046998A1 (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-04 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 基板に形成された形状を計測するための装置 |
JP2013238501A (ja) * | 2012-05-16 | 2013-11-28 | Hitachi High-Technologies Corp | 検査装置 |
JP2013250225A (ja) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | Toray Eng Co Ltd | 外観検査装置及び外観検査方法 |
US8634069B2 (en) | 2008-05-16 | 2014-01-21 | Hitachi High-Technologies Corporation | Defect inspection device and defect inspection method |
JP2022543072A (ja) * | 2019-08-07 | 2022-10-07 | ナノトロニクス イメージング インコーポレイテッド | 反射標本のマクロ検査のためのシステム、方法および装置 |
US11656184B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-05-23 | Nanotronics Imaging, Inc. | Macro inspection systems, apparatus and methods |
US11961210B2 (en) | 2019-08-07 | 2024-04-16 | Nanotronics Imaging, Inc. | System, method and apparatus for macroscopic inspection of reflective specimens |
Families Citing this family (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100608497B1 (ko) * | 2004-08-04 | 2006-08-09 | 주식회사 디지탈바이오테크놀러지 | 광학 장치 및 이를 구비한 미세입자 관찰 장치 |
JP4988223B2 (ja) * | 2005-06-22 | 2012-08-01 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置およびその方法 |
JP4996856B2 (ja) * | 2006-01-23 | 2012-08-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置およびその方法 |
US7719671B2 (en) * | 2006-02-24 | 2010-05-18 | Hitachi High-Technologies Corporation | Foreign matter inspection method and foreign matter inspection apparatus |
JP4897334B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2012-03-14 | 株式会社トプコン | 表面検査方法及び表面検査装置 |
KR100750193B1 (ko) * | 2006-06-16 | 2007-08-17 | 삼성전자주식회사 | 방향성 결함 분류 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 |
DE102007036811B3 (de) * | 2007-08-03 | 2008-12-18 | Vistec Semiconductor Systems Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Erfassen der gesamten Oberfläche eines Wafers |
CN101796381B (zh) * | 2007-08-30 | 2013-05-01 | 日本碍子株式会社 | 被检体的缺陷检查方法 |
US8351683B2 (en) * | 2007-12-25 | 2013-01-08 | Hitachi High-Technologies Corporation | Inspection apparatus and inspection method |
JP5156413B2 (ja) | 2008-02-01 | 2013-03-06 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
JP2010025713A (ja) * | 2008-07-18 | 2010-02-04 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
JP5216752B2 (ja) * | 2009-11-18 | 2013-06-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検出方法及び欠陥検出装置並びにこれを備えた欠陥観察装置 |
JP5246187B2 (ja) * | 2010-03-15 | 2013-07-24 | オムロン株式会社 | X線検査装置、x線検査方法およびプログラム |
CN103210482B (zh) * | 2010-08-09 | 2016-06-22 | Bt成像股份有限公司 | 持久性特征检测 |
US20120050522A1 (en) * | 2010-08-24 | 2012-03-01 | Research In Motion Limited | Method of and apparatus for verifying assembly components of a mobile device |
WO2012091494A2 (ko) * | 2010-12-29 | 2012-07-05 | 주식회사 고영테크놀러지 | 기판 검사방법 |
JP5489298B2 (ja) * | 2011-06-27 | 2014-05-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 表面検査装置及び表面検査方法 |
US9503606B2 (en) | 2011-09-28 | 2016-11-22 | Semiconductor Components Industries, Llc | Time-delay-and-integrate image sensors having variable integration times |
