JPS6237388B2 - - Google Patents

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JPS6237388B2
JPS6237388B2 JP304481A JP304481A JPS6237388B2 JP S6237388 B2 JPS6237388 B2 JP S6237388B2 JP 304481 A JP304481 A JP 304481A JP 304481 A JP304481 A JP 304481A JP S6237388 B2 JPS6237388 B2 JP S6237388B2
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JP
Japan
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light
photomask
slit
laser
white spot
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JP304481A
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Katsuro Mizukoshi
Mikio Ppongo
Masaaki Okunaka
Takeoki Myauchi
Masao Mitani
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP304481A priority Critical patent/JPS57118246A/ja
Priority to US06/338,864 priority patent/US4444801A/en
Publication of JPS57118246A publication Critical patent/JPS57118246A/ja
Publication of JPS6237388B2 publication Critical patent/JPS6237388B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/72Repair or correction of mask defects
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/105Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by conversion of non-conductive material on or in the support into conductive material, e.g. by using an energy beam
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/225Correcting or repairing of printed circuits

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、IC、LSIなどの半導体装置製造に用
いられるフオトマスクのパターンに生ずる白点欠
陥修正方法および装置に関するものである。
LSIなどの半導体装置製造の歩留り低下の原因
の一つにフオトマスクのパターンの欠陥がある。
この欠陥には白点欠陥と呼ばれる正常なパターン
の一部が欠落しているものがある。
前記白点欠陥を修正する技術として従来リフト
オフ法が用いられている。この方法は、レジスト
を付着させた白点欠陥部を選択的に露光した後、
当該露光に係る欠陥部に金属を蒸着するものであ
る。しかし、この方法には修正工数が多く、かつ
長時間を要するなどの問題点がある。
また、レーザ光を用いて白点欠陥部に部分蒸着
を施す方法も提案されているが、この方法は精
度、膜強度が悪い等の実用上の問題がある。
本発明の目的は、前記従来技術の欠点および問
題点をなくし、従来より簡略な工程と短時間で、
しかも精度よくフオトマスクの白点欠陥を修正す
ることができるフオトマスクの白点欠陥修正方法
および装置を提供するにある。
本発明方法の特徴は、白点欠陥を有するフオト
マスクの少なくとも白点欠陥部とその周辺に修正
材料を塗布した後、白点欠陥部に選択的に波長
1.3μm以下の光を照射して修正材料を変質せし
め、変質の過程で変化するフオトマスクおよび修
正材料からの観察光または参照光の反射像を識別
し、波長1.3μm以下の光の照射範囲内の反射像
内のコントラストの差が一定の値以下になつたと
き、その直後または一定時間経過後に光の照射を
