TWI442188B - 平版裝置及物品製造方法 - Google Patents

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Description

平版裝置及物品製造方法
本發明涉及平版裝置和製造物品的方法。
近年來，通過採用倒裝片(flip-chip)實現來安裝半導體元件變得愈發普遍。製造通過使用倒裝片實現而被安裝的半導體元件的工藝包括在元件上形成焊料球的工藝。作為形成焊料球的一種方法，電鍍(plating)是可用的。為了通過電鍍來形成焊料球，必須使在晶片(有時也稱作基板)上形成的導電膜與電鍍裝置的電極互相接觸以將它們互相電連接。為了滿足這個要求，日本專利公開No. 2-51254提出了將導電膜上形成的抗蝕劑膜的要與電極接觸的部分剝離的方法。如果使用的抗蝕劑是負性抗蝕劑，只需要在曝光期間防止晶片周邊部分上的光。為了這樣做，美國專利No.6680774提出一種在晶片上定位遮光板的方法。
並且，日本專利特開No.2005-286062公開了一種壓印(imprint)裝置，該壓印裝置用紫外線照射與模具接觸的晶片上的抗蝕劑，以將模具的圖案轉印到抗蝕劑上。為了限定與晶片周邊部分中的每個擊射(shot)區域對應的照射區域，日本專利特開No.2005-286062中公開的壓印裝置包括驅動單元，該驅動單元在x和y方向上驅動具有分別與第一到第四象限中晶片的輪廓對應的弧形的四個遮光板。
然而，在美國專利No.6680774中描述的在晶片上佈置遮光板的方法在遮光板被裝載/卸載時產生粉塵，因此汙物可能附著到晶片上，導致半導體元件的缺陷。並且，日本專利特開No.2005-286062中描述的四個遮光板在緊挨在晶片上方的位置被驅動時產生粉塵，並且需要用於在x和y方向上驅動遮光板的總共八個驅動單元。
本發明提供一種平版裝置，該平版裝置以簡單結構阻擋光以防止該光入射到基板上的外周區域上，而不允許汙物附著到基板上。
本發明在其第一方面提供了一種平版裝置，該平版裝置通過照射系統經由原版以光照射塗覆在基板上的感光材料，以將該原版的圖案轉印到基板上的擊射區域上，該裝置包括：遮光板，該遮光板在其邊緣上包括與圓形邊界線重疊的弧形，該圓形邊界線限定基板上的要將該圖案轉印到其上的區域，並且，該圓形邊界線位於基板的外周的內側並且距該基板的外周預定距離，該遮光板阻擋光以防止該光入射到基板上的位於圓形邊界線的外側的外周區域上；第一驅動單元，圍繞與照射系統的光學軸平行的軸旋轉該遮光板；以及第二驅動單元，在垂直於照射系統的光學軸的平面內線性驅動該遮光板。
本發明在其第二方面提供了一種平版裝置，該平版裝置通過照射系統經由原版以光照射塗覆在基板上的感光材料，以將該原版的圖案轉印到基板上的擊射區域上，該裝置包括：遮光板，該遮光板在其邊緣上包括與圓形邊界線重疊的多邊形的邊，該圓形邊界線限定基板上的要將該圖案轉印到其上的區域，並且，該圓形邊界線位於基板的外周的內側並且距該基板的外周預定距離，該遮光板阻擋光以防止該光入射到基板上的位於該圓形邊界線的外側的外周區域上；第一驅動單元，圍繞與照射系統的光學軸平行的軸旋轉該遮光板；以及第二驅動單元，在垂直於照射系統的光學軸的平面內線性驅動該遮光板。
從參照附圖對示例性實施例的以下描述，本發明的其他特徵將變得清晰。
[第一實施例]