DE102012102221A1 (de) * | 2012-03-16 | 2013-09-19 | Krones Ag | Vorrichtung zur verwendung bei einer inspektion eines behälters, inspektionssystem und inspektionsverfahren |
JP5451832B2 (ja) * | 2012-08-21 | 2014-03-26 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | パターン検査装置 |
FR3002800A1 (fr) * | 2013-03-01 | 2014-09-05 | Commissariat Energie Atomique | Procede et appareil de caracterisation d'une surface diffractante. |
US9275450B2 (en) * | 2013-04-09 | 2016-03-01 | Kla-Tencor Corp. | High accuracy design based classification |
KR101674391B1 (ko) * | 2013-12-26 | 2016-11-09 | 재단법인 포항산업과학연구원 | 렌즈 오염도 측정 장치 및 방법 |
EP3132467A4 (en) | 2014-04-17 | 2017-11-01 | Femtometrix, Inc. | Wafer metrology technologies |
KR101636055B1 (ko) * | 2014-04-30 | 2016-07-05 | 주식회사 나노프로텍 | 편광을 이용한 투명기판 상면 이물 검출 방법 |
SG11201610106SA (en) | 2014-06-10 | 2016-12-29 | Asml Netherlands Bv | Computational wafer inspection |
WO2016045901A1 (en) | 2014-09-22 | 2016-03-31 | Asml Netherlands B.V. | Process window identifier |
US10888642B2 (en) | 2014-10-20 | 2021-01-12 | Amico Patient Care Corporation | Method and system for signaling responsive to sensing contamination in a suction regulator device |
CA2908983A1 (en) * | 2014-10-20 | 2016-04-20 | Amico Patient Care Corporation | Method and system for signaling responsive to sensing contamination in a suction regulator device |
EP3218924B1 (en) | 2014-11-12 | 2020-02-12 | Femtometrix, Inc. | Systems for parsing material properties from within shg signals |
US10309907B2 (en) * | 2015-03-04 | 2019-06-04 | Kla-Tencor Corporation | All reflective wafer defect inspection and review systems and methods |
US10545490B2 (en) * | 2015-06-01 | 2020-01-28 | Applied Materials Israel Ltd. | Method of inspecting a specimen and system thereof |
US10042324B2 (en) * | 2015-06-30 | 2018-08-07 | Synaptics Incorporated | Optical fingerprint imaging using holography |
CN115096826A (zh) | 2015-09-03 | 2022-09-23 | 加州理工学院 | 表征高k介质的光学系统以及方法 |
US11217009B2 (en) | 2015-11-30 | 2022-01-04 | Photopotech LLC | Methods for collecting and processing image information to produce digital assets |
US10778877B2 (en) * | 2015-11-30 | 2020-09-15 | Photopotech LLC | Image-capture device |
US10253975B2 (en) | 2016-03-17 | 2019-04-09 | Lamplight Farms Incorporated | Torch with elevated platform |
JP6717081B2 (ja) * | 2016-06-30 | 2020-07-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の欠陥検査装置、基板欠陥検査用の感度パラメータ値の調整方法及び記憶媒体 |
US10783624B2 (en) * | 2016-07-18 | 2020-09-22 | Instrumental, Inc. | Modular optical inspection station |
WO2018132258A1 (en) | 2017-01-10 | 2018-07-19 | Sunspring America, Inc. | Technologies for identifying defects |
DE112017007576T5 (de) | 2017-05-22 | 2020-03-05 | Kla Corporation | Zonenanalyse zur rezeptoptimierung und messung |
KR20190079560A (ko) * | 2017-12-27 | 2019-07-05 | 주성엔지니어링(주) | 기판 검사 장치 및 기판 검사 방법 |
JP2021530670A (ja) | 2018-05-15 | 2021-11-11 | フェムトメトリクス, インク. | 第二高調波発生(shg)光学的検査システムの設計 |
KR102130837B1 (ko) * | 2018-11-15 | 2020-07-06 | 심상헌 | 디지털 프로젝터 검사기 및 이를 이용한 검사방법 |
