TWI771783B - 微影裝置、圖案形成方法以及物品的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明涉及微影裝置、圖案形成方法以及物品的製造方法。微影裝置具有：形成部，對包含感光劑的基板照射光而對基板形成對位元用標記；以及轉印部，根據對位元用標記的位置進行基板的對位，對感光劑照明曝光光束而向基板轉印圖案，形成部對感光劑的基底的材料照射與曝光光束不同的波長的照射光，用照射光的能量加工材料而對材料形成對位元用標記。

Description

微影裝置、圖案形成方法以及物品的製造方法
本發明涉及微影裝置、圖案形成方法以及物品的製造方法。
半導體或液晶面板等是通過光微影工程製造的。在光微影工程中，使用將被稱為掩模或標線片(reticle)的原版上的圖案經由投影光學系統投影到塗敷有抗蝕劑(感光劑)的基板(玻璃基板或晶圓)上的曝光裝置。 在曝光工程中，有時使用複數個曝光裝置在1個基板上對面積相互不同的複數個曝光區域進行曝光。首先使用第1曝光裝置對基板的第1區域進行曝光，將基板從第1曝光裝置搬出。接下來，向第2曝光裝置搬入基板，使用第2曝光裝置對基板的未曝光區域中的第2區域進行曝光。在使用第2曝光裝置對第2區域進行曝光時，最好保證第2區域相對於已經曝光的第1區域的相對位置。 在日本特開2005-92137號公報中，記載了形成用於保證在基板搬出前後曝光的複數個曝光區域的相對位置的對準標記。具體而言，在對第1區域進行曝光之前在曝光裝置內對基板上的抗蝕劑的一部分照射雷射光而去除抗蝕劑，從而在基板上形成對準標記。然後，根據形成的對準標記的位置，將基板針對原版對位，對基板的第1區域和第2區域進行曝光。 但是，在日本特開2005-92137號公報記載的發明中，為了形成對準標記，由於所去除的抗蝕劑會向周圍飛散而成為異物，因此，有在對基板進行曝光而形成的電路圖案中產生缺陷之虞。
解決上述課題的本發明的一個側面提供一種微影裝置，對基板形成圖案，該微影裝置，其特徵在於，具有：形成部，對基板照射光而對前述基板形成對位元用標記，該基板包含第1材料和塗敷於前述第1材料上的感光劑；以及轉印部，根據由前述形成部形成的對位元用標記的位置進行前述基板的對位，對前述感光劑照射曝光光束而向前述基板轉印圖案，前述形成部對前述第1材料照射與前述曝光光束不同的波長的照射光，用前述照射光的能量加工前述第1材料而對前述第1材料形成對位元用標記。 根據以下示例性實施例的描述(參考附圖)，本發明的其他特徵將變得顯而易見。
以下，根據附加的附圖，詳細說明本發明的優選的實施方式。 ＜第1實施方式＞ 在本實施方式中，作為向基板形成圖案的微影裝置的一個例子，說明平板顯示器(FPD)製造用的曝光裝置。曝光裝置是照明掩模(原版、標線片)，將掩模的圖案曝光到基板(晶圓、玻璃基板等)的裝置。曝光裝置例如使用投影光學系統，將掩模的圖案投影到塗敷有感光劑(抗蝕劑)的基板，對感光劑形成潛像圖案。 圖1是第1實施方式的曝光裝置的概略圖。將相對基板16的表面垂直的方向(鉛直方向)設為Z方向，將相對Z方向垂直的方向分別設為X、Y方向。本實施方式的曝光裝置具有將照明系統1、原版3的圖案投影到基板16的投影光學系統4。另外，曝光裝置具有檢測原版3和基板16的對準標記的對準範圍顯示器(alignment scope)。照明系統1例如包括光源或透鏡或反射鏡。光源例如能夠包括汞燈和橢圓反射鏡。照明系統1形成預定的形狀的照明區域，照明原版3的一部分。投影光學系統4將通過照明系統1照明的原版3的圖案的像投影到基板16上。