圖1示出了根據第一實施例的平版裝置，該平版裝置通過照射系統經由原版以光照射塗覆在基板上的感光材料，以將該原版的圖案轉印到基板上的擊射區域上。在第一實施例中，通過投射光學系統將原版的圖案投射和轉印到擊射區域的曝光裝置上被用作平版裝置。儘管圖1圖示了其中使用超高壓汞燈作為光源1的例子，但準分子雷射器可以被使用。橢圓反射鏡被典型地用作會聚反射鏡2。除了橢圓反射鏡，還可以使用被最佳化以提高聚光點處的聚光度的分段反射鏡。快門3經受打開/關閉時間調整，以調整塗覆有感光材料(感光劑)(後面將描述)的基板(晶片)13上的曝光量。在曝光裝置中，相干因數(σ值)必須被改變為根據要被轉印的圖案而最佳化投射光學系統的成像性能。該σ值是[(照明光學系統的NA)/(投射光學系統的NA)]，並且能夠通過改變確定照明光學系統的NA(數值孔徑)的複眼透鏡5上的光束直徑而被改變。變倍中繼光學系統4具有變焦機構，並且能夠改變複眼透鏡5上的光束直徑。柱面透鏡陣列可以被使用來替代複眼透鏡5。該複眼透鏡5在其入射表面上分割光束的波前，以在其出射表面上形成二次光源。會聚光學系統6在要被照明的表面上疊加已經通過複眼透鏡5經受波前分割的光束。這使得能夠在要被照明的表面上獲得均勻的照度分佈。遮蔽葉片7位於會聚光學系統6的要被照明的表面上。遮蔽葉片7是具有可變孔徑的光闌，並且確定該曝光裝置通過分步重複法重複地將圖案轉印到其上的一個擊射區域的形狀(擊射形狀)。也就是說，遮蔽葉片7形成第二遮光板，它阻擋光以防止其入射到位於限定擊射區域的外邊緣的直線狀邊的外側的區域上。中繼光學系統8把形成在遮蔽葉片7的位置處的照度分佈投射到遮光板9上。中繼光學系統10把形成在遮光板9的位置處的照度分佈投射到原版(母版)11上。上面所述的從光源1到中繼光學系統10的部件構成照射系統，該照射系統經由原版(母版)11以光照射塗覆在基板(晶片)13上的感光材料(感光劑)。
當曝光裝置通過分步重複法重複覆地曝光晶片13時，遮光板9能夠根據晶片13上的曝光位置而改變曝光裝置將圖案轉印到其上的區域的形狀。遮光板9在其邊緣上包括與圓形邊界線重疊的弧形，該圓形邊界線限定基板上的轉印區域，並且位於基板的外周的內側並且距基板的外周預定距離，該遮光板9阻擋光以防止其入射到基板上的位於圓形邊界線外側的外周區域上。由於圓形可由多邊形進行近似，包括與圓形邊界線重疊的多邊形的邊的遮光板可被用作包括所述與圓形邊界線重疊的弧形的遮光板。為了定位方面的方便，第一實施例呈現了這樣一種佈置，在該佈置中，使用中繼光學系統8，使遮蔽葉片7和遮光板9位於照射系統內的不同的光學共軛位置處。然而，當沒有定位方面的問題時，遮蔽葉片7可以被定位為與遮光板9相鄰，如圖7中所示。在將遮蔽葉片7定位為與遮光板9相鄰時，如果它們不落入實際上相同的位置內，則希望把遮光板9定位在與晶片13光學共軛的位置處並且把遮蔽葉片7定位在散焦位置處。並且，如果散焦量落在容限之外，則遮蔽葉片7阻擋光以防止其入射到位於直線狀邊的外側的區域上，該直線狀邊限定與第一方向平行的擊射區域的外邊緣。阻擋光的遮光部分被設置在使用Cr圖案的母版(原版)11上，以防止光入射到位於直線狀邊的外側的區域上，該直線狀邊限定與垂直於第一方向的第二方向平行的擊射區域的外邊緣。此外，可以根據母版11上的Cr圖案確定擊射區域的形狀，並且，遮蔽葉片7可以使用大於擊射區域的形狀的區域阻擋光，以便防止伴隨母版11上的Cr缺陷的轉印。在照射系統內定位元遮蔽葉片7和遮光板9的次序是任意的，因此其中的任意一個可以在光源1側。
中繼光學系統10把形成在遮光板9的位置處的照度分佈投射到母版11上。要被轉印的電路圖案被繪製在母版(有時也被稱作掩模)11上。投射光學系統12將繪製在母版11上的圖案投射並成像在塗覆有感光膜(有時也被稱作抗蝕劑)的晶片(有時也被稱作基板)13上。控制器(電腦)14控制曝光裝置以將晶片13曝光。