停止するところに存し、この構成により従来法に
比し、簡略な工程と少ない時間で、精度よく前記
白点欠陥部を修正しうるフオトマスクの白点欠陥
修正方法を得たものである。
そして、本発明装置の特徴は、波長1.3μm以
下の光を発振するレーザ発振器と、該発振器より
放出されたレーザ光を任意の矩形に成形するため
の矩形開口スリツトと、スリツトの大きさの整合
および位置合わせを行うための参照光を照射する
照明装置と、前記レーザ光と参照光とを合わせて
前記矩形開口スリツトへ導くための手段と、フオ
トマスクのパターンを観察するための観察光を照
射する照明装置と、前記矩形開口スリツトを通過
してきたレーザ光または参照光と観察光とを合わ
せる手段と、レーザ光または参照光によるスリツ
トの投影像と観察光とを前記フオトマスク上に投
影および照射する対物レンズと、フオトマスクを
載置してX−Y方向に移動可能なX−Yテーブル
と、観察光または参照光によるフオトマスクの反
射像を検知して表示する表示手段と、前記X−Y
テーブルと矩形開口スリツトとレーザ発振器とを
制御するとともに反射像内のコントラストの差を
識別するための制御部とを備えて構成されている
ところに存し、この構成により前記白点欠陥修正
方法を的確に実施しうるフオトマスクの白点欠陥
修正装置を得たものである。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。
第1図aは本発明で対象とする白点欠陥部4を
有するフオトマスクの断面図であり、第1図bは
それに修正材料3を塗布したものである。
ここで用いられる修正材料3は、光を照射され
ることにより紫外光および可視光(波長100〜
760nm)に対しての遮光性が高まるものが望ま
しく、例えば金属としてCrまたはCuあるいはPd
等を含んだエチレンイミンの金属キレートポリマ
ーや有機溶媒に硝酸銀または硝酸コバルトあるい
は硝酸銅を添加した金属錯体溶液などが採用され
る。
これらの修正材料3を白点欠陥部4を有するフ
オトマスクの局所、すなわち白点欠陥部4とその
周辺あるいは全面に塗布し、必要があれば乾燥を
行い、その後第2図に示される白点欠陥修正装置
を用いて修正を行う。
この第2図に示される実施例の白点欠陥修正装
置は、レーザ発振器7、該レーザ発振器7から発
振されたレーザ光8をフオトマスクの配置方向に
曲げかつレーザ光8と参照光とを合わせて導くた
めの手段であるダイクロイツクミラー9、参照光
または観察光によるスリツトの投影像を表示手段
方向に導くダイクロイツクミラー10、スリツト
駆動機構26を有しかつレーザ光8と参照光とを
任意の矩形に成形する矩形開口スリツト11、レ
ーザ光8または参照光と観察光とを合わせて導く
ための手段であるハーフミラー12、レーザ光8
または参照光によるスリツトの投影像と観察光と
をフオトマスク上に投影および照射する対物レン
ズ13、修正すべきフオトマスクを載置しかつモ
ータ6を有してX−Y方向に移動するX−Yテー
ブル5、参照光の照明装置を構成する参照光光源
14と干渉フイルタ15、フオトマスクの反射像
の表示手段を構成する干渉フイルタ17とリレー
レンズ18とテレビカメラ19とモニタ用テレビ
20、観察光の照明装置を構成する観察光光源1
6とハーフミラー22と観察光学系23、X−Y
テーブル5のモータ6とレーザ発振器7と矩形開
口スリツト11のスリツト駆動機構26を制御す
るとともに反射像内のコントラストの差を識別す
る制御部21とを備えて構成されている。
前記白点欠陥修正装置では、レーザ発振器7に
より波長1.3μm以下の光が発振され、そのレー
ザ光8の波長のみを反射するダイクロイツクミラ
ー9により光路を曲げられ、レーザ光8と参照光
とを透過するダイクロイツクミラー10を透廻
し、制御部21からの信号により作動するスリツ
ト駆動機構26によつてX−Y両方向の巾を独立
に設定できる矩形開口スリツト11に達し、任意
の矩形に形成される。
前記矩形開口スリツト11により任意の矩形に
成形されたレーザ光8は、ハーフミラー12を透
過し、対物レンズ13によりフオトマスクの白点
欠陥部4に集光され、フオトマスクの白点欠陥部
4に波長1.3μm以下の光が照射される。
本発明においてフオトマスクの白点欠陥部4に
波長1.3μm以下の光を照射する理由は次のとお
りである。即ち、本発明で対象とする半導体装置
製造に用いられるフオトマスクのパターン巾はワ
ーキングマスク(1倍像のマスク)で1〜5μm
程度、レチクル(10倍像のマスク)で10〜50μm
程度と微細であり、これらのパターンに生じた白
点欠陥部4を修正するには、光をこれらのパター
ン巾より微小に集光する必要があるためである。
光の集束は、その波長程度が限界であるので、こ