原版3配置於投影光學系統4的物面的位置，基板16配置於投影光學系統4的像面的位置。原版3保持於未圖示的載置台。投影光學系統4可構成為等倍、放大以及縮小的成像光學系統中的任意一個。圖1示出具有反射鏡14、凹面鏡12以及凸面鏡15的投影光學系統。通過照明系統1照明的原版3的圖案的像經由投影光學系統4內的反射鏡14、凹面鏡12、凸面鏡15，並再次經由凹面鏡12、反射鏡14在基板16上等倍地成像。此外，投影光學系統既能夠構成為主要使用透鏡的投影透鏡或反射折射光學系統，也能夠構成為複數個成像光學系統。載置台17具有用於保持基板16的保持機構。基板16保持於載置台17的保持機構。另外，載置台17具有用於在載置台17上調整基板16的X、Y位置或繞Z軸的角度的調整機構。載置台17根據來自主控制部18的驅動指令被驅動，控制基板16的位置。主控制部18根據由干涉儀或編碼器等位置感測器測量出的載置台17的位置或角度，進行X、Y以及Z方向上的載置台17的位置或繞這些方向的旋轉角度的控制。然後，曝光裝置針對原版3進行基板16的對位，一邊使原版3和基板16在預定的方向上同步地移動一邊針對基板16曝光原版3的圖案。此時，利用照明系統1的照明區域在原版3上移動而原版3的圖案整體被照明，利用投影光學系統4的投影區域在基板16上移動而基板16被曝光。將一邊像這樣地使原版3和基板16同步地移動一邊對基板16進行曝光的區域設為曝光區域。 照明系統1、投影光學系統4、載置台17、主控制部18作為向基板轉印掩模的圖案的轉印部而發揮功能。此外，主控制部18不僅進行載置台控制，而且還進行序列控制等曝光裝置的各部的動作的控制。另外，主控制部18還控制用於控制標記形成單元19的控制部20。 本實施方式的曝光裝置具有標記形成單元19(形成部)。控制部20根據來自主控制部18的指令，控制標記形成單元19。主控制部18在使載置台17移動到預定的位置之後將照射指令發送到控制部20。然後，通過控制部20控制標記形成單元19，對基板16進行照射。 標記形成單元19固定於支撐投影光學系統4的構造體而配置。標記形成單元19使用雷射器等光源，朝向在載置台17上保持的基板16照射雷射光等點狀的光束。然後，標記形成單元19通過光的照射在基板16上形成對位元用的對準標記。照射光的波長、強度、照射時間或光量等照射條件由控制部20決定。控制部20以在決定的照射條件下照射的方式，控制標記形成單元19。標記形成單元19也可以使用調整光源射出的光的波長、強度(輸出)或輸出時間的調整部來變更照射條件。另外，標記形成單元19還能夠使用波長濾波器、ND濾波器或者擋板(遮光板)，調整照射光的波長、強度、照射時間或光量。 通過測量部21測量由標記形成單元19在基板16上形成的對準標記。測量部21固定於支撐投影光學系統4的構造體而配置。標記形成單元19和測量部21的相對位置按照已知的關係配置。此外，標記形成單元19和測量部21也可以可移動地構成。測量部21具有使用光源照明對準標記的照明系統，以及對對準標記進行攝像的感測器(攝像部)。在圖1中，用虛線表示來自測量部21的測量光。測量光的波長是例如500~600nm。作為感測器，能夠使用將所接受到的光光電轉換為電信號的區域圖像感測器(area image sensor)。測量部21或者控制部20具有：存儲部(記憶體等)，取得並存儲包括被攝像的對準標記的圖像；以及運算部(CPU等)，使用取得的圖像的資料來計算對準標記的位置。主控制部18取得由該運算部計算出的對準標記的位置(測量結果)的資料，根據該測量結果，進行X、Y方向上的載置台17的位置或繞Z方向的旋轉的控制，針對原版3進行基板16的對位。