CN110570393B (zh) * | 2019-07-31 | 2023-06-23 | 华南理工大学 | 一种基于机器视觉的手机玻璃盖板视窗区缺陷检测方法 |
CN111707614B (zh) * | 2020-04-13 | 2023-08-18 | 深圳市正宇兴电子有限公司 | 一种光学芯片表面沾污缺陷检测方法及线激光视觉检测系统 |
CN113394141B (zh) * | 2021-08-18 | 2021-10-29 | 湖南省计量检测研究院 | 一种芯片结构缺陷的质量评估系统及方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02276027A (ja) * | 1989-01-06 | 1990-11-09 | Toshiba Corp | 光ヘッド及びこれを用いた焦点誤差検出装置 |
JPH06249789A (ja) * | 1993-02-26 | 1994-09-09 | Hitachi Ltd | 欠陥検査装置およびその方法 |
JP2000105203A (ja) * | 1998-07-28 | 2000-04-11 | Hitachi Ltd | 欠陥検査装置およびその方法 |
JP2004177284A (ja) * | 2002-11-27 | 2004-06-24 | Hitachi Ltd | 欠陥検査装置および欠陥検査方法 |
JP2004233163A (ja) * | 2003-01-29 | 2004-08-19 | Hitachi High-Technologies Corp | パターン欠陥検査方法およびその装置 |
JP2005337851A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法及びその装置 |
Family Cites Families (69)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US264797A (en) | 1882-09-19 | Jacob tschiember | ||
JPS56126747A (en) * | 1980-03-12 | 1981-10-05 | Hitachi Ltd | Inspecting method for flaw, alien substance and the like on surface of sample and device therefor |
DE3274015D1 (en) * | 1981-07-14 | 1986-12-04 | Hitachi Ltd | Pattern detection system |
US4521075A (en) | 1983-03-07 | 1985-06-04 | Obenschain Stephen P | Controllable spatial incoherence echelon for laser |
JPH0721583B2 (ja) | 1985-01-22 | 1995-03-08 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
US4619508A (en) | 1984-04-28 | 1986-10-28 | Nippon Kogaku K. K. | Illumination optical arrangement |
JPH0786465B2 (ja) | 1987-10-30 | 1995-09-20 | 株式会社日立製作所 | 異物検出方法及び装置 |
US5161139A (en) | 1989-01-06 | 1992-11-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Focusing error detecting apparatus |
US5029975A (en) | 1990-01-24 | 1991-07-09 | The Mitre Corporation | Despeckling screen utilizing optical fibers and method of reducing interference using same |
JP3109840B2 (ja) * | 1990-12-28 | 2000-11-20 | キヤノン株式会社 | 面状態検査装置 |
US6411377B1 (en) * | 1991-04-02 | 2002-06-25 | Hitachi, Ltd. | Optical apparatus for defect and particle size inspection |
US5120126A (en) * | 1991-06-14 | 1992-06-09 | Ball Corporation | System for non-contact colored label identification and inspection and method therefor |
JPH0580497A (ja) * | 1991-09-20 | 1993-04-02 | Canon Inc | 面状態検査装置 |
JPH06167640A (ja) | 1991-10-03 | 1994-06-14 | Senri Oyo Keisoku Kenkyusho:Kk | レーザー光照明装置 |
JP3599631B2 (ja) | 1993-03-09 | 2004-12-08 | 株式会社ルネサステクノロジ | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
JP3275425B2 (ja) | 1993-03-09 | 2002-04-15 | 株式会社日立製作所 | 欠陥検出装置およびその方法 |
JP3593375B2 (ja) | 1995-02-07 | 2004-11-24 | 株式会社日立製作所 | 微小欠陥検出方法及びその装置 |
US6288780B1 (en) * | 1995-06-06 | 2001-09-11 | Kla-Tencor Technologies Corp. | High throughput brightfield/darkfield wafer inspection system using advanced optical techniques |
JPH1038513A (ja) | 1996-07-22 | 1998-02-13 | Nikon Corp | 表面高さ計測装置及び、これを用いた露光装置 |
JP3394418B2 (ja) | 1997-05-14 | 2003-04-07 | 株式会社トプコン | 眼科装置 |
JPH1130590A (ja) | 1997-07-10 | 1999-02-02 | Hitachi Ltd | 異物欠陥検査装置及び半導体デバイスの製造方法 |