下面將更詳細地描述遮光板9。圖2A是用於說明當從圖2A中的進入紙面的方向觀看晶片13時的晶片13上的轉印區域的視圖。雖然由矽製成的晶片被典型地用作晶片13，但是，由玻璃、藍寶石或者化合物製成的晶片也經常被使用。根據投射光學系統12的成像區域，確定曝光裝置可通過一次轉印操作而將圖案轉印到其上的區域，並且，該區域通常小於晶片13的尺寸。因此，被稱為分步重複方案並且在逐步移動晶片13的同時重複轉印的方法被用於這種情況。在圖2A中用斜線指示的區域表示通過一次轉印操作將圖案轉印到其上的擊射區域。通過在使晶片13移位元的同時將圖案重複地轉印到這種擊射區域上，由“C”指示的相同圖案可被重複地轉印作為整體。如關於背景技術已描述的，在晶片13上存在其中抗蝕劑必須被剝離的區域，以便在電鍍工藝中使該區域與電極接觸。這個區域是圖2A中的晶片13的周邊部分中的寬度為d的外周區域。如果塗覆在晶片13上的抗蝕劑是負性抗蝕劑，則在曝光期間，該外周區域必須被遮光。也就是說，對於圖2A中由附圖標記131表示的轉印區域，圖案必須被轉印在如圖2B中所示的曝光範圍內。
圖3B示出了根據第一實施例的用於允許如上所述的轉印區域的曝光的遮光板9。圖3B是示出了當從圖1中的紙面上的橫向方向觀看時的遮光板9的視圖。在圖3B中由附圖標記A指示的由虛線包圍的區域代表遮光板9上的擊射區域的形狀，並且，遮光板9為它遮光從而形成這個形狀。遮光板9在其邊緣上包括至少一個弧形。希望該弧形的半徑等於通過投射光學系統12向晶片13上投射時從晶片13的半徑減去外周區域的遮光寬度d所獲得的值。儘管希望使用弧形，但是如果多邊形可用作晶片13的周邊上的遮光區域的形狀，則也可以使用直線。驅動單元96是圍繞與照射系統的光學軸平行的軸旋轉遮光板9的第一驅動單元。驅動單元95是在與照射系統的光學軸垂直的平面內在徑向上線性驅動遮光板9的第二驅動單元。在圖3B中所示的例子中，通過在驅動單元96上安裝驅動單元95，在把光學軸定義為中心時，能夠在徑向和旋轉方向兩者上驅動遮光板9。注意，只要在將光學軸定義為中心時遮光板9能夠在徑向和旋轉方向兩者上被驅動，也可以採用另一個實施例。
當圖案要被轉印到其上的擊射區域與外周區域接觸時，控制器(電腦)14控制驅動單元96(第一驅動單元)和驅動單元95(第二驅動單元)，使得遮光板9被定位在這樣的位置處，即在該位置處，遮光板9覆蓋與該擊射區域接觸的外周區域。例如，為了如圖3A中所示那樣照射晶片13上的右上區域，遮光板9被定位為覆蓋區域A，如圖3B中所示。這樣，遮光板9在虛線所指示的位置處部分遮擋(eclipse)圖3A中所示的擊射區域，從而使得能夠在晶片13的周邊部分中產生不曝光區域。為了如圖3C中所示那樣照射晶片13上的左下區域，遮光板9被定位為覆蓋區域A，如圖3D中所示。這樣，遮光板9在虛線所指示的位置處部分遮擋圖3C中所示的擊射區域，從而使得能夠在晶片13的周邊部分中產生不曝光區域。
下面將參照圖4中所示的流程圖描述根據第一實施例的曝光方法。在步驟1001中，周邊遮光寬度和諸如σ值、擊射形狀和擊射佈局之類的曝光條件被輸入到控制曝光裝置的電腦14。在步驟1002中，電腦14基於輸入的σ資訊將變倍中繼光學系統4驅動到預定位置，並且基於所輸入的重複轉印區域資訊來驅動遮蔽葉片7。曝光裝置的其他組成元件(未示出)也基於曝光條件被驅動以呈現特定狀態。在步驟1003中，要被曝光的晶片13被裝載。在步驟1004中，電腦14基於輸入的周邊遮光寬度和下一個曝光擊射在晶片13上的位置，確定遮光板9要被驅動到的位置。在步驟1005中，電腦14驅動保持晶片13的台，以將下一曝光擊射移動到投射光學系統12的轉印區域，並且將遮光板9驅動到預定位置。在步驟1006中，電腦14控制快門3的驅動以用預定的曝光量照射晶片13。這樣，母版11的圖案被縮小或者放大並且被轉印到晶片13上的感光劑上。在步驟1007中，電腦14確定是否晶片13上的所有擊射區域都已經被重複地曝光。如果還留有要曝光的擊射區域，則處理返回到步驟1004，在該步驟中啟動下一擊射的曝光。如果所有擊射區域都已經被曝光，則晶片13的曝光處理結束，並且在步驟1008中，晶片13被卸載。在步驟1009中，電腦14確定是否所有的晶片13都已經被曝光了。如果還留有要被曝光的晶片13，則啟動下一個晶片13的曝光處理。如果所有的晶片13都已經被曝光，則曝光處理結束。