然後，主控制部18控制照明系統1、投影光學系統4、載置台17等，針對已對位的基板16曝光出原版3的圖案。 圖2(a)、(b)示出使用標記形成單元19形成對準標記M的情形。標記形成單元19使用雷射器等光源朝向基板16照射點狀的光束。在圖2(a)、(b)中用虛線表示照射光。基板16包括玻璃16a、在玻璃16a的上部蒸鍍的金屬膜16b(第1材料)、以及在第1材料上塗敷的抗蝕劑(感光劑)16c。通過向平坦的板狀的玻璃16a蒸鍍金屬膜16b並在金屬膜16b上塗敷抗蝕劑，得到基板16。金屬膜16b是抗蝕劑16c的基底的材料，例如，是用於通過蝕刻等後處理進行加工而形成電晶體等半導體元件的佈線圖案的膜。金屬膜16b的材料例如是銅、鉻、鋁合金等。抗蝕劑16c的材料是例如以樹脂為主成分的感光性材料，作為樹脂可以舉出酚醛清漆型或甲階酚醛樹脂型的酚醛樹脂。 在圖2(a)所示的例子中，標記形成單元19對處於應轉印掩模的圖案的區域R1(曝光區域)的外側的、應形成對位元用標記的區域R2照射光。標記形成單元19射出透射抗蝕劑16c的波長的光。以抗蝕劑16c對來自標記形成單元19的照射光的波長的吸收率比金屬膜16b對來自標記形成單元19的照射光的波長的吸收率更低的方式，設定該波長。來自標記形成單元19的光由於抗蝕劑16c中的光吸收率低而透射抗蝕劑16c，照射形成與抗蝕劑16c的邊界面的金屬膜16b。來自標記形成單元19的光由於在金屬膜16b中的吸收率高，因此，金屬膜16b通過照射的光的能量被熱加工，對金屬膜16b形成對準標記M。例如，通過點狀的照射光束，對金屬膜16b形成在從上面觀察時圓形形狀的標記。例如，對準標記M是變色為黑色的部分，在通過測量部21經由抗蝕劑16c對對準標記進行攝像時，在攝像圖像中光強度變得比周圍低。控制部20利用該光強度的差(對比度)來計算對準標記的位置。在圖2(a)所示的例子中，不去除抗蝕劑16c，而對金屬膜16b形成對準標記M。 在圖2(b)所示的例子中，在基板16中，在應轉印掩模的圖案的區域R1塗敷抗蝕劑16c，在應形成對位元用標記的區域R2未塗敷抗蝕劑16c。通過以不對區域R2塗敷抗蝕劑16c的方式用掩模覆蓋，能夠僅向區域R1塗敷抗蝕劑16c。標記形成單元19在未塗敷抗蝕劑16c的區域R2中直接照射金屬膜16b的表面。即，標記形成單元19不經由抗蝕劑16c而照射金屬膜16b。金屬膜16b通過照射的光的能量被熱加工，對金屬膜16b形成對準標記M。此時，照射金屬膜16b的光的波長也可以是與透射抗蝕劑16c的波長不同的波長、針對抗蝕劑16c具有靈敏度的波長。例如，也可以是與對應當轉印掩模的圖案的區域R1進行曝光的曝光光束相同的波長。另外，玻璃、金屬膜或抗蝕劑的材料也可以是與圖2(a)的例子所示的玻璃、金屬膜或抗蝕劑的材料不同的材料。通過測量部21不經由抗蝕劑16c而對如圖2(b)那樣形成於金屬膜16b的對準標記M進行攝像。 此外，雖說明了對金屬膜進行熱加工而對金屬膜形成對準標記的例子，但在圖2(a)的例子中，也可以通過對金屬膜施加熱負荷而使金屬表面上的抗蝕劑碳化(變質)，並對抗蝕劑形成對準標記。即，有時抗蝕劑自身具有對準標記。 接下來，說明決定照射條件的控制部20。控制部20具有取得照射物件物的物性的資訊的取得部，根據取得的資訊決定照射的光束的波長、強度(輸出)、時間。波長根據成為照射物件物的抗蝕劑以及金屬膜的至少一方的對波長的吸收率的資訊而預先決定。例如，選擇對金屬膜吸收率高(具有靈敏度)、且透射抗蝕劑的波長。