US6608676B1 (en) * | 1997-08-01 | 2003-08-19 | Kla-Tencor Corporation | System for detecting anomalies and/or features of a surface |
US6107637A (en) * | 1997-08-11 | 2000-08-22 | Hitachi, Ltd. | Electron beam exposure or system inspection or measurement apparatus and its method and height detection apparatus |
JPH11183393A (ja) * | 1997-10-13 | 1999-07-09 | Mitsubishi Electric Corp | パターン欠陥検査装置及びパターン欠陥検査方法 |
US5920380A (en) | 1997-12-19 | 1999-07-06 | Sandia Corporation | Apparatus and method for generating partially coherent illumination for photolithography |
JP3400939B2 (ja) * | 1998-02-03 | 2003-04-28 | 富士通株式会社 | 光ディスク用情報読み取り・書き込み装置 |
US6169634B1 (en) | 1998-06-08 | 2001-01-02 | Optimet, Optical Metrology Ltd | Illumination techniques for overcoming speckle artifacts in metrology applications |
US6072631A (en) | 1998-07-09 | 2000-06-06 | 3M Innovative Properties Company | Diffractive homogenizer with compensation for spatial coherence |
JP3904581B2 (ja) | 1998-07-28 | 2007-04-11 | 株式会社日立製作所 | 欠陥検査装置およびその方法 |
JP3904565B2 (ja) | 1998-07-28 | 2007-04-11 | 株式会社日立製作所 | 欠陥検査装置およびその方法 |
JP2000121836A (ja) | 1998-10-09 | 2000-04-28 | Sony Corp | 光源装置、照明方法及びその装置、並びに、光学装置 |
JP2000162141A (ja) | 1998-11-27 | 2000-06-16 | Hitachi Ltd | 欠陥検査装置および方法 |
US6800859B1 (en) | 1998-12-28 | 2004-10-05 | Hitachi, Ltd. | Method and equipment for detecting pattern defect |
JP2000223541A (ja) | 1999-01-27 | 2000-08-11 | Hitachi Ltd | 欠陥検査装置およびその方法 |
US6091488A (en) * | 1999-03-22 | 2000-07-18 | Beltronics, Inc. | Method of and apparatus for automatic high-speed optical inspection of semi-conductor structures and the like through fluorescent photoresist inspection |
US6774991B1 (en) * | 1999-05-27 | 2004-08-10 | Inspex Incorporated | Method and apparatus for inspecting a patterned semiconductor wafer |
US6366352B1 (en) * | 1999-06-10 | 2002-04-02 | Applied Materials, Inc. | Optical inspection method and apparatus utilizing a variable angle design |
JP3904796B2 (ja) | 2000-03-14 | 2007-04-11 | 株式会社日立製作所 | 異物または欠陥検査装置、および、異物または欠陥検査方法 |
JP3793668B2 (ja) | 1999-08-24 | 2006-07-05 | 株式会社日立製作所 | 異物欠陥検査方法及びその装置 |
US6621571B1 (en) | 1999-10-29 | 2003-09-16 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for inspecting defects in a patterned specimen |
JP4009409B2 (ja) | 1999-10-29 | 2007-11-14 | 株式会社日立製作所 | パターン欠陥検査方法及びその装置 |
US6369888B1 (en) | 1999-11-17 | 2002-04-09 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for article inspection including speckle reduction |
JP3784603B2 (ja) | 2000-03-02 | 2006-06-14 | 株式会社日立製作所 | 検査方法及びその装置並びに検査装置における検査条件設定方法 |
JP3858571B2 (ja) | 2000-07-27 | 2006-12-13 | 株式会社日立製作所 | パターン欠陥検査方法及びその装置 |
JP4230674B2 (ja) | 2001-03-01 | 2009-02-25 | 株式会社日立製作所 | 欠陥検査装置およびその方法 |
JP2002261139A (ja) | 2001-03-01 | 2002-09-13 | Hitachi Ltd | 半導体の製造方法およびそのシステム |
JP4122735B2 (ja) | 2001-07-24 | 2008-07-23 | 株式会社日立製作所 | 半導体デバイスの検査方法および検査条件設定方法 |
US6927847B2 (en) * | 2001-09-13 | 2005-08-09 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method and apparatus for inspecting pattern defects |