能夠通過合適地設置輸入來改變晶片13的周邊的遮光寬度。例如，當設置如圖5A中所示那樣的具有以遮光寬度d最佳化的弧形的遮光板9，而輸入如圖5B中所示那樣的不同寬度D時，能夠使用其弧形以幾乎圓形的形狀阻擋光。儘管已經參照圖5描述了其中遮光寬度極端變化的例子，但是當晶片13具有300mm的直徑時，在實際中遮光寬度僅在1mm到5mm的範圍內變化。因此，只要使用對於3mm的遮光寬度最佳化的弧形形狀，就能夠以充分接近圓形的形狀阻擋光。
[第二實施例]
下面將參照圖6描述第二實施例。根據第二實施例的遮光板9包括兩個弧形：第一弧形和第二弧形，所述第一弧形和第二弧形位於遮光板9的邊緣上的相反位置處並且在從遮光板9的內側到其外側的方向上凹陷地彎曲，如圖6中所示。這樣，驅動單元96只需要以最大180°旋轉遮光板9。在第一實施例中，由於只使用一個弧形為晶片13上的外周區域遮光，因此驅動單元96需要360°的旋轉範圍。然而，在第二實施例中，由於兩個弧形參與到光阻擋中，因此，例如通過使用不同弧形作為對晶片13上的第一和第四象限中的外周區域遮光的弧形和對晶片13上的第二和第三象限中的外周區域遮光的弧形，驅動單元96的旋轉範圍能夠被縮窄到180°。這使得能夠縮短直到光阻擋狀態被設置的驅動時間，並且減少包括驅動單元95和驅動單元96的驅動裝置的成本。因為預期兩個弧形之間的距離和它們的形狀由於加工誤差而改變，所以期望對每個弧形設置驅動中的偏移。並且，儘管在第二實施例中採用兩個弧形，但是三個或者更多個弧形可以被採用。可以使用第一弧形對第一和第二象限中的外周區域遮光並且可以使用第二弧形對第三和第四象限中的外周區域遮光，並且，在360°內為每個弧形分配的範圍取決於設計自由度的程度。可以假設驅動單元96移動180°或者更多來設置設計方面的旋轉範圍。
[第三實施例]
下面將參照圖8描述第三實施例。根據第三實施例的遮光板9具有開口並且包括第一弧形和第二弧形，所述第一弧形和第二弧形位於開口的邊緣上的相反位置處，並且，所述第一弧形和第二弧形在從開口的內側到其外側的方向上凸起地彎曲，如圖8中所示。在第二實施例中，由於兩個弧形被形成在一個遮光板9的前後部分中，因此當擊射區域的一端被遮光並且其另一端接著被遮光時，遮光板9需要穿越曝光區域。然而，在第三實施例中，由於兩個弧形是通過開口而相對的，因此遮光板9不需要穿越曝光區域。該區別的細節將通過採用一個情況作例子來說明，在該情況中，例如，晶片13從擊射區域C1到擊射區域C32被依次曝光，如圖9中所示。第二象限中的外周區域必須在擊射區域C2中被遮光，並且，第一象限中的外周區域必須在擊射區域C3中被遮光。因此，在第二實施例中，為了在曝光擊射區域C2之後曝光擊射區域C3，遮光板9需要穿越曝光區域，並且在穿越期間曝光不能被執行，這樣減少了每單位時間處理的晶片數量。然而，在第三實施例中，不引起這樣的問題，所以晶片13上的外周區域能夠被遮光而不減少每單位時間處理的晶片數量。並且，在擊射區域C5的曝光之後曝光擊射區域C10之前，用於光阻擋的弧形必須從一個弧形被切換到另一個弧形。在第二實施例中，必須停止曝光以更換弧形。然而，在第三實施例中，用於更換弧形的驅動可在曝光擊射區域C6到C9的同時被執行，所以晶片13上的外周區域能夠被遮光而不減少每單位時間處理的晶片數量。因為預期兩個弧形之間的距離和它們的形狀由於加工誤差而改變，所以期望對每個弧形設置驅動中的偏移。