在將i射線(波長365nm)用作曝光光束而對基板上的抗蝕劑進行曝光的曝光裝置中，透射抗蝕劑的波長是i射線(曝光光束)以外的波長。另外，例如，在將g(436nm)、h(405nm)、i射線用作曝光光束而對基板上的抗蝕劑進行曝光的曝光裝置中，使用g、h、i射線(曝光光束)以外的波長、且在金屬膜中的吸收率是20%以上的波長。在曝光光束的波長中存在分佈的情況下，也可以對金屬膜照射至少與曝光光束的波長分佈的峰值位置的波長不同的波長的光。另外，作為一個例子，在金屬膜的物質是銅的情況下，能夠使用532nm的波長。 照射光的強度(輸出)或時間能夠事先測試來決定。例如，能夠一邊使用標記形成單元19變更照射光的強度(輸出)或時間的值，一邊照射與實際上對元件等電路圖案進行曝光的基板同樣的材料的測試基板，測量形成的複數個標記，根據測量結果來決定。作為制約條件，能夠根據能夠再現性良好地測量標記的條件、在經由抗蝕劑照射金屬膜的情況下對抗蝕劑的影響少的條件、對金屬膜的損傷少的條件、或者、對玻璃基板的影響少的條件等，來設定照射條件。此外，為了減小對基板的損傷，最好照射輸出(強度)低、照射時間短。但是，為了提高對準標記的測量再現性，需要設定適合的強度和照射時間。這些照射條件能夠根據基板的玻璃、金屬膜或抗蝕劑的材料(物性)而變更。在圖2中，標記形成單元19的照射光的聚光點處於金屬膜16的表面上，但不限於此。還可能有通過向聚焦方向變更標記形成單元19的照射光的聚光點的位置而使聚光點從金屬膜的表面散焦這樣的照射條件的變更。 圖3示出在使用標記形成單元照射圖2(a)所示的基板時形成的對準標記M的圖像的例子。圖3(a)是用來自標記形成單元的光照射時的圖像。被照射的區域的金屬膜變質，抗蝕劑碳化，在照射區域形成標記。圖3(b)是用比圖3(a)的情況弱的光照射時的圖像，但照射光弱，且在金屬膜或抗蝕劑中未出現變化。圖3(c)是用比圖3(a)的情況強的光照射時的圖像。照射光的強度過強而在金屬膜中形成孔。雖然在圖像上能夠測量標記，但有對金屬膜的損傷。 圖4是示出基板的曝光區域和對準標記的佈局的圖。在本實施方式中，在曝光裝置內配置2個標記形成單元19，標記形成單元19在基板16的角部附近形成3個對準標記31、32、33。2個標記形成單元19沿相對於在基板曝光時使基板移動的Y方向垂直的X方向相互遠離而配置。首先，主控制部18控制載置台17的位置而使載置台17移動到預定的位置，使應形成對準標記31、32的區域定位到2個標記形成單元19的正下方。在基板的定位完成之後，主控制部18對控制部20發出照射時序的指令。然後，控制部20以使2個標記形成單元19朝向基板照射光的方式進行控制，通過來自2個標記形成單元19的照射向基板形成對準標記31、32。接下來，使載置台17在Y方向上移動，同樣地，標記形成單元19對基板形成對準標記33。此外，與曝光區域的佈局相配合，標記形成單元19既可以是1個也可以是3個以上，也可以形成4個以上對準標記。為了測量基板在X、Y方向上的位置、和繞Z方向的旋轉角度，而在相互遠離的位置需要3個以上的對準標記。 測量部21在對基板形成對準標記之後，進一步測量對準標記31、32、33在X、Y方向上的位置。曝光裝置根據測量部21的測量結果，決定基板上的應曝光的複數個曝光區域各自的位置。由於在本實施方式中，係根據共用的對準標記的位置測量結果來決定複數個曝光區域，因此，能夠保證各曝光區域的相對位置關係。 在圖4中，示出在基板上決定2個第一曝光區域和3個第二曝光區域的佈局而曝光的例子。2個第一曝光區域各自的面積相互相同，3個第二曝光區域各自的面積也相互相同。第一曝光區域和第二曝光區域的面積相互不同。