US6900888B2 (en) | 2001-09-13 | 2005-05-31 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method and apparatus for inspecting a pattern formed on a substrate |
JP2003177102A (ja) | 2001-09-13 | 2003-06-27 | Hitachi Ltd | パターン欠陥検査方法およびその装置 |
US6700658B2 (en) * | 2001-10-05 | 2004-03-02 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and apparatus for circuit pattern inspection |
JP2003167213A (ja) | 2001-12-04 | 2003-06-13 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 可干渉性解消素子およびビームホモジナイザ |
GB2387449B (en) | 2002-04-08 | 2006-06-07 | Nordson Uv Ltd | Lamp control system |
JP3729154B2 (ja) | 2002-05-10 | 2005-12-21 | 株式会社日立製作所 | パターン欠陥検査方法及びその装置 |
US6895149B1 (en) | 2002-05-13 | 2005-05-17 | James Jeffery Jacob | Apparatus for beam homogenization and speckle reduction |
JP4387089B2 (ja) | 2002-08-30 | 2009-12-16 | 株式会社日立製作所 | 欠陥検査装置および欠陥検査方法 |
JP3816426B2 (ja) | 2002-09-09 | 2006-08-30 | 株式会社ルネサステクノロジ | プロセス処理装置 |
WO2004031754A1 (en) | 2002-09-30 | 2004-04-15 | Applied Materials Israel, Ltd. | Dark field inspection system |
JP2004184142A (ja) | 2002-12-02 | 2004-07-02 | Hitachi Ltd | 欠陥検査方法及びその装置 |
JP2004177377A (ja) | 2002-11-29 | 2004-06-24 | Hitachi Ltd | 検査方法および検査装置 |
DE10330005B4 (de) * | 2003-07-03 | 2006-12-21 | Leica Microsystems Semiconductor Gmbh | Vorrichtung zur Inspektion eines Wafers |
JP2004039252A (ja) | 2003-09-12 | 2004-02-05 | Tdk Corp | 光記録媒体への記録方法 |
JP4521240B2 (ja) | 2003-10-31 | 2010-08-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥観察方法及びその装置 |
JP2005283190A (ja) | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Hitachi High-Technologies Corp | 異物検査方法及びその装置 |
JP2006029881A (ja) | 2004-07-14 | 2006-02-02 | Hitachi High-Technologies Corp | パターン欠陥検査方法および装置 |
JP2006132947A (ja) | 2004-11-02 | 2006-05-25 | Hitachi High-Technologies Corp | 検査装置および検査方法 |
JP4751617B2 (ja) * | 2005-01-21 | 2011-08-17 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法及びその装置 |
JP4394631B2 (ja) | 2005-10-24 | 2010-01-06 | 株式会社日立製作所 | 欠陥検査方法およびその装置 |
JP4996856B2 (ja) * | 2006-01-23 | 2012-08-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置およびその方法 |
-
2006
- 2006-01-23 JP JP2006013285A patent/JP4996856B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-01-16 US US11/653,322 patent/US7333192B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
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2010
- 2010-06-30 US US12/827,470 patent/US20100265496A1/en not_active Abandoned
- 2010-11-19 US US12/950,243 patent/US7973920B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-06-29 US US13/172,233 patent/US8218138B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02276027A (ja) * | 1989-01-06 | 1990-11-09 | Toshiba Corp | 光ヘッド及びこれを用いた焦点誤差検出装置 |
JPH06249789A (ja) * | 1993-02-26 | 1994-09-09 | Hitachi Ltd | 欠陥検査装置およびその方法 |
JP2000105203A (ja) * | 1998-07-28 | 2000-04-11 | Hitachi Ltd | 欠陥検査装置およびその方法 |
JP2004177284A (ja) * | 2002-11-27 | 2004-06-24 | Hitachi Ltd | 欠陥検査装置および欠陥検査方法 |
JP2004233163A (ja) * | 2003-01-29 | 2004-08-19 | Hitachi High-Technologies Corp | パターン欠陥検査方法およびその装置 |
JP2005337851A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法及びその装置 |