在第一到第三實施例中，通過投射光學系統將原版的圖案投射和轉印到基板上的擊射區域上的曝光裝置被用作平版裝置。然而，執行壓印處理的壓印裝置可被用作平版裝置，所述壓印處理將原版(模具)壓在感光材料上，並且經由原版通過照射系統以光照射感光材料，從而固化感光材料。
[製造物品的方法]
製造作為物品的元件(例如，半導體積體電路元件或者液晶顯示元件)的方法包括使用上面提到的平版裝置將圖案轉印(形成)到基板(晶片、玻璃板或膜狀基版)上的步驟。該製造方法還可包括蝕刻圖案被轉印到其上的基板的步驟。注意，當要製造諸如圖案化介質(記錄介質)或者光學元件之類的其他物品時，製造方法可包括代替蝕刻的加工圖案被轉印到其上的基板的其他處理。儘管上面已經描述了第一到第三實施例，但是本發明不局限於這些實施例，並且可做出各種變型和改變而不脫離本發明的範圍。
雖然已參照示例性實施例描述了本發明，但是應該理解，本發明不限於公開的示例性實施例。以下的申請專利範圍應被給予最寬的解釋，以便包含所有這樣的變型以及等同的結構和功能。
1．．．光源
2．．．會聚反射鏡
3．．．快門
4．．．變倍中繼光學系統
5．．．複眼透鏡
6．．．會聚光學系統
7．．．遮蔽葉片
8．．．中繼光學系統
9．．．遮光板
10．．．中繼光學系統
11．．．原版
12．．．投射光學系統
13．．．晶片
14．．．控制器
131．．．標記
A．．．標記
d．．．寬度
95．．．驅動單元
96．．．驅動單元
圖1是示出根據第一實施例的曝光裝置的視圖；
圖2A和2B是用於說明基板上的轉印區域的視圖；
圖3A到3D是用於說明根據第一實施例的遮光板的視圖；
圖4是用於說明根據第一實施例的曝光方法的流程圖；
圖5A和5B是用於說明改變遮光寬度的方法的視圖；
圖6是用於說明根據第二實施例的遮光板的視圖；
圖7是用於示出第一實施例的另一個例子的視圖；
圖8是用於說明根據第三實施例的遮光板的視圖；以及
圖9是用於說明第三實施例的優勢的視圖。
9．．．遮光板
A．．．標記
95．．．驅動單元
96．．．驅動單元

Claims (9)

  1. 一種平版裝置，該平版裝置通過照射系統經由原版以光照射塗覆在基板上的感光材料，以將該原版的圖案轉印到基板上的擊射區域上，該裝置包括：遮光板，該遮光板在其邊緣上包括與圓形邊界線重疊的弧形，該圓形邊界線限定基板上的要將該圖案轉印到其上的區域，並且，該圓形邊界線位於基板的外周的內側並且距該基板的外周預定距離，該遮光板阻擋光以防止該光入射到基板上的位於圓形邊界線的外側的外周區域上；第一驅動單元，圍繞與照射系統的光學軸平行的軸旋轉該遮光板；第二驅動單元，在垂直於照射系統的光學軸的平面內依據該遮光板之旋轉所決定之方向上線性驅動該遮光板；以及控制器，控制該第一驅動單元和該第二驅動單元，使得當圖案要被轉印到其上的擊射區域與外周區域接觸時，該遮光板被定位在這樣的位置處，即在該位置處，該遮光板覆蓋與該擊射區域接觸的外周區域，其中，該弧形包括第一弧形和第二弧形，該第一弧形和第二弧形位於該遮光板的邊緣上，其中，在該第二驅動單元線性驅動該遮光板之方向上，該遮光板之最小寬度係比該擊射區域之對角線的長度更長，以及其中，該控制器控制該第一驅動單元與該第二驅動單 元，以依據與該外周區域接觸的該擊射區域之位置而使用該第一弧形和該第二弧形之一者。
  2. 根據申請專利範圍第1項所述的裝置，其中該遮光板包括開口，以及該第一弧形和第二弧形位於該開口的邊緣上的相反位置處，並且，該第一弧形和第二弧形在從該開口的內側到其外側的方向上凸起地彎曲。
  3. 根據申請專利範圍第1項所述的裝置，其中，該遮光板位於照射系統內的與基板共軛的位置處。