のような微細なパターンを修正するには、短波長
の光の方が有効である。
また本発明で用いる修正材料の分光透過曲線の
一例を第6図に示す。Wランプを用いて測定した
ものである。同図で示される修正材料は、Ag錯
体をガラス基板にスピンナ塗布(1000r・p・
m、30秒)し、その後、85℃で10分間乾燥したも
のである。これにより波長が短くなるに従い、吸
収率が大きくなつていることがわかる。このこと
から、波長の短かい光を用いれば、その光源の出
力は小さくともよいことになる。なお、Cu錯体
のようにどの波長に対しても、ほぼ一定の吸収率
をもつものもある。
前記フオトマスクは、矩形開口スリツト11の
像が対物レンズ13により、対物レンズ13の倍
率Mの逆数の1/Mに縮小されて投影される位置
に配置される。
修正すべきフオトマスクは、X−Yテーブル5
上に載置される。該X−Yテーブル5は、前記位
置関係を維持しつつ制御部21からの信号により
駆動するモータ6によつてX−Y方向に移動操作
される。
フオトマスクのパターン2の観察および位置合
わせは、観察光光源16から投光される観察光を
ハーフミラー12およびハーフミラー22で結合
することにより観察光学系23で行うことが可能
である。
干渉フイルタ24は、作業者の安全のためにレ
ーザ光8の波長をカツトするものであるが、ハー
フミラー12がレーザ光8の波長に対し、100%
近い透過特性をもつものであれば特に設ける必要
はない。
また、矩形開口スリツト11を大きく開くこと
によりテレビカメラ19およびモニタ用テレビ2
0によつて観察できる。
参照光光源14からは、レーザ光8がフオトマ
スク上に照射される範囲を識別するため参照光が
投光される。そして、参照光光源14より出た光
は、干渉フイルタ15によりレーザ光8の波長に
近い波長の光のみが透過され、参照光となる。こ
の参照光は、ダイクロイツクミラー9および10
を透過して矩形開口スリツト11により矩形に成
形され、矩形開口スリツト11の投影像として対
物レンズ13によりフオトマスク上に結像され
る。
前記矩形開口スリツト11の投影像は、観察光
学系23によつて観察できる。
干渉フイルタ17は、レーザ光8と参照光とを
カツトするためのもので、ダイクロイツクミラー
10の特性がレーザ光8と参照光とを100%近く
透過するものであれば特に設ける必要はない。
テレビカメラ19とモニタ用テレビ20は、レ
ーザ光8の照射範囲内の観察およびレーザ光8の
照射による修正材料3の変質を識別するためのも
のである。このテレビカメラ19は矩形開口スリ
ツト11の像がリレーレンズ18により、リレー
レンズ18の倍率Nの逆数1/Nに縮小されて投
影される位置に置かれる。テレビカメラ19によ
つて得られた照射範囲内の像の信号は、モニタ用
テレビ20および制御部21に送られる。
前記制御部21は、テレビカメラ19より送ら
れてきた照射範囲内の観察光の映像信号から任意
の走査線内の映像信号の強度分布(反射像の光強
度分布)を検知し、それを表示する機能と、修正
材料3がレーザ光8の照射により一様に変質した
か、否かを識別する機能と、レーザ発振器7の制
御をする機能と、X−Yテーブル5を制御する機
能とを有している。
つぎに、前記白点欠陥修正装置を用いて実施す
るフオトマスクの白点欠陥修正方法について第3
図a〜cおよび第4図a〜fに関連して説明す
る。
第3図aに修正材料3が局部的に塗布され、必
要により乾燥された白点欠陥部4を有するフオト
マスクを示す。このフオトマスクを第2図に示さ
れる白点欠陥修正装置のX−Yテーブル5上に載
置し、観察光学系23あるいはモニタ用テレビ2
0によつて修正箇所の位置出しを行う。
ついで、参照光を用いて第3図bに示されるよ
うに、白点欠陥部4の大きさに応じたレーザ照射
範囲30を、矩形開口スリツト11を移動して設
定する。
モニタ用テレビ20には、矩形開口スリツト1
1を通過してきた観察光の像、すなわち第3図c
に示されるような像が表示される。
つぎに、モニタ用テレビ20の画面上に第4図
aにA−A線で示されるごとく、一走査線内の映
像信号の強度分布をみる位置を設定するための検
出用設定ライン31を表示し、それを所望の位置
設定する。
このとき、制御部21内の表示部、例えばオシ
ロスコープ(図示せず)には第4図bに示される
ように、映像信号の強度分布が表示される。
ついで、修正材料3がレーザ照射により一様に
変質したか、否かを判定するための上限および下
限の設定値C1およびC2を第4図dに示されるよ
うに、制御部21の表示部に設定ライン33,3
3′を表示して設定する。これらの設定値C1およ
びC2は、修正材料3の種類によつて各々異なる
ため、予め条件出しを行い、良好なる範囲を求め
ておく必要がある。