因此，使用能夠以與第一曝光區域的寬度符合的照明區域對基板進行曝光的第一曝光裝置，一邊使基板在Y方向上移動一邊對2個第一曝光區域進行曝光。接下來，使用能夠以與第二曝光區域的寬度符合的照明區域對基板進行曝光的第二曝光裝置，一邊使基板在X方向上移動一邊對3個第二曝光區域進行曝光。此外，說明為第一曝光裝置和第二曝光裝置是獨立的裝置、即各個曝光裝置是用腔室(框體)覆蓋的裝置。但是，也可以在相同的腔室內，將1個照明系統和1個投影系統作為一組(1個站)而配置複數組光學系統，使用複數組光學系統對第一曝光區域和第二曝光區域進行曝光。或者，也可以將搬出的基板在旋轉90度後再次搬入到同一曝光裝置，以旋轉90度的狀態進行曝光。 如此一來，通過對面積相互不同的第一曝光區域和第二曝光區域進行曝光，能夠從這些曝光區域製造分別相互不同的尺寸的元件或彩色濾光片等物品。如此一來，通過從1張基板製造複數個種類的元件等物品，能夠進行與各種生產需求對應的高效的生產。 接下來，根據圖5，作為對基板形成圖案的圖案形成方法的一個例子，說明曝光方法。圖5是曝光方法的流程圖。首先，將應曝光的基板搬入到作為上述曝光裝置的第一曝光裝置，保持於載置台17上。在載置台17上，有用於調整基板16的位置或角度的調整機構，針對保持於載置台17上的基板，通過調整機構調整位置或角度。另外，在第一曝光裝置中，設定針對應曝光的基板的曝光條件(配方)。 在步驟S401中，決定標記形成單元19的照射條件。作為決定的照射條件，有照射光的波長、強度、時間等。控制部20的取得部能夠取得基板的金屬膜以及抗蝕劑中至少一方的物性的資訊，並根據這些資訊，決定波長。物性的資訊既可以由曝光裝置的使用者經由使用者介面輸入，也可以由控制部從管理伺服器取得。或者，也可以由使用者根據形成於進行曝光的基板的金屬膜或抗蝕劑的物性的對波長的吸收率的資訊來決定照射光的波長，用戶將決定的波長輸入到曝光裝置的控制部。照射光的強度或時間也同樣地能夠根據基板的金屬膜或抗蝕劑的物性的資訊來決定。但是，在具有未被本曝光裝置曝光過的材料的基板的情況下，係能夠在曝光前，一邊使用由與該基板同樣的材料形成的測試基板，如上述般地改變照射條件一邊試著形成複數個標記，且根據標記的測量結果決定照射條件。也可以在照射條件確定後，在控制部20或主控制部18的記憶體中，將基板(抗蝕劑或金屬膜)的材料和照射條件對應地存儲。在該情況下，在從下次起對相同材料的基板進行曝光的情況下，能夠從記憶體呼叫出與該材料對應的照射條件並進行設定。另外，在基板的玻璃、金屬膜或抗蝕劑的材料變更的情況下，也可以根據變更前後的基板的材料的物性值，設定照射強度或照射時間。例如，也可以取得變更前的基板的材料、和變更後的基板的材料的資訊，求出各個材料對照射波長的吸收率的比值，根據該比值，例如乘以比值等而計算照射強度或照射時間。 在步驟S402中，使用標記形成單元19對基板形成對準標記。首先，以使在基板應形成對準標記的位置處於標記形成單元的正下方的方式，控制保持基板的載置台的位置。然後，以成為在S401中決定的照射條件的方式，由控制部20控制標記形成單元19，標記形成單元19照射金屬膜而對金屬膜形成對準標記。根據來自主控制部18的指令控制照射光的位置、照射時序。 在步驟S403中，使用測量部21來測量在S402中形成的對準標記的位置。首先，以使對準標記進入到測量部21的測量視野內的方式，使保持形成有對準標記的基板的載置台移動。此外，由於如上述般地預先固定測量部21和標記形成單元19的相對位置，因此，如果使基板移動測量部21和標記形成單元19的相對位置的量，則能夠將對準標記配置在測量部21的測量視野內。