  4. 根據申請專利範圍第3項所述的裝置，還包括第二遮光板，該第二遮光板阻擋光以防止該光入射到位於直線狀邊的外側的區域上，該直線狀邊限定擊射區域的外邊緣，其中，該第二遮光板位於照射系統內的與基板共軛並且不同於該遮光板所位於的位置的位置。
  5. 根據申請專利範圍第3項所述的裝置，還包括第二遮光板，該第二遮光板阻擋光以防止該光入射到位於直線狀邊的外側的區域上，該直線狀邊限定擊射區域的外邊緣，其中，該第二遮光板位於與該遮光板相鄰的位置。
  6. 根據申請專利範圍第3項所述的裝置，還包括第二遮光板，該第二遮光板阻擋光以防止該光入射到位於直線狀邊的外側的區域上，該直線狀邊限定擊射區域的與第一方向平行的外邊緣， 其中，該第二遮光板位於與該遮光板相鄰的位置，以及該原版包括遮光部分，該遮光部分阻擋光以防止該光入射到位於直線狀邊的外側的區域上，該直線狀邊限定擊射區域的與垂直於第一方向的第二方向平行的外邊緣。
  7. 根據申請專利範圍第1項所述的裝置，其中，該平版裝置包括曝光裝置，該曝光裝置通過投射光學系統將原版的圖案投射和轉印到擊射區域上。
  8. 一種製造物品的方法，該方法包括：使用平版裝置，在基板上形成圖案，該平版裝置通過照射系統經由原版以光照射塗覆在基板上的感光材料，以將該原版的圖案轉印到基板上的擊射區域上；以及在該形成中對在其上形成圖案的基板進行加工，其中該平版裝置包括：遮光板，該遮光板在其邊緣上包括與圓形邊界線重疊的弧形，該圓形邊界線限定基板上的要將該圖案轉印到其上的區域，並且，該圓形邊界線位於基板的外周的內側並且距該基板的外周預定距離，該遮光板阻擋光以防止該光入射到基板上的位於圓形邊界線的外側的外周區域上，第一驅動單元，圍繞與照射系統的光學軸平行的軸旋轉該遮光板，第二驅動單元，在垂直於照射系統的光學軸的平面內依據該遮光板之旋轉所決定之方向上線性驅動該遮光板；以及 控制器，控制該第一驅動單元和該第二驅動單元，使得當圖案要被轉印到其上的擊射區域與外周區域接觸時，該遮光板被定位在這樣的位置處，即在該位置處，該遮光板覆蓋與該擊射區域接觸的外周區域，其中，該弧形包括第一弧形和第二弧形，該第一弧形和第二弧形位於該遮光板的邊緣上，其中，在該第二驅動單元線性驅動該遮光板之方向上，該遮光板之最小寬度係比該擊射區域之對角線的長度更長，以及其中，該控制器控制該第一驅動單元與該第二驅動單元，以依據與該外周區域接觸的該擊射區域之位置而使用該第一弧形和該第二弧形之一者。
  9. 一種平版裝置，該平版裝置通過照射系統經由模具以光照射塗覆在基板上的感光材料，以將該模具的圖案轉印到基板上的擊射區域上，該裝置包括：遮光板，該遮光板在其邊緣上包括與圓形邊界線重疊的弧形，該圓形邊界線限定基板上的要將該圖案轉印到其上的區域，並且，該圓形邊界線位於基板的外周的內側並且距該基板的外周預定距離，該遮光板阻擋光以防止該光入射到基板上的位於圓形邊界線的外側的外周區域上；第一驅動單元，圍繞與照射系統的光學軸平行的軸旋轉該遮光板；第二驅動單元，在垂直於照射系統的光學軸的平面內依據該遮光板之旋轉所決定之方向上線性驅動該遮光板； 以及控制器，控制該第一驅動單元和該第二驅動單元，使得當圖案要被轉印到其上的擊射區域與外周區域接觸時，該遮光板被定位在這樣的位置處，即在該位置處，該遮光板覆蓋與該擊射區域接觸的外周區域，其中，該弧形包括第一弧形和第二弧形，該第一弧形和第二弧形位於該遮光板的邊緣上，其中，在該第二驅動單元線性驅動該遮光板之方向上，該遮光板之最小寬度係比該擊射區域之對角線的長度更長，以及其中，該控制器控制該第一驅動單元與該第二驅動單元，以依據與該外周區域接觸的該擊射區域之位置而使用該第一弧形和該第二弧形之一者。
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