以上の設定が終了した後、つぎに制御部21か
ら信号を与えてレーザ発振器7を発振させるか、
あるいはシヤツタ(図示せず)を開いてレーザ光
8を通過させ、レーザ照射範囲30の全域にレー
ザ光8を一括照射して修正材料3を変質させる。
この変質の途中経過を第4図cに示す。
この時点では、修正材料3の変質はレーザ照射
範囲30の全域に亘つていない。そのため、制御
部21の表示部には第4図dに示されるような映
像信号の強度分布が得られる。
さらに、レーザ光8の照射を続けると、第4図
eに示されるように、レーザ照射範囲30の全域
に修正材料3の変質が見られ、制御部21の表示
部には第4図fに示されるような映像信号の強度
分布が得られる。このとき、制御部21内では照
射範囲30内の修正材料3がレーザ光8の照射に
より一様に変質したと判定し、直ちにあるいはこ
のときより予め設定された一定時間経過後、レー
ザ光8の照射を停止する信号をレーザ発振器7あ
るいはシヤツタ駆動機構(図示せず)に送り、レ
ーザ光8を止める。
以上の工程を経て一個の白点欠陥部4を修正
後、同一基板1上に他に白点欠陥部4がある場
合、レーザ光8を停止する信号を制御部21のX
−Yテーブル5のモータ6に送り、つぎの白点欠
陥部4の番地までX−Yテーブル5を移動し、前
述の工程を繰り返して修正を行うことにより修正
時間を短かくすることができる。
フオトマスク1枚中の白点欠陥部4の全てにつ
いて修正後、フオトマスクを水あるいは有機溶剤
を用いて洗浄し、変質していない部分の修正材料
3を取り除く。
進んで、第5図a〜cはレーザ照射範囲内の修
正材料がレーザ光の照射により一様に変質した
か、否かの識別法を示す。
その第5図aに示される方法は、複数の走査線
の映像信号を検知し、各々の走査線の映像信号の
強度分布が第4図fのように設定範囲C1,C2
入つたとき、修正材料3が一様に変質したと判定
する方法である。
また、第5図bに示される方法は、レーザ照射
範囲30の映像信号を複数のエリアに分割し、各
各のエリア内における映像信号の平均強度を検知
し、それらを比較して最大値と最小値の差がある
一定の値以下になつたとき、一様に変質したと判
定する方法である。
第5図cに示される方法は、予め映像信号の強
度を測定する場所、すなわち測定点35を設定し
ておき、各々の測定点35における映像信号の強
度を比較してその差がある値以下になつたとき、
一様に変質したと判定するか、あるいは各々の測
定点35の映像信号の強度の平均値およびばらつ
きを算出し、それらの値が予め設定された範囲内
になつたとき、修正材料3が一様に変質したと判
定する方法である。
これらの識別法の他に、照射範囲30内全域の
映像信号の強度分布を検知し、それが設定範囲内
に入つたとき、一様に変質したと判定する方法も
ある。
つぎに、第7図は白点欠陥修正装置の他の実施
例を示す。この白点欠陥修正装置は、基本的には
第2図のものと変わらず、ダイクロイツクミラー
10と干渉フイルタ17およびリレーレンズ18
およびテレビカメラ19を、レーザ照射範囲30
を設定するための矩形開口スリツト11の下に配
置し、観察用矩形開口スリツト25を加えた構成
とされている。
この観察用矩形開口スリツト25と対物レンズ
13との光路長は、対物レンズ13と矩形開口ス
リツト11との光路長と同じであり、制御部21
の信号により作動するスリツト駆動機構26によ
つて矩形開口スリツト11と同じスリツト巾に設
定できる。前記観察用矩形開口スリツト25は、
モニタ用テレビ20にレーザ照射範囲30内の像
のみを映すためのものであるが、ダイクロイツク
ミラー10の特性を参照光の波長のみに対して一
定の割合を反射するものにし、参照光により得ら
れる像を用いて観察等を行うようにすれば特に設
ける必要はない。その際、干渉フイルタ17も必
要ない。
この第7図に示される白点欠陥修正装置の他の
構成、作用および修正方法は、前述の第2図のも
のと同様である。
第2図および第7図において、パターン面側よ
りレーザ光の照射を行つているがガラス基板1を
通してレーザ光の照射を行つても同様に修正がで
きる。また、修正材料3にレーザ光の照射によつ
て低抵抗の金属等を析出するものを選択すれば、
フオトマスクの白点欠陥の修正のみならず、IC
やLSIなどのようにシリコンウエハ上に形成され
た配線同志を電気的に接続することも可能であ
る。
本発明は、以上説明した構成のもので、本発明
方法によれば、フオトマスクの白点欠陥を従来の
リフトオフ法に比較して工程を簡略化でき、約1/
10の時間で修正できる効果を有する外、波長1.3
μm以下の光を白点欠陥部に一括照射するように
しているので、容易に均一に修正できる結果、修
正精度を著しく向上しうる効果もある。