然後，測量部21對測量視野內的對準標記進行測量。另外，通過在同一曝光裝置內配置測量部21和標記形成單元19，能夠用測量部21迅速地檢測由標記形成單元19形成的對準標記有無異常。 在步驟S404中，控制部根據對準標記的位置的測量結果，決定在基板中應曝光的第一曝光區域的位置。在步驟S405中，根據在S404中決定的第一曝光區域的位置的資訊，由主控制部18控制載置台17，進行基板的定位，使用掩模、照明系統和投影系統對第一曝光區域進行曝光。 在步驟S406中，為了在基板的空白部分形成其他的曝光區域，而將第一曝光區域被曝光的基板從第一曝光裝置搬出。將搬出的基板搬入到用於對第二曝光區域進行曝光的第二曝光裝置。如此一來，在本曝光方法中說明使用2個曝光裝置對基板進行曝光的例子。 在步驟S407中，用設置於第二曝光裝置的對準標記的測量部測量形成於搬入到第二曝光裝置的基板的對準標記。第二曝光裝置的對準標記測量部具有與第一曝光裝置的測量部21同樣的結構。此外，由於在基板已經形成有對準標記，因此，不再次實施向基板形成對準標記的工程。因此，在第二曝光裝置中也可以沒有第一曝光裝置的標記形成單元。 在步驟S408中，第二曝光裝置的控制部根據由第二曝光裝置的對準標記測量部測量出的對準標記的位置的測量結果，決定在基板上應曝光的第二曝光區域的位置。在步驟S409中，根據在S408中決定的第二曝光區域的位置的資訊，由控制部控制第二曝光裝置的基板載置台，進行基板的定位，使用第二曝光裝置的掩模、照明系統和投影系統，對第二曝光區域進行曝光。 由於第一曝光區域和第二曝光區域，係以形成於基板的相同的對準標記為基準而決定相互的相對位置，因此，能夠降低這些曝光區域的相對的位置偏移。此外，雖然在本曝光方法中說明了保證2個曝光區域的相對位置的方法，但即使在3個以上的曝光區域的情況下，也能夠通過重複S406~S409來保證複數個曝光區域的相對位置。例如，在對3種尺寸的曝光區域進行曝光的情況下，使用第3曝光裝置對第3曝光區域進行曝光。 如以上所述，通過不去除基板的感光劑，使用標記形成單元19對與感光劑不同的材料形成對位元用的標記，能夠減少發生不必要的抗蝕劑等異物。另外，通過在減少了異物的發生的狀態下在基板上形成圖案，能夠減少形成於基板的元件等的圖案的缺陷。 ＜第2實施方式＞ 接下來，根據圖6，說明第2實施方式的對準標記M的形成。圖6示出第2實施方式的標記形成單元190和基板22。關於與第1實施方式同樣的結構、方法，省略說明。本實施方式的標記形成單元190配置於與第1實施方式相同的位置。 基板22包括玻璃22a(第1材料)、和在玻璃22a的上部塗敷的抗蝕劑(感光劑)22c。抗蝕劑22c是用於通過利用曝光裝置曝光並用顯影裝置顯影，在玻璃22a上形成抗蝕劑的圖案的材料。在本實施方式中，從標記形成單元190針對相當於與抗蝕劑22c的邊界面的玻璃22a照射光，對玻璃22a形成對準標記M。在圖6(a)中，經由抗蝕劑22c，透射抗蝕劑22c的光束照射玻璃22a的表面而對玻璃22a進行熱加工。 在圖6(b)中，在基板中，在應轉印掩模的圖案的區域塗敷抗蝕劑22c，在應形成對位元用標記的區域未塗敷抗蝕劑22c。標記形成單元190也可以對未塗敷抗蝕劑22c的區域中的玻璃22a的表面直接照射光。即，標記形成單元190不經由抗蝕劑22c而照射玻璃22a的表面，對玻璃22a形成對準標記M。 在圖6(b)的例子中，在將基板搬入到曝光裝置之前，進行在基板中應形成對位元用標記的區域不塗敷抗蝕劑22c，在基板中應轉印圖案的區域塗敷抗蝕劑22c的工程。