Cited By (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009162563A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Canon It Solutions Inc | デバイス外観検査装置及び方法、プログラム |
WO2009125805A1 (ja) * | 2008-04-09 | 2009-10-15 | 株式会社ニコン | 表面検査方法および表面検査装置 |
JPWO2009125805A1 (ja) * | 2008-04-09 | 2011-08-04 | 株式会社ニコン | 表面検査方法および表面検査装置 |
US8115916B2 (en) | 2008-04-09 | 2012-02-14 | Nikon Corporation | Surface inspecting method and surface inspecting apparatus |
US8634069B2 (en) | 2008-05-16 | 2014-01-21 | Hitachi High-Technologies Corporation | Defect inspection device and defect inspection method |
KR100997884B1 (ko) | 2008-09-08 | 2010-12-02 | 김주환 | 웨이퍼 검사장치 |
KR101030637B1 (ko) * | 2009-02-02 | 2011-04-20 | 포항공과대학교 산학협력단 | 표면 결함 검사장치 |
JP2011012966A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Hitachi High-Technologies Corp | パターン付き基板検査装置およびパターン付き基板検査方法 |
JP2012533756A (ja) * | 2009-07-22 | 2012-12-27 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーション | リング状照射を備える暗視野検査システム |
KR101803109B1 (ko) * | 2009-07-22 | 2017-11-29 | 케이엘에이-텐코 코포레이션 | 링 조명을 갖는 다크 필드 검사 시스템 |
US9176072B2 (en) | 2009-07-22 | 2015-11-03 | Kla-Tencor Corporation | Dark field inspection system with ring illumination |
JP2011112449A (ja) * | 2009-11-25 | 2011-06-09 | Hitachi High-Technologies Corp | 表面欠陥検査方法及び検査装置 |
JP2011149869A (ja) * | 2010-01-22 | 2011-08-04 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査装置およびその方法 |
WO2011089829A1 (ja) * | 2010-01-22 | 2011-07-28 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置およびその方法 |
US8830465B2 (en) | 2010-08-30 | 2014-09-09 | Hitachi High-Technologies Corporation | Defect inspecting apparatus and defect inspecting method |
JP2012047654A (ja) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査装置および欠陥検査方法 |
WO2012043039A1 (ja) * | 2010-09-27 | 2012-04-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
JP2012068205A (ja) * | 2010-09-27 | 2012-04-05 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
US8564767B2 (en) | 2010-09-27 | 2013-10-22 | Hitachi High-Technologies Corporation | Defect inspecting apparatus and defect inspecting method |
WO2013046998A1 (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-04 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 基板に形成された形状を計測するための装置 |
JP2013238501A (ja) * | 2012-05-16 | 2013-11-28 | Hitachi High-Technologies Corp | 検査装置 |
JP2013250225A (ja) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | Toray Eng Co Ltd | 外観検査装置及び外観検査方法 |
WO2013183471A1 (ja) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | 東レエンジニアリング株式会社 | 外観検査装置及び外観検査方法 |
US11656184B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-05-23 | Nanotronics Imaging, Inc. | Macro inspection systems, apparatus and methods |
JP2022543072A (ja) * | 2019-08-07 | 2022-10-07 | ナノトロニクス イメージング インコーポレイテッド | 反射標本のマクロ検査のためのシステム、方法および装置 |
US11663703B2 (en) | 2019-08-07 | 2023-05-30 | Nanotronics Imaging, Inc. | System, method and apparatus for macroscopic inspection of reflective specimens |
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