また、本発明装置によれば、前記白点欠陥修正
方法を適確に実施できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図aは修正すべき白点欠陥を有するフオト
マスクの断面図、第1図bは白点欠陥を有する面
に修正材料を塗布したフオトマスクの断面図、第
2図は本発明方法を実施するための白点欠陥修正
装置の一例を示す系統図、第3図a〜cおよび第
4図a〜fはそれぞれ本発明方法の手順を示す
図、第5図a〜cはレーザ光の照射により修正材
料が一様に変質したか、否かの判定方法の説明
図、第6図は修正材料に用いられるAg錯体の分
光透過特性を示す図、第7図は白点欠陥修正装置
の他の実施例を示す系統図である。 1……フオトマスクのガラス基板、2……同パ
ターン、3……白点欠陥部の修正材料、4……白
点欠陥部、5……X−Yテーブル、6……モー
タ、7……レーザ発振器、8……レーザ光、9,
10……ダイクロイツクミラー、11,25……
矩形開口スリツト、12,22……ハーフミラ
ー、13……対物レンズ、14……参照光光源、
15,17,24……干渉フイルタ、16……観
察光光源、18……リレーレンズ、19……テレ
ビカメラ、20……モニタ用テレビ、21……制
御部、23……観察光学系、26……スリツト駆
動機構、30……レーザ照射範囲、32……検出
用設定ライン、33……設定ライン、35……測
定点。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 波長1.3μm以下の光を発振するレーザ発振
    器と、 前記レーザ発振器より放出されたレーザ光の断
    面形状を任意の矩形に成形可能な矩形開口スリツ
    トと、 前記スリツトの大きさの整合および位置合わせ
    を行うための参照光を照射する照明装置と、 前記レーザ光と前記参照光とを合わせて前記ス
    リツトへ導くための手段と、 フオトマスク又はICのパターンを観察するた
    めの観察光を照射する照明装置と、 前記スリツトを通過してきた前記レーザ光また
    は前記参照光と前記観察光とを合わせる手段と、 前記レーザ光または前記参照光による前記スリ
    ツトの投影像および前記観察光とを前記フオトマ
    スク又はIC上に投影および照射する対物レンズ
    と、 前記フオトマスク又はICを載置してX−Y方
    向に移動可能なX−Yテーブルと、 前記観察光または前記参照光による前記フオト
    マスク又はICの反射像を検知して表示する表示
    手段と、 前記X−Yテーブルと前記スリツトと前記レー
    ザ発振器とを制御するとともに前記反射像内のコ
    ントラストの差を識別するための制御部とを備え
    ていることを特徴とするパターン欠陥の修正装
    置。
JP304481A 1981-01-14 1981-01-14 Method and device for correcting white spot defect of photomask Granted JPS57118246A (en)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP304481A JPS57118246A (en) 1981-01-14 1981-01-14 Method and device for correcting white spot defect of photomask
US06/338,864 US4444801A (en) 1981-01-14 1982-01-12 Method and apparatus for correcting transparent defects on a photomask

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JP304481A JPS57118246A (en) 1981-01-14 1981-01-14 Method and device for correcting white spot defect of photomask

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JPS57118246A JPS57118246A (en) 1982-07-23
JPS6237388B2 true JPS6237388B2 (ja) 1987-08-12

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ID=11546306

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