然後，將基板搬入第一曝光裝置，保持於載置台上，在第一曝光裝置中，設定針對應曝光的基板的曝光條件(配方)。在此之後，與第1實施方式的曝光方法同樣地，決定標記形成單元19的照射條件，對基板形成對準標記M。 標記形成單元190照射的光的波長決定為如玻璃22a對該波長的吸收率高、且透射抗蝕劑22c的波長。例如，以抗蝕劑22c對來自標記形成單元190的光的波長的吸收率比玻璃22a對來自標記形成單元190的光的波長的吸收率更低的方式，來設定波長。例如，最好為CO2 雷射器的10600nm的波長。標記形成單元190的照射光的強度或照射時間也可以與第1實施方式同樣地，根據使用測試基板形成標記而測量的結果決定。或者，曝光裝置能夠取得基板的抗蝕劑或基板的物性的資訊，並根據這些資訊決定。 根據本實施方式，即使在基板無金屬膜的狀態下，也能夠不去除塗敷於基板的抗蝕劑，使用標記形成單元19對基板形成對位元用的標記。由此，能夠減少在曝光裝置內發生不必要的抗蝕劑等異物，能夠減少形成於基板的元件等的圖案的缺陷。 ＜物品的製造方法＞ 說明物品的製造方法。物品是半導體元件、顯示元件、彩色濾光片、光學零件、MEMS等。例如，半導體元件是通過經由在基板製作電路圖案的前工程、和使在前工程中製作的電路晶片作為產品而完成的後工程製造的。前工程包括：使用上述曝光裝置對塗敷有感光劑的基板進行曝光的工程；以及對感光劑進行顯影的工程。將顯影的感光劑的圖案作為掩模，進行蝕刻工程或離子注入工程等，在晶圓上形成電路圖案。重複這些曝光、顯影、蝕刻等工程，在基板上形成由複數個層構成的電路圖案。在後工程中，針對形成有電路圖案的基板進行切割，進行晶片的安裝、鍵合、檢查工程。顯示元件是通過經由形成透明電極的工程而製造的。形成透明電極的工程包括：向蒸鍍有透明導電膜的玻璃基板塗敷感光劑的工程；使用上述曝光裝置對塗敷有感光劑的玻璃基板進行曝光的工程；以及對曝光的感光劑進行顯影的工程。根據本實施方式的製造方法，能夠製造比以往更高品質的物品。 以上，說明了本發明的優選的實施方式，但本發明不限定於這些實施方式，能夠在其要旨的範圍內進行各種變形以及變更。 在上述實施方式中，雖說明了曝光裝置作為微影裝置，但不限於此，還能夠應用於使用模具對基板形成圖案的壓印裝置或用電子束向基板描繪圖案的電子束曝光裝置。另外，還能夠應用於不經由投影光學系統而使掩模和基板接近而曝光的近場曝光裝置。 在使用壓印裝置來製造物品的方法中，通過向基板上的未硬化樹脂等成形材料壓印模具的圖案而對成形材料形成圖案。然後，通過將形成的圖案作為掩模並經由蝕刻工程等，能夠對基板形成電路圖案。 另外，還能夠將上述標記形成單元19配置於微影裝置的腔室(框體)外，在微影裝置外的載置台上與上述對準標記形成方法同樣地對基板形成對準標記。並且，能夠將形成有對準標記的基板搬入到微影裝置內，利用微影裝置對基板形成圖案。
16:基板 1:照明系統 3:原版 4:投影光學系統 14:反射鏡 12:凹面鏡 15:凸面鏡 17:載置台 18:主控制部 19:標記形成單元 20:控制部 21:測量部 M:對準標記 16a:玻璃 16b:金屬膜 16c:抗蝕劑 R1:區域 R2:區域 31:對準標記 32:對準標記 33:對準標記 190:標記形成單元 22:基板 22a:玻璃 22c:抗蝕劑
[圖1]是示出第1實施方式的曝光裝置的概略的圖。 [圖2]是用於說明第1實施方式中的標記形成的圖。 [圖3]是示出標記的例子的圖。 [圖4]是示出基板的曝光區域的佈局的圖。 [圖5]是標記的形成方法以及曝光方法的流程圖。 [圖6]是用於說明第2實施方式中的標記形成的圖。
16:基板
16a:玻璃
16b:金屬膜
16c:抗蝕劑
19:標記形成單元
R1:區域
R2:區域
M:對準標記

Claims (14)

  1. 一種微影裝置，其形成圖案在基板上，前述基板包括第一材料和設置在基底上的感光劑，該微影裝置包含： 形成部，在前述基板上形成對準標記；以及 轉印部，對前述感光劑照明曝光光束而向前述基板轉印前述圖案， 其中前述對準標記是用於決定待被前述微影裝置曝光的第一曝光區域和待被不同於前述微影裝置的另一微影裝置曝光的第二曝光區域之間的相對位置關係之標記， 其中前述形成部以照射光通過前述感光劑而照射前述第1材料，前述照射光的波長與前述曝光光束的波長不同，且藉由加工前述第一材料來在前述第一材料上形成前述對準標記。
  2. 如請求項1的微影裝置，另外包含: 控制部，其控制前述形成部， 其中前述控制部基於關於前述第一材料與前述感光劑的資訊，來控制前述照射光的強度和照射時間其中至少一者。
  3. 如請求項2的微影裝置， 其中在改變前述照射光的強度和照射時間其中至少一者時，前述形成部形成多個對準標記，和 其中前述控制部基於測量由前述形成部所形成之前述多個對準標記的結果，設定前述照射光的強度和照射時間其中至少一者。
  4. 如請求項1的微影裝置，其中前述照射光的波長是前述照射光通過前述感光劑的波長。
  5. 如請求項1的微影裝置，其中前述第1材料是金屬膜。
  6. 如請求項1的微影裝置，其中前述基底是玻璃。
  7. 一種在基板上形成對準標記的方法，前述基板包括第一材料和設置在基底上的感光劑，前述方法包含： 形成工程，在前述基板上形成對準標記， 其中前述對準標記是用於決定待被用於形成前述對準標記的前述方法之微影裝置曝光的第一曝光區域和待被不同於前述微影裝置的另一微影裝置曝光的第二曝光區域之間的相對位置關係的標記， 其中在前述形成工程中，以照射光通過前述感光劑而照射前述第1材料，前述照射光的波長與曝光光束的波長不同，且藉由用前述照射光的能量加工前述第1材料而在前述第1材料上形成前述對準標記。
  8. 如請求項7之在基板上形成對準標記的方法，其中在前述形成工程中，基於關於前述第一材料和前述感光劑的資訊，來設定前述照射光的強度和照射時間其中至少一者。
  9. 如請求項7之在基板上形成對準標記的方法， 其中在前述形成工程中，在改變前述照射光的強度和照射時間其中至少一者時，形成前述對準標記，和 其中基於測量已形成之前述對準標記的結果，設定前述照射光的強度和照射時間其中至少一者。
  10. 如請求項7之在基板上形成對準標記的方法，其中前述照射光的波長是前述照射光通過前述感光劑的波長。
  11. 如請求項7之在基板上形成對準標記的方法，其中前述第1材料是金屬膜。
  12. 如請求項7之在基板上形成對準標記的方法，其中前述基底是玻璃。
  13. 一種在基板上形成圖案的方法，前述基板包括第一材料和設置在基底上的感光劑，該方法包含： 形成工程，在前述基板上形成對準標記；以及 轉印工程，藉由用光束照明前述感光劑而將圖案轉印至前述基板， 其中在前述形成工程中，以照射光通過前述感光劑而照射前述第1材料，前述照射光的波長與曝光光束的波長不同，且藉由用前述照射光之能量加工前述第一材料，而在前述第一材料上形成前述對準標記。
  14. 一種物品的製造方法，該方法包含： 使用如請求項1至6中任一項的微影裝置在基板上形成圖案的工程；以及 藉由加工形成有前述圖案的前述基板來製造前述物品的工程。
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